其他實施例中，所述柵條101的寬度可以略大于或略小于相鄰兩個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107之間的間距。
[0065]需要說明的是，第一衍射波形與第二衍射波形形成的干涉光的振幅與第一衍射波形與第二衍射波形的相位差相關(guān)，其中第一衍射波形的相位與條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的厚度有關(guān)，因此，在本實施例中，根據(jù)條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的深度的不同，干涉光的振幅也不同。
[0066]圖5是本實施例干涉光的振幅與條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107厚度的關(guān)系圖。其中，橫坐標(biāo)為條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107深度，縱坐標(biāo)為本實施例干涉光振幅與第二衍射波形振幅的比值。從圖6中可以看出，在使所述多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的厚度在0.01到0.13微米的范圍內(nèi)，或者在0.22到0.35微米到范圍內(nèi)時，本實施例干涉光的振幅與第二衍射波形振幅的比值大于1，即當(dāng)所述多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的厚度在0.01到0.13微米的范圍內(nèi)，或者在0.22到0.35微米到范圍內(nèi)時，干涉光的振幅較第二衍射波形振幅更大，使得測量套刻精度的光學(xué)檢測設(shè)備容易探測到干涉光的波形，并更容易獲得準(zhǔn)確反應(yīng)第二光柵位置和形狀的信息，測量套刻精度的結(jié)果更加精確。
[0067]需要說明的是，在使所述多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的厚度在O到0.13微米的范圍內(nèi)，或者在0.22到0.35微米到范圍內(nèi)時，本實施例干涉光的振幅與第二衍射波形振幅的比值大于1，是由間隔層102、柵條101、襯底100和條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的材料(不同材料具有不同的透光率和折射率)所決定的，因此，當(dāng)間隔層102、柵條101、襯底100和條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的材料發(fā)生變化時，本實施例干涉光的振幅與條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107深度的關(guān)系曲線也會發(fā)生變化，可能使多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的厚度在其他范圍時，干涉光的振幅與第二衍射波形振幅的比值大于I。
[0068]還需要說明的是，為了使第一衍射波形與第二衍射波形的波形易于被測量套刻精度的光學(xué)檢測設(shè)備識別，第二光柵的多個柵條101的寬度以及間距需要在一定范圍內(nèi)，可選的，多個柵條101的寬度分別在600納米到800納米的范圍內(nèi)，所述柵條101之間的間距在400納米到600納米的范圍內(nèi)。相應(yīng)的，條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的寬度在400納米到600納米的范圍內(nèi)，條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107之間的間距在600納米到800納米的范圍內(nèi)。
[0069]參考圖6，在所述多個柵條101和間隔層102上形成介質(zhì)層。
[0070]在本實施例中，所述介質(zhì)層包括依次形成的氧化硅層103、硬掩模層104、底部抗反射層105，所述介質(zhì)層用于絕緣，但是本發(fā)明對介質(zhì)層的具體結(jié)構(gòu)不做限制。
[0071]需要說明的是，在本實施例中，所述介質(zhì)層還形成于所述絕緣層120上。
[0072]結(jié)合參考圖7，圖8，圖8為圖7所示步驟的俯視投影圖。在所述襯底100標(biāo)記區(qū)上的介質(zhì)層上形成多個條狀圖形108，所述多個條狀圖形108組成第三光柵，所述多個條狀圖形108之間的空間作為第三光柵的狹縫；所述第三光柵與第二光柵在襯底100上的投影相鄰，并且多個柵條101與多個條狀圖形108在襯底100上的投影沿同一方向延伸。在本實施例中，多個柵條101與多個條狀圖形108在襯底100上的投影沿第一方向延伸(圖8中XX'方向)ο
[0073]需要說明的是，圖8為本實施例套準(zhǔn)標(biāo)記的俯視投影圖，為了圖示清楚第三光柵與第二光柵的位置關(guān)系，示出了介質(zhì)層覆蓋下第二光柵的多個柵條101，實際上多個柵條101在俯視圖中應(yīng)被氧化硅層103、硬掩模層104、底部抗反射層105遮擋。
[0074]第三光柵的位置能夠被所述光學(xué)檢測設(shè)備識別，第三光柵與所述第二光柵共同構(gòu)成第一套準(zhǔn)標(biāo)記200，通過所述光學(xué)檢測設(shè)備對所述第一套準(zhǔn)標(biāo)記200進行測試，能夠測試第三光柵所在膜層與第二光柵所在膜層之間，在第二方向(圖8中YY'方向)上的套刻精度(所述第二方向與第一方向正交)。
[0075]在本實施例中，如圖8所示，所述條狀圖形108與所述柵條101在襯底100上的投影在延伸方向上對齊，使得第三光柵和第二光柵便于被光學(xué)檢測設(shè)備同時探測，但是本發(fā)明對此不做限制，在其他實施例中，所述條狀圖形108與所述柵條101在襯底上的投影在延伸方向上還可以不對齊。
[0076]需要說明的是，圖7中為示意清楚形成多個條狀圖形108的步驟，在圖7中同時示意了多個柵條101與多個條狀圖形108，實際上多個條狀圖形108并不形成于多個柵條101的上方，而是如圖8所示，形成于多個柵條101 —側(cè)的襯底100上方。
[0077]需要說明的是，在本實施例中，所述條狀圖形108為在介質(zhì)層上形成光阻層并曝光顯影形成。在形成所述第二光柵和第三光柵的同時，在襯底100的器件區(qū)上形成柵極和柵極上方的光阻圖形(未示出)，所述光阻圖形具有位于柵極上方的開口，所述開口用于形成柵極上的通孔。
[0078]在本實施例中，所述第二光柵和柵極采用同一多晶硅層光刻形成，所述第三光柵和光阻圖形采用同一光阻層曝光顯影形成，因此所述第一套準(zhǔn)標(biāo)記200能夠用于測量柵極與柵極上的通孔的套刻精度。
[0079]具體地，采用光學(xué)檢測設(shè)備對所述第一套準(zhǔn)標(biāo)記200進行檢測時，光學(xué)檢測設(shè)備探測第一衍射波形與第二衍射波形形成的干涉光的波形，得到第二光柵在第二方向的位置；并探測通過第三光柵的第三衍射波形，得到的第三光柵在第二方向的位置，進而能夠得到第二光柵和第三光柵在第二方向位置之間的偏移量，第二光柵和第三光柵在第二方向位置之間的偏移量能夠反映襯底的器件區(qū)上，柵極與柵極上的條狀圖形在第二方向位置之間的偏移量，進而獲得柵極與柵極上的通孔在第二方向上的套刻精度。
[0080]由于在本實施例中，光學(xué)檢測設(shè)備容易探測到干涉光的波形，進而更容易獲得準(zhǔn)確反應(yīng)第二光柵位置和形狀的信息，得到第二光柵在第二方向的位置信息更精確，因此得到的第二光柵和第三光柵在第二方向的位置偏移量更加精確，通過第一套準(zhǔn)標(biāo)記獲得的柵極與柵極上的通孔的套刻精度也更精確。
[0081]在本實施例中，所述多個條狀圖形108與多個柵條101的寬度相等，多個條狀圖形108的寬度分別在600納米到800納米的范圍內(nèi)。多個條狀圖形108與多個柵條101的寬度相等，使得第一套準(zhǔn)標(biāo)記200中，第二光柵和第三光柵的形狀接近，有利于提高測量精度。
[0082]需要說明的是，利用第一套準(zhǔn)標(biāo)記200僅能獲得柵極與柵極上的通孔在第二方向上的套刻精度。繼續(xù)參考圖8，在本實施例中，在襯底100的標(biāo)記區(qū)形成第一套準(zhǔn)標(biāo)記200同步形成第二套準(zhǔn)標(biāo)記201、第三套準(zhǔn)標(biāo)記202、第四套準(zhǔn)標(biāo)記203，第二套準(zhǔn)標(biāo)記201、第三套準(zhǔn)標(biāo)記202、第四套準(zhǔn)標(biāo)記203與第一套準(zhǔn)標(biāo)記200的結(jié)構(gòu)大致相同，均包括第一光柵、第二光柵和第三光柵，其中第二套準(zhǔn)標(biāo)記201、第三套準(zhǔn)標(biāo)記202中，第一光柵、第二光柵和第三光柵的多個柵條與多個條狀圖形在襯底100上的投影沿第二方向延伸，第四套準(zhǔn)標(biāo)記203中，第一光柵、第二光柵和第三光柵的多個柵條與多個條狀圖形在襯底100上的投影沿第一方向延伸。這樣第一套準(zhǔn)標(biāo)記200、第二套準(zhǔn)標(biāo)記201、第三套準(zhǔn)標(biāo)記202、第四套準(zhǔn)標(biāo)記203以襯底100標(biāo)記區(qū)中的一點為中心呈中心對稱的形狀。通過所述光學(xué)檢測設(shè)備對第一套準(zhǔn)標(biāo)記200、第二套準(zhǔn)標(biāo)記201、第三套準(zhǔn)標(biāo)記202、第四套準(zhǔn)標(biāo)記203進行測試，能夠得到柵極與柵極上的通孔的在第一方向和第二方向上的套刻精度，并且在每個方向上的結(jié)果均為兩個不同的套準(zhǔn)標(biāo)記得到，進一步提高了套刻精度的測試精度。
[0083]本發(fā)明還提供一種套準(zhǔn)標(biāo)記，所述套準(zhǔn)標(biāo)記可以由上述實施例所述形成方法形成，因此本實施例套準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)可以繼續(xù)參考圖7、圖8。需要說明的是，本發(fā)明套準(zhǔn)標(biāo)記還可以采用其他形成方法形成，本發(fā)明對此不作限制。
[0084]具體地，結(jié)合參考圖7、圖8，圖8為圖7的俯視投影圖，本實施例中，所述套準(zhǔn)標(biāo)記包括:
[0085]襯底100，所述襯底100包括標(biāo)記區(qū)。在本實施例中，所述襯底100為單晶硅襯底，在其他實施例中，所述襯底100還可以為多晶硅襯底、非晶硅襯底、鍺硅襯底或絕緣體上硅襯底等其它半導(dǎo)體襯底，對此本發(fā)明不做任何限制。
[0086]位于所述標(biāo)記區(qū)的襯底100中的多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107，所述多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107之間的襯底100用于組成第一光柵，所述多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107作為第一光柵的狹縫。在本實施例中，所述條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的材料為氧化硅，由于氧化硅的透光率小于單晶硅的透光率，光通過第一光柵之后發(fā)生狹縫衍射，形成第一衍射波形，所述第一衍射波形帶有標(biāo)志第一光柵位置和形狀的信息。
[0087]在本實施例中，位于所述標(biāo)記區(qū)的襯底100中的多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的厚度在0.0l到0.13微米的范圍內(nèi)，或者在0.22到0.35微米到范圍內(nèi)。但是本發(fā)明對所述多個條形淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)107的厚度不做