通孔的清洗方法及半導(dǎo)體器件的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種通孔的清洗方法及半導(dǎo)體器件的制備方法，在干法刻蝕形成后層通孔之后，為了去除干法刻蝕引入的電荷，先采用紫外線對(duì)后層通孔進(jìn)行照射處理，中和去除大約三分之一至三分之二的電荷，再采用二氧化碳和堿性溶液的混合溶液對(duì)后層通孔中進(jìn)行降電勢(shì)差處理，從而在后續(xù)進(jìn)行正常濕法去除工藝中，能夠減少前層通孔連線的電勢(shì)差，很大程度上減小電解反應(yīng)對(duì)前層通孔連線造成的腐蝕，確保形成后層通孔后前層通孔連線依舊性能良好，進(jìn)而能夠保證半導(dǎo)體器件的性能。
【專利說(shuō)明】
通孔的清洗方法及半導(dǎo)體器件的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種通孔的清洗方法及半導(dǎo)體器件的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體后段金屬互連中，經(jīng)常會(huì)發(fā)生金屬連線和通孔對(duì)準(zhǔn)偏移(overlayshift)等原因使金屬層沒(méi)有完全覆蓋通孔中的通孔連線，導(dǎo)致一部分通孔連線裸露出。在通孔刻蝕過(guò)程中，需要使用等離子體干法刻蝕和氧離子灰化工藝，容易引入大量的電荷，從而使裸露的通孔連線表面聚集大量的正電荷，然后在通孔刻蝕后的濕法清洗(wet strip)過(guò)程中，帶有正電荷的通孔連線會(huì)發(fā)生電化學(xué)腐蝕反應(yīng)導(dǎo)致通孔連線被腐蝕掉。
[0003]圖1至圖4為現(xiàn)有技術(shù)中通孔連線被腐蝕的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0004]首先，請(qǐng)參考圖1，提供半導(dǎo)體襯底10，在所述半導(dǎo)體襯底10上形成有介質(zhì)層20，在所述介質(zhì)層20中形成通孔，并在所述通孔中依次形成阻擋層40及通孔連線30，接著，在所述通孔連線30及阻擋層40上形成金屬連線50，由于金屬連線50與通孔對(duì)準(zhǔn)存在偏移，導(dǎo)致一部分通孔連線30暴露出，接著，在阻擋層40、金屬連線50上形成金屬層間介質(zhì)層(IMD) 60，接著，在所述金屬層間介質(zhì)層60上形成圖案化的光阻70，并借助圖案化的光阻70的阻擋，對(duì)所述金屬層間介質(zhì)層60進(jìn)行干法刻蝕，形成下一層的通孔，所述下一層的通孔暴露出所述金屬連線50。由于金屬連線50暴露出通孔連線30，因此，此處所述通孔連線30也被暴露出。由于干法刻蝕帶有大量的電荷，因此會(huì)導(dǎo)致通孔連線30表面聚集有大量的電荷。
[0005]接著，請(qǐng)參考圖2，形成下一層的通孔之后，采用氧離子灰化工藝去除所述圖案化的光阻70，在此步驟中，氧離子灰化工藝將引入更多的電荷，使通孔連線30的表面電荷積聚更多。
[0006]接著，請(qǐng)參考圖3和圖4，在去除圖案化的光阻70之后，采用濕法去除(也稱為Solvent Clean，溶劑清洗)對(duì)通孔進(jìn)行清洗，以去除刻蝕形成的殘留物。此處采用堿性溶液進(jìn)行清洗，通常采用的是為杜邦公司的NEKC，所述NEKC清潔是用胺堿進(jìn)行，即含有胺基的有機(jī)溶劑，例如EKC 270/265或ACT 940等有機(jī)溶劑。由于通孔連線30帶有大量正電荷，在此處使用溶液進(jìn)行清洗時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)腐蝕反應(yīng)對(duì)通孔連線30進(jìn)行腐蝕，進(jìn)而導(dǎo)致通孔連線30被完全腐蝕掉，影響整個(gè)半導(dǎo)體器件的性能。
[0007]為了防止通孔連線被腐蝕，目前主要采取以下手段進(jìn)行改進(jìn):
[0008]一、改善上下層金屬連線與通孔之間的對(duì)準(zhǔn)偏移問(wèn)題，若金屬連線能與通孔精確對(duì)準(zhǔn)，則通孔連線就不會(huì)露在外面，即使存在正電荷的聚集，也不會(huì)發(fā)生腐蝕反應(yīng)使通孔連線完全被腐蝕；然而隨著尺寸的縮小，精確控制上下層金屬連線與通孔之間的對(duì)準(zhǔn)偏移問(wèn)題并不容易，無(wú)法精確做到；
[0009]二、在氧離子灰化過(guò)程，通入一定的H2N2氣體，這樣可以使H2N2氣體離解成H原子，H原子被抽走時(shí)可以帶走一部分正電荷，從而減輕通孔連線被腐蝕的程度。
[0010]然而，以上方法均只能在一定程度上起到改善，但效果并不理想，現(xiàn)有技術(shù)中依舊時(shí)常遭受通孔連線被完全腐蝕掉的情形。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的在于提供一種通孔的清洗方法及半導(dǎo)體器件的制備方法，能夠確保通孔不被化學(xué)腐蝕掉，進(jìn)而能夠保證半導(dǎo)體器件的性能。
[0012]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出了一種通孔的清洗方法，包括步驟:
[0013]提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層、貫穿所述第一介質(zhì)層的前層通孔以及形成于所述前層通孔中的前層通孔連線；
[0014]在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，并對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行等離子體干法刻蝕處理形成后層通孔，所述后層通孔暴露出所述前層通孔連線；
[0015]采用紫外線對(duì)所述后層通孔進(jìn)行照射處理；
[0016]采用混合溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行降電勢(shì)差處理，所述混合溶液為二氧化碳和堿性溶液。
[0017]進(jìn)一步的，在所述的通孔的清洗方法中，所述紫外線對(duì)所述后層通孔進(jìn)行照射處理的時(shí)間范圍是I分鐘?20分鐘。
[0018]進(jìn)一步的，在所述的通孔的清洗方法中，所述混合溶液對(duì)所述后層通孔中進(jìn)行降電勢(shì)差處理的時(shí)間范圍是10秒?30分鐘。
[0019]進(jìn)一步的，在所述的通孔的清洗方法中，所述堿性溶液為含有胺基的有機(jī)溶劑。
[0020]進(jìn)一步的，在所述的通孔的清洗方法中，進(jìn)行降電勢(shì)差處理前，在所述堿性溶液中通入1s?200s、流量范圍是200sccm?5000sccm的二氧化碳形成所述混合溶液。
[0021]進(jìn)一步的，在所述的通孔的清洗方法中，采用混合溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行降電勢(shì)差處理后，對(duì)所述堿性溶液重新通入1s?200s、流量范圍是200sccm?5000sccm的二氧化碳，以重復(fù)利用所述混合溶液。
[0022]進(jìn)一步的，在所述的通孔的清洗方法中，重復(fù)利用所述混合溶液時(shí)，相對(duì)于上一次使用延長(zhǎng)本次采用混合溶液進(jìn)行降電勢(shì)差處理的時(shí)間，延長(zhǎng)的時(shí)間范圍是10秒?30分鐘。
[0023]在本發(fā)明的另一方面，還提出了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，采用如上文所述的通孔的清洗方法，包括步驟:
[0024]提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層、貫穿所述第一介質(zhì)層的前層通孔、形成于所述前層通孔中的前層通孔連線以及形成于所述第一介質(zhì)層上且暴露出部分前層通孔連線的金屬連線；
[0025]在所述第一介質(zhì)層和所述金屬連線上形成第二介質(zhì)層，并對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行等離子體干法刻蝕處理形成后層通孔，所述后層通孔暴露出所述前層通孔連線；
[0026]采用紫外線對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行照射處理；
[0027]采用混合溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行降電勢(shì)差處理，所述混合溶液為二氧化碳和堿性溶液；
[0028]采用堿性溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行清洗。
[0029]進(jìn)一步的，在所述的半導(dǎo)體器件的制備方法中，所述半導(dǎo)體襯底上還形成有阻擋層，所述阻擋層形成于所述介質(zhì)層及前層通孔連線之間。
[0030]進(jìn)一步的，在所述的半導(dǎo)體器件的制備方法中，一份混合溶液將對(duì)30?60個(gè)批次的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行降電勢(shì)差處理，每個(gè)批次包括25片半導(dǎo)體襯底。
[0031]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果主要體現(xiàn)在:在干法刻蝕形成后層通孔之后，為了去除干法刻蝕引入的電荷，先采用紫外線對(duì)后層通孔進(jìn)行照射處理，中和去除大約三分之一至三分之二的電荷，再采用二氧化碳和堿性溶液的混合溶液對(duì)后層通孔中進(jìn)行降電勢(shì)差處理，從而在后續(xù)進(jìn)行正常濕法去除工藝中，能夠減少前層通孔連線的電勢(shì)差，很大程度上減小電解反應(yīng)對(duì)前層通孔連線造成的腐蝕，確保形成后層通孔后前層通孔連線依舊性能良好，進(jìn)而能夠保證半導(dǎo)體器件的性能。
【附圖說(shuō)明】
[0032]圖1至圖4為現(xiàn)有技術(shù)中通孔連線被腐蝕的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例中通孔的清洗方法的流程圖；
[0034]圖6為本發(fā)明一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的制備方法的流程圖；
[0035]圖7至圖9為本發(fā)明一實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的制備方法過(guò)程中的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的通孔的清洗方法及半導(dǎo)體器件的制備方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0037]為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi)發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。
[0038]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
[0039]請(qǐng)參考圖5，在本實(shí)施例中，提出了一種通孔的清洗方法，包括步驟:
[0040]S1:提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層、貫穿所述第一介質(zhì)層的前層通孔以及形成于所述前層通孔中的前層通孔連線；
[0041]S2:在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，并對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行等離子體干法刻蝕處理形成后層通孔，所述后層通孔暴露出所述前層通孔連線；
[0042]S3:采用紫外線對(duì)所述后層通孔進(jìn)行照射處理；
[0043]S4:采用混合溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行降電勢(shì)差處理，所述混合溶液為二氧化碳和堿性溶液。
[0044]由于干法刻蝕會(huì)引入大量的電荷，在采用干法刻蝕形成后層通孔時(shí)電荷也會(huì)被引入，聚集在暴露的前層通孔連線表面，為了能夠去除電荷，避免后續(xù)采用濕法去除時(shí)造成原電池反應(yīng)，在本實(shí)施例中，采用紫外線(UV)對(duì)所述后層通孔進(jìn)行照射處理，照射處理能夠中和大約三分之一至三分之二的電荷，通常情況下，照射處理的時(shí)間范圍是I分鐘?20分鐘，例如是10分鐘。大部分電荷被去除以后能夠大大減少后續(xù)原電池反應(yīng)對(duì)前層通孔連線的損害。
[0045]為了能夠進(jìn)一步減少后續(xù)濕法去除時(shí)造成原電池反應(yīng)，在本實(shí)施例中，還采用了混合溶液對(duì)所述后層通孔中進(jìn)行降電勢(shì)差處理，其中，所述混合溶液為二氧化碳和堿性溶液的混合，堿性溶液通常為杜邦公司的NKEC，所述NEKC清潔含有胺堿，即含有胺基的有機(jī)溶劑，例如EKC 270/265或ACT 940等有機(jī)溶劑。
[0046]在進(jìn)行降電勢(shì)差處理之前，首先對(duì)所述堿性溶液中通入1s?200s的二氧化碳，通入所述二氧化碳流量范圍是200sccm?5000sccm，例如通入100sccm的二氧化碳100s，獲得混合溶液；然后使用混合溶液對(duì)后層通孔中進(jìn)行降電勢(shì)差處理，一次處理的時(shí)間范圍是10秒?30分鐘，例如是10分鐘；在堿性溶液中通入二氧化碳能夠改變PH值，并且降低溶液中較多游離電子和離子的量，從而能夠降低位于前層通孔連線表面電荷的量，進(jìn)而起到降低其表面電勢(shì)差的作用，避免后續(xù)發(fā)生原電池反應(yīng)對(duì)其造成損傷。
[0047]由于一次降電勢(shì)差處理會(huì)導(dǎo)致混合溶液中的二氧化碳含量減少，因此，在一次清洗過(guò)后，每次進(jìn)行降電勢(shì)差處理之前均需要在堿性溶液中通入與第一次同樣流量和時(shí)間的二氧化碳，保證混合溶液的性能，以重復(fù)利用所述混合溶液，由于堿性溶液也會(huì)存在一定的消耗，因此，需要相應(yīng)延長(zhǎng)后續(xù)每一次混合溶液進(jìn)行降電勢(shì)差處理的時(shí)間，每次延長(zhǎng)的時(shí)間范圍是10秒?30分鐘，例如是15分鐘，從而保證降電勢(shì)差處理的效果良好。
[0048]請(qǐng)參考圖6，在本實(shí)施例的另一方面，還提出了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，采用上文中所述的通孔的清洗方法，包括步驟:
[0049]SlOO:提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層、貫穿所述第一介質(zhì)層的前層通孔、形成于所述前層通孔中的前層通孔連線以及形成于所述第一介質(zhì)層上且暴露出部分前層通孔連線的金屬連線；
[0050]S200:在所述第一介質(zhì)層和所述金屬連線上形成第二介質(zhì)層，并對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行等離子體干法刻蝕處理形成后層通孔，所述后層通孔暴露出所述前層通孔連線；
[0051]S300:采用紫外線對(duì)所述后層通孔進(jìn)行照射處理；
[0052]S400:采用混合溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行降電勢(shì)差處理，所述混合溶液為二氧化碳和堿性溶液；
[0053]S500:采用堿性溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行清洗。
[0054]具體的，請(qǐng)參考圖7，在步驟SlOO中，第一介質(zhì)層200形成在半導(dǎo)體襯底100上，前層通孔連線300形成在第一介質(zhì)層200內(nèi)，通常情況下，為了防止前層通孔連線300往第一介質(zhì)層200中擴(kuò)散，還會(huì)形成阻擋層400，所述阻擋層400形成于所述第一介質(zhì)層200及前層通孔連線300之間，金屬連線500形成在第一介質(zhì)層200 (由于第一介質(zhì)層200上形成有阻擋層400，因此在此圖中顯示金屬連線500形成在阻擋層400表面，實(shí)際上也可以去除部分阻擋層400，使金屬連線500僅僅形成在第一介質(zhì)層200上)上并覆蓋部分所述前層通孔連線300，由于工藝限制，正常情況下金屬連線500應(yīng)完全覆蓋前層通孔連線300，然而存在對(duì)準(zhǔn)偏移導(dǎo)致暴露出部分前層通孔連線300，所述第二介質(zhì)層600形成在所述第一介質(zhì)層200 (或者阻擋層400表面)及金屬連線500上。
[0055]請(qǐng)繼續(xù)參考圖7，在步驟S200中，先在所述第二介質(zhì)層600表面形成圖案化的光阻700，然后采用干法刻蝕所述第二介質(zhì)層600，形成后層通孔，所述后層通孔暴露出所述金屬連線500及前層通孔連線400 ;由于干法刻蝕引入大量的電荷，會(huì)導(dǎo)致電荷聚集在前層通孔連線400上。
[0056]請(qǐng)參考圖8，由于采用光阻700作為掩膜進(jìn)行刻蝕，因此在形成后層通孔之后，還需要采用灰化工藝去除殘留的光阻700，例如采用氧離子灰化工藝，然而灰化工藝同樣會(huì)增加電荷在前層通孔連線400上的積聚。
[0057]在步驟S300和S400中，采用紫外線對(duì)所述后層通孔進(jìn)行照射處理，然后再采用混合溶液對(duì)所述后層通孔中進(jìn)行降電勢(shì)差處理，所述混合溶液為二氧化碳和堿性溶液的混合，步驟S300和S400與上文所述的通孔的清洗方法一致，在此不作贅述，具體的可以參考上文。
[0058]請(qǐng)繼續(xù)參考圖9，在步驟S300和S400去除前層通孔連線400上積聚的電荷之后，再采用所述堿性溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行清洗，所述堿性溶液與上文的堿性溶液成分一致，僅僅是沒(méi)有通入二氧化碳。步驟S500中的清洗是為了去除刻蝕以及灰化工藝的殘留物。由于去除了前層通孔連線400上積聚的電荷，在步驟S500中便不會(huì)發(fā)生現(xiàn)有技術(shù)中的原電池反應(yīng)，對(duì)前層通孔連線300造成腐蝕，能夠保證前層通孔連線300的性能。
[0059]為了保證混合溶液的去電勢(shì)差的效果，可以使一份混合溶液清理30?60個(gè)批次的半導(dǎo)體襯底，其中每個(gè)批次包括25片半導(dǎo)體襯底，然后更換新的混合溶液。
[0060]綜上，在本發(fā)明實(shí)施例提供的通孔的清洗方法及半導(dǎo)體器件的制備方法中，在干法刻蝕形成后層通孔之后，為了去除干法刻蝕引入的電荷，先采用紫外線對(duì)后層通孔進(jìn)行照射處理，中和去除大約三分之一至三分之二的電荷，再采用二氧化碳和堿性溶液的混合溶液對(duì)后層通孔中進(jìn)行降電勢(shì)差處理，從而在后續(xù)進(jìn)行正常濕法去除工藝中，能夠減少前層通孔連線的電勢(shì)差，很大程度上減小電解反應(yīng)對(duì)前層通孔連線造成的腐蝕，確保形成后層通孔后前層通孔連線依舊性能良好，進(jìn)而能夠保證半導(dǎo)體器件的性能。
[0061]上述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不對(duì)本發(fā)明起到任何限制作用。任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的范圍內(nèi)，對(duì)本發(fā)明揭露的技術(shù)方案和技術(shù)內(nèi)容做任何形式的等同替換或修改等變動(dòng)，均屬未脫離本發(fā)明的技術(shù)方案的內(nèi)容，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種通孔的清洗方法，其特征在于，包括步驟: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層、貫穿所述第一介質(zhì)層的前層通孔以及形成于所述前層通孔中的前層通孔連線； 在所述第一介質(zhì)層上形成第二介質(zhì)層，并對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行等離子體干法刻蝕處理形成后層通孔，所述后層通孔暴露出所述前層通孔連線； 采用紫外線對(duì)所述后層通孔進(jìn)行照射處理； 采用混合溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行降電勢(shì)差處理，所述混合溶液為二氧化碳和堿性溶液。2.如權(quán)利要求1所述的通孔的清洗方法，其特征在于，所述紫外線對(duì)所述后層通孔進(jìn)行照射處理的時(shí)間范圍是I分鐘?20分鐘。3.如權(quán)利要求1所述的通孔的清洗方法，其特征在于，所述混合溶液對(duì)所述后層通孔中進(jìn)行降電勢(shì)差處理的時(shí)間范圍是10秒?30分鐘。4.如權(quán)利要求3所述的通孔的清洗方法，其特征在于，所述堿性溶液為含有胺基的有機(jī)溶劑。5.如權(quán)利要求4所述的通孔的清洗方法，其特征在于，進(jìn)行降電勢(shì)差處理前，在所述堿性溶液中通入1s?200s、流量范圍是200sccm?5000sccm的二氧化碳形成所述混合溶液。6.如權(quán)利要求5所述的通孔的清洗方法，其特征在于，采用混合溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行降電勢(shì)差處理后，對(duì)所述堿性溶液重新通入1s?200s、流量范圍是200sccm?5000sccm的二氧化碳，以重復(fù)利用所述混合溶液。7.如權(quán)利要求6所述的通孔的清洗方法，其特征在于，重復(fù)利用所述混合溶液時(shí)，相對(duì)于上一次使用延長(zhǎng)本次采用混合溶液進(jìn)行降電勢(shì)差處理的時(shí)間，延長(zhǎng)的時(shí)間范圍是10秒?30分鐘。8.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，采用如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的通孔的清洗方法，其特征在于，包括步驟: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有第一介質(zhì)層、貫穿所述第一介質(zhì)層的前層通孔、形成于所述前層通孔中的前層通孔連線以及形成于所述第一介質(zhì)層上且暴露出部分前層通孔連線的金屬連線； 在所述第一介質(zhì)層和所述金屬連線上形成第二介質(zhì)層，并對(duì)所述第二介質(zhì)層進(jìn)行等離子體干法刻蝕處理形成后層通孔，所述后層通孔暴露出所述前層通孔連線； 采用紫外線對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行照射處理； 采用混合溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行降電勢(shì)差處理，所述混合溶液為二氧化碳和堿性溶液； 采用堿性溶液對(duì)所述后層通孔進(jìn)行清洗。9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底上還形成有阻擋層，所述阻擋層形成于所述介質(zhì)層及前層通孔連線之間。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，一份混合溶液將對(duì)30?60個(gè)批次的半導(dǎo)體襯底進(jìn)行降電勢(shì)差處理，每個(gè)批次包括25片半導(dǎo)體襯底。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK105826164SQ201510007145
【公開(kāi)日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2015年1月7日
【發(fā)明人】李廣寧, 陳林
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司