硅通孔結(jié)構(gòu)及其形成方法
【專利摘要】一種硅通孔結(jié)構(gòu)及其形成方法。其中，硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成通孔；在所述通孔中沉積摻雜的多晶硅鍺。所述形成方法減小硅通孔結(jié)構(gòu)應(yīng)力，提高硅通孔結(jié)構(gòu)形成方法的其它工藝的集成能力。
【專利說(shuō)明】
括通孔結(jié)構(gòu)及其形成方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種娃通孔結(jié)構(gòu)及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、更大的 資料存儲(chǔ)量W及更多的功能，半導(dǎo)體忍片向更高集成度方向發(fā)展。而半導(dǎo)體忍片的集成度 越高，半導(dǎo)體器件的特征尺寸(CD，化i t i ca 1 D imens i on)越小。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)展了娃通孔技術(shù)(Throu曲Silicon Via,TSV)，娃通孔技術(shù)通過(guò)在 忍片和忍片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)忍片之間互連的最新技術(shù)。與W往的 1C封裝鍵合和使用凸點(diǎn)的疊加技術(shù)不同，TSV能夠使忍片在Ξ維方向堆疊的密度最大，外形 尺寸最小，并且大大改善忍片速度和低功耗的性能。
[0004] 此外，現(xiàn)有使用金屬銅互聯(lián)的TSV方案對(duì)CMOS產(chǎn)線有金屬污染風(fēng)險(xiǎn)，需要專用機(jī)臺(tái) 和采用物理隔離防控金屬銅對(duì)其它CMOS制程的污染，成本高，不利于設(shè)備利用和工藝集成； 同時(shí)，使用金屬鶴互聯(lián)的TSV方案由于鶴薄膜的應(yīng)力太大，會(huì)造成娃片過(guò)度彎曲，給版圖設(shè) 計(jì)和工藝流程造成諸多限制。因此，現(xiàn)有TSV方案有待改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種娃通孔結(jié)構(gòu)及其形成方法，W減小娃通孔結(jié)構(gòu)應(yīng) 力，提高娃通孔結(jié)構(gòu)形成方法的其它工藝的集成能力。
[0006] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯 底;在所述半導(dǎo)體襯底上形成通孔;在所述通孔中沉積滲雜的多晶娃錯(cuò)。
[0007] 可選的，在所述通孔中沉積所述多晶娃錯(cuò)的過(guò)程包括:每沉積第一厚度的所述多 晶娃錯(cuò)后，沉積第二厚度的非晶娃，然后再繼續(xù)沉積第一厚度的所述多晶娃錯(cuò)，如此反復(fù)進(jìn) 行，直至所述多晶娃錯(cuò)和所述非晶娃填充滿所述通孔。
[000引可選的，所述第一厚度范圍為2000A--3000A，所述第二厚度范圍為 100Λ~200Α。
[0009]可選的，所述多晶娃錯(cuò)中錯(cuò)的質(zhì)量百分比范圍為40%~70%。
[0010] 可選的，所述多晶娃錯(cuò)的滲雜濃度為1 X l〇i5atom/cm3~1 X l〇i6atom/cm3。
[0011] 可選的，所述通孔的寬度范圍為2皿~3皿，所述通孔的深度范圍為60皿~15化m， 所述通孔的深寬比范圍為20~70。
[0012] 可選的，在所述通孔中沉積所述多晶娃錯(cuò)采用的沉積溫度為400°C~430°C。
[0013] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種娃通孔結(jié)構(gòu)，包括:半導(dǎo)體襯底;位于所述 半導(dǎo)體襯底的通孔;所述通孔中具有滲雜的多晶娃錯(cuò)。
[0014] 可選的，所述多晶娃錯(cuò)中錯(cuò)的質(zhì)量百分比范圍為40%~70%，所述多晶娃錯(cuò)的滲 雜濃度為1 X l〇i5atom/cm3~1 X l〇i6atom/cm3,所述通孔的寬度范圍為2皿~3μηι，所述通孔 的深度范圍為60WI1~150μπι，所述通孔的深寬比范圍為20~70。
[0015] 可選的，在所述通孔中，每隔一層第一厚度的所述多晶娃錯(cuò)就具有一層第二厚度 的非晶娃，所述第一厚度范圍為2000A~3000A，所述第二厚度范圍為100A~200A。
[0016] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有W下優(yōu)點(diǎn)：
[0017] 本發(fā)明的技術(shù)方案中，在通孔中形成多晶娃錯(cuò)薄膜，與金屬薄膜相比，多晶娃錯(cuò)薄 膜的應(yīng)力要低大約一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，沉積滿通孔后，多晶娃錯(cuò)薄膜對(duì)半導(dǎo)體襯底的絕 對(duì)應(yīng)力，遠(yuǎn)小于銅或者鶴等金屬薄膜對(duì)半導(dǎo)體襯底的絕對(duì)應(yīng)力。因此，在整個(gè)半導(dǎo)體襯底對(duì) 應(yīng)的晶圓中，即使大幅提高通孔的面積，在填充多晶娃錯(cuò)薄膜后，整個(gè)晶圓受到的應(yīng)力仍較 小，對(duì)應(yīng)晶圓的翅曲度也較小。也就是說(shuō)，通過(guò)采用多晶娃錯(cuò)沉積通孔，能夠?qū)⒕A的翅曲 度控制在很小的幅度內(nèi)。因此，對(duì)應(yīng)晶圓會(huì)受到更少的設(shè)計(jì)限制，可W放開(kāi)相應(yīng)的版圖設(shè)計(jì) 規(guī)范要求，給予版圖設(shè)計(jì)更多的操作空間，從而使娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法更容易與其它工 藝集成。
[0018] 進(jìn)一步，通過(guò)每隔第一厚度的多晶娃錯(cuò)，就形成第二厚度的非晶娃，從而打斷多晶 娃錯(cuò)的連續(xù)沉積過(guò)程，防止多晶娃錯(cuò)中的晶粒生長(zhǎng)得太大，從而進(jìn)一步減小多晶娃錯(cuò)薄膜 對(duì)半導(dǎo)體襯底的應(yīng)力。
【附圖說(shuō)明】
[0019] 圖1至圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖3至圖4是本發(fā)明另一實(shí)施例提供的娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法對(duì)應(yīng)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 本發(fā)明中所指的應(yīng)力主要是指薄膜(film)材料對(duì)半導(dǎo)體襯底(例如娃襯底）的應(yīng) 力。薄膜材料相對(duì)于娃襯底的應(yīng)力與薄膜材料結(jié)構(gòu)、工藝溫度和材料熱膨脹系數(shù)等有關(guān)。
[0022] 為了更好地填充通孔，現(xiàn)有方法會(huì)采用鶴的化學(xué)氣相沉積法(此時(shí)通常采用金屬 鶴)或電鍛銅的方法，來(lái)填充通孔。但是鶴或銅填充通孔后，金屬鶴薄膜的應(yīng)力太大，即形成 的娃通孔結(jié)構(gòu)的薄膜對(duì)半導(dǎo)體襯底應(yīng)力較大，所述應(yīng)力通常在1500Mpa左右。而一旦娃通孔 結(jié)構(gòu)的金屬鶴薄膜對(duì)半導(dǎo)體襯底應(yīng)力較大，在通孔中填充鶴之后，半導(dǎo)體襯底所在晶圓 (Wafer)就會(huì)發(fā)生嚴(yán)重翅曲（warpage)。運(yùn)種情況下，如果在晶圓表面上的連接通孔（TSV hole)面積太大，就會(huì)造成晶圓翅曲度過(guò)大，進(jìn)而導(dǎo)致無(wú)法進(jìn)行后續(xù)工藝流程。
[0023] 現(xiàn)有方法中，為了防止運(yùn)種晶圓翅曲度過(guò)大情況的發(fā)生，在版圖設(shè)計(jì)（pattern density,指版圖上的圖形占比）過(guò)程中，在設(shè)計(jì)版圖設(shè)計(jì)規(guī)范(design rule)時(shí)，需要將通 孔的開(kāi)口面積控制在整個(gè)晶圓版圖總面積的0.2% W下，W保證娃片翅曲度在后續(xù)工藝許 可的范圍內(nèi)。然而，運(yùn)種版圖設(shè)計(jì)規(guī)范的限制使得版圖設(shè)計(jì)的操作空間減小。
[0024] 而電鍛銅工藝流程對(duì)CMOS產(chǎn)線有金屬污染風(fēng)險(xiǎn)，需要專用機(jī)臺(tái)和采用物理隔離防 控金屬銅對(duì)其它CMOS制程的污染，成本高，不利于設(shè)備復(fù)用和工藝集成。
[0025] 為此，本發(fā)明提供一種新的娃通孔的形成方法，通過(guò)采用低應(yīng)力的多晶娃錯(cuò)對(duì)通 孔進(jìn)行填充，從而，可W在版圖設(shè)計(jì)時(shí)，放開(kāi)對(duì)通孔面積的版圖設(shè)計(jì)規(guī)范要求，給予版圖設(shè) 計(jì)更多的操作空間。
[0026] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0027] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，請(qǐng)結(jié)合參考圖1和圖2。
[0028] 請(qǐng)參考圖1，所述娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法提供半導(dǎo)體襯底100。
[0029] 本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底100可W是晶圓或者晶圓的一部分，所述晶圓可W進(jìn)一步 為娃晶圓。半導(dǎo)體襯底100中可W包括前端器件層(未示出），所述前端器件層中可W包括各 類有源器件和無(wú)源器件。
[0030] 請(qǐng)繼續(xù)參考圖1，所述娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法在半導(dǎo)體襯底100上形成通孔(未標(biāo) 注)。
[0031] 本實(shí)施例中，所述通孔的形成方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在此不再寶述。
[0032] 請(qǐng)參考圖2,所述娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法在所述通孔中沉積滲雜的多晶娃錯(cuò)110。
[0033] 本實(shí)施例中，多晶娃錯(cuò)110中錯(cuò)的質(zhì)量百分比范圍為40%~70 %，在此范圍內(nèi)，錯(cuò) 的含量由半導(dǎo)體襯底100內(nèi)器件所需要的多晶娃錯(cuò)薄膜電學(xué)性能和機(jī)械性能決定。具體的， 在多晶娃錯(cuò)110的沉積工藝過(guò)程中，可W通過(guò)調(diào)整沉積時(shí)的反應(yīng)氣體比例，實(shí)現(xiàn)具有不同錯(cuò) 質(zhì)量濃度的薄膜沉積。
[0034] 本實(shí)施例中，可W采用邊沉積邊滲雜的方法對(duì)多晶娃錯(cuò)110進(jìn)行滲雜，例如采用原 位(in-suit)滲雜。所述滲雜采用的元素可W為憐或棚。其中，多晶娃錯(cuò)110的滲雜濃度可W 為1 X l〇i5atom/cm3~1 X l〇i6atom/cm3。具體滲雜時(shí)，可W根據(jù)所需的（多晶娃錯(cuò))薄膜電阻 率調(diào)整滲雜濃度。從器件角度考慮，多晶娃錯(cuò)110的電阻率越低越好。本實(shí)施例提供的方法 能夠通過(guò)上述憐或棚等元素的滲雜，將多晶娃錯(cuò)110的電阻率調(diào)整到3πιΩ . cmW下。經(jīng)實(shí)驗(yàn) 驗(yàn)證，本實(shí)施例多晶娃錯(cuò)110的電阻率能夠達(dá)到2.4m Ω . cm。理論上，通過(guò)工藝調(diào)整，還有下 降空間。因此，最終能夠?qū)⒍嗑掊e(cuò)電阻率范圍調(diào)整到〇.5mQ ?cm~lOmQ ?cm,運(yùn)個(gè)范圍 的電阻率適合應(yīng)用在相應(yīng)的娃通孔結(jié)構(gòu)中。
[0035] 本實(shí)施例中，所述通孔的寬度范圍可W為2WI1~3μπι，所述通孔的深度范圍可W為 60皿~150皿，所述通孔的深寬比(Aspect Ratio，AR)范圍可W為20~70。由于多晶娃錯(cuò)對(duì) 通孔底部和側(cè)壁的半導(dǎo)體襯底應(yīng)力較?。蓞⒖急緦?shí)施例后續(xù)表格內(nèi)容），而且，多晶娃錯(cuò) 的沉積填充性能好，因此，多晶娃錯(cuò)能夠很好地填充深寬比較大的通孔。例如當(dāng)深寬比在30 W上時(shí)，選用本實(shí)施例所提供的方法能夠比普通工藝更好地沉積填充通孔。通過(guò)對(duì)深度為 100M1且寬度為3WI1的通孔進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，證明多晶娃錯(cuò)能夠很好地對(duì)相應(yīng)通孔進(jìn)行完全填充。
[0036] 本實(shí)施例中，在所述通孔中沉積多晶娃錯(cuò)110時(shí)，可W采用低壓力化學(xué)氣相沉積法 (Low Pressure Chemical化por Deposition)進(jìn)行沉積。并且，相應(yīng)的沉積過(guò)程采用的沉 積溫度為400°C~430°C。本實(shí)施例的工藝用于半導(dǎo)體的后段制程。因此，沉積溫度不宜過(guò) 高，否則會(huì)影響半導(dǎo)體襯底100中的各類器件，當(dāng)沉積溫度高于430°C時(shí)，后續(xù)形成在半導(dǎo)體 襯底100上的侶金屬互聯(lián)線等結(jié)構(gòu)會(huì)軟化變形，影響相應(yīng)器件的可靠性。也就是說(shuō)，當(dāng)設(shè)置 在通孔中沉積所述多晶娃錯(cuò)的溫度不超過(guò)430°C時(shí)，容易實(shí)現(xiàn)CMOS工藝集成，并且此時(shí)不會(huì) 因高溫造成互聯(lián)金屬軟化或器件漂移。同時(shí)，沉積溫度不能過(guò)低，當(dāng)沉積溫度低于400°C時(shí)， 反應(yīng)氣體無(wú)法快速分解，從而無(wú)法沉積質(zhì)量符合要求的薄膜。
[0037] 本實(shí)施例所提供的方法在通孔中形成多晶娃錯(cuò)薄膜，與金屬薄膜相比，多晶娃錯(cuò) 薄膜的應(yīng)力要低大約一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)。在沉積滿通孔后，多晶娃錯(cuò)薄膜對(duì)半導(dǎo)體襯底100的 絕對(duì)應(yīng)力在30MPaW下，遠(yuǎn)小于銅或者鶴等金屬薄膜對(duì)半導(dǎo)體襯底的絕對(duì)應(yīng)力。因此，在整 個(gè)半導(dǎo)體襯底對(duì)應(yīng)的晶圓中，即使大幅提高通孔的面積，在填充多晶娃錯(cuò)薄膜后，整個(gè)晶圓 受到的應(yīng)力仍較小，對(duì)應(yīng)晶圓的翅曲度也較小。也就是說(shuō)，通過(guò)采用多晶娃錯(cuò)110沉積所述 通孔，本實(shí)施例能夠?qū)雽?dǎo)體襯底100所屬晶圓的翅曲度控制在很小的幅度內(nèi)。因此，對(duì)應(yīng) 晶圓會(huì)受到更少的設(shè)計(jì)限制，可W放開(kāi)相應(yīng)的版圖設(shè)計(jì)對(duì)通孔面積的規(guī)范要求，給予版圖 設(shè)計(jì)更多的操作空間，從而使娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法更容易與其它工藝集成。
[0038] 具體的，與采用銅和鶴形成的娃通孔結(jié)構(gòu)相比，采用本實(shí)施例的形成方法所形成 的娃通孔結(jié)構(gòu)的性能和優(yōu)缺點(diǎn)可W參考下示表格：
[0039]
[0040] 本實(shí)施例中，因?yàn)槎嗑掊e(cuò)薄膜的應(yīng)力低很多，預(yù)計(jì)可W將全部通孔的面積占晶 圓表面面積的比例提高到5% W上。但實(shí)際應(yīng)用中，娃通孔結(jié)構(gòu)不需要運(yùn)么高的版圖密度 (即不需要運(yùn)么大的通孔面積），一般的應(yīng)用在1%~2%，因此，本實(shí)施例所提供的方法形成 的娃通孔結(jié)構(gòu)適于應(yīng)用在各種具體的版圖設(shè)計(jì)中。
[0041] 本實(shí)施例中，多晶娃錯(cuò)材料沒(méi)有金屬污染的風(fēng)險(xiǎn)，可W和侶互聯(lián)CMOS工藝集成，復(fù) 用設(shè)備，不需要專用設(shè)備，因此可W簡(jiǎn)化工藝，降低工藝成本。
[0042] 本發(fā)明實(shí)施例還提供一種娃通孔結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參考圖2,所述娃通孔結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯 底100,位于半導(dǎo)體襯底100的通孔(未標(biāo)注），所述通孔中具有滲雜的多晶娃錯(cuò)110。
[0043] 多晶娃錯(cuò)110中錯(cuò)的質(zhì)量百分比范圍可W為40 %~70 %，多晶娃錯(cuò)110的滲雜濃度 可W為1 X l〇i5atom/cm3~1 X l〇i6atom/cm3,所述通孔的寬度范圍可w為2皿~3皿，所述通 孔的深度范圍可W為60μηι~150皿，所述通孔的深寬比范圍可W為20~70,其原因可參考前 述實(shí)施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0044] 本實(shí)施例所提供的娃通孔結(jié)構(gòu)可W采用前述方法實(shí)施例形成，因此，所述娃通孔 結(jié)構(gòu)的更多結(jié)構(gòu)內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)說(shuō)明可W參考前述實(shí)施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0045] 本發(fā)明另一實(shí)施例提供另一種娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，請(qǐng)結(jié)合參考圖3和圖4。
[0046] 請(qǐng)參考圖3,所述娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法提供半導(dǎo)體襯底200。
[0047] 請(qǐng)繼續(xù)參考圖3,所述娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法在半導(dǎo)體襯底200上形成通孔(未標(biāo) 注)。
[004引請(qǐng)參考圖4,所述娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法在所述通孔中沉積滲雜的多晶娃錯(cuò)210。
[0049] 如圖4所示，與前述娃通孔結(jié)構(gòu)的形成方法不同的是，本實(shí)施例所提供的娃通孔結(jié) 構(gòu)的形成方法中，在所述通孔中沉積多晶娃錯(cuò)210的過(guò)程包括:每沉積第一厚度的多晶娃錯(cuò) 210后，沉積第二厚度的非晶娃220,然后再繼續(xù)沉積第一厚度的多晶娃錯(cuò)210,如此反復(fù)進(jìn) 行，直至多晶娃錯(cuò)210和非晶娃220填充滿通孔，形成如圖4所示的填充結(jié)構(gòu)。
[0050] 本實(shí)施例通過(guò)每隔第一厚度的多晶娃錯(cuò)210,就形成第二厚度的非晶娃220,從而 打斷多晶娃錯(cuò)210的連續(xù)沉積過(guò)程，防止多晶娃錯(cuò)210中的晶粒生長(zhǎng)得太大，從而進(jìn)一步減 小多晶娃錯(cuò)薄膜對(duì)半導(dǎo)體襯底200的應(yīng)力。
[0化。本實(shí)施例中，所述第一厚度范圍可W為2000Α~3000Α，第二厚度范圍可W為 lOOA~200Α。當(dāng)所述第一厚度范圍可W為2000Α~3000Α時(shí)停止，再進(jìn)行非晶娃220的沉 積，此時(shí)多晶娃錯(cuò)210中的晶粒大小停留在合適范圍內(nèi)，整個(gè)過(guò)程沉積的結(jié)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體襯底 200的應(yīng)力進(jìn)一步減小。
[0052] 本實(shí)施例中，同樣可W采用原位滲雜等方式對(duì)非晶娃210進(jìn)行滲雜，滲雜元素可W 為憐或者棚等元素，滲雜范圍可W為1 X l〇i5atom/cm3~1 X l〇i6atom/cm3,可W根據(jù)所需的 非晶娃薄膜電阻率調(diào)整滲雜濃度。
[0053] 更多本實(shí)施例所提供的通孔結(jié)構(gòu)的形成方法相應(yīng)內(nèi)容可W參考本說(shuō)明書(shū)第一實(shí) 施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0054] 本發(fā)明另一實(shí)施例提供另一種娃通孔結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參考圖4,所述娃通孔結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo) 體襯底200,位于半導(dǎo)體襯底200的通孔(未標(biāo)注），所述通孔中具有滲雜的多晶娃錯(cuò)210。
[0055] 與圖2所示實(shí)施例不同的是，本實(shí)施例中，在所述通孔中，每隔一層第一厚度的多 晶娃錯(cuò)210就具有一層第二厚度的非晶娃220。其中，所述第一厚度范圍為2000A~3000A, 所述第二厚度范圍為100A~200A，其原因可W參考前一實(shí)施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0056] 更多本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)說(shuō)明可參考本說(shuō)明書(shū)前述實(shí)施例相應(yīng)內(nèi)容。
[0057] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)W權(quán)利要求所 限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括： 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成通孔； 在所述通孔中沉積摻雜的多晶硅鍺。2. 如權(quán)利要求1所述的硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述通孔中沉積所述多 晶硅鍺的過(guò)程包括:每沉積第一厚度的所述多晶硅鍺后，沉積第二厚度的非晶硅，然后再繼 續(xù)沉積第一厚度的所述多晶硅鍺，如此反復(fù)進(jìn)行，直至所述多晶硅鍺和所述非晶硅填充滿 所述通孔。3. 如權(quán)利要求2所述的硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一厚度范圍為 2000A~3000A,所述第二厚度范圍為100A~200A。4. 如權(quán)利要求1或2所述的硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述多晶硅鍺中鍺的 質(zhì)量百分比范圍為40%~70%。5. 如權(quán)利要求1或2所述的硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述多晶硅鍺的摻雜 濃度為 1 X l〇15atom/cm3~1 X 1016atom/cm3。6. 如權(quán)利要求1或2所述的硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述通孔的寬度范圍 為2μηι~3μηι，所述通孔的深度范圍為60μηι~150μηι，所述通孔的深寬比范圍為20~70。7. 如權(quán)利要求1或2所述的硅通孔結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述通孔中沉積所 述多晶硅鍺采用的沉積溫度為400°C~430°C。8. 一種娃通孔結(jié)構(gòu)，包括： 半導(dǎo)體襯底； 位于所述半導(dǎo)體襯底的通孔； 其特征在于，所述通孔中具有摻雜的多晶硅鍺。9. 如權(quán)利要求8所述的硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述通孔中，每隔一層第一厚度的 所述多晶硅鍺就具有一層第二厚度的非晶硅，所述第一厚度范圍為2000人-aoooA,所述 第二厚度范圍為100A~200A。10. 如權(quán)利要求8或9所述的硅通孔結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多晶硅鍺中鍺的質(zhì)量百分比 范圍為40%~70%，所述多晶娃鍺的摻雜濃度為1 X 1015atom/cm3~1 X 1016atom/cm3,所述 通孔的寬度范圍為2μηι~3μηι，所述通孔的深度范圍為60μηι~150μηι，所述通孔的深寬比范圍 為20~70。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK105870054SQ201610395605
【公開(kāi)日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年6月6日
【發(fā)明人】馮凱, 劉瑋蓀, 許忠義, 黃自強(qiáng)
【申請(qǐng)人】上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司