電氣光學(xué)裝置、電氣設(shè)備及像素渲染方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及電氣光學(xué)裝置、電氣設(shè)備及像素渲染方法。電氣光學(xué)裝置具有由排列成矩陣的像素構(gòu)成的像素陣列，各像素包括四個子像素，四個子像素包括RGB子像素以及RGB內(nèi)的指定色的相似色的子像素，四個子像素排列成兩行兩列。在各像素中，顯示白色所需的子像素內(nèi)的發(fā)光亮度最高的第一子像素以及發(fā)光亮度第二高的第二子像素配置在像素的一條對角線上，其他的子像素配置在另一對角線上。電氣光學(xué)裝置具有控制單元，其根據(jù)要顯示的像素的顏色，在第一驅(qū)動條件和第二驅(qū)動條件之間進行切換，第一驅(qū)動條件使指定色的子像素和相似色的子像素被驅(qū)動從而以第一亮度比率發(fā)光，第二驅(qū)動條件使指定色的子像素和相似色的子像素被驅(qū)動從而以第二亮度比率發(fā)光。
【專利說明】電氣)光學(xué)裝置、電氣^設(shè)備及像素渲染方法
[0001] 相關(guān)申請的交叉引用
[0002] 本申請要求2015年2月20日在日本提交的專利申請No.2015-031466的優(yōu)先權(quán)，該 專利申請的全部內(nèi)容通過引入并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003] 本發(fā)明涉及電氣光學(xué)裝置、電氣設(shè)備以及像素渲染方法。更具體地，本發(fā)明涉及包 括設(shè)置有由四色或多于四色的子像素構(gòu)成的像素的像素陣列的電氣光學(xué)裝置、使用該電氣 光學(xué)裝置作為顯示裝置的電氣設(shè)備、以及像素渲染方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 由于有機電致發(fā)光(EL)元件是電流驅(qū)動型的自發(fā)光元件，因此不需要背光源，而 且獲得低電力消耗、大視野角、高對比度等等的優(yōu)勢;在平板顯示器的開發(fā)中備受期待。
[0005] 在使用這種有機EL元件的有機EL顯示裝置中，使用紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)不 同色的子像素構(gòu)成大量像素，由此能夠顯示各種彩色圖像。雖然這些R、G、B(RGB)的子像素 可設(shè)置成各種不同的形式布置，但是，如圖1所示，它們通常通過均等地配置不同色的子像 素而排列成條紋(所謂的RGB豎條紋布置）。通過調(diào)整這三個子像素之間的亮度能夠顯示所 有的顏色。通常，將R、G、B的相鄰的三個子像素共同視作一個矩形像素，并將這些矩形像素 配置成正方形以實現(xiàn)點矩陣顯示。在點矩陣型顯示裝置中，待顯示的圖像數(shù)據(jù)具有nXm的 矩陣配置。通過使圖像數(shù)據(jù)與各像素一一關(guān)聯(lián)，能夠顯示正確的圖像。
[0006] 另外，有機EL顯示裝置具有不同的結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括:基于白色的有機EL元件通 過彩色濾光片形成RGB三色的彩色濾光片方式、以及在RGB三色的各有機EL材料上使用精細 金屬掩模（FMM)分別沉積不同的顏色的并排選擇沉積方式（side-by-side selective deposition)。盡管彩色濾光片方式具有以下缺陷：由于彩色濾光片吸收光，因此光利用率 下降，導(dǎo)致電力消耗較高，然而并排選擇沉積方式由于其高顏色純度而能夠容易具有更廣 的色域，并且由于不具有彩色濾光片而能夠具有較高的光利用率，因此并排選擇沉積方式 被廣泛利用。
[0007] 在此，對于諸如有機EL顯示裝置或液晶顯示(IXD)裝置的顯示裝置而言重要的是 具有高分辨率，因此提出了對子像素的結(jié)構(gòu)進行構(gòu)思以提高原始分辨率的各種方法。例如， 關(guān)于液晶顯示裝置，提出了以下的方法:通過利用G或Y(黃色）比R或B被更亮地感知的人眼 特性，并通過除RGB以外還包括Y的四個子像素構(gòu)成一個像素，從而在一個像素中具有兩個 亮度峰值，來提高原始分辨率。由除RGB以外還包括W(白色）的四色子像素構(gòu)成一個像素的 另一方法也被提出。另外，諸如RGBY或RGBW的四色的子像素結(jié)構(gòu)的渲染方法也已經(jīng)被公開。 另外，關(guān)于有機EL顯示裝置，例如，Woo-Young So等、SID 10 DIGEST 43.3(2010)(以下，稱 作文獻1)公開了如圖2所示使用包括R、G、B1(淺藍)和B2(深藍）四色的子像素構(gòu)成一個像素 的方法。
[0008] 在有機EL顯示裝置中，由于RGB各色的有機EL材料的壽命(老化速度)不同并且通 常B的有機EL材料的壽命最短，因此隨著時間流逝顏色失去平衡，導(dǎo)致有機EL顯示裝置的壽 命縮短。因此，對于有機EL顯示裝置而言，為了延長壽命，需要減輕B的子像素的負擔(dān)。然而， 在以往的液晶顯示裝置中使用的渲染方法中，沒有進行不同顏色的子像素具有不同的壽命 長度的假設(shè)，如果將該渲染方法直接應(yīng)用于有機EL顯示裝置，則Bl和B2的子像素負擔(dān)將增 大，導(dǎo)致無法確保有機EL顯示裝置的長壽命。
[0009] 另外，在文獻1中，將可用RGBl(淺藍)表示的區(qū)域定義為區(qū)域1，將除此以外的區(qū)域 定義為區(qū)域2。僅在區(qū)域2中使用B2(深藍），從而確保有機EL顯示裝置的長壽命。然而，在該 方法中，由于極端限制B2(深藍）的使用，因此發(fā)光區(qū)域始終偏移，導(dǎo)致諸如混色性惡化、以 及即使在通常的白色顯示中也產(chǎn)生彩色邊緣的顯示質(zhì)量中的重大問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 鑒于以上問題，本發(fā)明的目的在于提供一種電氣光學(xué)裝置、使用該電氣光學(xué)裝置 作為顯示裝置的電氣設(shè)備、以及像素渲染方法，其中，在諸如有機電致發(fā)光(有機EL)之類的 自發(fā)光元件的四色或多于四色的子像素結(jié)構(gòu)中，在確保裝置壽命的同時，可抑制混色性下 降或彩色邊緣的產(chǎn)生，由此可有效提高分辨率。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，電氣光學(xué)裝置包括 由排列成矩陣的像素構(gòu)成的像素陣列，各像素包括四個子像素，所述四個子像素包括R(紅 色）、G(綠色）和B(藍色）的顏色的子像素、以及指定色的相似色的子像素，所述指定色是包 括在R、G、B的顏色的子像素中包含的發(fā)光材料之中壽命最短的發(fā)光材料的子像素的顏色， 并且所述四個子像素排列成兩行兩列。電氣光學(xué)裝置包括根據(jù)要顯示的像素的顏色在作為 所述像素的驅(qū)動條件的第一驅(qū)動條件和第二驅(qū)動條件之間進行切換的控制單元。所述第一 驅(qū)動條件是使所述指定色的子像素和所述相似色的子像素被驅(qū)動從而以第一亮度比率發(fā) 光的條件，所述第二驅(qū)動條件是使所述指定色的子像素和所述相似色的子像素被驅(qū)動從而 以與所述第一亮度比率不同的第二亮度比率發(fā)光的條件。另外，各所述像素包括:顯示白色 所需的子像素中的發(fā)光亮度最高的第一子像素以及發(fā)光亮度第二高的第二子像素，所述第 一子像素和所述第二子像素均配置在像素的一條對角線上;發(fā)光亮度第三高的第三子像素 以及發(fā)光亮度最低的第四子像素，所述第三子像素和所述第四子像素均配置在像素的另一 對角線上。
[0011 ]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，一種電氣設(shè)備包括作為顯不裝置的有機電致發(fā)光裝置， 在所述有機電致發(fā)光裝置中，在基板上形成有包括包含有機電致發(fā)光材料的子像素的像素 陣列和驅(qū)動像素陣列的電路單元。
[0012]本發(fā)明的一個方面是電氣光學(xué)裝置中的像素渲染方法，所述電氣光學(xué)裝置包括由 排列成矩陣的像素構(gòu)成的像素陣列，各像素包括四個子像素，所述四個子像素包括R(紅 色）、G(綠色）和B(藍色）的顏色的子像素、以及指定色的相似色的子像素，所述指定色是包 括在R、G、B的顏色的子像素中包含的發(fā)光材料之中壽命最短的發(fā)光材料的子像素的顏色， 并且所述四個子像素排列成兩行兩列，各所述像素包括:顯示白色所需的子像素中的發(fā)光 亮度最高的第一子像素以及發(fā)光亮度第二高的第二子像素，所述第一子像素和所述第二子 像素均配置在像素的一條對角線上;發(fā)光亮度第三高的第三子像素以及發(fā)光亮度最低的第 四子像素，所述第三子像素和所述第四子像素均配置在像素的另一對角線上。所述像素渲 染方法包括:抽出作為將顯示在像素陣列中的圖像的端部的特異點；使子像素以預(yù)定的亮 度值發(fā)光，所述子像素在配置于所述特異點上的像素內(nèi)的、與所述發(fā)光亮度最高的子像素 或所述發(fā)光亮度最低的子像素相鄰的相鄰像素中。
[0013]根據(jù)本發(fā)明，在配置有由包括壽命短的有機EL材料的顏色（例如，藍色)分割的包 括多個色（例如，淺藍和深藍）的四色或多于四色的子像素的像素陣列中，將亮度最高的子 像素和亮度第二高的子像素配置在像素的對角線上，抑制混色性的下降或彩色邊緣的產(chǎn) 生，由此提高原始分辨率。另外，由于按照根據(jù)要顯示的顏色所屬的色度圖上的區(qū)域確定的 亮度比率也以一定值或小于一定值的電流驅(qū)動包括壽命最短的材料的顏色的子像素，可確 保裝置的長壽命，同時可抑制混色性下降或彩色邊緣的產(chǎn)生，由此可提高原始分辨率。
[0014] 應(yīng)該理解的是，前面的概述和下面的詳述都是示例性和說明性的，而不旨在限制 本發(fā)明。
【附圖說明】
[0015] 圖1是示意性示出以往的有機EL顯示裝置的子像素配置(豎條紋)的俯視圖；
[0016]圖2是示意性示出以往(文獻1)的有機EL顯示裝置的子像素配置(RGB1B2)的俯視 圖；
[0017]圖3是根據(jù)一個實施方式的有機EL顯示裝置的俯視圖；
[0018]圖4是示意性示出根據(jù)一個實施方式的有機EL顯示裝置的一組像素(對應(yīng)于四個 子像素)的結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0019] 圖5是示意性示出根據(jù)一個實施方式的有機EL顯示裝置的像素(對應(yīng)于一個子像 素)的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0020] 圖6是根據(jù)一個實施方式的有機EL顯示裝置的像素的主要電路結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖7是根據(jù)一個實施方式的有機EL顯示裝置的像素的波形圖；
[0022]圖8是根據(jù)一個實施方式的有機EL顯示裝置的驅(qū)動TFT的輸出特性圖；
[0023] 圖9是示出根據(jù)一個實施方式的子像素配置的示例的示意圖；
[0024] 圖10是示出根據(jù)一個實施方式的子像素配置的另一示例的示意圖；
[0025] 圖11是示出根據(jù)一個實施方式的子像素配置的另一示例的示意圖；
[0026]圖12是示出根據(jù)一個實施方式的生成用于驅(qū)動像素的數(shù)據(jù)(R、G、B1、B2數(shù)據(jù)）的步 驟的流程圖；
[0027]圖13是示出根據(jù)一個實施方式的計算用于驅(qū)動像素的數(shù)據(jù)(R、G、B1、B2數(shù)據(jù)）的仿 真的不例的表；
[0028]圖14是示出根據(jù)一個實施方式的計算用于驅(qū)動像素的數(shù)據(jù)(R、G、B1、B2數(shù)據(jù)）的仿 真的示例的色度圖；
[0029]圖15是示出根據(jù)一個實施方式的計算用于驅(qū)動像素的數(shù)據(jù)(R、G、B1、B2數(shù)據(jù)）的仿 真的另一不例的表；
[0030] 圖16是示出根據(jù)一個實施方式的計算用于驅(qū)動像素的數(shù)據(jù)(R、G、B1、B2數(shù)據(jù)）的仿 真的另一示例的色度圖；
[0031] 圖17是示出根據(jù)一個實施方式的計算用于驅(qū)動像素的數(shù)據(jù)(R、G、B1、B2數(shù)據(jù)）的仿 真的另一不例的表；
[0032]圖18是示出根據(jù)一個實施方式的計算用于驅(qū)動像素的數(shù)據(jù)(R、G、B1、B2數(shù)據(jù)）的仿 真的另一示例的色度圖；
[0033]圖19是示出圖9的子像素配置中一點顯示的情況下誤差擴散的示例（重點應(yīng)對防 止彩色邊緣)的示意圖；
[0034]圖20是示出圖9的子像素配置中一點顯示的情況下誤差擴散的示例（重點應(yīng)對銳 利度)的示意圖；
[0035] 圖21是示出圖9的子像素配置中一線顯示的情況下的誤差擴散的示例（重點應(yīng)對 防止彩色邊緣)的示意圖；
[0036] 圖22是示出圖9的子像素配置中一線顯示的情況下的誤差擴散的示例（重點應(yīng)對 銳利度)的示意圖；
[0037] 圖23是用于示出顯示圖像中的諸如角部、直線、點等的特異點的檢測方法的圖； [0038]圖24是示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造步驟(第一步驟)的俯視圖； [0039]圖25是示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造步驟(第一步驟)的剖視圖； [0040]圖26是示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造步驟(第二步驟)的俯視圖； [0041]圖27是示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造步驟(第二步驟)的剖視圖； [0042]圖28是示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造步驟(第三步驟)的俯視圖； [0043]圖29是示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造步驟(第三步驟)的剖視圖； [0044]圖30是示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造步驟(第四步驟)的俯視圖； [0045]圖31是示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造步驟(第四步驟)的剖視圖； [0046]圖32是示出根據(jù)第二實施例的有機EL顯示裝置的應(yīng)用例的示意圖；
[0047]圖33是示出根據(jù)第二實施例的有機EL顯示裝置的應(yīng)用例的示意圖；
[0048]圖34是示出根據(jù)第二實施例的有機EL顯示裝置的應(yīng)用例的示意圖；
[0049]圖35是示出根據(jù)第二實施例的有機EL顯示裝置的應(yīng)用例的示意圖；
[0050]圖36是示意性示出根據(jù)第三實施例的有機EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[00511圖37是示出根據(jù)第三實施例的有機EL顯示裝置的應(yīng)用例的示意圖；
[0052]圖38是示出根據(jù)第三實施例的有機EL顯示裝置的另一應(yīng)用例的示意圖；以及 [0053]圖39是示出根據(jù)第三實施例的有機EL顯示裝置的再一應(yīng)用例的示意圖。
【具體實施方式】
[0054]如在【背景技術(shù)】部分中所述，對于諸如有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置的顯示裝置 而言重要的是具有高分辨率，并且為了提高原始分辨率已經(jīng)提出對子像素的配置進行設(shè)計 的各種方法。例如，關(guān)于液晶顯示裝置，提出了使用RGBY四色的子像素構(gòu)成一個像素或者使 用RGBW四色的子像素構(gòu)成一個像素的方法。另外，關(guān)于有機EL顯示裝置，如文獻1所述，公開 了使用R、G、B1(淺藍)和B2(深藍）四色的子像素構(gòu)成一個像素的方法。
[0055]在此，有機EL顯示裝置由于其高顏色純度可容易應(yīng)用于更寬的色域，因此其光利 用效率提高，分別沉積有機EL材料的并排選擇沉積方式被廣泛利用。但是，RGB色的有機EL 材料的壽命(老化速度)不同，顏色B的有機EL材料的壽命最短。更具體而言，B的發(fā)光色與其 他的發(fā)光色相比帶隙較大，其分子結(jié)構(gòu)具有小的共輒系，使得分子自身脆弱。特別地，磷光 材料具有高激發(fā)三重態(tài)能，由此其容易受到存在于系內(nèi)的少量的淬火的影響。另外，用于保 持發(fā)光材料的主體材料需要更高的激發(fā)三重態(tài)能。由于B的有機EL材料的壽命短，因此隨著 時間流逝，顏色失去平衡，導(dǎo)致顯示裝置的壽命縮短。
[0056]因此，由于在有機EL顯示裝置中B的有機EL材料的壽命通常最短，并且隨著時間流 逝顏色失去平衡，因此需要減輕B的子像素的負擔(dān)。然而，由于在以往的液晶顯示裝置中使 用的渲染方法未進行不同顏色的子像素具有不同的壽命長度的假設(shè)，因此，如果將該渲染 方法直接應(yīng)用于有機EL顯示裝置，則Bl和B2的子像素的負擔(dān)將增大，導(dǎo)致不能確保有機EL 顯示裝置的長壽命。另外，根據(jù)如文獻1所述僅在顯示使用RGBl不能表示的區(qū)域2的顏色的 情況下使用B2的方法，發(fā)光區(qū)域始終偏移，引起混色性能惡化以及即使在通常的白色顯示 中也產(chǎn)生彩色邊緣等顯示質(zhì)量的重大問題。
[0057]為了解決該問題，本發(fā)明人在通過仿真獲得使用R、G、B1、B2的四色的子像素顯示W(wǎng) 的情況下各色的子像素的亮度時，發(fā)現(xiàn)顯示W(wǎng)所需的子像素的亮度不具有恒定的比率，而能 夠以不同方式組合。
[0058]因此，如文獻1所述，實施方式不具有如下的結(jié)構(gòu)：將色度圖上的區(qū)域單純分為B2 使用區(qū)域和B2非使用區(qū)域，僅對B2使用區(qū)域的顏色使用B2。根據(jù)實施方式，在整個色域中以 預(yù)定值或小于預(yù)定值的電流使B2發(fā)光，并且B的亮度主要依賴于Bl的發(fā)光，由此確保有機EL 顯示裝置的長壽命，并提高混色性。另外，關(guān)于子像素的配置，將顯示白色所需的子像素內(nèi) 的發(fā)光亮度最高的子像素(最優(yōu)先像素)和發(fā)光亮度第二高的子像素(第二優(yōu)先像素)設(shè)置 在對角線上，不僅在豎向方向而且在橫向方向上控制亮度的平衡以進行誤差擴散，由此抑 制亮度中心移位，并抑制彩色邊緣的產(chǎn)生。
[0059]根據(jù)本實施方式，在配置有由包括壽命短的有機EL材料的顏色（例如，藍色)分割 的包括多個色(例如，淺藍和深藍）的四色或多于四色的子像素的像素陣列中，將亮度最高 的子像素和亮度第二高的子像素配置在像素的對角線上，抑制混色性的下降或彩色邊緣的 產(chǎn)生，由此提高原始分辨率。另外，由于按照根據(jù)要顯示的顏色所屬的色度圖上的區(qū)域確定 的亮度比率也以一定值或小于一定值的電流驅(qū)動包括壽命最短的材料的顏色的子像素，可 確保裝置的長壽命，同時可抑制混色性下降或彩色邊緣的產(chǎn)生，由此可提高原始分辨率。
[0060] 以下，將參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。應(yīng)當(dāng)注意，電氣光學(xué)元件是指通 過電氣作用改變光的光學(xué)狀態(tài)的一般電子元件，并且除例如有機EL元件的自發(fā)光元件以 外，還包括例如液晶元件的改變光的偏振狀態(tài)來進行灰度顯示的電子元件。另外，電氣光學(xué) 裝置是指利用電氣光學(xué)元件進行顯示的顯示裝置。由于有機EL元件合適，并且有機EL元件 的使用能夠獲得用電流驅(qū)動時允許自發(fā)光的電流驅(qū)動型發(fā)光元件，在以下的說明中以有機 EL元件為例。
[0061] 圖3示出作為電氣光學(xué)裝置的示例的有機EL顯示裝置。該有機EL顯示裝置包括:形 成有發(fā)光元件的薄膜晶體管(TFT)基板100;密封發(fā)光元件的密封玻璃基板200;以及將TFT 基板100粘接到密封玻璃基板200的粘接部件(玻璃料密封部)300,它們作為主要的部件。另 外，在TFT基板100的顯示區(qū)域(有源矩陣部）外側(cè)的陰極電極形成區(qū)域114a的周圍，例如配 置有:驅(qū)動TFT基板100上的掃描線的掃描驅(qū)動部131 (TFT電路）；控制各像素的發(fā)光時段的 發(fā)光控制驅(qū)動部132(TFT電路）；防止由靜電放電引起的損壞的數(shù)據(jù)線靜電放電(ESD)保護 電路133;使高傳輸率的流恢復(fù)到原本的低傳輸率的多個流的解復(fù)用器134(1 :n DeMUX，模 擬開關(guān)TFT);使用各向異性導(dǎo)電膜(ACF)安裝并驅(qū)動數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)驅(qū)動器IC 135。有機EL顯 示裝置經(jīng)由柔性印刷電路(FPC)136與外部設(shè)備(例如，控制有機EL顯示裝置的全體操作、特 別是渲染的控制裝置400)連接。由于圖3僅是根據(jù)本實施方式的有機EL顯示裝置的示例，因 此可適當(dāng)變更其形狀和結(jié)構(gòu)。例如，可將控制渲染的功能全部并入到驅(qū)動器IC135中。
[0062]圖4是特別示出TFT基板100上形成的發(fā)光元件中的一組像素(上側(cè)由R/B1子像素、 下側(cè)由B2/G子像素構(gòu)成的像素）的俯視圖，這組像素反復(fù)形成在數(shù)據(jù)線和掃描線（柵極電 極）的延伸方向（圖的豎向和橫向）上。圖5是特別示出一個子像素的剖視圖。在圖5中，為了 闡明根據(jù)本實施方式的子像素的結(jié)構(gòu)，抽出圖4的俯視圖中的TFT部108b (M2驅(qū)動TFT)和保 持電容部109的區(qū)域，并對其簡略說明。此外，在以下的說明中，示出了針對B色設(shè)有包括淺 藍的Bl和深藍的B2的兩種子像素的例子，R需要具有B的亮度的大約3倍的亮度，與1/3的亮 度相比時，R的有機EL材料可能更快劣化。該情況下，可以對R色設(shè)置包括橙紅色的Rl和通常 的紅色的R2的兩種子像素。即，本實施方式對于壽命短的有機EL材料的顏色配備兩種或多 于兩種的相似顏色的子像素，該顏色可根據(jù)有機EL材料的特性適當(dāng)變更。另外，對于壽命短 的顏色，并不總是必須采用相似顏色，而也可以使用例如黃綠色來確保亮度并使用接近藍 色的鮮綠色來擴展色域，同時減輕白色顯示中藍色的負擔(dān)以確保長壽命。
[0063] TFT基板100由以下部件構(gòu)成:經(jīng)由基底絕緣膜102形成在玻璃基板101上的由低溫 多晶硅(LTPS)等構(gòu)成的多晶硅層103;經(jīng)由柵極絕緣膜104形成的第一金屬層105(柵極電極 105a和保持電容電極105b);經(jīng)由形成在層間絕緣膜106上的開口與多晶硅層103連接的第 二金屬層1〇7(數(shù)據(jù)線107a、電力供給線107b、源極/漏極電極、第一接觸部107c);以及經(jīng)由 平坦化膜110形成的發(fā)光元件116(陽極電極111、有機EL層113、陰極電極114以及罩層115)。
[0064] 發(fā)光元件116和密封玻璃基板200之間被封入干燥空氣，然后干燥空氣被玻璃料密 封部300密封，而形成有機EL顯示裝置。發(fā)光元件116具有頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，發(fā)光 元件116和密封玻璃基板200被設(shè)定為在它們之間具有預(yù)定的間隔，并且在密封玻璃基板 200的光射出面?zhèn)刃纬搔?4相位差板201和偏光板202，以抑制從外部進入的光反射。
[0065]在圖4中，子像素 R、G、B1、B2中的各子像素形成于夾在豎直方向上的數(shù)據(jù)線107a和 電力供給線l〇7b之間、以及夾在水平方向上的柵極電極105a之間的區(qū)域中，并且在子像素 的各區(qū)域內(nèi)或附近設(shè)置有開關(guān)TFT 108a、驅(qū)動TFT 108b以及保持電容部109。在此，在RGB豎 條紋配置的像素排列結(jié)構(gòu)的情況下，與各色的子像素相對應(yīng)的數(shù)據(jù)線l〇7a重復(fù)配置在水平 方向上，但是，在根據(jù)本實施例的子像素配置中構(gòu)成一個像素的子像素配置在水平方向和 豎直方向上。因此，各數(shù)據(jù)線107a被兩個子像素共用(在此，R/B2子像素用的數(shù)據(jù)線(表示為 Vdata(R/B2))和B1/G子像素用的數(shù)據(jù)線（表示為Vdata(Bl/G)))，并重復(fù)配置在水平方向 上。
[0066]具體而言，發(fā)光率最低的B內(nèi)的Bl的子像素（圖4的右上的子像素)使用與圖的中央 的柵極電極l〇5a、Bl/G用的數(shù)據(jù)線107a、以及圖的中央的電力供給線107b連接的TFT部108a (Ml開關(guān)TFT)及TFT部108b(M2驅(qū)動TFT)來驅(qū)動。另外，發(fā)光率最低的B內(nèi)的B2的子像素（圖4 的左下的子像素)使用與圖的下側(cè)的柵極電極105a、R/B2用的數(shù)據(jù)線107a以及圖的左側(cè)的 電力供給線l〇7b連接的TFT部108a(Ml開關(guān)TFT)及TFT部108b(M2驅(qū)動TFT)來驅(qū)動。另外，R的 子像素（圖4的左上的子像素)使用與圖的中央的柵極電極105a、R/B2用的數(shù)據(jù)線107a以及 圖的左側(cè)的電力供給線107b連接的TFT部108a(Ml開關(guān)TFT)和TFT部108b(M2驅(qū)動TFT)來驅(qū) 動。另外，發(fā)光率最高的G的子像素（圖4的右下的子像素)使用與圖的下側(cè)的柵極電極105a、 B1/G用的數(shù)據(jù)線107a以及圖的中央的電力供給線107b連接的TFT部108a(Ml開關(guān)TFT)及TFT 部108b(M2驅(qū)動TFT)來驅(qū)動。另外，R、G、B1、B2的各色的陽極電極111和發(fā)光區(qū)域形成為可以 確保與其他色的陽極電極111和發(fā)光區(qū)域的距離的尺寸。另外，各發(fā)光區(qū)域為了確保FMM的 開口之間的距離并使FMM的制造容易，根據(jù)需要，可通過例如切削四個角進行加工。
[0067] 要注意，本說明書和權(quán)利要求中記載的發(fā)光率最高色和發(fā)光率最低色具有相對意 義，是指在與一個像素中包括的多個子像素之中比較時的"最高"和"最低"。另外，在本實施 方式中，盡管將淺藍表示為Bl，而將深藍表示為B2,但是，Bl只要是與B2相比色域更接近白 色（即，帶隙較小，壽命較長）的顏色則可以是任何顏色。另外，開關(guān)TFT 108a為了抑制來自 數(shù)據(jù)線l〇7a的串?dāng)_，形成為如圖所示的雙柵極結(jié)構(gòu)，并且將電壓轉(zhuǎn)換為電流的驅(qū)動TFT l〇8b為了將制造過程中的波動最小化而形成為具有如圖所示的迂回形狀，由此確保充分的 溝道長度。另外，將驅(qū)動TFT的柵極電極延長以作為保持電容部109的電極使用，從而以有限 的面積確保充分的保持電容。這種像素結(jié)構(gòu)使RGB各色的發(fā)光區(qū)域增大，由此能夠降低用于 獲得必要亮度的各色的每單位面積的電流密度，并且能夠延長發(fā)光元件的壽命。
[0068] 圖5示出了從發(fā)光元件116發(fā)射的光經(jīng)由密封玻璃基板200導(dǎo)向到外部的頂部發(fā)射 結(jié)構(gòu)，但也可以是經(jīng)由玻璃基板101將光發(fā)射到外部的底部發(fā)射結(jié)構(gòu)。
[0069] 接下來，將參照圖6至圖8對各子像素的驅(qū)動方法進行說明。圖6是子像素的主要電 路結(jié)構(gòu)圖，圖7是波形圖，圖8是驅(qū)動TFT的輸出特性圖。各子像素通過包括Ml開關(guān)TFT、M2驅(qū) 動TFT、C1保持電容以及發(fā)光元件(OLED)而構(gòu)成，并通過兩個晶體管系統(tǒng)進行驅(qū)動控制。Ml 開關(guān)TFT是p溝道型場效應(yīng)晶體管(FET)，其柵極端子連接到掃描線（Scan)，其漏極端子連接 到數(shù)據(jù)線(Vdata) J2驅(qū)動TFT是p溝道型FET，其柵極端子連接到Ml開關(guān)TFT的源極端子。另 外，M2驅(qū)動TFT的源極端子連接到電力供給線(VDD)，而其漏極端子連接到發(fā)光元件(OLED)。 另外，在M2驅(qū)動TFT的柵極與源極之間形成Cl保持電容。
[0070] 在上述的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)將選擇脈沖（掃描信號）輸出到掃描線（Scan)而使Ml開關(guān)TFT 處于接通狀態(tài)時，經(jīng)由數(shù)據(jù)線(Vdata)供給的數(shù)據(jù)信號作為電壓值被寫入到Cl保持電容中。 被寫入到Cl保持電容的保持電壓被保持1幀時段，該保持電壓使M2驅(qū)動TFT的電導(dǎo)以模擬方 式變化，從而將與發(fā)光灰度級別相對應(yīng)的正向偏置電流供應(yīng)給發(fā)光元件(OLED)。
[0071] 如上所述，由于用恒定電流驅(qū)動發(fā)光元件(OLED)，盡管由于發(fā)光元件(OLED)的劣 化導(dǎo)致電阻有可能變化，也能夠維持發(fā)光的亮度恒定。由此，其適用于根據(jù)本實施方式的有 機EL顯示裝置的驅(qū)動方法。
[0072]接下來，將參照圖9至圖11說明具有上述結(jié)構(gòu)的有機EL顯示裝置的像素排列結(jié)構(gòu)。 圖9至圖11中所示的RGB1B2的子像素表示用作發(fā)光元件的發(fā)光區(qū)域(在圖5中，有機EL層113 被夾在陽極電極111和陰極電極114之間的部分）。發(fā)光區(qū)域表示元件分離膜112的開口部。 在使用FMM選擇性地沉積有機EL材料的情況下，將具有比發(fā)光區(qū)域稍大的開口部的FMM與 TFT基板對齊進行設(shè)置，并在TFT基板上選擇性地沉積有機EL材料。在此，電流實際上僅流入 元件分離膜112的開口部的部分，因此該部分將是發(fā)光區(qū)域。如果FMM的開口部圖案的區(qū)域 與其他顏色的區(qū)域重疊（即，如果沉積有機EL材料的區(qū)域擴大），則發(fā)生混有其他發(fā)光色的 稱作"顏色偏移"的缺陷。另外，如果該區(qū)域進入自己的開□部的內(nèi)側(cè)（即，如果沉積有機EL 材料的區(qū)域變窄），則具有可能發(fā)生陰極電極114和陽極電極111短路的豎向短路的不良情 況的危險。因此，F(xiàn)MM的開口圖案設(shè)計為開口邊界位于目標(biāo)顏色的發(fā)光區(qū)域的外側(cè)、且大致 位于通向相鄰顏色的發(fā)光區(qū)域的中途。雖然FMM的對準精度和變形量比光學(xué)處理的制造精 度低，但實際的發(fā)光區(qū)域由通過光學(xué)處理被開口的發(fā)光區(qū)域決定，因此，能夠無論是任何形 狀都可準確控制面積。另外，在子像素的組被重復(fù)配置的情況下，圖9至圖11中各像素 PXLl-PXL3的邊界(實線）不由TFT基板100的部件限定而可以基于相鄰的子像素組之間的關(guān)系限 定。子像素的組在此被限定為形成矩形，但不一定限于矩形。
[0073] 根據(jù)本實施例的子像素配置的基本構(gòu)想是為了防止亮度中心的移位并提高原始 分辨率，將顯示白色所需的子像素中的發(fā)光亮度最高的子像素(第一子像素)和發(fā)光亮度第 二高的子像素(第二子像素)配置在對角線上。根據(jù)各子像素的有機EL材料的特性，例如，可 采用如下所述的子像素配置。
[0074] 圖9示出包括R發(fā)光區(qū)域(R的顏色的子像素）117、G發(fā)光區(qū)域(G的顏色的子像素） 118、81發(fā)光區(qū)域(81的顏色的子像素）119 &、82發(fā)光區(qū)域(82的顏色的子像素）11%的像素 PXL1。例如，如圖9所示，在子像素的亮度以G>R>B1>B2的順序升高的情況下，將亮度最高 的G的子像素和亮度第二高的R的子像素配置在一個對角線上(在此，G的子像素在右下，R的 子像素在左上），而將其余的Bl的子像素和B2的子像素配置在另一對角線上(在此，Bl的子 像素在右上，B2的子像素在左下）。在這種子像素配置中，只要G的子像素和R的子像素配置 在對角線上，則可以將G的子像素和R的子像素的配置顛倒，或者可以將Bl的子像素和B2的 子像素的配置顛倒。
[0075] 圖10示出包括R發(fā)光區(qū)域(R的顏色的子像素）117、G發(fā)光區(qū)域(G的顏色的子像素） 118、81發(fā)光區(qū)域(81的顏色的子像素）119 &、82發(fā)光區(qū)域(82的顏色的子像素）11%的像素 PXL2。另外，如圖10所示，在B1的子像素的亮度高并且子像素的亮度以G > BI > R > B2的順序 升高的情況下，將亮度最高的G的子像素和亮度第二高的Bl的子像素配置在一個對角線上 (在此，G的子像素在右下，Bl的子像素在左上），而將其余的R和B2的子像素配置在另一對角 線上(在此，R的子像素在右上，B2的子像素在左下）。而且，在這種子像素配置中，可將G的子 像素和Bl的子像素的配置顛倒，或者可將R的子像素和B2的子像素的配置顛倒。另外，雖然 圖未示，但是也可以對亮度以B1>G>R>B2的順序升高的情況應(yīng)用類似的子像素配置。
[0076] 圖11示出包括R發(fā)光區(qū)域(R的顏色的子像素）117、G發(fā)光區(qū)域(G的顏色的子像素） 118、81發(fā)光區(qū)域(81的顏色的子像素）119 &、82發(fā)光區(qū)域(82的顏色的子像素）11%的像素 PXL3。另外，如圖11所示，在Bl的子像素的亮度更高、G的子像素的亮度低并且子像素的亮度 按照B1>R>G>B2的順序升高的情況下，將亮度最高的Bl的子像素和亮度第二高的R的子 像素配置在一個對角線上(在此，Bl的子像素在右下，R的子像素在左上），而將其余的G和B2 的子像素配置在另一對角線上(在此，G的子像素在右上，B2的子像素在左下）。在該子像素 配置中，也可以將Bl的子像素和R的子像素的配置顛倒，或者可以將G的子像素和B2的子像 素的配置顛倒。
[0077] 如上所述，像素包括在顯示白色所需的子像素內(nèi)的發(fā)光亮度最高的第一子像素和 發(fā)光亮度第二高的第二子像素，并且所述第一子像素和第二子像素配置在像素的一個對角 線上。
[0078] 要注意，各子像素的形狀、子像素之間的間隔、子像素和像素的周緣之間的間隔不 限于圖示結(jié)構(gòu)，而可以考慮制造精度和有機EL顯示裝置所需的顯示性能適當(dāng)?shù)刈兏?br>[0079] 如上所述，像素陣列由矩陣排列的像素構(gòu)成，各像素包括四個子像素。四個子像素 包括R(紅色），G(綠色）以及B(藍色）多個色的子像素、以及與指定色類似的顏色的子像素。 所述指定色是這樣的子像素的顏色，其分別包括R、G、B各色的子像素中包括的發(fā)光材料中 壽命最短的發(fā)光材料。
[0080] 接下來，將參照圖12的流程圖說明生成用于驅(qū)動RGB1B2的子像素的數(shù)據(jù)的步驟。 由于各像素由R、G、B1、B2這四色的四個子像素構(gòu)成，而與各像素相對應(yīng)的輸入數(shù)據(jù)由R、G、B 三色的數(shù)據(jù)構(gòu)成，因此需要將三色的輸入數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成四色的數(shù)據(jù)。另外，根據(jù)要顯示的顏色 是否能夠由RGBl三色表示，B2的子像素的使用程度不同。因此，根據(jù)本實施方式，設(shè)置第一 驅(qū)動條件和第二驅(qū)動條件，在控制有機EL顯示裝置的操作的控制單元(通過圖3的FPC 136 連接的控制裝置400)處切換驅(qū)動條件，以使R、G、B1、B2的四色的子像素的亮度比率為與驅(qū) 動條件相對應(yīng)的亮度比率的方式，生成1?、6、8132的數(shù)據(jù)。
[0081] 具體而言，如圖12的流程圖所示，如果要獲得與輸入數(shù)據(jù)相對應(yīng)的RGB數(shù)據(jù) (SlOl)，控制裝置使用公知的方法(例如，使用由R、G、B點的坐標(biāo)和白色點的坐標(biāo)確定的轉(zhuǎn) 換矩陣），將RGB數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為作為CIE標(biāo)準顏色坐標(biāo)系的XYZ (Yxy)顏色坐標(biāo)系中的坐標(biāo) (S102KXYZ顏色坐標(biāo)系的色度圖使用單色光軌跡和純紫軌跡表示色度，并在被這些軌跡包 圍的區(qū)域內(nèi)的位置上表示顏色飽和度。將RGB數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成XYZ顏色坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，以確定 要顯示的顏色的色度圖上的位置。
[0082]接下來，控制裝置判斷要顯示的顏色的色度圖上的位置是在能夠由RGBl表示的區(qū) 域(區(qū)域1)內(nèi)，還是在不能由RGBl表示(能夠由RB1B2表示）的區(qū)域（區(qū)域2)內(nèi)（S103)。更具體 而言，基于作為子像素使用的有機EL材料的特性，指定色度圖上的各色的位置，并將連接色 度圖上的R、G以及Bl的各位置的直線所包圍的區(qū)域設(shè)定為區(qū)域1，將連接色度圖上的R、B1以 及B2的各位置的直線所包圍的區(qū)域設(shè)定為區(qū)域2。然后，控制裝置判斷將要顯示的顏色的色 度圖上的位置是在區(qū)域1內(nèi)還是在區(qū)域2內(nèi)。
[0083]在將要顯示的顏色在區(qū)域1內(nèi)的情況下，可使用R、G、B1這三色表示要顯示的顏色， 但在要顯示的顏色在區(qū)域1內(nèi)的情況下，在一律統(tǒng)一不使用B2的子像素的控制（文獻1中公 開的控制）中，發(fā)光區(qū)域始終偏移，導(dǎo)致混色性惡化，并且，即使是通常的白色顯示，由于彩 色邊緣的發(fā)生，顯示質(zhì)量也下降。因此，在本實施方式中，即使在要顯示的顏色在區(qū)域1內(nèi)的 情況下，也選擇使用第一亮度比率點亮1?、6、81、82這四色的子像素的第一驅(qū)動條件(3104)。 另一方面，在要顯示的顏色在區(qū)域2內(nèi)的情況下，選擇B2的亮度比率比第一亮度比率大的第 二亮度比率點亮R、G、B1、B2這四色的子像素的第二驅(qū)動條件(S105)。要注意，下面將對上述 的亮度比率進行描述。
[0084]控制裝置以使R、G、B1、B2這四色的子像素具有與所選擇的驅(qū)動條件相對應(yīng)的亮度 比率的方式，對XYZ顏色坐標(biāo)系中的坐標(biāo)，使用公知的方法(使用由R、G、B點的坐標(biāo)和白色點 的坐標(biāo)定義的逆矩陣），進行RGB變換（S106)，并由RGB數(shù)據(jù)生成R、G、B1、B2數(shù)據(jù)（S107)。下 面，基于生成的1?、6、8132數(shù)據(jù)，驅(qū)動1?、6、81、82這四色的子像素。
[0085] 具體而言，控制裝置(控制單元)400根據(jù)要顯示的像素的顏色，進行作為對像素進 行驅(qū)動的條件的第一驅(qū)動條件和第二驅(qū)動條件之間的切換?？刂蒲b置400在第一驅(qū)動條件 中驅(qū)動指定色的子像素和類似色的子像素兩者，使它們以第一亮度比率發(fā)光。并且，控制裝 置400在第二驅(qū)動條件中驅(qū)動指定色的子像素和類似色的子像素兩者，使它們以與第一亮 度比率不同的第二亮度比率發(fā)光。
[0086] 雖然根據(jù)要顯示的顏色是在區(qū)域1內(nèi)還是在區(qū)域2內(nèi)來選擇驅(qū)動條件從而改變要 使用的B2子像素的量，但是，由于B2用的有機EL材料的壽命最短，因此優(yōu)選可根據(jù)B2用的有 機EL材料的劣化來調(diào)整B2子像素的亮度比率。另外，在輸入數(shù)據(jù)是靜止圖像的情況下，與運 動圖像的情況相比，可更容易識別彩色邊緣，優(yōu)選通過增大B2的子像素的亮度比率來可靠 地抑制彩色邊緣。另外，在有機EL顯示裝置能夠以諸如"生動模式(vivid mode)"或"電影模 式(cinema mode)"的多個顯示模式進行操作、并且顯示模式是追求諸如"生動模式"的顏色 再現(xiàn)性的模式的情況下，優(yōu)選通過提高B2子像素的亮度比率來提高顏色的再現(xiàn)性。因此，控 制裝置除對要顯示的顏色所屬的區(qū)域進行判斷以外，根據(jù)需要，控制裝置還可以例如基于 B2子像素的驅(qū)動時間或來自預(yù)先安裝在有機EL顯示裝置中的光學(xué)傳感器的輸出，判斷B2的 有機EL材料是否劣化，還可以判斷要顯示的對象是靜止圖像還是運動圖像，或者可以判斷 顯示模式是否是"生動模式"，并根據(jù)判斷結(jié)果調(diào)整各驅(qū)動條件下的B2子像素的亮度比率。 [0087]接下來，將參照圖13至圖18具體說明1?、6、8132數(shù)據(jù)的具體的計算方法。圖13、圖 15、圖17均示出用于計算R、G、B1、B2數(shù)據(jù)的條件以及仿真結(jié)果的表。另外，圖14、圖16、圖18 均是用于說明仿真結(jié)果的色度圖，其中1?、6、8132、1的顏色的位置用方形圖示。要注意，圖 13和圖14示出B1的子像素的亮度小于R的子像素的亮度的情況(與圖9相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)），圖15 和圖16示出Bl的子像素的亮度大致等于R的子像素的亮度的情況，圖17和圖18示出Bl的子 像素的亮度大于R的子像素的亮度的情況(與圖I 〇相對應(yīng)的結(jié)構(gòu)）。
[0088]首先，作為仿真的前提條件，1?、6、81、82的子像素的開口率(發(fā)光區(qū)域的面積與子 像素的占有面積的比率)對應(yīng)于相同的值(在此，8%)，并在不改變R、G、B2的子像素的色度 (CIEx、CIEy)以及發(fā)光效率(LE)的情況下改變Bl的子像素的色度和發(fā)光效率(使用不同特 性的有機EL材料）。
[0089]在對R、G、B1、B2數(shù)據(jù)的具體的計算步驟中，首先，指定連接色度圖上的Bl和B2的線 上的位置(表示為B'），然后將Bl和B2虛擬集成。由于B'與Bl以及B2在色度圖上的位置關(guān)系， 可確定Bl與B2的亮度比率。接下來，指定W的色溫。由于用于顯示具有色溫的W的R、G、B'的亮 度比率可唯一確定，因此可使用如上所述確定的Bl和B2的亮度比率來確定用于顯示W(wǎng)的R、 G、B1和B2的亮度比率。然后，當(dāng)指定W的亮度時，對R、G、B1和B2確定亮度，該亮度除以發(fā)光效 率，從而得出R、G、B1和B2的驅(qū)動電流。在此，當(dāng)改變色度圖上的B '的位置時B2的驅(qū)動電流變 化，針對具有各種特性的B1的有機EL材料改變B'的位置，從而確定B2的驅(qū)動電流減小的條 件。
[0090] 圖13和圖14示出使用具有(：此1 = 0.014、(：此7 = 0.148、1^ = 22.5的特性的材料作 為B1的有機EL材料的情況。在有機EL材料的情況下，由于B1的CIEy值比R小并且W在區(qū)域1 內(nèi)，因此區(qū)域1內(nèi)的顏色可僅由R、G、B1表示。然而，根據(jù)本實施方式，為了緩和亮度中心的移 位同時確保長壽命并抑制彩色邊緣的產(chǎn)生，在B2在恒定電流或小于恒定電流下使用的第一 驅(qū)動條件下使R、G、B1和B2操作。例如，當(dāng)將B'的CIEy設(shè)定為0.125時，B2的驅(qū)動電流在該材 料特性中將為最小值(在6500K的W在450nit(cd/m 2)的亮度下發(fā)光的情況下為2.13mA/cm2)， 由此1?、6、81、82的亮度比率如圖13所示。而且，在區(qū)域2內(nèi)的顏色需要使用82時，如果82強烈 地發(fā)光，則B2的壽命縮短，因此在G也輔助發(fā)光以確保亮度的第二驅(qū)動條件下使R、G、B1、B2 操作。但是，由于如果G強烈地發(fā)光，為了保持顏色平衡則B2的負擔(dān)增大，因此優(yōu)選考慮可靠 性和可視性之間的平衡來設(shè)定G的驅(qū)動電流。
[0091] 圖15和圖16示出使用與圖13和圖14的情況相比具有更接近G的特性（CIEx = 0.130、CIEy = 0.300、LE = 30)的材料作為BI的有機EL材料的情況。在有機EL材料的情況下， 由于Bl的CIEy值接近R并且W在區(qū)域1的端部，因此，為了保持顏色平衡，在與圖13和圖14的 例子相比更積極地使用B2的第一驅(qū)動條件下使1?、6、8132操作。例如，當(dāng)將8'的(：此 7設(shè)定為 0.2時，B2的驅(qū)動電流在該材料特性中將為最小值(在6500K的W在450nit(cd/m2)的亮度下 發(fā)光的情況下為3.75mA/cm 2)，由此R、G、B1和B2的亮度比率如圖15所示。另外，關(guān)于區(qū)域2內(nèi) 的顏色，在與圖13和圖14的例子相比G較弱地發(fā)光的第二驅(qū)動條件下使R、G、B1、B2操作。
[0092] 圖17和圖18示出使用具有更接近G的特性(CIEx = 0.180、CIEy = 0.420、LE = 50)的 材料作為Bl的有機EL材料的情況。在有機EL材料的情況下，Bl的CIEy值比R大并且W在區(qū)域2 內(nèi)，對于區(qū)域1內(nèi)的顏色，通過略微使用B2在減小Bl的亮度的第一驅(qū)動條件下使R、G、B1、B2 操作。另外，關(guān)于區(qū)域2內(nèi)的顏色，難以在對于實現(xiàn)低電力消耗和高可靠性最佳的四色之中 保持平衡。然而，例如，可在如圖17所示的第二驅(qū)動條件下使1?、6、8132操作。
[0093] 接下來，參照圖19至圖22對根據(jù)本實施方式的子像素配置中的渲染方法進行說 明。圖19至圖22示出圖9的子像素配置(亮度:G>R>B1>B2)中的誤差擴散，其中，為了闡明 誤差擴散，將R、G、B1、B2的各色的子像素形成為相同的形狀，并且行和列具有相同的高度和 寬度。在根據(jù)本實施方式的子像素配置中，最高亮度的顏色(在此，G)的子像素位于像素的 端部，由此易于產(chǎn)生彩色邊緣。因此，為了特別地對顯示圖像的"隔離點"、"線"、"邊界"圖案 抑制其影響，對圖案的相鄰像素進行誤差擴散。
[0094]圖19和圖20分別示出適于與一個像素相對應(yīng)的點顯示（白點顯示）的誤差擴散的 示例。誤差擴散的方法根據(jù)如何改善顯示而不同。
[0095]圖19是在特別重視彩色邊緣抑制的情況下的誤差擴散的例子。如上所述，根據(jù)本 實施方式中的驅(qū)動方法，由于B2的子像素的亮度減小，因此亮度的中心更接近Bl的子像素 偵I由此易于產(chǎn)生彩色邊緣。當(dāng)想要有效地抑制彩色邊緣時，對與夾在它們之間的Bl的子像 素相鄰的子像素(在此，在上側(cè)相鄰的像素中的G的子像素和在右側(cè)相鄰的像素中的R的子 像素)進行誤差擴散。例如，將要顯示的像素中的G的子像素的亮度減小到大約90%，并將與 減小量相對應(yīng)的亮度分配給在上側(cè)相鄰的像素中的G的子像素。同樣地，將要顯示的像素中 的R的子像素的亮度減小到大約95%，并將與減小量相對應(yīng)的亮度分配給在右側(cè)相鄰的像 素中的R的子像素。
[0096]圖20是特別重視顯示圖像的銳利度的情況下的誤差擴散的例子。在特別重視銳利 度的的情況下，當(dāng)對與亮度最高的顏色(在此，G)相鄰的顏色(在此，Bl和B2)進行誤差擴散 時，可以強調(diào)亮度最高的顏色。該情況下，對與夾在它們之間的G的子像素的相鄰的子像素 (在此，在下側(cè)相鄰的像素中的Bl的子像素和在右側(cè)相鄰的像素中的B2的子像素)進行誤差 擴散。例如，將要顯示的像素中的Bl的子像素的亮度減小到大約90%，并將與減小量相對應(yīng) 的亮度分配給在下側(cè)相鄰的像素中的Bl的子像素。同樣地，將要顯示的像素中的B2的子像 素的亮度減小到大約95%，并將與減小量相對應(yīng)的亮度分配給在右側(cè)相鄰的像素中的B2的 子像素。另外，對于在右下側(cè)相鄰的像素中的R的子像素，也可以進行大約百分之幾的誤差 擴散。
[0097]圖21和圖22分別示出適于一條線的顯示（白線顯示）的渲染方法的示例，誤差擴散 的方法根據(jù)如何改善顯示而不同。
[0098]圖21是特別重視彩色邊緣的防止的情況下的誤差擴散的例子。如上所述，根據(jù)本 實施方式，通過減小BI和B2的子像素的亮度，因此G和R突出，由此容易產(chǎn)生彩色邊緣。當(dāng)想 要有效地抑制彩色邊緣時，對與夾在它們之間的Bl的子像素相鄰的子像素(在此，在上側(cè)相 鄰的像素中的G的子像素)和與夾在它們之間的B2的子像素相鄰的子像素(在此，在下側(cè)相 鄰的像素中的R的子像素)進行誤差擴散。例如，減小要顯示的像素中的G的子像素的亮度， 并將與減小量相對應(yīng)的亮度分配給在上側(cè)相鄰的像素中的G的子像素。同樣地，減小要顯示 的像素中的R的子像素的亮度，并將與減小量相對應(yīng)的亮度分配給在下側(cè)相鄰的像素中的R 的子像素。
[0099] 盡管圖21示出對線進行顯示的例子，但是在邊緣的情況下僅對在一側(cè)相鄰的像素 進行誤差擴散即可。另外，圖21是對白線進行顯示的例子，但在對黑線進行顯示的情況下可 以沿著減小在外側(cè)相鄰的像素的亮度的方向進行誤差擴散。例如，減小在上側(cè)相鄰的像素 中的G的子像素的亮度，并可將與減小量相對應(yīng)的亮度分配給要顯示的像素中的G的子像 素。同樣地，減小在下側(cè)相鄰的像素中的R的子像素的亮度，并可以將與減小量相對應(yīng)的亮 度分配給要顯示的像素中的R的子像素。
[0100] 圖22是特別重視銳利度的情況下的誤差擴散的例子。在特別重視銳利度的情況 下，如果對與亮度高的顏色(在此，G和R)相鄰的顏色(在此，Bl和B2)進行誤差擴散，則可強 調(diào)亮度高的顏色。該情況下，可對與夾在它們之間的G的子像素相鄰的子像素(在此，在下側(cè) 相鄰的像素中的B1的子像素）以及與夾在它們之間的R的子像素的相鄰的子像素(在此，在 上側(cè)相鄰的像素中的B2的子像素)進行誤差擴散。例如，減小要顯示的像素中的Bl的子像素 的亮度，并將與減小量相對應(yīng)的亮度分配給在下側(cè)相鄰的像素中的Bl的子像素。類似地，減 小要顯示的像素中的B2的子像素的亮度，并將與減小量相對應(yīng)的亮度分配給在上側(cè)相鄰的 像素中的B2的子像素。與上面類似，圖22是對線進行顯示的例子，但在邊緣的情況下可以僅 對在一側(cè)相鄰的像素進行誤差擴散。
[0101]為了進行如上所述的渲染方法，需要對顯示圖像進行誤差擴散處理，同時區(qū)分和 識別顯示圖像的哪個部分相當(dāng)于諸如角部、邊界或點的特異點。例如，如圖23所示，在用MX N(在此，5X5)的矩陣進行圖像處理的情況下，根據(jù)對于中心的子像素假定5X5的亮度分布 圖案的組分類表，進行識別。由此，在中心的子像素被識別為諸如角部、邊界、點等的特異點 的情況下，基于與各特異點相對應(yīng)的誤差擴散處理表對中心的子像素及其周圍的子像素的 數(shù)據(jù)進行加工。然后，將加工的數(shù)據(jù)保存在顯示圖像用的線存儲器中。在該方法中，與MX2 行相對應(yīng)的線存儲器允許依次掃描的同時輸出顯示圖像，由此不再需要圖像處理用的獨立 的專用幀存儲器。即，可使用非常小型的電路系統(tǒng)實現(xiàn)如上所述的渲染方法。
[0102] [第一實施例]
[0103] 接下來，將參照圖24至圖31對根據(jù)第一實施例的電氣光學(xué)裝置進行說明。
[0104]在如上所述的實施方式中，特別說明了電氣光學(xué)裝置(有機EL顯示裝置）中的像素 排列結(jié)構(gòu)，但本實施例對包括具有如上所述的像素排列結(jié)構(gòu)的像素陣列的有機EL顯示裝置 的制造方法進行說明。圖24、圖26、圖28和圖30是具有圖9中所示的像素排列結(jié)構(gòu)的一個像 素的俯視圖，而圖25、圖27、圖29、圖31是與圖24、圖26、圖28和圖30相對應(yīng)、為了說明特別抽 取一個子像素中所示的TFT部、保持電容部以及發(fā)光元件的剖視圖。
[0105]首先，如圖24和圖25所示，在由玻璃等制成的透光性基板(玻璃基板101)上使用例 如化學(xué)氣相沉積(CVD)法例如沉積氮化硅膜來形成基底絕緣膜102。接下來，使用公知的低 溫多晶硅TFT制造技術(shù)來形成TFT部及保持電容部。更具體而言，使用CVD法等來沉積非晶 硅，通過準分子激光退火(ELA)使非晶硅結(jié)晶而形成多晶硅層103。在此，為了確保用作電壓 電流轉(zhuǎn)換放大器的M2驅(qū)動TFT 108b的充分的溝道長度，來抑制輸出電流的變化并實現(xiàn)Ml開 關(guān)TFT 108a的源極與數(shù)據(jù)線107a之間的連接、Ml開關(guān)TFT 108a的漏極與保持電容部109之 間的連接、保持電容部109與電力供給線107b之間的連接、M2驅(qū)動TFT 108b的源極與電力供 給線107b之間的連接、以及M2驅(qū)動TFT 108b的漏極與各子像素的陽極電極111之間的連接， 使多晶硅層103如圖所示迂回。在圖24中，為了闡明Ml開關(guān)TFT 108a、M2驅(qū)動TFT 108b和保 持電容部109的位置，用實線表示陽極電極111，并且用虛線表示R發(fā)光區(qū)域117、G發(fā)光區(qū)域 118、B1發(fā)光區(qū)域119a和B2發(fā)光區(qū)域119b。
[0106] 接下來，如圖26和圖27所示，例如，在多晶硅層103上使用CVD法等例如沉積氧化硅 膜來形成柵極絕緣膜104,并通過噴濺技術(shù)進一步沉積例如鉬(Mo)、鈮(Nb)、鎢(W)或其合金 作為第一金屬層105來形成柵極電極105a和保持電容電極105b。第一金屬層105也可以形成 為從包括例如]?〇、1、恥、]\1〇1、]\1〇恥^1、恥、11、(：11、(：11合金^1合金^8和48合金的組中選擇的 一種物質(zhì)形成的單層，或者為了減小互連電阻，可以形成為從包括作為低電阻物質(zhì)的Mo、 Cu、Al或Ag的兩層或多于兩層的多層結(jié)構(gòu)的組中選擇的層疊結(jié)構(gòu)。在此，為了增大各子像素 中的保持電容并使各子像素中的Ml開關(guān)TFT 108a的漏極與保持電容電極105b之間連接容 易，將第一金屬層105形成為具有如圖所示的形狀。接下來，在柵極電極形成之前對摻雜有 高濃度雜質(zhì)層(P+層l〇3c)的多晶硅層103實施追加的雜質(zhì)摻雜，使用柵極電極105a作為掩 膜以形成夾有本征層（i層l〇3a)的低濃度雜質(zhì)層(p-層103b)，由此在TFT部中形成輕摻雜 漏極(LDD)結(jié)構(gòu)。
[0107] 接下來，如圖28和圖29所示，使用CVD法等沉積例如氧化硅膜以形成層間絕緣膜 106。對層間絕緣膜106和柵極絕緣膜104進行各向異性蝕刻，使得用于與多晶硅層103連接 的接觸孔和用于與電力供給線l〇5c連接的接觸孔開口。接下來，使用噴濺技術(shù)，沉積例如 Ti/Al/Ti的鋁合金制成的第二金屬層107,并進行圖案化以形成源極/漏極電極、數(shù)據(jù)線 107a、電力供給線107b、以及第一接觸部107c(涂黑的矩形部分）。這允許數(shù)據(jù)線107a與Ml開 關(guān)TFT 108a的源極之間、Ml開關(guān)TFT 108a的漏極與保持電容電極105b以及M2驅(qū)動TFT 108b 的柵極之間、以及M2驅(qū)動TFT 108b的源極和電力供給線107b之間的連接。
[0108] 接下來，如圖30和圖31所示，沉積感光性的有機材料以形成平坦化膜110。將曝光 條件最優(yōu)化來調(diào)整錐角，使得用于與M2驅(qū)動TFT 108b的漏極連接的接觸孔(標(biāo)記有X的粗 實線所包圍的部分)開口。在其上使用金屬48、1%)1、？丨、？(1^11、附、陽、1^0或它們的化合 物沉積反射膜，接下來在其上沉積ITO、IZO、ZnO、In 2O3等透明膜，并同時進行圖案化以形成 各子像素的陽極電極111。陽極電極111在第二接觸部11 Ia上連接到M2驅(qū)動TFT 108b的漏 極。雖然陽極電極111由于在頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)中其還用作反射膜(圖未示）因此需要反射膜，但 是在底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的情況下可去除反射膜，并且陽極電極111可僅形成有例如ITO的透明 膜。接下來，使用旋涂技術(shù)，例如，沉積感光性的有機樹脂膜以形成元件隔離膜，然后進行圖 案化以形成使各子像素的陽極電極111露出到底部的元件分離膜112。該元件隔離膜用于使 各子像素的發(fā)光區(qū)域分離。
[0109] 接下來，將形成有元件分離膜112的玻璃基板101設(shè)置于蒸鍍機中，將形成有與不 同的子像素相對應(yīng)的開口的FMM對準并固定，并對RGB1B2的各色形成有機EL材料的膜，從而 在陽極電極111上形成有機EL層113。有機EL層113從下層側(cè)，例如由空穴注入層、空穴輸送 層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層等構(gòu)成。另外，有機EL層113可具有以下組合的任意結(jié) 構(gòu)，該組合包括：電子輸送層/發(fā)光層/空穴輸送層、電子輸送層/發(fā)光層/空穴輸送層/空穴 注入層、以及電子注入層/電子輸送層/發(fā)光層/空穴輸送層，或者有機EL層113可以僅是發(fā) 光層，或者也可以追加有電子阻擋層等。發(fā)光層的材料針對各色的子像素而不同，根據(jù)需 要，針對各子像素，分別控制空穴注入層、空穴輸送層等的膜厚。
[0110] 在有機EL層113上蒸鍍功函數(shù)小的金屬、即1^、0&、1^?/^&、1^?/^1^1、1%或它們的 化合物，以形成陰極電極114。將陰極電極114的膜厚最優(yōu)化，從而提高光取出效率并確保更 好的視角依賴性。在陰極電極114的電阻大導(dǎo)致發(fā)光亮度的均勻性受損的情況下，在其上通 過例如I TO、IZO、ZnO或In2O3的形成透明電極用的物質(zhì)，追加輔助電極層。另外，為了提高光 取出效率，沉積折射率比玻璃的折射率高的絕緣膜以形成罩層115。罩層115也用作有機EL 元件的保護層。
[0111] 如上所述，形成與RGB的各子像素相對應(yīng)的發(fā)光元件116,并且陽極電極111和有機 EL層113相互接觸的部分(元件分離膜112的開口部分)將成為R發(fā)光區(qū)域117、G發(fā)光區(qū)域 118、B1發(fā)光區(qū)域119a或B2發(fā)光區(qū)域119b。
[0112] 在發(fā)光元件116具有底部發(fā)射結(jié)構(gòu)的情況下，在平坦化膜110的上層形成陰極電極 114(例如ITO的透明電極），而在有機EL層113上形成陽極電極111(反射電極）。由于底部發(fā) 射結(jié)構(gòu)不需要將光取出到上表面，因此Al等的金屬膜可形成得較厚，由此能夠大幅減小陰 極電極的電阻值，由此底部發(fā)射結(jié)構(gòu)適于大型的裝置。但是，由于TFT元件和配線部分不透 光，因此發(fā)光區(qū)域極小，導(dǎo)致底部發(fā)射結(jié)構(gòu)不適合于高精密結(jié)構(gòu)。
[0113]接下來，在TFT基板100的外周涂覆玻璃料，并在其上安裝密封玻璃基板200,使用 激光等加熱玻璃料部使其熔化，從而將TFT基板100和密封玻璃基板200緊密地密封。之后， 在密封玻璃基板200的光射出側(cè)形成λ/4相位差板201和偏光板202，由此有機EL顯示裝置完 成。
[0114]盡管圖24至圖31示出根據(jù)第一實施例的有機EL顯示裝置的制造方法的示例，如果 能夠?qū)崿F(xiàn)在實施方式中所述的像素排列結(jié)構(gòu)，則制造方法不特別限于此。
[0115][第二實施例]
[0116]接下來，將參照圖32至圖35對根據(jù)第二實施例的電氣光學(xué)裝置和電氣設(shè)備進行說 明。在第二實施例中，作為有機EL顯示裝置的應(yīng)用例，將對包括有機EL顯示裝置作為顯示單 元的各種電氣設(shè)備進行說明。
[0117] 圖32至圖35示出應(yīng)用電氣光學(xué)裝置(有機EL顯示裝置）的電氣設(shè)備的例子。圖32是 應(yīng)用于個人計算機的例子，圖33是應(yīng)用于便攜終端設(shè)備(例如，個人數(shù)字助手(PDA)、電子記 事本、電子書、平板終端)的例子，圖34是應(yīng)用于智能電話的例子，圖35是應(yīng)用于移動電話的 例子?？蓪⒂袡CEL顯示裝置用于這些類型的電氣設(shè)備的顯示單元?？蓱?yīng)用于設(shè)有顯示裝置 的任何的電氣設(shè)備，而不特別限定，例如，可應(yīng)用于數(shù)碼照相機、攝像機、頭戴式顯示器、投 影儀、傳真機、便攜型TV、需求方平臺(DSP)裝置等。
[0118] [第三實施例]
[0119]接下來，將參照圖36至39對根據(jù)第三實施例的電氣光學(xué)裝置及電氣設(shè)備進行說 明。在上述的第二實施例中，對將作為電氣光學(xué)裝置的有機EL顯示裝置應(yīng)用于設(shè)有平面狀 顯示單元的電氣設(shè)備的情況進行了說明，但通過使有機EL顯示裝置可變形，有機EL顯示裝 置還可應(yīng)用于需要曲面狀顯示單元的電氣設(shè)備。
[0120]圖36是示出可變形的有機EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖。該結(jié)構(gòu)與上述的第一實施 例的不同在于=(I)TFT部108a和TFT部108b以及保持電容部109形成于柔性基板上；（2)發(fā)光 元件116上未配置密封玻璃基板200。
[0121] 首先，關(guān)于（1)，在玻璃基板101上形成可使用剝離液移除的諸如有機樹脂的剝離 膜120,并在其上形成由例如聚酰亞胺制成的具有撓性的柔性基板121。接下來，交替層疊諸 如氧化硅膜或氮化硅膜的無機薄膜122和諸如有機樹脂的有機膜123。然后，在最上層的膜 (在此，無機薄膜122)上，按照第一實施例中所述的制造方法，依次形成基底絕緣膜102、多 晶硅層103、柵極絕緣膜104、第一金屬層105、層間絕緣膜106、第二金屬層107、以及平坦化 膜110,以形成TFT部108a、108b以及保持電容部109。
[0122] 另外，關(guān)于(2)，在平坦化膜110上形成陽極電極111和元件分離膜112,并在移除元 件分離膜112之后的堤層上依次形成有機EL層113、陰極電極114、罩層115以形成發(fā)光元件 116。之后，在罩層115上交替層疊氧化硅膜、氮化硅膜等形成的無機薄膜124和有機樹脂等 形成的有機膜125,并在最上層的膜(在此，有機膜125)上形成λ/4相位差板126和偏光板 127。
[0123] 之后，使用剝離液等移除玻璃基板101上的剝離膜120,以卸下玻璃基板101。在這 種結(jié)構(gòu)中，由于玻璃基板101和密封玻璃基板200被移除，并且整個有機EL顯示裝置可變形， 因此其可應(yīng)用于需要曲面狀顯示單元的具有不同用途的電氣設(shè)備、特別是可穿戴的電氣設(shè) 備。
[0124] 例如，有機EL顯示裝置可用于如圖37所示的安裝在手腕上的腕帶型電氣設(shè)備（例 如，與智能電話聯(lián)接的終端、設(shè)有全球定位系統(tǒng)(GPS)功能的終端、用于測量諸如脈搏或體 溫等人體信息的終端）的顯示單元。在與智能電話聯(lián)接的終端的情況下，可使用預(yù)先設(shè)于終 端中的通信單元(例如，按照藍牙?.或近場通信(NFC)等標(biāo)準進行操作的短距離無線通信單 元），以將接收到的圖像數(shù)據(jù)或視頻數(shù)據(jù)顯示在有機EL顯示裝置上。另外，在設(shè)有GPS功能的 終端的情況下，可將基于GPS信號確定的位置信息、移動距離信息、以及移動速度信息顯示 在有機EL顯示裝置上。另外，在測量人體信息的終端的情況下，可將測量到的信息顯示在有 機EL顯示裝置上。
[0125] 另外，有機EL顯示裝置也可用于圖38中所示的電子紙。例如，可將存儲在位于電子 紙的端部的存儲單元中的圖像數(shù)據(jù)或視頻數(shù)據(jù)顯示在有機EL顯示裝置上，或者可將通過位 于電子紙的端部的接口單元(例如，諸如通用串行總線(USB)的有線通信單元、或按照諸如 以太.⑧、光纖分布式數(shù)據(jù)接口（FDDI)或令牌環(huán)等標(biāo)準進行動作的無線通信單元)接收到的 圖像數(shù)據(jù)或視頻數(shù)據(jù)顯示在有機EL顯示裝置上。
[0126] 另外，有機EL顯示裝置也可用于如圖39所示安裝在面部的眼鏡型電子設(shè)備的顯示 單元。例如，可將存儲在位于眼鏡、太陽鏡、護目鏡等的鏡架等上的存儲單元中的圖像數(shù)據(jù) 或視頻數(shù)據(jù)顯示在有機EL顯示裝置上，或者將通過位于鏡架上的接口單元(例如，諸如USB 的有線通信單元、按照諸如藍牙.或NFC等標(biāo)準進行動作的短距離無線通信單元、或通過諸 如長期演化(LTE)/3G等移動通信網(wǎng)絡(luò)進行通信的移動通信單元)接收到的圖像數(shù)據(jù)或視頻 數(shù)據(jù)可以顯示在有機EL顯示裝置上。
[0127] 應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不限于上述的實施例，在不脫離本發(fā)明的主旨的情況下，可 對電氣光學(xué)裝置的種類或結(jié)構(gòu)、各構(gòu)成部件的材料、制造方法等適當(dāng)變更。
[0128] 另外，電氣光學(xué)裝置不限于實施方式和實施例中所述的有機EL顯示裝置。另外，構(gòu) 成像素的基板不限于實施方式和實施例中所述的TFT基板。構(gòu)成像素的基板還可應(yīng)用于無 源型基板，不限于有源型基板。另外，將由Ml開關(guān)TFT 108a、M2驅(qū)動TFT 108b以及保持電容 部109構(gòu)成的電路(所謂的2T1C電路)例示作為用于控制像素的電路，但也可以采用包括三 個或多于三個的晶體管的電路(例如，3TIC電路）。
[0129] 本發(fā)明可應(yīng)用于：電氣光學(xué)裝置，例如有機EL顯示裝置，其包括由RGB的一色被分 割成兩個相似的顏色的四色的四個子像素構(gòu)成的像素陣列;利用電氣光學(xué)裝置作為顯示裝 置的電氣設(shè)備、以及像素排列結(jié)構(gòu)中的像素渲染方法。
[0130] 由于本發(fā)明在不背離其必要特征的主旨的情況下能夠以各種形式實施，因此本實 施方式是示例性的而不是限制性的，由于本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求書限定而不由其后 的說明書限定，因此落在權(quán)利要求的范圍和邊界內(nèi)的所有變形或該范圍和邊界的等效物旨 在被權(quán)利要求涵蓋。
[0131] 附圖標(biāo)記的說明
[0132] 100 TFT 基板
[0133] 101玻璃基板
[0134] 102基底絕緣膜
[0135] 103多晶硅層
[0136] l〇3a i層
[0137] l〇3b p -層
[0138] 103c p+層
[0139] 104柵極絕緣膜
[0140] 105第一金屬層
[0141] 105a柵極電極
[0142] 105b保持電容電極
[0143] 105c電力供給線
[0144] 106層間絕緣膜
[0145] 107第二金屬層
[0146] 107a 數(shù)據(jù)線
[0147] 107b電力供給線
[0148] 107c第一接觸部
[0149] 108 TFT 部
[0150] 108a Ml開關(guān)TFT
[0151] 108b M2驅(qū)動TFT
[0152] 109保持電容部
[0153] 110平坦化膜
[0154] Hl陽極電極
[0155] Illa第二接觸部
[0156] 112元件分離膜
[0157] 113 有機 EL 層
[0158] 114陰極電極
[0159] 114a陰極電極形成區(qū)域
[0160] 115 罩層
[0161] 116發(fā)光元件
[0162] 117 R發(fā)光區(qū)域
[0163] 118 G發(fā)光區(qū)域
[0164] 119a Bl發(fā)光區(qū)域
[0165] 119b B2發(fā)光區(qū)域
[0166] 120剝離膜
[0167] 121柔性基板
[0168] 122無機薄膜
[0169] 123有機膜
[0170] 124無機薄膜
[0171] 125有機膜
[0172] 126 λ/4相位差板
[0173] 127偏光板
[0174] 131掃描驅(qū)動部
[0175] 132發(fā)光控制驅(qū)動部
[0176] 133數(shù)據(jù)線ESD保護電路
[0177] 134 l：n DeMUX
[0178] 135 驅(qū)動器 IC
[0179] 136 FPC
[0180] 200密封玻璃基板
[0181] 201 λ/4相位差板
[0182] 202偏光板
[0183] 300玻璃料密封部
[0184] 400控制裝置
【主權(quán)項】
1. 一種電氣光學(xué)裝置，包括： 由排列成矩陣的像素構(gòu)成的像素陣列，各像素包括四個子像素，所述四個子像素包括 紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)的顏色的子像素、以及指定色的相似色的子像素，所述指定色 是包括在紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)的顏色的子像素中包含的發(fā)光材料之中壽命最短的發(fā) 光材料的子像素的顏色，并且所述四個子像素排列成兩行兩列；以及 控制單元，所述控制單元根據(jù)要顯示的像素的顏色，在作為所述像素的驅(qū)動條件的第 一驅(qū)動條件和第二驅(qū)動條件之間進行切換，所述第一驅(qū)動條件是使所述指定色的子像素和 所述相似色的子像素被驅(qū)動從而以第一亮度比率發(fā)光的條件，所述第二驅(qū)動條件是使所述 指定色的子像素和所述相似色的子像素被驅(qū)動從而以與所述第一亮度比率不同的第二亮 度比率發(fā)光的條件，以及 其中，各所述像素包括： 顯示白色所需的子像素中的發(fā)光亮度最高的第一子像素以及發(fā)光亮度第二高的第二 子像素，所述第一子像素和所述第二子像素均配置在所述像素的一條對角線上；以及 發(fā)光亮度第三高的第三子像素以及發(fā)光亮度最低的第四子像素，所述第三子像素和所 述第四子像素均配置在所述像素的另一對角線上。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電氣光學(xué)裝置，其中，所述指定色是深藍(B2)，所述相似色是 淺藍(B1)。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電氣光學(xué)裝置，其中，所述控制單元根據(jù)要顯示的像素在色度 圖上的位置是在被紅色(R)、綠色(G)、淺藍(BI)包圍的第一區(qū)域內(nèi)還是在被紅色(R)、淺藍 (BI)、深藍(B2)包圍的第二區(qū)域內(nèi)，在所述第一驅(qū)動條件和所述第二驅(qū)動條件之間進行切 換。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電氣光學(xué)裝置，其中， 對于所述深藍(B2)的子像素，所述第一亮度比率具有比所述第二亮度比率低的發(fā)光亮 度，以及 所述控制單元在要顯示的所述像素在所述色度圖上的位置在所述第一區(qū)域內(nèi)的情況 下，在所述第一驅(qū)動條件下以所述第一亮度比率驅(qū)動所述像素，并且在要顯示的所述像素 在所述色度圖上的位置在所述第二區(qū)域內(nèi)的情況下，在所述第二驅(qū)動條件下以所述第二亮 度比率驅(qū)動所述像素。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電氣光學(xué)裝置，其中， 所述控制單元根據(jù)所述深藍(B2)的子像素的剩余壽命，調(diào)整所述深藍(B2)的子像素的 亮度比率。6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電氣光學(xué)裝置，其中， 所述控制單元根據(jù)要顯示的圖像是靜止圖像還是運動圖像，調(diào)整所述深藍(B2)的子像 素的亮度比率。7. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電氣光學(xué)裝置，其中， 所述控制單元根據(jù)要顯示的圖像的顯示模式，調(diào)整所述深藍(B2)的子像素的亮度比 率。8. -種電氣設(shè)備，包括作為顯示裝置的有機電致發(fā)光裝置，在所述有機電致發(fā)光裝置 中，在基板上形成有包括包含有機電致發(fā)光材料的子像素的根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所 述的電氣光學(xué)裝置和驅(qū)動所述電氣光學(xué)裝置的像素陣列的電路單元。9. 一種電氣光學(xué)裝置中的像素渲染方法，所述電氣光學(xué)裝置包括由排列成矩陣的像素 構(gòu)成的像素陣列，各像素包括四個子像素，所述四個子像素包括紅色(R)、綠色(G)和藍色 (B)的顏色的子像素、以及指定色的相似色的子像素，所述指定色是包括在紅色（R)、綠色 (G)、藍色(B)的顏色的子像素中包含的發(fā)光材料之中壽命最短的發(fā)光材料的子像素的顏 色，并且所述四個子像素排列成兩行兩列，以及 各所述像素包括:顯示白色所需的子像素中的發(fā)光亮度最高的第一子像素以及發(fā)光亮 度第二高的第二子像素，所述第一子像素和所述第二子像素均配置在所述像素的一條對角 線上;發(fā)光亮度第三高的第三子像素以及發(fā)光亮度最低的第四子像素，所述第三子像素和 所述第四子像素均配置在所述像素的另一對角線上，其中， 所述方法包括： 抽出作為將顯示在所述像素陣列中的圖像的端部的特異點； 使子像素以預(yù)定的亮度值發(fā)光，所述子像素在配置于所述特異點上的像素內(nèi)的、與所 述發(fā)光亮度最高的第一子像素或所述發(fā)光亮度最低的第四子像素相鄰的相鄰像素中。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素渲染方法，包括： 在所述圖像為白點的情況下， 使相鄰的像素中的所述發(fā)光亮度最高的第一子像素和/或相鄰的像素中的所述發(fā)光亮 度第二高的第二子像素發(fā)光，所述子像素與所述白點的像素中的所述發(fā)光亮度最低的第四 子像素相鄰。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素渲染方法，包括： 在所述圖像是白點的情況下， 使相鄰的像素中的所述發(fā)光亮度最低的第四子像素和/或相鄰的像素中的所述發(fā)光亮 度第三高的第三子像素發(fā)光，所述子像素與所述白點的像素中的所述發(fā)光亮度最高的第一 子像素相鄰。12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素渲染方法，包括： 在所述圖像是白線的情況下， 使所述白線外的相鄰的像素中的所述發(fā)光亮度最高的第一子像素或所述發(fā)光亮度第 二高的第二子像素發(fā)光，所述子像素與所述白線內(nèi)的像素中的所述發(fā)光亮度最低的第四子 像素相鄰，并使所述白線外的相鄰的像素中的所述發(fā)光亮度第二高的第二子像素或所述發(fā) 光亮度最高的第一子像素發(fā)光，所述子像素與所述白線內(nèi)的像素中的所述發(fā)光亮度第三高 的第三子像素相鄰。13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的像素渲染方法，包括： 在所述圖像是白線的情況下， 使所述白線外的相鄰的像素中的所述發(fā)光亮度最低的第四子像素或所述發(fā)光亮度第 三高的第三子像素發(fā)光，所述子像素與所述白線內(nèi)的像素中的所述發(fā)光亮度最高的第一子 像素相鄰，并使所述白線外的相鄰的像素中的所述發(fā)光亮度第三高的第三子像素或所述發(fā) 光亮度最低的第四子像素發(fā)光，所述子像素與所述白線內(nèi)的像素中的所述發(fā)光亮度第二高 的第二子像素相鄰。14. 根據(jù)權(quán)利要求10或12所述的像素渲染方法，包括： 使所述相鄰的像素中的所述發(fā)光亮度最高的第一子像素和所述相鄰的像素中的所述 發(fā)光亮度第二高的第二子像素以不同的亮度值發(fā)光。15. 根據(jù)權(quán)利要求11或13所述的像素渲染方法，包括： 使所述相鄰的像素中的所述發(fā)光亮度最低的第四子像素和所述相鄰的像素中的所述 發(fā)光亮度第三高的第三子像素以不同的亮度值發(fā)光。16. 根據(jù)權(quán)利要求9至13中任一項所述的像素渲染方法，其中， 所述指定色是深藍(B2)，以及所述相似色是淺藍(B1)。
【文檔編號】H01L27/32GK105914222SQ201610091060
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月18日
【發(fā)明人】松枝洋二郎, 濱田繼太
【申請人】Nlt科技股份有限公司