一種大尺寸amoled顯示基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種大尺寸AMOLED顯示基板及其制備方法，涉及有機電致發(fā)光器件蒸鍍技術(shù)及工藝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED即有機發(fā)光二極管，又稱為有機電激光顯示。OLED具有自發(fā)光的特性，且OLED顯示屏幕可視角度大，能夠節(jié)省電流，得到廣泛應用。隨著人們對OLED需求日益增加，對OLED的工藝要求也越來越高。
[0003]目前大尺寸AMOLED產(chǎn)品(如TV)主要采用白光和彩膜共同作用的方式發(fā)光，此發(fā)光方式只用Open Mask蒸鍍，并且根據(jù)蒸鍍工藝特點，一般使用In-line結(jié)構(gòu)的蒸鍍設備來降低設備成本。
[0004]In-Line設備的特點決定了在進行AMOLED顯示基板的有機發(fā)光材料層蒸鍍時，需要將Mask和基板貼附在一起進行移動并完成蒸鍍;而大尺寸基板的特點決定了玻璃基板在貼附和轉(zhuǎn)運過程中容易發(fā)生彎曲變形，導致蒸鍍工藝不良影響，因此有必要采取措施克服大尺寸AMOLED顯示基板在貼附和轉(zhuǎn)運過程中因彎曲變形而導致的各種工藝不良的缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是提供一種大尺寸AMOLED顯示基板的制作方法，以期有效提高工藝良率和生產(chǎn)效率，減少靜電積累放電對TFT電路及AMOLED顯示基板性能的影響，提升AMOLED顯不基板的性能。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]—種AMOLED顯示基板的制作方法，包括如下步驟:
[0008]I)在基底100上表面形成TFT器件101;
[0009]2)在基底100下表面形成功能層102;
[0010]3)由TFT器件101和功能層102組成蒸鍍基板，將蒸鍍基板的功能層102—側(cè)貼附在承載基臺103上；
[0011]4)將貼附在承載基臺103上的蒸鍍基板通過蒸鍍設備中的In-Line裝置，蒸鍍處理后在器件101表面形成有機電致發(fā)光材料層104;
[0012]5)在封裝基臺105上對有機電致發(fā)光材料層104進行封裝，形成保護層106;
[0013]6)移除封裝基臺105，得到AMOLED顯示基板。
[0014]本發(fā)明所述AMOLED顯示基板的制作方法中，步驟I)中，所述基底材料可選用本領(lǐng)域常規(guī)基底材料，如玻璃、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂等材料。
[0015]本發(fā)明所述AMOLED顯示基板的制作方法中，步驟2)中，所述功能層的制備包括如下步驟:
[0016]S21、通過涂布工藝或者旋涂工藝在基底下表面形成硅氧烷材料層1021;
[0017]S22、將磁性纖蛇紋石納米管材料1022分散在溶劑中，通過溶液制程法在硅氧烷材料層1021上形成圖案化，再對硅氧烷材料層1021進行低溫固化成型，形成功能層102。
[0018]在步驟S21中，所述硅氧烷材料層的材質(zhì)選自聚二甲基硅氧烷或聚二甲基硅氧烷的改性聚合物。
[0019]在步驟S22中，所述溶劑為乙醇溶液或水。
[0020]在步驟S22中，所述圖案化可采用本領(lǐng)域常規(guī)圖案化設計即可，本申請在此不做特別限定。
[0021]本發(fā)明所述AMOLED制作方法中，步驟2)中，當功能層形成后，可利用紫外線或臭氧對功能層102進行氧化處理，以在功能層102表面形成無機硅薄膜，固化，得到絕緣層，以增強功能層的機械強度。其中，所述氧化處理時間為15s-2min。所述無機娃薄膜是在PDMS材料靠近光照一側(cè)的表面上形成的Si02。
[0022]本發(fā)明所述AMOLED顯示基板的制作方法中，步驟3)中，所述承載基臺上分布數(shù)個電磁模塊裝置，通過控制電流大小來控制電磁模塊對蒸鍍基板的吸附力及對位。
[0023]為了降低功能層和基底之間結(jié)合強度，還可從步驟6)制得的AMOLED顯示基板的基底底部一側(cè)對功能層102進行氧化處理，將剩余的硅氧烷材料層1021進一步氧化形成無機硅薄膜1021S，以降低功能層和基底之間的結(jié)合強度，從而將功能層從AMOLED顯示基板上剝離下來，得到由基底、TFT器件、有機電致發(fā)光材料層、封裝保護層組成的AMOLED顯示基板。其中，所述氧化處理時間為15s-2min。
[0024]本發(fā)明還提供由上述方法得到的AMOLED顯示基板。
[0025]本發(fā)明通過溶液制程法將納米磁性無機物制作在基板背面，使基板具有磁性，改善了大尺寸AMOLED顯示基板與Mask貼附方式，提升了工藝良率;通過改善納米磁性無機物在基板上的圖案化設計，減小基板在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的靜電，從而減少靜電積累放電對TFT電路及AMOLED顯不基板的性能的影響。
【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明所述大尺寸AMOLED顯示基板的制作工藝的流程示意圖。
[0027]圖2為本發(fā)明所述AMOLED顯不基板的功能層的圖案化不意圖；其中，圖2A為一種圖案化;圖2B為另一種圖案化。
[0028]圖3-圖9為本發(fā)明實施例中各步驟中AMOLED顯示基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖中:100、基底；101、TFT器件；102、功能層；1021、硅氧烷材料層；1022、磁性纖蛇紋石納米管材料；1021S、無機硅薄膜；103、承載基臺；104、有機電致發(fā)光材料層；105、封裝基臺；106、封裝保護層。
【具體實施方式】
[0030]以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0031 ]本發(fā)明提供一種AMOLED的制作方法，如圖1所示，具體包括如下步驟:
[0032]I)在基底100上表面形成TFT器件101;
[0033]2)在基底100下表面形成功能層102;
[0034]3)由TFT器件101和功能層102組成蒸鍍基板，如圖4所示，將蒸鍍基板的功能層102一側(cè)貼附在承載基臺103上；
[0035]4)將貼附在承載基臺103上的蒸鍍基板通過蒸鍍設備中的In-Line裝置，蒸鍍處理后在器件101表面形成有機電致發(fā)光材料層104，如圖5所示；
[0036]5)在封裝基臺105上對有機電致發(fā)光材料層104進行封裝，如圖6所示，形成保護層106；
[0037]6)移除承載基臺105，如圖7所示，得到AMOLED顯示基板。
[0038]本發(fā)明通過在基底下表面形成功能層102，使基板具有磁性，改善了大尺寸AMOLED顯示基板與Mask貼附方式，提升了工藝良率；同時，減小基板在生產(chǎn)過程中產(chǎn)生的靜電，從而減少靜電積累放電對T F T電路及AMO LE D顯示基板的性能的影響。
[0039]所述基底可選自本領(lǐng)域AMOLED常用的基底材料，如玻璃、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂等材料。
[0040]為了克服大尺寸AMOLED顯示基板在貼附和轉(zhuǎn)運過程中因彎曲變形而導致的各種工藝不良的缺陷，本發(fā)明在所述基板背面設有帶有磁性的功能層，以使基板相應具有磁性，從而避免在貼附和轉(zhuǎn)運過程中發(fā)生變形。所述功能層具體制備包括如下步驟:
[0041]S21、通過涂布工藝或者旋涂工藝在基底下表面形成硅氧烷材料層1021;
[0042]S22、將磁性纖蛇紋石納米管材料1022分散在溶劑中，通過溶液制程法在硅氧烷材料層1021上形成圖案化，如圖2A或圖2B所示，再對硅氧烷材料層1021進行低溫固化成型，形成功能層102。
[0043]其中，步驟S21中，所述硅氧烷材料層的材質(zhì)選自聚二甲基硅氧烷或聚二甲基硅氧烷的改性聚合物。
[0044]其中，步驟S22中，所述溶劑為乙醇溶液或水。所述圖案化如圖2A或圖2B所示。
[0045]當所述功能層形成后，還可進一步利用紫外線或臭氧對功能層102進行氧化處理，如圖3所示，以在功能層102表面形成無機硅薄膜1021S，固化形成