吸附臺、貼合裝置以及貼合基板的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明的實施方式涉及一種吸附臺、貼合裝置以及貼合基板的制造方法。
【背景技術】
[0002]存在吸附晶片等基板的吸附臺。
這樣的吸附臺例如用于在半導體裝置的制造中的基板的貼合工序(例如，參照專利文獻I) O
在基板的貼合工序中，將2張基板的貼合面彼此貼合而形成I張基板。
例如，在制造所謂SOKSilicon on Insulator)晶片或用陽極接合法對玻璃基板與娃基板進行接合時等，將2張基板的貼合面彼此貼合而形成I張基板。
[0003]根據這樣的技術，在基板之間能夠不介由粘接劑等而彼此貼合基板。因此，能夠實現在貼合之后的處理(例如，等離子體處理、熱處理、化學處理等)中的工藝條件的多樣化。另外，能夠容易進行Pn接合或絕緣膜的埋設等。
但是，難以高精度地貼合發(fā)生了翹曲等的變形的基板。
[0004]專利文獻I:日本國特開昭61-145839號公報

【發(fā)明內容】

[0005]本發(fā)明的實施方式所要解決的技術問題是提供一種即使對已變形的基板也能夠高精度地進行貼合的吸附臺、貼合裝置以及貼合基板的制造方法。
[0006]實施方式所涉及的吸附臺具備:放置部，放置第I基板;及排氣部，對所述第I基板與所述放置部之間的部位進行排氣。
所述放置部具有:第I壁部，設置在所述放置部的一個端面的外緣側且呈環(huán)狀;及第2壁部，設置在所述第I壁部的內側且呈環(huán)狀，
所述排氣部具有:第I控制閥，設置在第I區(qū)域與所述排氣部之間，該第I區(qū)域為所述第I壁部與所述第2壁部之間的區(qū)域;第2控制閥，設置在所述第2壁部內側的第2區(qū)域與所述排氣部之間;及控制部，對所述第I控制閥與所述第2控制閥進行控制。
所述控制部通過對所述第I控制閥及所述第2控制閥進行控制，從而在所述第I區(qū)域及所述第2區(qū)域當中的至少一個區(qū)域中交互地進行對所述第I基板的吸附與對所述第I基板的吸附解除。
所述控制部在所述第I區(qū)域及所述第2區(qū)域當中的任意一個區(qū)域中進行對所述第I基板的吸附解除期間，在另一個區(qū)域中進行對所述第I基板的吸附。
[0007]根據本發(fā)明的實施方式，能夠提供一種即使對已變形的基板也能夠高精度地進行貼合的吸附臺、貼合裝置以及貼合基板的制造方法。
【附圖說明】
[0008]圖1是用于例示本實施方式所涉及的吸附臺101及貼合裝置100的模式圖。 圖2是用于例示放置部12的模式圖。
圖3是圖2中的A-A線向視圖。
圖4是在區(qū)域12g及區(qū)域12h中的吸附與吸附解除動作的時間圖。
圖5是用于例示在各時間帶中的吸附與吸附解除動作的模式圖。
圖6是在區(qū)域12g及區(qū)域12h中的吸附與吸附解除動作的時間圖。
圖7是用于例示在各時間帶中的吸附與吸附解除動作的模式圖。
圖8是在區(qū)域12g及區(qū)域12h中的吸附與吸附解除動作的時間圖。
圖9是用于例示在各時間帶中的吸附與吸附解除動作的模式圖。
【具體實施方式】
[0009]以下，參照附圖對實施方式進行例示。并且，在各附圖中對同樣的構成要素標注相同的符號并適當省略詳細說明。
圖1是用于例示本實施方式所涉及的吸附臺101及貼合裝置100的模式圖。
圖2是用于例示放置部12的模式圖。
圖3是圖2中的A-A線向視圖。
[0010]如圖1所示，貼合裝置100中設置有處理容器11、放置部12、基板支撐部13、按壓部
14、排氣部15及控制部16。
并且，本實施方式所涉及的吸附臺101具有放置部12、排氣部15及控制部16。
[0011]處理容器11呈箱狀且為氣密結構。
在處理容器11的側壁上設置有用于搬入搬出基板Wl (相當于第I基板的一個例子)、基板W2(相當于第2基板的一個例子)等的開口部11a。另外，設置有可氣密地開閉開口部Ila的開閉門I lb。
[0012]放置部12設置于處理容器11內部的底面。
如圖2及圖3所示，放置部12具有本體部12a、壁部12b(相當于第I壁部的一個例子)、壁部12c(相當于第2壁部的一個例子)、支撐部12d、孔部12e及孔部12f。
并且，為了避免變得雜亂，圖3中省略了支撐部12d的一部分。
本體部12a呈圓柱狀。
并且，雖然例示了呈圓柱狀的本體部12a，但是能夠根據被放置的基板Wl的形狀等而適當改變本體部12a的形狀。例如，本體部12a也可以呈棱柱狀。
壁部12b設置在本體部12a的放置基板Wl的一側的端面12al上。壁部12b呈環(huán)狀且圍住本體部12a的外緣。
[0013]壁部12c設置在本體部12a的端面12al上。壁部12c設置在壁部12b的內側。壁部12c呈環(huán)狀。壁部12c的高度尺寸(從端面12al到頂面的尺寸)與壁部12b的高度尺寸相同。
通過設置壁部12b與壁部12c，從而將本體部12a的端面12al劃分為2個區(qū)域。即，被劃分為:位于壁部12b與壁部12c之間的區(qū)域12g(相當于第I區(qū)域的一個例子)；及位于壁部12c內側的區(qū)域12h(相當于第2區(qū)域的一個例子)。
因此，如后所述，能夠分別控制對基板Wl外緣側的吸附及對中央部側的吸附。另外，由于壁部12b頂面的面積與壁部12c頂面的面積較小，因此能夠減小對吸附性能的影響。
另外，即使在對基板Wl變形進行矯正的情況下，由于壁部12b頂面的面積與壁部12c頂面的面積較小，因此也能夠不受壁部12b頂面與壁部12c頂面形狀的影響而對基板Wl變形進行矯正。
[0014]另外，在俯視時，區(qū)域12g的面積與區(qū)域12h的面積相同。
只要俯視時使區(qū)域12g的面積與區(qū)域12h的面積相同，則能夠使在各個區(qū)域中單位面積上產生的吸附力相同。
或者，只要使區(qū)域12g中的介由孔部12e的吸引量與區(qū)域12h中的介由孔部12f的吸引量相同，則能夠使在各個區(qū)域中產生的單位面積吸附力相同。即，只要使在區(qū)域12g與區(qū)域12h中的各個的吸引量相同即可。其結果，在各個區(qū)域中能夠實現未發(fā)生傾斜的吸附。
并且，雖然例示了設置壁部12b與壁部12c的情況，但是在壁部12b及壁部12c各自的內側還可以再設置壁部。
即，也可以將本體部12a的端面12al劃分成3個以上的區(qū)域。
[0015]支撐部12d呈柱狀且設置在本體部12a的端面12al上。支撐部12d的高度尺寸(從端面12al到頂面的尺寸)與壁部12b的高度尺寸相同。即，壁部12b、壁部12c與支撐部12d的高度尺寸相同。因此，包含壁部12b、壁部12c、支撐部12d的各自頂面的面成為放置部12的放置面。
圖1及圖2所例示的放置部12的放置面為平坦面。并且，放置部12的放置面并不局限于平坦面，而是可適當進行變更。例如，放置部12的放置面也可以是凸狀或凹狀的曲面。
[0016]圖2及圖3所例示的支撐部12d雖然呈圓柱狀，但是例如也可以呈圓錐臺狀或棱錐臺狀或球面狀。支撐部12d的頂面成為基板Wl的放置面。因此，如果使支撐部12d呈圓錐臺狀或棱錐臺狀或球面狀，則與圓柱狀的支撐部相比更能減小與基板Wl的接觸面積。其結果，能夠抑制基板Wl上產生污物、顆粒等。
另外，由于支撐部12d的頂面面積較小，因此能夠降低顆粒附著于基板Wl放置面即支撐部12d頂面的概率。因此，能夠抑制因顆粒而吸附性能降低。
[0017]安裝有多個支撐部12d。相鄰的支撐部12d的彼此之間的尺寸相等。即，以等間隔設置有多個支撐部12d。如果過于擴大支撐部12d的間隔，則在吸附有基板Wl時基板Wl有可能發(fā)生局部撓曲。能夠通過實驗或模擬來適當地設定支撐部12d的間隔。
例如，能夠以同心圓狀、鋸齒狀等配置多個支撐部12d。
[0018]孔部12e在厚度方向上貫通本體部12a。孔部12e的一個端部在區(qū)域12g的端面12al上開口?？撞?2e的另一個端部在端面12a2上開口并連接于排氣部15。
孔部12f在厚度方向上貫通本體部12a。孔部12f的一個端部在區(qū)域12h的端面12al上開口。孔部12f的另一個端部在端面12a2上開口并連接于排氣部15。
孔部12e及孔部12f在端面12al上的開口的直徑尺寸優(yōu)選Imm以下。如果直徑尺寸超過1mm，則在基板Wl上有可能發(fā)生局部傾斜。
[0019]在將基板Wl放置于放置部12時，基板Wl的外緣附近從本體部12a突出。
此時，能夠設置提起從本體部12a突出的基板Wl部分的未