包括多層級載體的化合物半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】一種裝置包括：載體，其具有第一層級上的第一載體部分和第二層級上的第二載體部分，第二層級不同于第一層級。該裝置還包括：化合物半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第一載體部分之上；和控制半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第二載體部分之上，其中，控制半導(dǎo)體芯片被配置成用于控制所述化合物半導(dǎo)體芯片。封裝材料覆蓋所述化合物半導(dǎo)體芯片和所述控制半導(dǎo)體芯片。
【專利說明】
包括多層級載體的化合物半導(dǎo)體裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開總體涉及半導(dǎo)體裝置。更特別地，本公開涉及包括化合物半導(dǎo)體材料和具有多層級的載體的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體裝置可包括可設(shè)置在單獨封裝中的多個半導(dǎo)體芯片。單獨封裝可需要被電聯(lián)接，以便在所包括的半導(dǎo)體芯片之間建立通信。在操作半導(dǎo)體裝置過程中，不期望的效應(yīng)、例如寄生電感可發(fā)生在半導(dǎo)體裝置的內(nèi)側(cè)和外側(cè)。半導(dǎo)體裝置時常需要被改進。尤其地，期望的是降低在操作裝置過程中可能發(fā)生的不期望的效應(yīng)。
【附圖說明】
[0003]所包括的附圖提供了對本說明書的實施例的進一步理解，且附圖被合并在本說明書中，并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出了實施例，且連同說明書用于解釋實施例的原理。其他實施例以及實施例的許多期望優(yōu)點將通過參考詳細說明書更好地理解它們而被容易地接受。附圖的元件不必定地彼此成比例。相同的附圖標記可表示相應(yīng)的類似部件。
[0004]圖1A示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置100的頂視圖。
[0005]圖1B示意性地示出了裝置100的剖視側(cè)視圖。
[0006]圖2A示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置200的頂視圖。
[0007]圖2B示意性地示出了裝置200的剖視側(cè)視圖。
[0008]圖3A示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置300的頂視圖。
[0009]圖3B示意性地示出了裝置300的剖視側(cè)視圖。
[0010]圖4A示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置400的頂視圖。
[0011 ]圖4B示意性地示出了裝置400的剖視側(cè)視圖。
[0012]圖5A示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置500的頂視圖。
[0013]圖5B示意性地示出了裝置500的剖視側(cè)視圖。
[0014]圖6示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置600的透視圖。
[0015]圖7示出了半橋式電路700的示意圖。
【具體實施方式】
[0016]在以下的詳細說明書中，將會參考構(gòu)成說明書的一部分的附圖，在附圖中，通過描述示出了可以實施本公開的特定實施例。在這方面，方向術(shù)語、比如“上”、“下”、“前”、“后”等可參考所描述的附圖的方位來使用。由于所描述裝置的構(gòu)件可以以多種不同的方位定位，因此，方向術(shù)語可用于說明性目的，而不是限制性的。也可以使用其他實施例，而且也可在不脫離本公開的范圍的情況下進行結(jié)構(gòu)上或邏輯上的改變。因此，下面的詳細說明書不應(yīng)認為是限制性的，且本公開的思想由所附的權(quán)利要求來限定。
[0017]該說明書中所采用的術(shù)語“連接的”、“聯(lián)接的”、“電連接的”和/或“電聯(lián)接的”不必是指元件必須直接地連接或聯(lián)接起來。中間元件可設(shè)置在“連接的”、“聯(lián)接的”、“電連接的”或“電聯(lián)接的”的元件之間。
[0018]另外，例如關(guān)于形成于或位于物體的表面“之上”的材料層所使用的術(shù)語“之上”在此可用于表示材料層可“直接地”位于(例如形成于、沉積于等)(例如直接接觸于)所指的表面上。例如關(guān)于形成于或位于表面“之上”的材料層所使用的術(shù)語“之上”在此也可用于表示材料層可“間接地”位于(例如形成于、沉積于等)所指的表面上，且例如一個或多個附加層設(shè)置在所指的表面與所述材料層之間。
[0019]另外，術(shù)語“垂直的”和“平行的”在此可針對兩個或更多個構(gòu)件的相對定向來使用。應(yīng)當理解，這些術(shù)語不是必定意味著所規(guī)定的幾何關(guān)系以理想的幾何意義來實現(xiàn)。相反，在這方面可能需要考慮到所涉及的構(gòu)件的制造公差。例如，如果半導(dǎo)體封裝的封裝材料的兩個表面被限定為彼此垂直(或平行)，則這些表面之間的實際角度可根據(jù)公差以偏移值偏離于90(或O)度的精確值，所述公差通?？稍趹?yīng)用用于制造由封裝材料制成的殼體的技術(shù)時產(chǎn)生。
[0020]在此對裝置和用于制造該裝置的方法進行描述。關(guān)于所描述的裝置所作的評述也可同樣適用于相應(yīng)的方法，反之亦然。例如，如果描述了裝置的特定構(gòu)件，則用于制造該裝置的相應(yīng)方法就可包括以適當?shù)姆绞教峁┰摌?gòu)件的行動，即便這種行動未被明確描述或未被附圖示出。此外，除非另外特別說明，否則，在此所描述的各種示例性實施例的特征可彼此組合。
[0021]在此所描述的裝置可包括可以是不同類型的且可通過不同技術(shù)制造的一個或多個半導(dǎo)體芯片。通常，半導(dǎo)體芯片可包括集成電子、電子光學(xué)或機電電路、被動元件(passive)等。此外，集成電路可被設(shè)計成邏輯集成電路、模擬集成電路、混合信號集成電路、功率集成電路、存儲電路、集成被動元件、微機電系統(tǒng)等。
[0022]半導(dǎo)體芯片不必由特定半導(dǎo)體材料來制造，且可包含非半導(dǎo)體的無機和/或有機材料，例如絕緣體、塑料或金屬。在一個示例中，半導(dǎo)體芯片可由基本半導(dǎo)體材料(例如Si等)制成或可包括基本半導(dǎo)體材料。在另一示例中，半導(dǎo)體芯片可由化合物半導(dǎo)體材料(例如GaN、SiC、SiGe、GaAs等)制成或可包括化合物半導(dǎo)體材料。尤其地，在此所描述的裝置可包括基于化合物半導(dǎo)體材料的一個或多個化合物半導(dǎo)體芯片。
[0023]半導(dǎo)體芯片可包括一個或多個功率半導(dǎo)體。通常，功率半導(dǎo)體芯片可被配置成二極管、功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)、IGBT、(絕緣柵雙極晶體管)、JFET(結(jié)柵場效應(yīng)晶體管)、HEMT(高電子迀移率晶體管)、超結(jié)裝置(super junct1n device)、功率雙極晶體管等。尤其地，功率半導(dǎo)體芯片可基于以上所特定的化合物半導(dǎo)體材料中的一個或多個。根據(jù)本公開的裝置不限于包括特定類型的功率半導(dǎo)體芯片。因此，關(guān)于特定類型的功率半導(dǎo)體芯片可所作的評述可同樣地適用于其他類型的功率半導(dǎo)體芯片。因此，例如術(shù)語“功率M0SFET”、“功率HEMT”、“M0SFET”、“HEMT”在此可同義地使用。
[0024]半導(dǎo)體芯片可具有垂直結(jié)構(gòu)，即半導(dǎo)體芯片可被制造成:使得電流可大致沿著與半導(dǎo)體芯片的主面垂直的方向流動。具有垂直結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片可具有在它的兩個主面之上的電極，即在它的上側(cè)和下側(cè)之上的電極。尤其地，功率半導(dǎo)體芯片可具有垂直結(jié)構(gòu)，且可具有設(shè)置在兩個主面之上的負載電極。例如，功率MOSFET的源電極和柵極電極可設(shè)置在一個面之上，同時功率MOSFET的漏電極可設(shè)置在另一面之上。在另一示例中，功率HEMT可被配置成垂直功率半導(dǎo)體芯片。對于垂直功率半導(dǎo)體芯片的另外的示例是PMOS(P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)、NMOS(N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體)或以上所說明的示例性功率半導(dǎo)體中的一個。
[0025]半導(dǎo)體芯片可具有橫向結(jié)構(gòu)，即半導(dǎo)體芯片可被制造成:使得電流可大致沿著與半導(dǎo)體芯片的主面平行的方向流動。具有橫向結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片可具有設(shè)置在它的主面中的一個之上的電極。在一個示例中，具有橫向結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體芯片可包括集成電路，例如邏輯芯片。在另一示例中，功率半導(dǎo)體芯片可具有橫向結(jié)構(gòu)，其中，負載電極可設(shè)置在芯片的一個主面之上。例如，功率MOSFET的源電極、柵極電極和漏電極可設(shè)置在功率MOSFET的一個主面之上。橫向功率半導(dǎo)體芯片的另一示例可以是HEMT(高電子迀移晶體管)，其可由上述化合物半導(dǎo)體材料中的一個或多個來制造。
[0026]在此所描述的裝置可包括一個或多個控制半導(dǎo)體芯片(或控制集成電路)，其被配置成用于控制和/或驅(qū)動裝置的電子構(gòu)件。例如，控制半導(dǎo)體芯片可被配置成用于控制和/或驅(qū)動一個或多個功率半導(dǎo)體芯片的集成電路。在這方面，術(shù)語“控制半導(dǎo)體芯片”和“驅(qū)動器半導(dǎo)體芯片”可同義地使用。
[0027]驅(qū)動電路可被配置成用于驅(qū)動可被包括在裝置中的一個或多個電子構(gòu)件，例如高功率晶體管。被驅(qū)動的構(gòu)件可以是電壓驅(qū)動式或電流驅(qū)動式。例如，功率MOSFET、IGBT等可以是電壓驅(qū)動式開關(guān)，因為它們的絕緣柵可尤其表現(xiàn)成類似于電容器。相反地，開關(guān)、比如三端雙向可控硅開關(guān)(triac)(用于交流的三極管)、閘流晶體管、雙極晶體管、PN二極管等可以是電流驅(qū)動式。在一個示例中，驅(qū)動包括柵極電極的構(gòu)件可包括將不同的電壓施加至柵極電極，例如成接通和關(guān)斷換接信號(switching wave)形式。在另一示例中，驅(qū)動電路可用于驅(qū)動直接被驅(qū)動式電路?？刂齐娐房杀慌渲贸捎糜诳刂乞?qū)動裝置的構(gòu)件的一個或多個驅(qū)動器。在一個示例中，控制電路可同時地控制多個直接被驅(qū)動式電路的驅(qū)動器。例如，包括兩個直接被驅(qū)動式電路的半橋式電路因而可由一個控制器控制。
[0028]半導(dǎo)體芯片可包括任意數(shù)量的電接觸部。在一個示例中，電接觸部可設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的前側(cè)和后側(cè)之上。這種半導(dǎo)體芯片例如可相應(yīng)于功率半導(dǎo)體芯片，所述功率半導(dǎo)體芯片可包括設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的一側(cè)上的漏極接觸部、以及設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的相反側(cè)之上的源極接觸部和柵極接觸部。在另一示例中，電接觸部可僅僅設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的前側(cè)之上。例如，這種半導(dǎo)體芯片可被稱作橫向芯片，且例如可相應(yīng)于分立半導(dǎo)體芯片。電接觸部可具有可由金屬和金屬合金中的至少一個制造的接觸墊(或接觸元件、或接觸端子、或接觸電極)的形式。任何期望的金屬或金屬合金(例如，招、鈦、金、銀、銅、鈀、鈾、鎳、絡(luò)、釩、鎢、鉬等)都可用作材料。
[0029]半導(dǎo)體芯片可以是封裝的或未封裝的。在這方面，如本說明書中所使用的術(shù)語“半導(dǎo)體裝置”和“半導(dǎo)體封裝”可交換地使用。尤其地，半導(dǎo)體封裝可以是包括封裝材料的半導(dǎo)體裝置，所述封裝材料可至少部分地封裝半導(dǎo)體裝置的一個或多個構(gòu)件。
[0030]封裝材料可以是電絕緣的且可形成封裝體。封裝材料可包括環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充式環(huán)氧樹脂、玻璃纖維填充式聚合物、酰亞胺、填充式或非填充式熱塑性聚合物材料、填充式或非填充式硬質(zhì)塑料聚合物材料、填充式或非填充式聚合物混合物、熱固性材料、MOLD COMPOUND、圓頂封裝材料、層疊材料等中的至少一個。各種技術(shù)(例如壓縮成型、注射成型、粉末成型、液態(tài)成型、層壓等中的至少一個)可用于通過封裝材料來封裝裝置的構(gòu)件。
[0031]在此所描述的裝置可包括載體，一個或多個半導(dǎo)體芯片可設(shè)置在所述載體之上。通常，載體可包括可具有各種目的的一個或多個載體部分。在一個示例中，載體部分可提供安裝表面，以用于安裝裝置的電子構(gòu)件。在這方面，載體部分例如可相應(yīng)于裸片墊(diepad)，半導(dǎo)體芯片可安裝在所述裸片墊上。裝置的包括這種載體部分的層級可被稱作裸片墊層級。在另一示例中，載體部分可包括可提供裝置的構(gòu)件之間的以及到外部構(gòu)件的電連接的一個或多個導(dǎo)電端子(或引線或引腳)。在這方面，載體部分例如可相應(yīng)于引線框的一個或多個引線。引線例如可從半導(dǎo)體封裝的封裝材料伸出，且提供到半導(dǎo)體封裝的內(nèi)部構(gòu)件的電連接。引線和裝置的半導(dǎo)體芯片之間的電連接可附加地由導(dǎo)電式聯(lián)接元件(例如導(dǎo)線或線夾)來建立。裝置的包括這種載體部分的層級可被稱作導(dǎo)線結(jié)合層級。在另一通常的示例中，載體部分可以是上述載體部分的組合。
[0032]載體的載體部分可設(shè)置在可彼此不同的一個或多個層級上。具有設(shè)置在不同的層級上的多個載體部分的載體可被稱作多層級載體。在一個示例中，載體的每個載體部分可設(shè)置在一平面中，其中，與不同的載體部分相應(yīng)的不同的平面可設(shè)置成彼此平行。例如，裝置的裸片墊可設(shè)置在裸片墊層級上，聯(lián)接至導(dǎo)線結(jié)合部的電端子可設(shè)置在導(dǎo)線結(jié)合層級上，等等。在多層級載體中，第一層級和不同的第二層級之間的距離可處于大約0.5毫米-大約5.0毫米的范圍內(nèi)，更特別地處于包括在該指定范圍中的任何子范圍內(nèi)。
[0033]在此所描述的裝置不限于僅包括一個單獨的載體，而是也可包括多個載體。通常，載體可由金屬、合金、電介質(zhì)、塑料、陶瓷或它們的組合來制造。載體可具有均勻的結(jié)構(gòu)，但是也可提供內(nèi)部結(jié)構(gòu)，比如具有電再分配功能的導(dǎo)電路徑。載體的基底面可取決于待設(shè)置在載體之上的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量和基底面。對于載體的示例可以是裸片墊、包括裸片墊的引線框、或包括一個或多個再分配層的陶瓷基板。
[0034]載體的載體部分可至少部分地由裝置的封裝材料覆蓋。載體部分可由封裝材料完全地圍繞，以使得沒有載體部分的表面能夠從封裝材料的外側(cè)接近。另一載體部分可至少部分地暴露于封裝材料，以使得可存在一個或多個暴露表面。例如，裸片墊的表面可暴露于封裝材料，以使得散熱器可設(shè)置在暴露表面之上。導(dǎo)熱膏可設(shè)置在裸片墊的暴露表面與散熱器之間。在相應(yīng)裝置的操作過程中，由例如半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱量可沿著可從半導(dǎo)體芯片至散熱器延伸的路徑消散。在一個示例中，裸片墊可包括延伸穿過裸片墊的孔，其中，所述孔可暴露于封裝材料。在另一示例中，裸片墊的包括孔的部分也可由封裝材料覆蓋，其中，孔于是也可延伸穿過封裝材料。散熱器可通過可延伸穿過孔的固定構(gòu)件(例如螺釘)附接至裸片墊。
[0035]在一個示例中，載體可包括引線框，引線框可以成任何形狀、任何尺寸和任何材料。引線框可被構(gòu)造成:使得可形成裸片墊(或芯片島(island))和引線(或引腳)。在裝置的制造過程中，裸片墊和引線可彼此連接。裸片墊和引線也可由單件制成。裸片墊和引線可通過連接器件彼此連接，其目的是在制造過程中使裸片墊和引線中的一些分離。在此，分離裸片墊和引線可通過機械鋸、激光束、切割、沖壓、銑削、蝕刻和任何其他合適技術(shù)中的至少一個來實施。在一個示例中，引線框可以是具有設(shè)置在不同的層級上的各種部分的多層級引線框。例如，引線框的不同的層級可通過在各種載體部分已經(jīng)形成之前或之后以合適的方式彎曲引線框來實施。
[0036]尤其地，引線框可以是導(dǎo)電的。例如，引線框可完全由金屬和/或金屬合金制造，尤其是由銅、銅合金、鎳、鐵鎳、鋁、鋁合金、鋼、不銹鋼和其他合適材料中的至少一個來制造。引線框材料可包括鐵、硫、氮化鐵等的跡線。引線框可鍍有導(dǎo)電材料，例如銅、銀、鈀、金、鎳、鐵鎳和鎳磷中的至少一個。在該情況下，引線框可稱作“預(yù)鍍引線框”。盡管引線框可以是導(dǎo)電的，但是，引線框的裸片墊的任意選擇可彼此電絕緣。
[0037]引線框的形狀、尺寸和/或材料可取決于可設(shè)置在引線框之上的半導(dǎo)體芯片。在一個示例中，化合物半導(dǎo)體芯片、例如GaN芯片可設(shè)置在引線框之上。在該情況下，引線框可由鋁和/或鋁合金制成、或可包括鋁和/或鋁合金。這種引線框的厚度可以是大約I毫米-大約5毫米，更特別地是大約I毫米-大約2毫米。例如，引線框可連接至可由類似的材料制成的散熱器。在另一示例中，低電壓半導(dǎo)體芯片可設(shè)置在引線框之上。在該情況下，引線框可由銅和/或銅合金制成、或可包括銅和/或銅合金，且還可包括鐵和/或硫的跡線。這種引線框的厚度可以是大約0.I毫米-大約0.5毫米，更特別地是大約0.2毫米-大約0.3毫米。
[0038]在此所描述的裝置可包括例如可以是引線框的一部分的多個引線(或引腳)。所述多個引線可從裝置的封裝材料伸出，以便可建立裝置的內(nèi)部構(gòu)件與外部構(gòu)件之間的電連接。在一個示例中，所述多個引線可從封裝材料的特定表面伸出，其中，各個引線可尤其可平行地設(shè)置。各個引線之間的距離可彼此類似或可彼此不同。在這方面，兩個引線之間的距離可被稱作引線距。在一個示例中，用于低電壓或邏輯應(yīng)用的兩個引線之間的引線距Pi?可處于大約I毫米-大約3毫米的范圍內(nèi)，用于高電壓/高電流應(yīng)用的兩個引線之間的引線距Phlgh可以是大約2 Xplciw。所述多個引線可設(shè)置在引線框的可彼此不同的一個或多個層級上。
[0039]—個或多個半導(dǎo)體芯片可設(shè)置在所述多個引線中的一個或多個引線之上。在這方面，引線可包括例如位于其端部中的一個處的加大的表面，半導(dǎo)體芯片可安裝在所述加大的表面上。在一個示例中，所述加大的表面可以是矩形的，且它的表面面積可尤其大于半導(dǎo)體芯片的主表面的表面面積。在一個示例中，加大的部分的側(cè)邊的長度可處于大約I毫米-大約4毫米的范圍內(nèi)。安裝在引線上的半導(dǎo)體芯片例如可包括功率半導(dǎo)體，例如功率二極管。
[0040]在此所描述的裝置可包括一個或多個導(dǎo)電元件，所述一個或多個導(dǎo)電元件被配置成提供裝置的構(gòu)件之間的電聯(lián)接。例如，導(dǎo)電元件可被配置成用于電連接第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片，或用于提供半導(dǎo)體芯片與可設(shè)置在裝置的內(nèi)側(cè)或外側(cè)的另一構(gòu)件之間的電連接。
[0041]導(dǎo)電元件可包括一個或多個接觸線夾。接觸線夾可由與上述引線框的材料類似的材料制成，或可包括與上述引線框的材料類似的材料。接觸線夾的形狀不必限于特定尺寸或特定幾何形狀。接觸線夾可通過沖壓、沖孔、壓制、剪切、鋸切、銑削和任何其他合適技術(shù)中的至少一個來制造。導(dǎo)電元件與半導(dǎo)體芯片的接觸墊之間的接觸可通過任何合適技術(shù)來建立。在一個示例中，導(dǎo)電元件可焊接至其他構(gòu)件，例如通過采用擴散焊接過程焊接至其他構(gòu)件。
[0042]導(dǎo)電元件可包括一個或多個導(dǎo)線，尤其是結(jié)合導(dǎo)線或結(jié)合式導(dǎo)線。導(dǎo)線可包括金屬和/或金屬合金，尤其是金、鋁、銅或它們的合金中的一個或多個。此外，導(dǎo)線可包括或可不包括涂層。導(dǎo)線可具有大致圓形的橫截面，從而術(shù)語導(dǎo)線的“厚度”可以是指結(jié)合導(dǎo)線的直徑。然而，應(yīng)當理解，導(dǎo)線也可具有不同的和任意形式的橫截面。通常，導(dǎo)線可具有大約15微米-大約1000微米的厚度，且更特別地具有大約20微米-大約500微米的厚度。
[0043]在第一更特別的示例中，導(dǎo)線的厚度可小于75微米，例如導(dǎo)線的厚度為大約50微米-大約75微米。這種導(dǎo)線尤其可包括鋁或由鋁制成。導(dǎo)線可包括其他材料，例如達I %的硅。例如，這種導(dǎo)線可提供接觸元件與功率半導(dǎo)體芯片的柵極電極之間的和/或兩個不同的功率半導(dǎo)體芯片的柵極電極之間的電連接。在第二更特別的示例中，導(dǎo)線的厚度可以是大約125微米-大約500微米。這種導(dǎo)線可尤其被采用以提供接觸元件與功率半導(dǎo)體芯片的源電極之間的電連接。
[0044]圖1A和IB示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置100的視圖。尤其地，圖1A示出了裝置100的頂視圖，且圖1B示出了裝置100的剖視側(cè)視圖。由于所選擇的視角，圖1A可示出沒有被圖1B示出的構(gòu)件，反之亦然。在圖1A和IB的示例中，裝置100以總體的方式示出，且可包括為了簡單起見而未示出的其他構(gòu)件。例如，裝置100還可包括根據(jù)本公開的其他裝置的一個或多個構(gòu)件。類似于裝置100的一個更詳細的裝置例如關(guān)于圖4A和4B來描述。
[0045]裝置100可包括載體，該載體可包括第一層級LI上的第一載體部分2A和第二層級L2上的第二載體部分2B，第二層級L2不同于第一層級LI。在一個示例中，第一載體部分2A和第二載體部分2B可分別相應(yīng)于裸片墊。第一層級LI和第二層級L2之間的示例性距離可處于大約0.5毫米-大約5.0毫米的范圍內(nèi)。裝置100還可包括化合物半導(dǎo)體芯片4，所述化合物半導(dǎo)體芯片4可設(shè)置在第一載體部分2A之上。在一個示例中，化合物半導(dǎo)體芯片可以是GaN基功率HEMT。此外，裝置100可包括控制半導(dǎo)體芯片6，所述控制半導(dǎo)體芯片6可設(shè)置在第二載體部分2B之上，且被配置成用于控制化合物半導(dǎo)體芯片4。在一個示例中，控制半導(dǎo)體芯片6可相應(yīng)于柵極驅(qū)動器，所述柵極驅(qū)動器可被配置成用于驅(qū)動功率HEMT的柵極電極。裝置100還可包括封裝材料8，所述封裝材料8可覆蓋化合物半導(dǎo)體芯片4和控制半導(dǎo)體芯片6。在一個示例中，裝置100可操作為半橋式電路的開關(guān)。
[0046]在裝置100的操作過程中，可發(fā)生不期望的寄生效應(yīng)?？刂瓢雽?dǎo)體芯片6可通過導(dǎo)電式聯(lián)接元件10電連接至化合物半導(dǎo)體芯片4，以用于控制目的。通常，聯(lián)接元件10可以是任意的，且例如可包括導(dǎo)線和線夾中的至少一個。在一個更特別的示例中，聯(lián)接元件10可包括電連接?xùn)艠O驅(qū)動器和功率HEMT的柵極電極的一個或多個導(dǎo)線。這種導(dǎo)線例如可由Al、Au、Cu等中的至少一個制成或包括Al、Au、Cu等中的至少一個。這種導(dǎo)線的厚度例如可處于大約20微米-大約500微米的范圍內(nèi)。此外，這種導(dǎo)線的長度例如可處于大約I毫米-大約10毫米的范圍內(nèi)。經(jīng)過這種導(dǎo)線的典型電流例如可處于大約0.1A-大約1A的范圍內(nèi)。例如，聯(lián)接元件10中的電流可引起寄生類電感L。對于基于GaN的且通過驅(qū)動電路驅(qū)動的功率HEMT芯片的示例，電感L的值可遠大于2nH，即L?2nH。這種電感值例如可對包括功率HEMT和驅(qū)動電路的半橋的開關(guān)性能產(chǎn)生不期望的效應(yīng)。尤其地，電感L的值可隨著聯(lián)接元件10的長度增加而增加。在圖1A和IB的示例中，半導(dǎo)體芯片4和6設(shè)置在同一封裝材料8中。此外，半導(dǎo)體芯片4和6設(shè)置在同一載體的載體部分2A、2B之上。因此，所選擇的布置可尤其降低聯(lián)接元件10的長度以及寄生電感L的值。此外，所選擇的布置可形成裝置100的緊湊設(shè)計。
[0047]圖2A和2B示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置200的視圖。尤其地，圖2A示出了裝置200的頂視圖，且圖2B示出了裝置200的剖視側(cè)視圖。由于所選擇的視角，圖2A可示出沒有被圖2B示出的構(gòu)件，反之亦然。在圖2A和2B的示例中，裝置200以總體的方式示出，且可包括為了簡單起見而未示出的其他構(gòu)件。例如，裝置200還可包括還可包括根據(jù)本公開的其他裝置的一個或多個構(gòu)件。類似于裝置200的一個更詳細的裝置例如關(guān)于圖4A和4B來描述。
[0048]裝置200可包括引線框，所述引線框包括第一層級LI上的第一裸片墊2A、第二層級L2上的第二裸片墊2B和第三層級L3上的多個引線2C。層級L1、L2、L3可彼此不同。兩個相鄰的層級之間、例如第一層級LI與第二層級L2之間的示例性距離可處于大約0.5毫米-大約5.0毫米的范圍內(nèi)。裝置200還可包括:化合物半導(dǎo)體芯片4，其可設(shè)置在第一裸片墊2A之上；和控制半導(dǎo)體芯片6，其可設(shè)置在第二裸片墊2B之上，其中，控制半導(dǎo)體芯片6可被配置成用于控制化合物半導(dǎo)體芯片4。半導(dǎo)體芯片4和6可類似于圖1A和IB的相應(yīng)構(gòu)件。所述多個引線2C可電聯(lián)接至化合物半導(dǎo)體芯片4和控制半導(dǎo)體芯片6中的至少一個。裝置200可類似于裝置100，從而關(guān)于裝置100所進行的評述也可同樣適用于裝置200。
[0049]圖3A和3B示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置300。尤其地，圖3A示出了裝置300的頂視圖，且圖3B示出了裝置300的剖視側(cè)視圖。由于所選擇的視角，圖3A可示出沒有被圖3B示出的構(gòu)件，反之亦然。在圖3A和3B的示例中，裝置300以總體的方式示出，且可包括為了簡單起見而未示出的其他構(gòu)件。例如，裝置300還可包括根據(jù)本公開的其他裝置的一個或多個構(gòu)件。類似于裝置300的一個更詳細的裝置例如關(guān)于圖4A和4B來描述。
[0050]裝置300可包括載體，該載體包括第一層級LI上的第一載體部分2A和第二層級L2上的第二載體部分2B，第二層級L2不同于第一層級LI。例如，載體部分2A、2B可類似于圖1的相應(yīng)載體部分。裝置300還可包括:化合物半導(dǎo)體芯片4，其可設(shè)置在第一載體部分2A的第一表面14A之上;和控制半導(dǎo)體芯片6，其設(shè)置在第二載體部分2B之上，且可被配置成用于控制化合物半導(dǎo)體芯片4。例如，半導(dǎo)體芯片4、6可類似于前述附圖的相應(yīng)半導(dǎo)體芯片。裝置300還可包括封裝材料8，所述封裝材料8可覆蓋化合物半導(dǎo)體芯片4和控制半導(dǎo)體芯片6。第一載體部分2A的相反于第一表面14A的第二表面14B可暴露于封裝材料8。裝置300還可包括多個引線2C，所述多個引線2C可電聯(lián)接至化合物半導(dǎo)體芯片4和控制半導(dǎo)體芯片6中的至少一個。所述多個引線2C可從封裝材料8伸出。此外，所述多個引線2C可設(shè)置在第二層級L2和第三層級L3中的至少一個上，第三層級L3可不同于第一層級LI和第二層級L2。在圖3的非限制性示例中，層級L3被選擇成不同于層級LI和L2。例如第三層級L3與第二層級L2之間的距離可處于大約0.5毫米-大約5毫米的范圍內(nèi)。裝置300可類似于裝置100和200，從而關(guān)于圖1和圖2所進行的評述也可適用于圖3。
[0051 ]圖4A和4B示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置400。尤其地，圖4A示出了裝置400的頂視圖，且圖4B示出了裝置400的剖視側(cè)視圖。由于所選擇的視角，圖4A可示出沒有被圖4B示出的構(gòu)件，反之亦然。裝置400可看作是裝置100-300的更詳細的實施方式，從而以下所描述的裝置400詳細情況可同樣地適用于裝置100-300。
[0052]裝置400可包括:化合物半導(dǎo)體芯片4，其可安裝在第一裸片墊2A上;控制半導(dǎo)體芯片6，其可安裝在第二裸片墊2B上；和多個引線2C。裝置400還可包括導(dǎo)電式聯(lián)接元件，所述導(dǎo)電式聯(lián)接元件可被配置成用于電聯(lián)接如圖4A和4B所示的裝置400的構(gòu)件。例如，聯(lián)接元件可相應(yīng)于導(dǎo)線和/或線夾。在圖4A和4B的示例中，聯(lián)接元件以實線和長條形矩形示出。實線例如可代表導(dǎo)線，長條形矩形例如可代表直徑增加的導(dǎo)線。裝置400還可包括封裝材料8和散熱器16。散熱器16可看作或不看作是裝置400的一部分。
[0053]裸片墊2A、2B和所述多個引線2C可設(shè)置在不同的層級L1-L3上，如關(guān)于前述附圖所描述的那樣。在圖4A和4B的示例中，所述多個引線2C可設(shè)置在第二層級L2和第三層級L3上。在其他示例中，所述多個引線2C可僅僅設(shè)置在第二層級L2上，或可僅僅設(shè)置在第三層級L3上。例如，裸片墊2A、2B和所述多個引線2C可以是同一引線框的一部分。在該情況下，裸片墊2A、2B和引線2C可以以合適的方式在引線框已經(jīng)彎曲之前或之后形成，以使得裸片墊和引線移動至相應(yīng)的層級L1-L3。包括第一裸片墊2A的層級LI可稱作裸片墊層級，包括第二裸片墊2B和所述多個引線2C的可結(jié)合至導(dǎo)線的一部分的層級L2可稱作裸片墊和導(dǎo)線結(jié)合層級，包括所述多個引線2C的可結(jié)合至導(dǎo)線的一部分的第三層級L3可稱作導(dǎo)線結(jié)合層級。
[0054]第一裸片墊2A可至少部分地嵌入封裝材料8中。在圖4A和4B的示例中，第一裸片墊2A可在其下表面上暴露于封裝材料8。尤其地，第一裸片墊2A的暴露的下表面和封裝材料8的下表面可以是平齊的，即這些表面可設(shè)置在共同的平面中。由于這些表面的平齊設(shè)置，第一裸片墊2A的下表面可(尤其是在共同的平面中)接觸散熱器16。在一個示例中，第一裸片墊2A可與散熱器16直接接觸。在另一示例中，附加的層、例如導(dǎo)熱膏可設(shè)置在第一裸片墊2A與散熱器16之間。散熱路徑可從設(shè)置在第一裸片墊2A之上的電子構(gòu)件沿著與第一裸片墊2A的安裝表面大致垂直的方向延伸至散熱器16。第一裸片墊2A可包括加大的表面，以用于安裝一個或多個電子構(gòu)件，例如半導(dǎo)體芯片。此外，第一裸片墊2A可包括可具有引線或引腳形式的長條形部分。引線可從封裝材料8伸出，以便可建立安裝在第一裸片墊2A上的電子構(gòu)件與外部構(gòu)件之間的電聯(lián)接。
[0055]第二裸片墊2B可至少部分地嵌入封裝材料8中。在一個示例中，第二裸片墊2B的每個表面均可由封裝材料8覆蓋。尤其地，第二裸片墊2B的下表面可由封裝材料8覆蓋，以使得第二裸片墊2B可與散熱器16電絕緣，由此避免不期望的電短路。第二裸片墊2B可包括加大的表面，以用于安裝一個或多個電子構(gòu)件，例如半導(dǎo)體芯片。此外，第二裸片墊2B可包括可具有引線或引腳形式的長條形部分。引線可從封裝材料8伸出，以便可建立安裝在第二裸片墊2B上的電子構(gòu)件與外部構(gòu)件之間的電聯(lián)接。
[0056]所述多個引線2C可包括可設(shè)置在第二層級L2和第三層級L3中的至少一個上的多個部分。所述多個引線2C可至少部分地從封裝材料8伸出，由此提供嵌入封裝材料8中的電子構(gòu)件與外部構(gòu)件之間的電聯(lián)接。在圖4A和4B所示的示例中，所述多個引線2C可包括第一部分2C’和第二部分2C"。
[0057]第一部分2C’例如可設(shè)置在第二層級L2上且可包括加大的部分，所述加大的部分可被配置成提供附加空間，以用于聯(lián)接導(dǎo)電式聯(lián)接元件。例如，所述加大的部分可用于導(dǎo)線結(jié)合目的。此外，第一部分2C’可包括可從封裝材料8伸出的兩個引線。在其他示例中，第一部分2C’的引線的數(shù)量可根據(jù)所考慮的應(yīng)用場合而增加或減少。
[0058]第二部分2C可設(shè)置在第三層級L3上，且可包括可從封裝材料8伸出的一個或多個引線或引腳，由此提供封裝材料8的內(nèi)側(cè)與外側(cè)之間的電連接。在圖4A和4B的示例中，第二部分2C”可包括四個引線。在其他示例中，第二部分2C”的引線的數(shù)量可根據(jù)所考慮的應(yīng)用場合而增加或減少。第一部分2C’和第二部分2C”的所選擇的布置方式可產(chǎn)生裝置500的不同的引線距。
[0059]第一裸片墊2A的引線、第二裸片墊2B的引線和所述多個引線2C可從封裝材料8的同一表面伸出。此外，引線可平行地設(shè)置，以使得裝置400例如可設(shè)置在印刷電路板(PCB)之上，例如圖6所示。
[0060]化合物半導(dǎo)體芯片4可基于化合物半導(dǎo)體材料，例如氮化鎵。在圖4A和4B的示例中，化合物半導(dǎo)體芯片4可相應(yīng)于功率HEMT芯片，其可包括朝向第一裸片墊2A的第一主表面上的漏電極18A、以及背向第一裸片墊2A的第二表面上的源電極18B和柵極電極18C。因此，化合物半導(dǎo)體芯片4可具有垂直結(jié)構(gòu)。漏電極18A可電連接至第一裸片墊2A，以使得第一裸片墊2A的從封裝材料8伸出的引線可提供漏電極18A與外部構(gòu)件之間的電連接。源電極18B可電連接至所述多個引線2C的第一部分2C’，以便可建立源電極18B與外部構(gòu)件之間的電連接。
[0061]在圖4A和4B的示例中，控制半導(dǎo)體芯片6例如可相應(yīng)于柵極驅(qū)動電路。柵極驅(qū)動器6可包括設(shè)置在背向第二裸片墊2B的主表面之上的一個或多個電接觸部。電接觸部中的一個或多個可例如經(jīng)由一個或多個導(dǎo)線電連接至化合物半導(dǎo)體芯片4的柵極電極18C。此外，柵極驅(qū)動器6的電接觸部中的一個或多個可電連接至第二裸片墊2B和所述多個引線2C的第二部分2C”中的至少一個的引線中的一個或多個。以這種方式，可建立柵極驅(qū)動器6與設(shè)置在封裝材料8外側(cè)的外部構(gòu)件之間的電連接。在一個示例中，柵極驅(qū)動器6例如可連接至外脈沖寬度調(diào)制器。
[0062]在一個示例中，裝置400的化合物功率HEMT 4和柵極驅(qū)動器6可形成半橋式電路的開關(guān)，如圖7所述。應(yīng)當理解，裝置400可包括出于簡單起見而未示出的其他電子構(gòu)件。在一個示例中，裝置400可包括可形成半橋式電路的第二開關(guān)的附加的化合物功率HEMT和附加的柵極驅(qū)動器。尤其地，附加的構(gòu)件也可至少部分地由封裝材料8覆蓋。換言之，附加的構(gòu)件可以是同一半導(dǎo)體封裝的一部分。
[0063]圖5A和5B示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置500的視圖。尤其地，圖5A示出了裝置500的頂視圖，且圖5B示出了裝置500的剖視側(cè)視圖。由于所選擇的視角，圖5A可可示出沒有被圖5B示出的構(gòu)件，反之亦然。裝置500可可看作是裝置100-300的更詳細的實施方式，從而以下所描述的裝置500詳細情況可同樣地適用于裝置100-300。此外，裝置500可至少部分地類似于裝置400。
[0064]裝置400和500可代表相同的電路系統(tǒng)。與裝置400相比，裝置500的化合物半導(dǎo)體芯片4可具有橫向結(jié)構(gòu)，其中，漏電極18A、源電極18B和柵極電極18C可設(shè)置在背向第一裸片墊2A的同一表面上。此外，功率HEMT 4的源電極18B可電聯(lián)接至第一裸片墊2A，且功率HEMT4的漏電極18A可電聯(lián)接至所述多個引線2C的第一部分2C’。類似于裝置400，第一部分2C’和第二部分2C"的所選擇的布置方式可產(chǎn)生裝置500的不同的引線距。
[0065]圖6示意性地示出了根據(jù)本公開的裝置600的透視圖。例如，裝置600可至少部分地類似于根據(jù)本公開的前述裝置中的一個。裝置600可包括半導(dǎo)體封裝，所述半導(dǎo)體封裝可包括多種電子構(gòu)件，例如前述化合物半導(dǎo)體芯片和控制半導(dǎo)體芯片。圖6中，裝置600的電子構(gòu)件由封裝材料8覆蓋，因而不可見。電子構(gòu)件可設(shè)置在載體2之上，所述載體2可包括多個載體部分。載體2可至少部分地由封裝材料8覆蓋。在圖6的示例中，載體2的一部分可從封裝材料8伸出。載體2的伸出部分可包括孔20，所述孔20可延伸穿過載體2。在另一示例中，載體2的包括孔20的部分也可由封裝材料8覆蓋，其中，該孔20于是也可延伸穿過封裝材料8。散熱器16可附接至半導(dǎo)體封裝的后表面，尤其附接至載體2的暴露表面，例如借助于螺釘(未示出)附接。散熱器16可被看作是或不被看作是裝置600的一部分。此外，多個引線2C可從封裝材料8伸出。所述多個引線2C也可包括連接至半導(dǎo)體封裝的裸片墊的引線。所述多個引線2C可被配置成提供到裝置600的內(nèi)部構(gòu)件的電連接。半導(dǎo)體封裝可安裝在印刷電路板(PCB)22上。PCB 22可提供半導(dǎo)體封裝600與也可安裝在PCB上的其他電子構(gòu)件之間的電連接。PCB22可被看作是或不被看作是裝置600的一部分。
[0066]圖7示出了半橋式電路700的示意圖。半橋式電路700可設(shè)置在節(jié)點NI和N2之間。半橋式電路700可包括串聯(lián)連接的開關(guān)SI和S2。恒定電勢可施加至節(jié)點NI和N2。例如，高電勢(比如10、12、18、50、110、230、500或1000V或者任何其他電勢)可施加至節(jié)點NI，且低電勢(例如0V)可施加至節(jié)點N2。開關(guān)SI和S2可在IkHz-1OOMHz范圍內(nèi)的頻率下開關(guān)，但是開關(guān)頻率也可在該范圍之外。這意味著，在半橋的操作過程中，變化的電勢可施加至設(shè)置在開關(guān)SI和S2之間的節(jié)點N3。節(jié)點N3的電勢可在所述低電勢至所述高電勢的范圍內(nèi)變化。
[0067]半橋式電路700例如可實施在電子電路中，以用于轉(zhuǎn)換DC電壓，即所謂的DC-DC轉(zhuǎn)換器。DC-DC轉(zhuǎn)換器可用于將由電池或可再充電電池提供的DC輸入電壓轉(zhuǎn)換成與下游所連接的電子電路的需求相匹配的DC輸出電壓。DC-DC轉(zhuǎn)換器可實施成降壓轉(zhuǎn)換器，在所述降壓轉(zhuǎn)換器中，輸出電壓低于輸入電壓，或?qū)嵤┏缮龎恨D(zhuǎn)換器，在所述升壓轉(zhuǎn)換器中，輸出電壓高于輸入電壓。幾MHz或更高的頻率可施加至DC-DC轉(zhuǎn)換器。此外，達100A或甚至更大的電流可流經(jīng)DC-DC轉(zhuǎn)換器。
[0068]根據(jù)本公開的裝置可被配置成操作為半橋式電路或半橋式電路的至少一部分。例如，圖4的裝置400可被配置成操作為半橋式電路的開關(guān)。以類似的方式，根據(jù)本公開的裝置可被配置成操作為任何其他橋電路或射地-基地放大電路的至少一部分。
[0069]盡管已經(jīng)針對多個實施方式中的僅一個來公開了本公開的特定特征或?qū)嵤├?，但是，這種特征或?qū)嵤├膳c其他實施方式的一個或多個其他特征或?qū)嵤├嘟M合，這對于任何給定的或特定的應(yīng)用場合是期望的或有優(yōu)勢的。此外，即便術(shù)語“包括”、“具有”、“含有”或其其他變型被用于說明書或權(quán)利要求中，這些術(shù)語也意圖以類似于術(shù)語“包括”的方式來體現(xiàn)包括性。并且，術(shù)語“示例性”僅意味著作為示例，而不是最佳的或最優(yōu)的。還應(yīng)當理解，出于簡單和易于理解的目的，在此所描述的特征和/或元件以相對于彼此特定的大小被示出，且實際大小與在此所示出的相比可明顯不同。
[0070]盡管在此已經(jīng)示出了和描述了特定的實施例，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本公開的范圍的情況下也可為所述特定的實施例使用各種替代和/或等同實施方式。本申請意圖涵蓋在此討論的特定實施例的任何調(diào)整或變型。因此，本公開應(yīng)僅由權(quán)利要求書及其等同方案限制。
【主權(quán)項】
1.一種裝置，包括: 載體，其包括第一層級上的第一載體部分和第二層級上的第二載體部分，第二層級不同于第一層級； 化合物半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第一載體部分之上； 控制半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第二載體部分之上，且被配置成用于控制所述化合物半導(dǎo)體芯片;和 封裝材料，其覆蓋所述化合物半導(dǎo)體芯片和所述控制半導(dǎo)體芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片設(shè)置在第一載體部分的第一表面之上，且第一載體部分的相反于第一表面的第二表面暴露于封裝材料，且其中，所述控制半導(dǎo)體芯片設(shè)置在第二載體部分的第一表面之上，且第二載體部分的相反于第一表面的第二表面被封裝材料覆蓋。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，第一載體部分的第二表面被配置成聯(lián)接至散熱器，且散熱路徑從所述化合物半導(dǎo)體芯片沿著與第一載體部分的第二表面垂直的方向延伸至所述散熱器。4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的裝置，其特征在于，封裝材料的表面與第一載體部分的第二表面平齊。5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片包括背向第一載體部分的表面上的第一電接觸部，且所述控制半導(dǎo)體芯片包括背向第二載體部分的表面上的第二電接觸部，且第一電接觸部和第二電接觸部通過導(dǎo)電式聯(lián)接元件電聯(lián)接。6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括從封裝材料伸出的多個引線，其中，所述多個引線設(shè)置在第二層級和第三層級中的至少一個上，第三層級不同于第一層級和第二層級。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括設(shè)置在所述多個引線之上的半導(dǎo)體芯片。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的裝置，其特征在于，第一載體部分包括從封裝材料伸出的第一引線，第二載體部分包括從封裝材料伸出的第二引線，其中，第一引線、第二引線和所述多個引線包括至少兩個不同的引線距。9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一項所述的裝置，其特征在于，所述控制半導(dǎo)體芯片電聯(lián)接至所述多個引線。10.根據(jù)權(quán)利要求6-9中任一項所述的裝置，其特征在于，所述多個引線從封裝材料的表面伸出，其中，該表面垂直于第一載體部分的安裝表面。11.根據(jù)權(quán)利要求6-10中任一項所述的裝置，其特征在于，所述多個引線中的引線彼此平行，且沿著垂直于從化合物半導(dǎo)體芯片至散熱器延伸的散熱路徑的方向延伸。12.根據(jù)權(quán)利要求6-11中任一項所述的裝置，其特征在于，第一載體部分、第二載體部分和所述多個引線是同一引線框的一部分。13.根據(jù)權(quán)利要求6-12中任一項所述的裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片包括功率HEMT，功率HEMT的漏電極電聯(lián)接至第一載體部分，且功率HEMT的源電極電聯(lián)接至所述多個引線。14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，第一層級與第二層級之間的距離處于0.5毫米-5.0毫米的范圍內(nèi)。15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述載體包括延伸穿過所述載體的孔。16.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片包括功率HEMT，且所述控制半導(dǎo)體芯片包括柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路被配置成用于驅(qū)動功率HEMT的柵極電極。17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項所述的裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片包括GaN基功率HHMT ο18.—種裝置，包括: 引線框，其包括第一層級上的第一裸片墊、第二層級上的第二裸片墊和第三層級上的多個引線，其中，這三個層級彼此不同； 化合物半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第一裸片墊之上;和 控制半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第二裸片墊之上，其中，所述控制半導(dǎo)體芯片被配置成用于控制所述化合物半導(dǎo)體芯片，且所述多個引線電聯(lián)接至所述化合物半導(dǎo)體芯片和所述控制半導(dǎo)體芯片中的至少一個。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其特征在于，該裝置還包括封裝材料，所述封裝材料覆蓋所述化合物半導(dǎo)體芯片和所述控制半導(dǎo)體芯片。20.—種裝置，包括: 載體，其包括第一層級上的第一載體部分和第二層級上的第二載體部分，第二層級不同于第一層級； 化合物半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第一載體部分的第一表面之上； 控制半導(dǎo)體芯片，其設(shè)置在第二載體部分之上，且被配置成用于控制所述化合物半導(dǎo)體芯片； 封裝材料，其覆蓋所述化合物半導(dǎo)體芯片和所述控制半導(dǎo)體芯片，其中，第一載體部分的相反于第一表面的第二表面暴露于所述封裝材料;和 多個引線，其電聯(lián)接至所述控制半導(dǎo)體芯片和所述化合物半導(dǎo)體芯片中的至少一個，其中，所述多個引線從所述封裝材料伸出，且所述多個引線設(shè)置在第二層級和第三層級中的至少一個上，第三層級不同于第一層級和第二層級。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的裝置，其特征在于，所述化合物半導(dǎo)體芯片包括背向第一載體部分的表面上的第一電接觸部，且所述控制半導(dǎo)體芯片包括背向第二載體部分的表面上的第二電接觸部，且第一電接觸部和第二電接觸部通過線夾和導(dǎo)線中的至少一個電聯(lián)接。
【文檔編號】H01L23/34GK106024773SQ201610187295
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月29日
【發(fā)明人】R·奧特倫巴, K·席斯
【申請人】英飛凌科技奧地利有限公司