離子體環(huán)境中形成S12薄膜，SiH4+2N20—Si02+2N2+2H2。其中，N2O為一種會(huì)與有機(jī)膜層發(fā)生反應(yīng)的氣體，由于陽極金屬膜層覆蓋了有機(jī)襯底，使得在利用SiH4和N2O作為氣源形成S12薄膜時(shí)，N2O不會(huì)與有機(jī)膜層接觸，進(jìn)而可以避免在制備S12薄膜時(shí)，N2O與有機(jī)膜層發(fā)生反應(yīng)使有機(jī)膜層產(chǎn)生孔洞。
[0041]203、在無機(jī)物膜層上形成光刻膠，使光刻膠形成與陽極相同的圖案。具體的，可以通過構(gòu)圖工藝(如曝光、顯影)使光刻膠形成與陽極相同的圖案。
[0042 ] 204、使無機(jī)物膜層圖案化。優(yōu)選的，通過干刻法使無機(jī)物膜層圖案化。
[0043]205、使陽極金屬膜層形成陽極層。優(yōu)選的，通過濕刻法使陽極金屬膜層形成陽極層。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:在陽極金屬膜層上先形成無機(jī)物膜層，該陽極金屬膜層在無機(jī)物膜層形成過程中可以對(duì)有機(jī)膜層進(jìn)行保護(hù)和隔離，使無機(jī)物膜層制備過程中的物質(zhì)或氣體不會(huì)與有機(jī)膜層接觸，避免有機(jī)膜層出現(xiàn)孔洞，提高OLED的品質(zhì)。
[0045]為了更清楚的描述本發(fā)明中OLED制備方法，結(jié)合圖3至圖9詳細(xì)說明如下:
[0046]步驟一，在有機(jī)膜層I上形成陽極金屬膜層2，如圖3所示。
[0047]具體的，可以通過真空蒸鍍、磁控濺射或化學(xué)氣相沉積等方法在有機(jī)膜層I上進(jìn)行形成陽極金屬膜層2，其中，形成的陽極金屬膜層2覆蓋下方的有機(jī)膜層I。形成的陽極金屬膜層2的材質(zhì)以及膜層厚度可以根據(jù)需要進(jìn)行靈活設(shè)置。例如，金屬膜層的材質(zhì)可以為銀、招、銅材料。
[0048]步驟二，在陽極金屬膜層2上形成無機(jī)物膜層3，如圖5所示。
[0049]具體的，可以通過PECVD方法在圖3所示的陽極金屬膜層2之上形成無機(jī)物膜層3，如圖4所示;然后對(duì)無機(jī)物膜層3的進(jìn)行刻蝕形成如圖5所示的無機(jī)物膜層3。
[0050]優(yōu)選的，無機(jī)物膜層3的材料為氧化硅材料。具體的，可以為S1也可以為Si02。例如，對(duì)于在陽極金屬膜層2上形成S12時(shí)，可以通過采用SiH4和N2O作為氣源，采用PECVD方法在等離子體環(huán)境中通過如下反應(yīng):SiH4+2N20—Si02+2N2+2H2形成S12薄膜。其中，N2O為一種會(huì)與有機(jī)膜層發(fā)生反應(yīng)的氣體，如果在陽極金屬膜層2上形成S12薄膜之前對(duì)陽極金屬膜層2先進(jìn)性圖案化(例如，形成如圖9所示的陽極金屬膜層2)，則在形成S12薄膜時(shí)，N2O氣體就有可能通過圖案化的陽極金屬膜層2的間隙(例如，如圖9所示的間隙21)和有機(jī)膜層I發(fā)生反應(yīng)，造成有機(jī)膜層I形成孔洞。在本實(shí)施例中，由于陽極金屬膜層2覆蓋了有機(jī)膜層1，使得在利用SiH4和N2O作為氣源形成S12薄膜時(shí)，N2O不會(huì)與有機(jī)膜層I接觸，進(jìn)而可以避免在制備S12薄膜時(shí)，N2O與有機(jī)膜層I發(fā)生反應(yīng)使有機(jī)膜層I產(chǎn)生孔洞。
[0051]步驟三，在無機(jī)物膜層3上形成如圖6所示的光刻膠膜層4，使光刻膠膜層4形成與陽極相同的圖案。具體的，可以通過構(gòu)圖工藝(如曝光、顯影)使光刻膠膜層4形成如圖6所示的光刻膠膜層4，該光刻膠膜層4的圖形與后期形成的陽極圖案相同。
[0052]步驟四，使無機(jī)物膜層3圖案化，如圖7所示。優(yōu)選的，通過干刻法對(duì)未被光刻膠遮擋的無機(jī)物膜層3進(jìn)行刻蝕，形成如圖7所示的無機(jī)物膜層3。
[0053]步驟五，使陽極金屬膜層2圖案化，如圖8所示。優(yōu)選的，通過濕刻法使陽極金屬膜層2圖案化。具體的，可以根據(jù)陽極的金屬材料選擇合適的溶液對(duì)陽極金屬膜層2進(jìn)行刻蝕形成如圖8所示的圖案。
[0054]步驟六，去除光刻膠膜層4，完成陽極金屬膜層2與無機(jī)物膜層3的制備，如圖9所不O
[0055]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:在陽極金屬膜層上先形成無機(jī)物膜層，該陽極金屬膜層在無機(jī)物膜層形成過程中可以對(duì)有機(jī)膜層進(jìn)行保護(hù)和隔離，使無機(jī)物膜層制備過程中的物質(zhì)或氣體不會(huì)與有機(jī)膜層接觸，避免有機(jī)膜層出現(xiàn)孔洞，提高OLED的品質(zhì)。
[0056]本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED器件，以上述本發(fā)明實(shí)施例提供的方法制備。形成的OLED器件包括有機(jī)膜層、形成于有機(jī)膜層上的陽極層以及形成于陽極層上的無機(jī)物膜層，
[0057]優(yōu)選的，有機(jī)膜層可以是柔性O(shè)LED襯底，具體可以為PET、PEN、PEEK、PES以及PC等或含此類材料的復(fù)合有機(jī)襯底。
[0058]優(yōu)選的，金屬陽極膜層的材料可以為銀、鋁、銅等。
[0059]優(yōu)選的，無機(jī)物膜層的材料為氧化硅材料。具體的，可以為S1，也可以為Si02。
[0060]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:在陽極金屬膜層上先形成無機(jī)物膜層，該陽極金屬膜層在無機(jī)物膜層形成過程中可以對(duì)有機(jī)膜層進(jìn)行保護(hù)和隔離，使無機(jī)物膜層制備過程中的物質(zhì)或氣體不會(huì)與有機(jī)膜層接觸，避免有機(jī)膜層出現(xiàn)孔洞，提高OLED的品質(zhì)。
[0061]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種OLED制備方法，包括在有機(jī)膜層上形成陽極金屬膜層并使所述陽極金屬膜層形成包括陽極的圖案的陽極層的步驟，其特征在于， 所述使所述陽極金屬膜層形成包括所述陽極的圖案的所述陽極層之前，先在所述陽極金屬膜層上形成無機(jī)物膜層。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述無機(jī)物膜層上形成光刻膠，使所述光刻膠形成與所述陽極相同的圖案； 使所述無機(jī)物膜層圖案化； 使所述陽極金屬膜層形成所述陽極層。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，通過干刻法使所述無機(jī)物膜層圖案化。4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，通過濕刻法使所述陽極金屬膜層形成所述陽極層。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述陽極層之上形成所述無機(jī)物膜層的。6.一種OLED器件，其特征在于，以權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的方法制備。7.如權(quán)利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述有機(jī)膜層為有機(jī)襯底。8.如權(quán)利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述陽極的材料為銀、鋁、銅材料。9.如權(quán)利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述無機(jī)物膜層的材料為氧化硅材料。
【專利摘要】本發(fā)明的目的是提供一種OLED制備方法和OLED器件，以解決在金屬陽極上形成無機(jī)物膜層時(shí)，由于無機(jī)物膜層制備過程中的物質(zhì)或氣體與有機(jī)膜層反應(yīng)，致使有機(jī)膜層出現(xiàn)孔洞導(dǎo)致OLED不良的問題。所述OLED制備方法，包括在有機(jī)膜層上形成陽極金屬膜層并使所述陽極金屬膜層形成包括陽極的圖案的陽極層的步驟；所述使所述陽極金屬膜層形成包括所述陽極的圖案的所述陽極層之前，先在所述陽極金屬膜層上形成所述無機(jī)物膜層。
【IPC分類】H01L51/52, H01L27/32, H01L51/56
【公開號(hào)】CN105609658
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610109742
【發(fā)明人】顧鵬飛, 劉鳳娟, 孫宏達(dá)
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請(qǐng)日】2016年2月26日