拍攝裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種拍攝裝置及其制造方法，其中，絕緣襯層(LL1～LL4)在像素區(qū)域(GAR)的外側(cè)的區(qū)域、且在像素區(qū)域(GAR)的4個(gè)角部(AO)之中的至少一個(gè)角部(AO)的對頂角的區(qū)域(OFR)內(nèi)，具有除去了絕緣襯層(LL1～LL4)的像素外去除區(qū)域(OPR)。
【專利說明】
拍攝裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及拍攝裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在拍攝裝置中，大致分為CCD(Charge Coupled Device:電荷親合元件)圖像傳感器和CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器。在CMOS圖像傳感器中，近幾年，通常將銅(Cu)用在布線材料中。為了防止銅從該銅布線擴(kuò)散，在銅布線上成膜有作為防擴(kuò)散膜的襯膜(SiN、SiCN等)。使用這樣的襯膜的技術(shù)記載于例如日本特開2009-302565號公報(bào)等中。
[0003]另一方面，在半導(dǎo)體裝置的處理工序中，進(jìn)行例如通過氫使在柵極氧化膜中產(chǎn)生的作為懸空鍵的自由鍵(dangling bond)終止的、被稱為所謂燒結(jié)處理的熱處理。在如日本特開2009-302565號公報(bào)所記載那樣成膜了襯膜的情況下，氫不容易從該襯膜通過，所以不能使懸空鍵充分地終止。由此，界面態(tài)不能恢復(fù)，從而尤其是在暗期時(shí)暗電流流過，導(dǎo)致暗特性惡化。上述暗特性的惡化在俯視下的像素傳感器區(qū)域的4個(gè)角中尤為顯著。
[0004]為了改善上述暗特性而在襯膜上設(shè)置去除區(qū)域的技術(shù)例如在日本特開2010-278232號公報(bào)、日本特開2012-104654號公報(bào)等中有所記載。
[0005]在日本特開2010-278232號公報(bào)中，除像素區(qū)域及電路形成區(qū)域的銅布線上以外的襯膜被除去。由此，在該公報(bào)中記載了:分別在像素區(qū)域和其他區(qū)域中能夠使氫進(jìn)入襯底的量均勻化，所以能夠使像素區(qū)域與其它區(qū)域的半導(dǎo)體元件的特性一致。
[0006]另外，在日本特開2012-104654號公報(bào)中，記載了在虛設(shè)像素區(qū)域中，設(shè)置有貫通襯膜的虛設(shè)過孔布線。氫從虛設(shè)過孔通過并擴(kuò)散，從而能夠抑制在像素區(qū)域和虛設(shè)像素區(qū)域中在暗特性上產(chǎn)生差別。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]然而在日本特開2010-278232號公報(bào)中，由于除去了銅布線上以外的襯膜，所以銅容易從銅布線擴(kuò)散。另外，在形成銅布線時(shí)進(jìn)行的CMP(Chemical Mechanical Polishing:化學(xué)機(jī)械拋光)的漿料(氫氧化鉀為主要成分)所包含的鉀(K)也容易擴(kuò)散。該銅和鉀擴(kuò)散至晶體管，從而產(chǎn)生微小漏電流，容易引起晶體管誤動(dòng)作。
[0008]在日本特開2012-104654號公報(bào)中，雖然在虛設(shè)像素區(qū)域中設(shè)置有貫通襯膜的虛設(shè)過孔布線，但沒有任何關(guān)于虛設(shè)過孔布線相對于像素區(qū)域的位置關(guān)系的研究。因此不能防止上述俯視中的像素傳感器區(qū)域的4個(gè)角落中的暗特性的惡化。
[0009]其他課題和新的特征將從本說明書的記載及附圖得以明確。
[0010]根據(jù)一實(shí)施方式，絕緣襯層在像素區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域、且在像素區(qū)域的4個(gè)角部之中的至少一個(gè)角部的對頂角的區(qū)域內(nèi)，具有除去了絕緣襯層的像素外去除區(qū)域。
[0011 ]根據(jù)上述一實(shí)施方式，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠抑制像素傳感器區(qū)域的4個(gè)角中的暗特性的惡化，并且能夠抑制晶體管的誤動(dòng)作的拍攝裝置及其制造方法。
[0012]本發(fā)明的上述及其他的目的、特征、方面及優(yōu)點(diǎn)從與附圖關(guān)聯(lián)而理解的本發(fā)明的接下來的詳細(xì)說明得以明確。
【附圖說明】
[0013]圖1是概略地表示一實(shí)施方式中的拍攝裝置的結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0014]圖2是放大表示圖1所示的拍攝裝置的一部分的概略俯視圖。
[0015]圖3是表示圖1所示的拍攝裝置中的一個(gè)像素的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0016]圖4是放大表示圖1所示的拍攝裝置中的像素區(qū)域內(nèi)的一部分結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
[0017]圖5是概略地表示圖1所示的拍攝裝置中的像素區(qū)域、去除形成區(qū)域及周邊電路區(qū)域的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0018]圖6是用于說明一實(shí)施方式中的拍攝裝置的像素區(qū)域與其他區(qū)域的邊界的概略剖視圖。
[0019]圖7是用于說明圖1所示的拍攝裝置中的像素外去除區(qū)域的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
[0020]圖8是用于說明圖1所示的拍攝裝置中的像素外去除區(qū)域的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
[0021]圖9?圖13是按工序順序表示一實(shí)施方式中的拍攝裝置的制造方法的概略剖視圖。
[0022]圖14是作為一實(shí)施方式中的拍攝裝置的變形例的結(jié)構(gòu)，概略地表示BSI(Back-Side 111 um i n a t i ο η:背部照明)型拍攝裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0023]圖15是作為一實(shí)施方式中的拍攝裝置的變形例的結(jié)構(gòu)，概略地表示位于像素外去除區(qū)域的正下方的半導(dǎo)體襯底的主表面的整體區(qū)域中形成有元件分離絕緣層的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0024]圖16是作為一實(shí)施方式中的拍攝裝置的變形例的結(jié)構(gòu)，概略地表示在位于像素外去除區(qū)域的正下方的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成有晶體管的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0025]圖17是作為一實(shí)施方式中的拍攝裝置的變形例的結(jié)構(gòu)，概略地表示在位于像素外去除區(qū)域的正下方的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成有由硅化物層構(gòu)成的電阻的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0026]圖18是作為一實(shí)施方式中的拍攝裝置的變形例的結(jié)構(gòu)，概略地表示在位于像素外去除區(qū)域的正下方的半導(dǎo)體襯底的主表面上形成有由摻雜多晶硅構(gòu)成的電阻的結(jié)構(gòu)的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]以下，基于附圖關(guān)于本實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0028]首先，使用圖1及圖2說明配置于本實(shí)施方式的拍攝裝置中的半導(dǎo)體襯底的主表面上的各區(qū)域。
[0029]如圖1所示，本實(shí)施方式中的拍攝裝置IS為例如芯片的狀態(tài)，但既可以是晶片的狀態(tài)，也可以是被樹脂密封的封裝的狀態(tài)。本實(shí)施方式中的拍攝裝置IS在半導(dǎo)體襯底SUB的表面，主要具有例如像素區(qū)域GAR、周邊電路區(qū)域PCH、PCV、和去除形成區(qū)域0FR。
[0030]像素區(qū)域GAR在半導(dǎo)體襯底SUB的主表面具有矩形的形狀。在此，主表面中的矩形的形狀意味著，在從相對于半導(dǎo)體襯底S U B的主表面正交的方向觀察的視點(diǎn)(俯視)下具有矩形的形狀。在像素區(qū)域GAR中，形成有多個(gè)像素。
[0031]周邊電路區(qū)域PCH、PCV為像素區(qū)域GAR的外部，配置于像素區(qū)域GAR的周邊。周邊電路區(qū)域PCH、PCV分別沿矩形的像素區(qū)域GAR的外形的邊配置。周邊電路區(qū)域PCH包含例如模擬數(shù)字電路(ADC)。另外，周邊電路區(qū)域PCV包含例如垂直掃描電路(VSCAN)。
[0032]去除形成區(qū)域OFR在俯視下，配置于矩形的像素區(qū)域GAR的4個(gè)角部AG的各自的對頂角的區(qū)域。角部AG的對頂角的區(qū)域是指在俯視下具有與角部AG處于對頂角的關(guān)系的角部AO的區(qū)域。換言之，角部AG的對頂角的區(qū)域是指在俯視下，將構(gòu)成矩形的像素區(qū)域GAR的角部AG的兩條邊向矩形的外側(cè)延長而成的2條假想直線所夾的區(qū)域。
[0033]如圖2所示，在像素區(qū)域GAR中，以矩陣狀配置有多個(gè)像素(光電轉(zhuǎn)換元件)PXP。多個(gè)像素PXP分別與信號線(或者控制線)SL電連接。多個(gè)信號線SL包含沿行方向延伸的信號線和沿列方向延伸的信號線。這些信號線SL從矩形的像素區(qū)域GAR內(nèi)部向外部直線狀地延伸，分別到達(dá)周邊電路區(qū)域PCH、PCV。
[0034]去除形成區(qū)域OFR配置于避開這些信號線SL的區(qū)域(角部AG的對頂角的區(qū)域)。在該去除形成區(qū)域OFR中形成有像素外去除區(qū)域0PR。該像素外去除區(qū)域OPR為，除去了絕緣襯層LLl?LL4(圖5)而形成了開口的區(qū)域。
[0035]像素外去除區(qū)域OPR為像素區(qū)域GAR的外側(cè)的區(qū)域、配置于像素區(qū)域GAR的4個(gè)角部AG之中的至少一個(gè)角部AG的對頂角的區(qū)域(去除形成區(qū)域0FR)內(nèi)。
[0036]像素外去除區(qū)域OPR在俯視下位于離矩形的像素區(qū)域GAR的角的距離L在ΙΟΟΟμπι以內(nèi)的范圍內(nèi)。在此，距離L是像素區(qū)域GAR的角與像素外去除區(qū)域OPR之間的最近的距離。像素外去除區(qū)域OPR具有在俯視下I邊的長度SLA、SLB具有30μπι以上200μπι以下的尺寸的矩形的平面形狀。
[0037]接下來，使用圖3及圖4關(guān)于配置于像素區(qū)域GAR內(nèi)的多個(gè)像素(光電轉(zhuǎn)換元件)的各自的電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0038]如圖3及圖4所示，多個(gè)像素PXP分別主要具有例如光電二極管(光電轉(zhuǎn)換部)PD1、PD2、傳輸用晶體管TTRl、TTR2、復(fù)位用晶體管RTR、放大用晶體管ATR和選擇用晶體管STR。
[0039]光電二極管PDl、PD2分別為光電轉(zhuǎn)換部，且具有相互構(gòu)成pn結(jié)的P型區(qū)域和η型區(qū)域。在該光電二極管PD 1、TO2的光的入射側(cè)形成有防反射膜AR (圖5)。該防反射膜AR優(yōu)選由拍攝的光的顏色不同而具有不同構(gòu)造(膜厚、膜質(zhì)等)。
[0040]傳輸用晶體管TTRl、TTR2、復(fù)位用晶體管RTR、放大用晶體管ATR及選擇用晶體管STR分別為絕緣柵型場效應(yīng)晶體管，由例如η溝道M0S(Metal Oxide Semiconductor:金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管構(gòu)成。這些各晶體管具有在半導(dǎo)體襯底SUB的表面形成的I對η型源極/漏極區(qū)域、和在該I對源極/漏極區(qū)域所夾持的半導(dǎo)體襯底的區(qū)域上隔著柵極絕緣層(硅氧化膜)而形成的柵電極層。另外，以覆蓋各柵電極層的側(cè)壁的方式形成有側(cè)墻(側(cè)壁絕緣膜:未圖示)。
[0041 ] 光電二極管ro1、PD2各自的P型區(qū)域與例如接地電位連接。光電二極管roi的η型區(qū)域與傳輸用晶體管TTRl的η型源極區(qū)域電連接，通過例如公共的η型區(qū)域形成。光電二極管PD2的η型區(qū)域與傳輸用晶體管TTR2的η型源極區(qū)域電連接，通過例如公共的η型區(qū)域形成。
[0042]傳輸用晶體管TTRl的η型漏極區(qū)域與傳輸用晶體管TTR2的η型漏極區(qū)域電連接，通過例如公共的η型區(qū)域形成。傳輸用晶體管TTRl的η型漏極區(qū)域與傳輸用晶體管TTR2的η型漏極區(qū)域分別通過例如布線層ICl與復(fù)位用晶體管RTR的η型源極區(qū)域電連接。
[0043]復(fù)位用晶體管RTR的η型漏極區(qū)域與放大用晶體管ATR的η型源極區(qū)域電連接，通過例如公共的η型區(qū)域形成。在復(fù)位用晶體管RTR的η型漏極區(qū)域及放大用晶體管ATR的η型源極區(qū)域電連接有電源線PWS。
[0044]放大用晶體管ATR的柵電極層通過例如布線層ICl而與傳輸用晶體管TTRl的η型漏極區(qū)域、傳輸用晶體管TTR2的η型漏極區(qū)域及復(fù)位用晶體管RTR的η型源極區(qū)域電連接。
[0045]放大用晶體管ATR的η型漏極區(qū)域與選擇用晶體管STR的η型源極區(qū)域電連接，通過例如公共的η型區(qū)域形成。選擇用晶體管STR的η型漏極區(qū)域與垂直信號線VS電連接。
[0046]接下來，使用圖5關(guān)于本實(shí)施方式中的拍攝裝置的像素區(qū)域GAR、周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR的各自的截面結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0047]如圖5所示，在像素區(qū)域GAR中，在由例如硅構(gòu)成的半導(dǎo)體襯底SUB內(nèi)的η型區(qū)域SBR上形成有P型阱區(qū)域WL1。在該P(yáng)型阱區(qū)域WLl的表面(半導(dǎo)體襯底SUB的主表面)上形成有光電二極管H)、傳輸用晶體管TTR等。
[0048]另外，在圖5中，為便于說明，將除光電二極管PD及傳輸用晶體管TTR以外的其他晶體管等元件省略。圖5中的光電二極管ro與圖3、圖4所示的光電二極管roi或者PD2的某一個(gè)對應(yīng)。圖5中的傳輸用晶體管TTR與圖3、圖4所示的傳輸用晶體管TTRl或者TTR2的某一個(gè)對應(yīng)。
[0049]如圖5所示，光電二極管PD具有P+區(qū)域PR和n+區(qū)域NR13P+區(qū)域PR在像素區(qū)域GAR內(nèi)，形成于半導(dǎo)體襯底SUB的主表面。n+區(qū)域NR覆蓋P+區(qū)域PR的下側(cè)，與P+區(qū)域PR構(gòu)成pn結(jié)。
[0050]以覆蓋光電二極管PD的方式在半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上形成有防反射膜AR。防反射膜AR由例如娃氧化膜SLl和娃氮化膜SL2的層疊構(gòu)造構(gòu)成。娃氧化膜SLl以與半導(dǎo)體襯底SUB的主表面接觸的方式形成。硅氮化膜SL2形成在硅氧化膜SLl上。
[0051 ] 傳輸用晶體管TTR具有η型源極區(qū)域NR、n型漏極區(qū)域LIR、HIR、柵極絕緣層G1、和柵電極層GT。!!型源極區(qū)域NR形成于半導(dǎo)體襯底SUB的主表面，且由與光電二極管PD的η型區(qū)域NR共同的η型區(qū)域形成。
[0052]η型漏極區(qū)域LIR、HIR與η型源極區(qū)域NR隔開距離地形成于半導(dǎo)體襯底SUB的主表面。η型漏極區(qū)域LIR、HIR具有LDD(Lightly Doped Drain:輕摻雜漏極)構(gòu)造，具有η—區(qū)域LIR和η+區(qū)域HIR。!!—區(qū)域LIR及η+區(qū)域HIR雙方形成于半導(dǎo)體襯底SUB的主表面。η—區(qū)域LIR與η+區(qū)域HIR的η型區(qū)域NR側(cè)相連。
[0053]柵電極層GT隔著柵極絕緣層GI而形成在η型源極區(qū)域NR與η型漏極區(qū)域LIR、HIR所夾持的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上。上述防反射膜AR的一側(cè)端擱置在柵電極層GT之上，從而也可以兼為柵電極層GT的側(cè)壁絕緣層。
[0054]另外，在柵電極層GT的與防反射膜AR相反側(cè)的側(cè)壁上形成有側(cè)壁絕緣層SW。該側(cè)壁絕緣層SW與防反射膜AR相同，由例如硅氧化膜SLl和硅氮化膜SL2的層疊構(gòu)造構(gòu)成。
[0055]在半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上，作為元件分離絕緣層SI，形成有例如STI(ShallowTrench Isolat1n:淺溝道隔離)。在該元件分離絕緣層SI的下側(cè)，作為元件分離區(qū)域而形成有P+區(qū)域DS。
[0056]在周邊電路區(qū)域PCH、PCV中，在半導(dǎo)體襯底SUB內(nèi)的η型區(qū)域SBR上形成有η型阱區(qū) 。在該η型阱區(qū)±|^WL2的表面(半導(dǎo)體襯底SUB的主表面)側(cè)上形成有p型阱區(qū)±|^WL3。在該P(yáng)型阱區(qū)域WL3的表面(半導(dǎo)體襯底SUB的主表面)上，形成有周邊電路用的晶體管TR等。
[0057]該周邊電路用的晶體管TR具有I對η型源極/漏極區(qū)域LIR、HIR、柵極絕緣層GI和柵電極層GTd對源極/漏極區(qū)域LIR、HIR相互隔開距離地形成于半導(dǎo)體襯底SUB的主表面。I對源極/漏極區(qū)域LIR、HIR分別具有LDD構(gòu)造，具有η—區(qū)域LIR和n+區(qū)域HIR。柵電極層GT隔著柵極絕緣層GI而形成在I對源極/漏極區(qū)域LIR、HIR所夾持的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上。
[0058]在去除形成區(qū)域OFR中，在半導(dǎo)體襯底SUB內(nèi)的η型區(qū)域SBR上形成有η型阱區(qū)域WL2。在該去除形成區(qū)域OFR中，在半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上沒有形成任何元件。因此，在半導(dǎo)體襯底SUB的主表面，在η型阱區(qū)域WL2內(nèi)僅形成有P型阱區(qū)域WL3。另外，也可以不形成有P型阱區(qū)域WL3。在該情況下，η型阱區(qū)域WL2也可以位于半導(dǎo)體襯底SUB的主表面。
[0059]分別在像素區(qū)域GAR、周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR中，以覆蓋半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的方式形成有層間絕緣層III。層間絕緣層IIl由例如硅氧化膜構(gòu)成。在該層間絕緣層IIl上，形成有多個(gè)到達(dá)各晶體管的源極/漏極區(qū)域、柵電極層等的接觸孔CH。以埋入這些接觸孔CH各自的內(nèi)部的方式形成有埋入導(dǎo)電層CL。
[0060]在該層間絕緣層IIl的表面上形成有層間絕緣層112。層間絕緣層112由例如硅氧化膜構(gòu)成。在層間絕緣層112上形成有布線用槽TRl。在該布線用槽TRl內(nèi)，形成有布線層IC1。該布線層ICl由含銅的材質(zhì)構(gòu)成，由例如銅(Cu)、銅鋁合金(CuAl)等的材質(zhì)構(gòu)成。
[0061]以覆蓋該布線層ICl的方式在層間絕緣層112上形成有絕緣襯層LU。該絕緣襯層LLl用于防止布線層ICl所包含的銅的擴(kuò)散。絕緣襯層LLl由含氮的材質(zhì)構(gòu)成，由例如氮化硅(SiN)、碳氮化娃(SiCN)等的材質(zhì)構(gòu)成。
[0062]在絕緣襯層LLl上形成有開口LLla、LLlb。開口LLla是在像素區(qū)域GAR內(nèi)，在光電二極管ro(PDl、PD2)的正上方區(qū)域中除去了絕緣襯層LLl的部分。即，開口LLla是在像素區(qū)域GAR內(nèi)，在光電轉(zhuǎn)換元件的光電轉(zhuǎn)換部的正上方區(qū)域中，除去了絕緣襯層LLl的部分。另外，開口LLla也可以不僅在光電二極管H)(PD1、PD2)的正上方區(qū)域開口，在其他區(qū)域(例如傳輸用晶體管TTR的形成區(qū)域)的正上方區(qū)域上也開口。
[0063]開口LLlb是在去除形成區(qū)域OFR內(nèi)，除去了絕緣襯層LLl的部分。在位于開口LLlb的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域中沒有形成元件。在本實(shí)施方式中，在位于開口LLlb的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域中，形成有被元件分離絕緣層SI包圍周圍的單一導(dǎo)電型(例如P型)阱區(qū)域(活性區(qū)域)WL3。
[0064]分別在像素區(qū)域GAR、周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR中，以覆蓋絕緣襯層LLl的方式形成有層間絕緣層113。層間絕緣層113由例如硅氧化膜構(gòu)成。該層間絕緣層113埋入絕緣襯層LLl的開口 LLla、LLlb。在層間絕緣層113上，形成有多個(gè)到達(dá)各布線層ICl等的貫通孔(未圖示)。以分別埋入這些貫通孔的內(nèi)部的方式形成有埋入導(dǎo)電層(未圖示)。
[0065]在該層間絕緣層113的表面上形成有層間絕緣層114。層間絕緣層114由例如硅氧化膜構(gòu)成。在層間絕緣層114上形成有布線用槽TR2。在該布線用槽TR2內(nèi)形成有布線層IC2。該布線層IC2由含銅的材質(zhì)構(gòu)成，由例如銅、銅鋁合金等的材質(zhì)構(gòu)成。
[0066]以覆蓋該布線層IC2的方式在層間絕緣層114上形成有絕緣襯層LL2。該絕緣襯層LL2用于防止布線層IC2所包含的銅的擴(kuò)散。絕緣襯層LL2由含氮的材質(zhì)構(gòu)成，由例如氮化娃、碳氮化娃等的材質(zhì)構(gòu)成。
[0067]在絕緣襯層LL2上形成有開口LL2a、LL2b。開口LL2a為在像素區(qū)域GAR內(nèi)，在光電二極管PD (PD 1、PD2)的正上方區(qū)域除去了絕緣襯層LL2的部分。即，開口 LL2a為，在像素區(qū)域GAR內(nèi)，在光電轉(zhuǎn)換元件的光電轉(zhuǎn)換部的正上方區(qū)域，除去了絕緣襯層LL2的部分。另外，開口LL2a也可以不僅在光電二極管H)(PD1、PD2)的正上方區(qū)域開口，在其他區(qū)域(例如傳輸用晶體管TTR的形成區(qū)域)的正上方區(qū)域上也開口。
[0068]開口LL2b是在去除形成區(qū)域OFR內(nèi)，除去了絕緣襯層LL2的部分。在位于開口LL2b的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域中沒有形成元件。在本實(shí)施方式中，在位于開口LL2b的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域中，形成有被元件分離絕緣層SI包圍周圍的單一導(dǎo)電型(例如P型)的阱區(qū)域(活性區(qū)域)WL3。
[0069]在絕緣襯層LL2之上，形成有層間絕緣層115、116、布線用槽TR3、布線層IC3、絕緣襯層LL3等。層間絕緣層115與層間絕緣層113大致相同，層間絕緣層116與層間絕緣層114大致相同。布線用槽TR3與布線用槽TR2大致相同，布線層IC3與布線層IC2大致相同，絕緣襯層LL3與絕緣襯層LL2大致相同。由上述，不重復(fù)層間絕緣層115、116、布線用槽TR3、布線層IC3、絕緣襯層LL3的說明。
[0070]另外，在絕緣襯層LL3之上，形成有層間絕緣層117、118、布線用槽TR4、布線層IC4、絕緣襯層LL4等。層間絕緣層117與層間絕緣層113大致相同，層間絕緣層118與層間絕緣層114大致相同。布線用槽TR4與布線用槽TR2大致相同，布線層IC4與布線層IC2大致相同，絕緣襯層LL4與絕緣襯層LL2大致相同。由上述，不重復(fù)層間絕緣層117、118、布線用槽TR4、布線層IC4、絕緣襯層LL4的說明。
[0071]以覆蓋絕緣襯層LL4的方式形成有層間絕緣層119。層間絕緣層119由例如硅氧化膜構(gòu)成。
[0072]在像素區(qū)域GAR中，在層間絕緣層119之上隔著彩色濾光片CFl、CF2而形成有微透鏡LE1、LE2。
[0073]分別在周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR中，在層間絕緣層119之上形成有構(gòu)成焊盤電極的布線層PAD。以覆蓋該布線層PAD的方式，按順序?qū)盈B而形成有絕緣層IL和鈍化層PS。
[0074]在像素區(qū)域GAR中，分別形成于多個(gè)層的絕緣襯層LLl?LL4上的開口LLla?LL4a位于光電二極管ro(PDl、PD2)的正上方區(qū)域，在俯視下相互重疊。通過多個(gè)開口 LLla?LL4a構(gòu)成像素內(nèi)去除部0ΡΒ。即，多個(gè)開口LLla?LL4a在俯視下相互重疊的區(qū)域構(gòu)成像素內(nèi)去除部0ΡΒ。該像素內(nèi)去除部(PB按光電二極管H)(PD1、PD2)的每一個(gè)設(shè)置。即，在光電二極管roi上設(shè)置有一個(gè)像素內(nèi)去除部OPB，在光電二極管F>D2上設(shè)置有一個(gè)像素內(nèi)去除部OPB。像這樣通過多個(gè)像素內(nèi)去除部OPB而構(gòu)成像素內(nèi)去除區(qū)域。即，絕緣襯層LLl?LL4在像素區(qū)域GAR內(nèi)具有除去了絕緣襯層LLl?LL4的像素內(nèi)去除區(qū)域OPB，像素內(nèi)去除區(qū)域(PB包含在多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件PXP的二極管H)(PD1、PD2)各自的正上方區(qū)域除去了絕緣襯層LLl?LL4的多個(gè)像素內(nèi)去除部OPB。
[0075]絕緣襯層LLl?LL4各自的在像素區(qū)域GAR內(nèi)的開口LLla?LL4a的形成區(qū)域和過孔的形成區(qū)域的區(qū)域以外的區(qū)域沒有被除去。即開口 LLla?LL4a的形成區(qū)域及過孔的形成區(qū)域以外的像素區(qū)±或6六1?內(nèi)的區(qū)域各自被絕緣襯層LLl?LL4覆蓋。
[0076]在去除形成區(qū)域OFR中，分別在多個(gè)層的絕緣襯層LLl?LL4上形成的開口LLlb?LL4b在俯視下相互重疊。由多個(gè)開口 LLlb?LL4b構(gòu)成像素外去除區(qū)域0PR。即多個(gè)開口 LLlb?LL4b(多個(gè)像素外去除部分)在俯視下相互重疊的區(qū)域構(gòu)成像素外去除區(qū)域OPR。即，像素外去除區(qū)域OPR具有在多個(gè)絕緣襯層LLl?LL4上分別形成的像素外去除部分LLlb?LL4b。去除形成區(qū)域OFR內(nèi)的像素外去除區(qū)域OPR以外的區(qū)域分別被絕緣襯層LLl?LL4覆蓋。
[0077]在位于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域上形成有被元件分離絕緣層SI包圍周圍的單一導(dǎo)電型(例如P型)的阱區(qū)域(活性區(qū)域)WL3。另夕卜，也可以省略P型阱區(qū)域WL3。在這種情況下，也可以是，被元件分離絕緣層SI包圍周圍的η型阱區(qū)域(活性區(qū)域)WL2位于設(shè)于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域。
[0078]像素外去除區(qū)域OPR在俯視下僅位于去除形成區(qū)域OFR內(nèi)，不從去除形成區(qū)域OFR超出。因此像素外去除區(qū)域OPR在俯視下，沒有延伸到周邊電路區(qū)域PCH、PCV及像素區(qū)域GAR內(nèi)。
[0079]形成有像素外去除區(qū)域OPR的去除形成區(qū)域OFR如上述，在俯視下配置于矩形的像素區(qū)域GAR的外側(cè)。在此，像素區(qū)域GAR與周邊電路區(qū)域PCH、PCV之間的邊界如圖6所示，為P型阱區(qū)域WLl與η型阱區(qū)域WL2的pn結(jié)部。另外，像素區(qū)域GAR與去除形成區(qū)域OFR的邊界也與圖6相同，為P型阱區(qū)域WLl與η型阱區(qū)域WL2的pn結(jié)部。
[0080]另外，假設(shè)像素區(qū)域GAR形成在η型阱區(qū)域內(nèi)、周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR分別形成于P型阱區(qū)域內(nèi)的情況下，該η型阱區(qū)域與P型阱區(qū)域的pn結(jié)部成為上述的邊界。
[0081]因此，形成有像素外去除區(qū)域OPR的去除形成區(qū)域OFR位于形成有像素區(qū)域GAR的阱區(qū)域以外的阱區(qū)域的正上方。
[0082]在上述中，關(guān)于形成有多個(gè)絕緣襯層LLl?LL4的情況進(jìn)行了說明，在僅形成有I層絕緣襯層LLl的情況下，構(gòu)成為僅由形成于絕緣襯層LLl的開口 LLlb構(gòu)成像素外去除區(qū)域OPR0
[0083]如圖2所示，分別配置于矩形像素區(qū)域GAR的4個(gè)角的一個(gè)像素外去除區(qū)域OPR可以具有僅設(shè)置有一個(gè)像素外去除部OPA的結(jié)構(gòu)。另外，如圖7所示，分別配置于矩形的像素區(qū)域GAR的4個(gè)角的一個(gè)像素外去除區(qū)域OPR也可以具有以矩陣狀配置多個(gè)像素外去除部OPA的結(jié)構(gòu)。
[0084]一個(gè)像素外去除區(qū)域OPR所包含的多個(gè)像素外去除部OPA可以具有與形成于像素區(qū)域GAR內(nèi)的多個(gè)像素內(nèi)去除部OPB相同的平面形狀及平面配置。具體而言，也可以是一個(gè)像素外去除部OPA與一個(gè)像素內(nèi)去除部OPB具有相同的平面形狀、且像素外去除部OPA的邊的尺寸S1A、S2A與像素內(nèi)去除部OPB的邊的尺寸S1B、S2B相同。另外，還可以是，多個(gè)像素外去除部OPA的行方向及列方向各自的配置間距Pl與多個(gè)像素內(nèi)去除部OI3B的行方向及列方向各自的配置間距P2相同。
[0085]另外，如圖1所示，像素外去除區(qū)域OPR也可以關(guān)于從半導(dǎo)體襯底SUB的主表面中的像素區(qū)域GAR的中心O通過的假想中心線(A-A線或者B-B線)線對稱地形成。
[0086]在這種情況下，如圖8所示，位于相互線對稱的位置的一方的像素外去除區(qū)域OPR內(nèi)的像素外去除部OPA的邊的尺寸S1A、S2A與另一方的像素外去除區(qū)域OPR內(nèi)的像素外去除部OPA的邊的尺寸S1A、S2A是相同的。另外，位于相互線對稱的位置的一方的像素外去除區(qū)域OPR內(nèi)的多個(gè)像素外去除部OPA的行方向及列方向的各自的配置間距Pl與另一方的像素外去除區(qū)域OPR內(nèi)的多個(gè)像素外去除部OPA的行方向及列方向的各自的配置間距Pl是相同的。
[0087]另外，像素外去除區(qū)域OPR也可以關(guān)于半導(dǎo)體襯底SUB的主表面中的像素區(qū)域GAR的中心O點(diǎn)對稱地形成。在這種情況下，位于相互點(diǎn)對稱的位置的一方的像素外去除區(qū)域OPR內(nèi)的像素外去除部OPA的邊的尺寸S1A、S2A也與另一方的像素外去除區(qū)域OPR內(nèi)的像素外去除部OPA的邊的尺寸S1A、S2A是相同的。另外，位于相互點(diǎn)對稱的位置的一方的像素外去除區(qū)域OPR內(nèi)的多個(gè)像素外去除部OPA的行方向及列方向的各自的配置間距PI與另一方的像素外去除區(qū)域OPR內(nèi)的多個(gè)像素外去除部OPA的行方向及列方向的各自的配置間距PI是相同的。
[0088]接下來，使用圖9?圖13關(guān)于本實(shí)施方式的拍攝裝置的制造方法進(jìn)行說明。
[0089]如圖9所示，準(zhǔn)備主要具有η型區(qū)域SBR、p型阱區(qū)域WLl、n型阱區(qū)域WL2、元件分離絕緣層S1、元件分離區(qū)域(P+區(qū)域)DS的半導(dǎo)體襯底SUB。該半導(dǎo)體襯底SUB以在主表面具有矩形的像素區(qū)域GAR、且在像素區(qū)域GAR外具有周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR的方式準(zhǔn)備。
[0090]在像素區(qū)域GAR內(nèi)，在半導(dǎo)體襯底SUB的主表面形成有多個(gè)像素PXP(光電轉(zhuǎn)換元件)。多個(gè)像素PXP分別具有如圖3、圖4所示的結(jié)構(gòu)。另外，在周邊電路區(qū)域PCH、PCV中，形成有用于控制像素區(qū)域GAR內(nèi)的多個(gè)像素PXP的晶體管TR等。另外，在去除形成區(qū)域OFR中，沒有形成例如元件，而是形成有被元件分離絕緣層SI包圍周圍的單一阱區(qū)域WL3。
[0091]分別在像素區(qū)域GAR、周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR中，在半導(dǎo)體襯底SUB的主表上形成有由例如氧化硅構(gòu)成的層間絕緣層III。該層間絕緣層IIl形成為覆蓋光電二極管ro、各種晶體管等。
[0092]該層間絕緣層IIl的上表面通過平坦化處理而被平坦化。然后，通過通常的照片制版技術(shù)及蝕刻技術(shù)而在層間絕緣層III上形成接觸孔CH。以埋入該接觸孔CH內(nèi)的方式形成導(dǎo)電層CL。
[0093]在層間絕緣層IIl之上，形成有由例如氧化硅構(gòu)成的層間絕緣層112。層間絕緣層112的上表面通過平坦化處理而被平坦化。然后，通過通常的照片制版技術(shù)及蝕刻技術(shù)而在層間絕緣層IIl上形成布線用槽TR1。以埋入該布線用槽TRl內(nèi)的方式，在層間絕緣層112的上表面上形成含銅的導(dǎo)電層ICl。
[0094]含銅的導(dǎo)電層ICl通過CMP而被研磨除去直至層間絕緣層112的上表面露出。由此，含銅的導(dǎo)電層ICl僅殘留在布線用槽TRl內(nèi)。由此，布線層ICl從含銅的導(dǎo)電層ICl形成在布線用槽TRl內(nèi)。
[0095]如圖10所示，在層間絕緣層112之上形成有絕緣襯層LL1。絕緣襯層LLl由含氮的材質(zhì)形成，由例如氮化硅、碳氮化硅等的材質(zhì)形成。該絕緣襯層LLl以與布線層ICl的上表面接觸，并且覆蓋布線層ICl上的方式形成。
[0096]如圖11所示，在絕緣襯層LLl之上涂敷有光致抗蝕劑PHR。該光致抗蝕劑PHR被曝光/顯影而被圖案化，從而形成抗蝕劑圖案PHR。將該抗蝕劑圖案PHR作為掩膜而對絕緣襯層LLl進(jìn)行蝕刻。
[0097]通過該蝕刻，絕緣襯層LLl被部分除去，形成開口 LLla及開口 LLlb。開口 LLla在像素區(qū)域GAR內(nèi)，以位于光電二極管H)的正上方區(qū)域的方式形成。開口LLlb形成于去除形成區(qū)域OFR內(nèi)。然后，抗蝕劑圖案PHR通過例如灰化等被除去。
[0098]如圖12所示，重復(fù)與上述層間絕緣層111、112、布線用槽TR1、布線層IC1、絕緣襯層LL1、開口LLla、LLlb的形成工序相同的工序。由此形成層間絕緣層113?118、布線用槽TR2?TR4、布線層IC2?IC4、絕緣襯層LL2?LL4、開口 LL2a?LL4a、LL2b?LL4b等。
[0099]在像素區(qū)域GAR中，開口LLla?LL4a位于光電二極管PD(PD1、PD2)的正上方區(qū)域，在俯視下以相互重疊的方式形成。通過多個(gè)開口 LLla?LL4a而構(gòu)成像素內(nèi)去除部0ΡΒ。
[0100]在去除形成區(qū)域OFR中，開口 LLlb?LL4b在俯視下，以相互重疊的方式形成。通過多個(gè)開口 LLlb?LL4b構(gòu)成像素外去除區(qū)域0PR。
[0101]如圖13所示，分別在像素區(qū)域GAR、周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR中，在層間絕緣層118之上形成由例如氧化硅構(gòu)成的層間絕緣層119。分別在周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR中，在層間絕緣層119之上形成焊盤用布線層PAD。分別在周邊電路區(qū)域PCH、PCV及去除形成區(qū)域OFR中，以覆蓋焊盤用布線層PAD的方式形成絕緣層IL和鈍化層PS ο鈍化層PS由例如氮化硅形成。
[0102]然后，在氫氣體環(huán)境氣中，在400°C左右的溫度下進(jìn)行作為熱處理的燒結(jié)處理。通過該處理，氫在層間絕緣層IIl?119中擴(kuò)散，并終止半導(dǎo)體襯底SUB與柵極絕緣層GI之間的界面的自由鍵。
[0103]如圖5所示，在像素區(qū)域GAR中，在層間絕緣層119之上形成彩色濾光片CF1、CF2。在該彩色濾光片CFl、CF2上形成微透鏡LEl、LE2，從而制造出本實(shí)施方式的拍攝裝置。
[0104]接下來，關(guān)于本實(shí)施方式的作用效果進(jìn)行說明。
[0105]根據(jù)本實(shí)施方式，如圖5所示，以覆蓋由含銅的材質(zhì)構(gòu)成的布線層ICl?IC4的上表面的方式形成有由含氮的材質(zhì)構(gòu)成的絕緣襯層LLl?LL4。由此，能夠通過絕緣襯層LLl?LL4抑制布線層ICl?IC4所包含的銅擴(kuò)散。因此，能夠抑制銅擴(kuò)散至晶體管從而產(chǎn)生的晶體管的誤動(dòng)作。
[0106]另外，如圖1所示，在像素區(qū)域GAR的4個(gè)角部AG之中的至少一個(gè)角部AG的對頂角的區(qū)域(去除形成區(qū)域0FR)內(nèi)，設(shè)置有像素外去除區(qū)域0PR。在該像素外去除區(qū)域OPR中，除去了絕緣襯層LLl?LL4。因此，在上述燒結(jié)處理時(shí)，氫從像素外去除區(qū)域OPR通過，容易終止在像素區(qū)域GAR的4個(gè)角部AG附近的半導(dǎo)體襯底SUB與柵極絕緣層GI的界面的懸空鍵。因此，能夠抑制像素傳感器區(qū)域的4個(gè)角的暗特性的惡化。
[0107]由上述，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠抑制像素傳感器區(qū)域的4個(gè)角的暗特性的惡化，并且能夠抑制晶體管的誤動(dòng)作的拍攝裝置及其制造方法。
[0108]另外，在像素區(qū)域GAR內(nèi)，像素內(nèi)去除部OPB及過孔的形成區(qū)域以外的區(qū)域分別被絕緣襯層LLl?LL4覆蓋。因此，抑制在形成上述布線層ICl?IC5時(shí)進(jìn)行的CMP的漿料所包含的鉀擴(kuò)散至晶體管的情況。由此，從這一點(diǎn)出發(fā)，也能夠抑制晶體管的誤動(dòng)作。
[0109]另外，像素外去除區(qū)域OPR僅位于對頂角的區(qū)域(去除形成區(qū)域0FR)內(nèi)。由此，在對頂角的區(qū)域(去除形成區(qū)域0FR)以外的像素區(qū)域GAR及周邊電路區(qū)域PCH、PCV中，進(jìn)一步抑制布線層ICl?IC4內(nèi)的銅和CMP的漿料所包含的鉀擴(kuò)散至晶體管。由此，能夠進(jìn)一步抑制晶體管的誤動(dòng)作。
[0110]另外，如圖5所示，在位于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域形成有被元件分離絕緣層SI包圍周圍的單一導(dǎo)電型的活性區(qū)域WL3，沒有形成元件。如此，由于在位于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域沒有形成元件，所以也不會(huì)發(fā)生由布線層ICl?IC4中的銅到達(dá)該元件而引起的誤動(dòng)作。
[0111]另外，如圖7所示，像素外去除區(qū)域OPR具有以矩陣狀配置多個(gè)像素外去除部OPA的結(jié)構(gòu)。另外，多個(gè)像素外去除部OPA和多個(gè)像素內(nèi)去除部OPB具有相互相同的平面形狀。由此，在去除部0ΡΑ、0ΡΒ的圖案曝光時(shí)所使用的光掩膜的設(shè)計(jì)變得容易。另外，由于去除部0ΡΑ、0ΡΒ具有相互相同的平面形狀，所以能夠減少制造工序的偏差，像素區(qū)域GAR內(nèi)的多個(gè)像素內(nèi)去除部OPB的平面形狀的均勻性得到提高。
[0112]另外，如圖1所示，像素外去除區(qū)域OPR關(guān)于從半導(dǎo)體襯底SUB的主表面中的像素區(qū)域GAR的中心O通過的假想的中心線(A-A線、B-B線)線對稱地形成。另外，像素外去除區(qū)域OPR關(guān)于半導(dǎo)體襯底SUB的主表面中的像素區(qū)域GAR的中心O點(diǎn)對稱地形成。由此，能夠均等地抑制分別在矩形像素區(qū)域GAR的4個(gè)角中的暗特性的惡化。
[0113]在上述中，如圖5所示，關(guān)于拍攝裝置為FSI(Front_Side IIluminat1n:正面照射)型的拍攝裝置的情況進(jìn)行了說明。但是，如圖14所示，在BSI型的拍攝裝置中，也可以如圖1所示那樣在像素區(qū)域GAR的4個(gè)角部AG之中的至少一個(gè)角部AG的對頂角的區(qū)域(去除形成區(qū)域0FR)內(nèi)設(shè)置像素外去除區(qū)域0PR。
[0114]另外，在BSI型的拍攝裝置中，彩色濾光片CFl、CF2及微透鏡LEl、LE2形成在半導(dǎo)體襯底SUB的背面?zhèn)取?br>[0115]由于圖14所示的BSI型的拍攝裝置的除此以外的結(jié)構(gòu)與圖1?圖5所示的FSI型的拍攝裝置的結(jié)構(gòu)大致相同，所以關(guān)于相同的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，不重復(fù)其說明。
[0116]在圖14所示的BSI型的拍攝裝置中，在像素區(qū)域GAR的4個(gè)角部AG之中的至少一個(gè)角部AG的對頂角的區(qū)域(去除形成區(qū)域0FR)內(nèi)也具有除去了絕緣襯層LLl?LL4的像素外去除區(qū)域0PR。因此與圖1?圖5所示的拍攝裝置相同，能夠?qū)崿F(xiàn)能夠抑制在像素傳感器區(qū)域的4個(gè)角中的暗特性的惡化，并且能夠抑制晶體管的誤動(dòng)作的拍攝裝置及其制造方法。
[0117]如圖15所示，也可以在位于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域不形成元件，而形成元件分離絕緣層SI。如此，由于在位于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面的整個(gè)區(qū)域沒有形成元件，所以也不會(huì)發(fā)生由布線層ICl?IC4中的銅到達(dá)該元件而引起的誤動(dòng)作。
[0118]另外，如圖16所示，也可以在位于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上形成有MOS晶體管TR等的絕緣柵型場效應(yīng)晶體管。
[0119]該像素外去除區(qū)域OPR的正下方的MOS晶體管TR具有與周邊電路區(qū)域PCH、PCV內(nèi)的晶體管TR大致相同的結(jié)構(gòu)。但是，像素外去除區(qū)域OPR的正下方的MOS晶體管TR按照與像素區(qū)域GAR內(nèi)的晶體管及周邊電路區(qū)域內(nèi)的晶體管TR相比大的設(shè)計(jì)規(guī)則而設(shè)計(jì)。因此，像素外去除區(qū)域OPR的正下方的MOS晶體管TR具有比像素區(qū)域GAR內(nèi)的晶體管及周邊電路區(qū)域內(nèi)的晶體管TR大的柵極長度。
[0120]另外，如圖17所示，也可以在位于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上形成有由硅化物層構(gòu)成的電阻SC。
[0121]另外，如圖18所示，也可以在位于像素外去除區(qū)域OPR的正下方的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上形成有由摻雜有雜質(zhì)的多晶硅(摻雜多晶硅)構(gòu)成的電阻DP。在這種情況下，在由摻雜多晶硅構(gòu)成的電阻DP的兩端的半導(dǎo)體襯底SUB的主表面上形成有η型區(qū)域NR。
[0122]在圖16?圖18的結(jié)構(gòu)中，在像素外去除區(qū)域OPR的正下方，配置有像素區(qū)域GAR內(nèi)的晶體管以外的晶體管TR或者電阻SC、DP。因此，即使布線層ICl?IC4所包含的銅從像素外去除區(qū)域OPR通過而擴(kuò)散至像素外去除區(qū)域OPR的正下方，也能夠?qū)Π堤匦缘膼夯斐傻挠绊懸种频蒙佟?br>[0123]另外，在圖15?圖18中，由于上述以外的結(jié)構(gòu)具有與圖5所示的結(jié)構(gòu)大致相同的結(jié)構(gòu)，所以關(guān)于相同的要素標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，不重復(fù)其說明。
[0124]也可以分別適當(dāng)組合上述實(shí)施方式。
[0125]以上，基于實(shí)施方式具體說明了由本發(fā)明人完成的發(fā)明，但本發(fā)明不被限定于上述實(shí)施方式，自不必說在不脫離其主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變更。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種拍攝裝置，具有: 半導(dǎo)體襯底，其具有主表面，且在所述主表面上具有矩形的像素區(qū)域； 多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件，其在所述像素區(qū)域中，形成在所述半導(dǎo)體襯底上； 含銅的布線層，其形成在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件之上；以及 含氮的絕緣襯層，其覆蓋所述布線層的上表面， 所述絕緣襯層在所述像素區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域、且在所述像素區(qū)域的4個(gè)角部之中的至少一個(gè)角部的對頂角的區(qū)域內(nèi)，具有除去了所述絕緣襯層的像素外去除區(qū)域。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拍攝裝置，其中， 所述像素外去除區(qū)域僅位于所述對頂角的區(qū)域內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拍攝裝置，其中， 在位于所述像素外去除區(qū)域的正下方的所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面的整個(gè)區(qū)域，形成有元件分離絕緣層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拍攝裝置，其中， 在位于所述像素外去除區(qū)域的正下方的所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面的整個(gè)區(qū)域，形成有被元件分離絕緣層包圍周圍的單一導(dǎo)電型的活性區(qū)域。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拍攝裝置，其中， 在位于所述像素外去除區(qū)域的正下方的所述半導(dǎo)體襯底的所述主表面的區(qū)域，形成有對頂角區(qū)域內(nèi)元件，所述對頂角區(qū)域內(nèi)元件根據(jù)比形成于所述像素區(qū)域的像素內(nèi)元件大的設(shè)計(jì)規(guī)則而被設(shè)計(jì)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拍攝裝置，其中， 所述像素外去除區(qū)域具有以矩陣狀配置多個(gè)像素外去除部的結(jié)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的拍攝裝置，其中， 所述絕緣襯層在所述像素區(qū)域內(nèi)，具有除去了所述絕緣襯層的像素內(nèi)去除區(qū)域， 所述像素內(nèi)去除區(qū)域在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的光電轉(zhuǎn)換部的各自的正上方區(qū)域，包含除去了所述絕緣襯層的多個(gè)像素內(nèi)去除部， 所述多個(gè)像素外去除部和所述多個(gè)像素內(nèi)去除部具有相互相同的平面形狀。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拍攝裝置，其中， 所述像素外去除區(qū)域關(guān)于從所述主表面中的所述像素區(qū)域的中心通過的假想的中心線線對稱地形成。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拍攝裝置，其中， 所述像素外去除區(qū)域關(guān)于所述主表面中的所述像素區(qū)域的中心點(diǎn)對稱地形成。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的拍攝裝置，其中， 所述絕緣襯層具有相互層疊的多個(gè)襯層， 所述像素外去除區(qū)域具有分別形成于所述多個(gè)襯層的像素外去除部分， 分別形成于所述多個(gè)襯層的所述像素外去除部分在俯視下相互重疊。11.一種拍攝裝置的制造方法，具有如下工序: 準(zhǔn)備半導(dǎo)體襯底的工序，所述半導(dǎo)體襯底具有主表面，且在所述主表面上具有矩形的像素區(qū)域； 在所述像素區(qū)域且在所述半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的工序； 在所述多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件之上形成含銅的布線層的工序； 以覆蓋所述布線層的上表面的方式形成含氮的絕緣襯層的工序；以及在所述像素區(qū)域的外側(cè)的區(qū)域、且在所述像素區(qū)域的4個(gè)角部之中的至少一個(gè)角部的對頂角的區(qū)域內(nèi)，將所述絕緣襯層選擇性地除去從而在所述絕緣襯層上形成像素外去除區(qū)域的工序。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的拍攝裝置的制造方法，其中， 還具有在所述絕緣襯層上形成了所述像素外去除區(qū)域后，在含氫的環(huán)境氣內(nèi)加熱的工序。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的拍攝裝置的制造方法，其中， 還具有在所述絕緣襯層之上形成鈍化層的工序， 在所述含氫的環(huán)境氣內(nèi)加熱的工序在形成了所述鈍化層后進(jìn)行。
【文檔編號】H01L27/146GK105870139SQ201610076675
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年2月3日
【發(fā)明人】后藤洋太郎
【申請人】瑞薩電子株式會(huì)社