一種芯片拾取裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種芯片拾取裝置，其可以有效避免在拾取芯片時(shí)對(duì)芯片邊緣敏感區(qū)域的劃傷和壓傷，從而提升芯片的性能和可靠性及產(chǎn)品良率，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的綜合性價(jià)比，包括安裝在機(jī)械手上的芯片吸嘴，所述芯片吸嘴的上端連接有吸氣管道，所述吸氣管道連接真空泵，其特征在于：在所述芯片吸嘴內(nèi)部、對(duì)應(yīng)所述芯片吸嘴與芯片的邊沿的敏感區(qū)域接觸的位置處設(shè)置有凹槽，使得所述芯片吸嘴與所述芯片的邊沿的敏感區(qū)域之間相互分離，且所述芯片吸嘴能夠吸起所述芯片。
【專利說明】
一種芯片拾取裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及表面貼裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種芯片拾取裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]聲表面波濾波器封裝中的芯片拾取過程，多采用相對(duì)芯片全包圍的封閉式拾取裝置，用以保證拾取過程中的真空度和芯片拾取的導(dǎo)向性，確保芯片可靠平穩(wěn)從晶圓上被拾取起來。但全包圍的封閉式拾取裝置在拾取過程中必定會(huì)和芯片四邊產(chǎn)生接觸，對(duì)芯片四邊造成微小劃傷/壓傷。而生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)一些聲表面波濾波器芯片邊緣較為敏感，這種不確定的微小劃傷/壓傷會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受影響，甚至直接導(dǎo)致產(chǎn)品失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對(duì)上述問題，本發(fā)明提供了一種芯片拾取裝置，其可以有效避免在拾取芯片時(shí)對(duì)芯片邊緣敏感區(qū)域的劃傷和壓傷，從而提升芯片的性能和可靠性及產(chǎn)品良率，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的綜合性價(jià)比。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣的:一種芯片拾取裝置，包括安裝在機(jī)械手上的芯片吸嘴，所述芯片吸嘴的上端連接有吸氣管道，所述吸氣管道連接真空栗，其特征在于:在所述芯片吸嘴內(nèi)部、對(duì)應(yīng)所述芯片吸嘴與芯片的邊沿的敏感區(qū)域接觸的位置處設(shè)置有凹槽，使得所述芯片吸嘴與所述芯片的邊沿的敏感區(qū)域之間相互分離，且所述芯片吸嘴能夠吸起所述芯片。
[0005]進(jìn)一步的，所述凹槽的橫截面積大于所述芯片的邊沿的敏感區(qū)域的橫截面積。
[0006]進(jìn)一步的，所述凹槽向內(nèi)凹伸，所述凹槽的橫截面呈矩形。
[0007]進(jìn)一步的，所述芯片吸嘴內(nèi)部的四角分別設(shè)有內(nèi)嵌凹槽，所述內(nèi)嵌凹槽沿所述芯片吸嘴的斜邊設(shè)置。
[0008]進(jìn)一步的，所述凹槽的深度范圍為150um_200um。
[0009]進(jìn)一步的，所述凹槽的長(zhǎng)度為190um_210um。
[0010]進(jìn)一步的，所述凹槽的寬度為150um-220um。
[0011]進(jìn)一步的，芯片吸嘴的下部呈長(zhǎng)方形。
[0012]進(jìn)一步的，在所述芯片吸嘴內(nèi)部設(shè)置有與所述凹槽呈中心對(duì)稱的對(duì)稱凹槽。
[0013]本發(fā)明的技術(shù)效果在于:拾取裝置在拾取芯片對(duì)應(yīng)與芯片敏感區(qū)域接觸的位置設(shè)置凹槽，凹槽的設(shè)置的能確保拾取真空度使得芯片吸嘴能夠吸起芯片，同時(shí)也能夠避免芯片吸嘴與芯片的敏感區(qū)域直接接觸、對(duì)芯片的敏感區(qū)域造成劃傷和壓傷，從而提升芯片的性能和可靠性及產(chǎn)品良率，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的綜合性價(jià)比。
【附圖說明】
[0014]圖1為本發(fā)明的芯片拾取裝置的側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明的芯片拾取裝置的仰視結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]以下是本發(fā)明的具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步的描述，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。
[0016]如圖1所示，本發(fā)明的一種芯片拾取裝置，包括安裝在機(jī)械手上的芯片吸嘴I，芯片吸嘴I的上端連接有吸氣管道2，吸氣管2道連接真空栗，在芯片吸嘴I內(nèi)部、對(duì)應(yīng)芯片吸嘴I與芯片3的邊沿的敏感區(qū)域接觸的位置處設(shè)置有凹槽4，使得芯片吸嘴I與芯片3的邊沿的敏感區(qū)域之間相互分離，且芯片吸嘴I能夠吸起芯片3，凹槽4向內(nèi)凹伸，凹槽4的橫截面呈矩形，凹槽4的橫截面積大于芯片3的邊沿的敏感區(qū)域的橫截面積，凹槽的深度范圍為150um-200um,凹槽的寬度為190um-210um，凹槽的寬度為150um-220um，芯片吸嘴I內(nèi)部的四角分別設(shè)有內(nèi)嵌凹槽6，內(nèi)嵌凹槽6沿芯片吸嘴I的斜邊設(shè)置。
[0017]芯片吸嘴I上的凹槽4的設(shè)置避免了芯片吸嘴I吸取芯片3時(shí)芯片吸嘴I與芯片3發(fā)生直接接觸，從而不會(huì)對(duì)芯片的敏感區(qū)域造成劃傷和壓，從而提升芯片的性能和可靠性及產(chǎn)品良率，進(jìn)一步提升產(chǎn)品的綜合性價(jià)比，通過對(duì)凹槽長(zhǎng)度、寬度、深度的限制，從而確保拾取拾取真空度使得芯片吸嘴I能夠恰好拾取起芯片3;芯片為硅晶體，切割后四角較為脆弱，拾取接觸過程容易導(dǎo)致四角磨損和產(chǎn)生碎肩，內(nèi)嵌凹槽6的設(shè)置是防止芯片四角崩角、碎裂的。
[0018]本發(fā)明的芯片拾取裝置可以在拾取芯片之前通過與真空栗連通的芯片吸嘴I向待拾取芯片的表面噴吹氣體，從而將芯片表面的雜質(zhì)顆粒除去。因此，可以防止在芯片的拾取過程中或后續(xù)的芯片堆疊過程中雜質(zhì)顆粒對(duì)芯片造成損壞。
[0019]見圖2，當(dāng)發(fā)明的芯片拾取裝置作為拾取聲表面波濾波器芯片的拾取裝置，芯片吸嘴I對(duì)應(yīng)聲表面波濾波器芯片設(shè)置成長(zhǎng)方形，在芯片吸嘴I內(nèi)部設(shè)置有與凹槽4呈中心對(duì)稱的對(duì)稱凹槽5，對(duì)稱凹槽5的設(shè)置可以方便芯片拾取裝置吸取芯片，對(duì)應(yīng)凹槽5和凹槽4 一樣也能起到避免拾取裝置與聲表面波濾波器芯片的敏感區(qū)域接觸的作用，這樣在拾取芯片時(shí)無需進(jìn)行特意調(diào)整使得敏感區(qū)域?qū)?yīng)凹槽5，也可以避免拾取裝置與聲表面波濾波器芯片的敏感區(qū)域接觸，拾取芯片操作方便，拾取快捷。
[0020]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種芯片拾取裝置，包括安裝在機(jī)械手上的芯片吸嘴，所述芯片吸嘴的上端連接有吸氣管道，所述吸氣管道連接真空栗，其特征在于:在所述芯片吸嘴內(nèi)部、對(duì)應(yīng)所述芯片吸嘴與芯片的邊沿的敏感區(qū)域接觸的位置處設(shè)置有凹槽，使得所述芯片吸嘴與所述芯片的邊沿的敏感區(qū)域之間相互分離，且所述芯片吸嘴能夠吸起所述芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片拾取裝置，其特征在于:所述凹槽的橫截面積大于所述芯片的邊沿的敏感區(qū)域的橫截面積。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片拾取裝置，其特征在于:所述凹槽向內(nèi)凹伸，所述凹槽的橫截面呈矩形。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片拾取裝置，其特征在于:所述芯片吸嘴內(nèi)部的四角分別設(shè)有內(nèi)嵌凹槽，所述內(nèi)嵌凹槽沿所述芯片吸嘴的斜邊設(shè)置。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片拾取裝置，其特征在于:所述凹槽的深度范圍為150um-200umo6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種芯片拾取裝置，其特征在于:所述凹槽的長(zhǎng)度為190um-210umo7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種芯片拾取裝置，其特征在于:所述凹槽的寬度為150um-220umo8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種芯片拾取裝置，其特征在于:所述芯片吸嘴的下部呈長(zhǎng)方形。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種芯片拾取裝置，其特征在于:在所述芯片吸嘴內(nèi)部設(shè)置有與所述凹槽呈中心對(duì)稱的對(duì)稱凹槽。
【文檔編號(hào)】H01L21/683GK105870047SQ201610379339
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年6月1日
【發(fā)明人】唐曉
【申請(qǐng)人】愛普科斯科技（無錫）有限公司