發(fā)光元件、發(fā)光裝置、認證裝置以及電子設(shè)備的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種在近紅外區(qū)域發(fā)光的高效率且長壽命的噻二唑系化合物、發(fā)光元件用化合物、發(fā)光元件、具備該發(fā)光元件的發(fā)光裝置、認證裝置以及電子設(shè)備。本發(fā)明的發(fā)光元件(1)具有：陽極(3)、陰極(9)、和設(shè)置在陽極(3)和陰極(9)之間的發(fā)光層(6)，發(fā)光層(6)含有下述式(1)表示的化合物和下述式IRH?1或下述式IRH?4表示的化合物中的至少一方而構(gòu)成。式(1)中，A和B各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氨基、三芳基胺。式IRH?1和IRH?4中，n表示1～12的自然數(shù)，R表示取代基或官能團，且各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基，芳基氨基。
【專利說明】
發(fā)光元件、發(fā)光裝置、認證裝置以及電子設(shè)備
[00011 本發(fā)明專利申請是針對申請日為2012年04月10日、申請?zhí)枮?01210104025.7、發(fā) 明名稱為"噻二唑系化合物、發(fā)光元件用化合物、發(fā)光元件、發(fā)光裝置、認證裝置以及電子設(shè) 備"的申請?zhí)岢龅姆职干暾垺?br>技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及噻二唑系化合物、發(fā)光元件用化合物、發(fā)光元件、發(fā)光裝置、認證裝置 以及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0003] 有機電致發(fā)光元件(所謂的有機EL元件)是具有在陽極和陰極間插入至少1層發(fā)光 性有機層的結(jié)構(gòu)的發(fā)光元件。對于這種發(fā)光元件，通過在陰極和陽極之間施加電場，將電子 從陰極側(cè)注入到發(fā)光層的同時空穴從陽極側(cè)注入到發(fā)光層，在發(fā)光層中電子和空穴再次結(jié) 合而生成激子，在該激子返回基態(tài)時，其對應(yīng)量的能量以光的形式被釋放。
[0004] 作為這樣的發(fā)光元件，已知有在超過700nm的長波區(qū)發(fā)光的發(fā)光元件（例如，參照 專利文獻1、2)。
[0005]例如，在專利文獻1、2記載的發(fā)光元件中，使作為電子供體的胺與作為電子受體的 腈基在分子內(nèi)作為官能團而共存的材料用作發(fā)光層的摻雜劑，由此使發(fā)光波長長波長化。
[0006] 然而，以往不能實現(xiàn)在近紅外區(qū)域發(fā)光的高效率且長壽命的元件。
[0007] 另外，在近紅外區(qū)域面發(fā)光的高效率且長壽命的發(fā)光元件，作為例如使用靜脈、指 紋等生物體信息來認證個人的生物體認證用的光源，其實現(xiàn)而備受期待。
[0008] 專利文獻1:日本特開2000-091073號公報 [0009] 專利文獻2:日本特開2001-110570號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明的目的在于提供一種在近紅外區(qū)域發(fā)光的高效率且長壽命的噻二唑系化 合物、發(fā)光元件用化合物、發(fā)光元件、具備該發(fā)光元件的發(fā)光裝置、認證裝置以及電子設(shè)備。
[0011] 該目的通過下述本發(fā)明而達成。
[0012] 本發(fā)明的噻二唑系化合物，其特征在于，以下述式(I)表示。
[0014] [式（I)中，A各自獨立地表示可以具有取代基的芳基、二芳基氨基。]
[0015] 本發(fā)明的噻二唑系化合物，其特征在于，以下述式(4)表示。
[0017] [式⑷中，R各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、二芳基氨基。]
[0018] 所述的噻二唑系化合物例如作為有機EL元件的發(fā)光材料使用時，能夠在近紅外區(qū) 域發(fā)光。
[0019] 本發(fā)明的噻二唑系化合物，其特征在于，以下述式(6)表示。
[0021][式(6)中，R各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基。另外，相鄰的2 個R的碳彼此可以連接形成環(huán)狀。]
[0022]所述的噻二唑系化合物，例如作為有機EL元件的發(fā)光材料使用時，能夠在近紅外 區(qū)域發(fā)光。
[0023]本發(fā)明的發(fā)光元件用化合物，其特征在于，以下述式(4)表示。
[0025] [式(4)中，R各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、二芳基氨基。]
[0026] 所述的發(fā)光元件用化合物例如作為發(fā)光材料使用時，能夠在近紅外區(qū)域發(fā)光。
[0027] 本發(fā)明的發(fā)光元件用化合物，其特征在于，以下述式(6)表示。
[0029] [式(6)中，R各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基。另外，相鄰的2 個R的碳彼此可以連接形成環(huán)狀。]
[0030] 所述的發(fā)光元件用化合物例如作為發(fā)光材料使用時，能夠在近紅外區(qū)域發(fā)光。 [0031]本發(fā)明的發(fā)光元件，其特征在于，具有：
[0032]陽極，
[0033]陰極，
[0034] 發(fā)光層，設(shè)置在上述陽極和上述陰極之間，且通過在上述陽極和上述陰極之間通 電而發(fā)光；
[0035]上述發(fā)光層含有下述式（1)表示的化合物作為發(fā)光材料，并且含有下述式IRH-1表 示的化合物作為保持上述發(fā)光材料的主體材料而構(gòu)成。
[0037][上述式（1)中，A和B各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基 氨基、三芳基胺。]
[0039][上述式IRH-1中，η表示1~12的自然數(shù)，R表示取代基或官能團，且各自獨立地表 示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氨基。]
[0040]根據(jù)這樣構(gòu)成的發(fā)光元件，由于使用上述式（1)表示的化合物作為發(fā)光材料，所以 能夠得到在700nm以上的波長區(qū)域(近紅外區(qū)域)的發(fā)光。
[0041]另外，由于使用并四苯系材料作為主體材料，所以能夠使能量有效率地從主體材 料向發(fā)光材料轉(zhuǎn)移。因此，能夠使發(fā)光元件的發(fā)光效率變優(yōu)異。
[0042]另外，由于并四苯系材料對電子和空穴的穩(wěn)定性(耐性)優(yōu)異，因此能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光 層的長壽命化，進而能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0043]對于本發(fā)明的發(fā)光元件，在上述式(1)中，優(yōu)選B分別為苯基或甲基。
[0044]苯基和甲基各自的化學穩(wěn)定性較高。因此，通過使用該化合物作為發(fā)光材料，從而 能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。另外，由于能夠?qū)l(fā)光材料的分子量抑制到較小，所以能夠 使用氣相成膜高精度地形成發(fā)光層。其結(jié)果，因這一點也能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的高效率化和 長壽命化。
[0045]在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述發(fā)光層含有下述式IRH-2表示的化合物作為上 述主體材料而構(gòu)成。
[0047][上述式IRH-2中，~R4各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳 基氨基。另外，Ri~R4互相可以相同也可以不同。]
[0048]由此，能夠抑制連續(xù)驅(qū)動時的電壓上升，并且能夠進一步提高發(fā)光元件的發(fā)光效 率，同時實現(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0049]在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述發(fā)光層含有下述式IRH-3表示的化合物作為上 述主體材料而構(gòu)成。
[0051 ][上述式IRH-3中，1^、1?2各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳 基氨基。另外，Ri、R2互相可以相同也可以不同。]
[0052]由此，能夠抑制連續(xù)驅(qū)動時的電壓上升，并且能夠進一步提高發(fā)光元件的發(fā)光效 率，同時實現(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0053]本發(fā)明的發(fā)光元件，其特征在于，具有：
[0054]陽極，
[0055] 陰極，
[0056] 發(fā)光層，設(shè)置在上述陽極和上述陰極之間，且通過在上述陽極和上述陰極之間通 電而發(fā)光；
[0057]上述發(fā)光層含有下述式（1)表示的化合物作為發(fā)光材料，并且含有下述式IRH-4表 示的化合物作為保持上述發(fā)光材料的主體材料而構(gòu)成。
[0059][上述式（1)中，A和B各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基 氨基、三芳基胺。]
[0061][上述式IRH-4中，η表示1~10的自然數(shù)，R表示取代基或官能團，且各自獨立地表 示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氨基。]
[0062] 根據(jù)這樣構(gòu)成的發(fā)光元件，由于使用以上述式（1)表示的化合物作為發(fā)光材料，所 以能夠得到在700nm以上的波長區(qū)域(近紅外區(qū)域)的發(fā)光。
[0063] 另外，由于使用蒽系材料作為主體材料，所以能夠使能量有效地從主體材料向發(fā) 光材料轉(zhuǎn)移。因此，能夠使發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異。
[0064] 另外，由于蒽系材料對電子和空穴的穩(wěn)定性(耐性)優(yōu)異，所以能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光層的 長壽命化、進而能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0065] 對于本發(fā)明的發(fā)光元件，在上述式(1)中，優(yōu)選B分別為苯基或甲基。
[0066] 苯基和甲基各自的化學穩(wěn)定性較高。因此，通過使用該化合物作為發(fā)光材料，從而 能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。另外，由于能夠?qū)l(fā)光材料的分子量抑制到較小，所以能夠 使用氣相成膜高精度地形成發(fā)光層。其結(jié)果，因這一點也能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的高效率化和 長壽命化。
[0067]在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述發(fā)光層含有下述式IRH-5表示的化合物作為上 述主體材料而構(gòu)成。
[0069][上述式IRH-5中，R!、辦各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳 基氨基。另外，Ri、R2互相可以相同也可以不同。]
[0070] 由此，能夠抑制連續(xù)驅(qū)動時的電壓上升，并且能夠進一步提高發(fā)光元件的發(fā)光效 率，同時實現(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0071] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述發(fā)光層含有下述式IRH-7表示的化合物作為上 述主體材料而構(gòu)成。
[0073][上述式IRH-7中，R!、辦各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳 基氨基。另外，Ri、R2互相可以相同也可以不同。]
[0074]由此，能夠抑制連續(xù)驅(qū)動時的電壓上升，并且能夠進一步提高發(fā)光元件的發(fā)光效 率，同時實現(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0075]在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述發(fā)光層含有下述式IRH-8表示的化合物作為上 述主體材料而構(gòu)成。
[0077][上述式IRH-8中，Ri、辦各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳 基氨基。另外，Ri、R2互相可以相同也可以不同。]
[0078]由此，能夠抑制連續(xù)驅(qū)動時的電壓上升，并且能夠進一步提高發(fā)光元件的發(fā)光效 率，同時實現(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0079] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述主體材料由碳原子和氫原子構(gòu)成。
[0080] 由此，能夠防止產(chǎn)生主體材料與發(fā)光材料的非本意的相互作用。因此，能夠提高發(fā) 光元件的發(fā)光效率。另外，能夠提高主體材料對電位和空穴的耐性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元 件的長壽命化。
[0081 ]本發(fā)明的發(fā)光元件，其特征在于，具有：
[0082] 陽極，
[0083] 陰極，
[0084] 發(fā)光層，設(shè)置在上述陽極和上述陰極之間，且通過在上述陽極和上述陰極之間通 電而發(fā)光，
[0085] 電子輸送層，該電子輸送層在上述陰極和上述發(fā)光層之間與上述發(fā)光層連接地設(shè) 置的、具有電子輸送性；
[0086] 上述發(fā)光層含有下述式(1)表示的化合物作為發(fā)光材料而構(gòu)成，
[0087] 上述電子輸送層含有在分子內(nèi)具有氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的化合物作為電子 輸送性材料而構(gòu)成。
[0089] [上述式（1)中，A和B各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基 氨基、三芳基胺。]
[0090] 根據(jù)這樣構(gòu)成的發(fā)光元件，由于使用以上述式（1)表示的化合物作為發(fā)光材料，所 以能夠得到在700nm以上的波長區(qū)域(近紅外區(qū)域)的發(fā)光。
[0091]另外，由于使用在分子內(nèi)具有氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的化合物作為與發(fā)光層鄰 接的電子輸送層的電子輸送性材料，所以能夠有效率地從電子輸送層向發(fā)光層輸送電子。 因此，能夠使發(fā)光元件的發(fā)光效率優(yōu)異。
[0092]另外，由于能夠有效率地進行從電子輸送層向發(fā)光層的電子輸送，所以能夠使發(fā) 光元件的驅(qū)動電壓低電壓化，隨之，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0093] 此外，由于分子內(nèi)具有氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的化合物對電子和空穴的穩(wěn)定性 (耐性)優(yōu)異，所以因這一點也能實現(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0094] 對于本發(fā)明的發(fā)光元件，在上述式(1)中，優(yōu)選B分別為苯基或甲基。
[0095] 苯基和甲基各自的化學穩(wěn)定性較高。因此，通過使用該化合物作為發(fā)光材料，從而 能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。另外，由于能夠?qū)l(fā)光材料的分子量抑制到較小，所以能夠 使用氣相成膜高精度地形成發(fā)光層。其結(jié)果，因這一點也能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的高效率化和 長壽命化。
[0096] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述電子輸送性材料在一個分子內(nèi)所含的氮雜中氮 茚骨架和蒽骨架的個數(shù)分別為1個或2個。
[0097] 由此，能夠使電子輸送層的電子輸送性和電子注入性優(yōu)異。
[0098] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述發(fā)光層包含保持上述發(fā)光材料的主體材料而構(gòu) 成。
[0099]由此，主體材料能夠?qū)⒖昭ê碗娮釉俅谓Y(jié)合來生成激子，同時使該激子的能量轉(zhuǎn) 移到發(fā)光材料，從而激發(fā)發(fā)光材料。因此，能夠提高發(fā)光元件的發(fā)光效率。
[0100]在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述主體材料含有并苯系材料而構(gòu)成。
[0101]由此，能夠?qū)㈦娮佑行实貜碾娮虞斔蛯又械碾娮虞斔托圆牧系妮旃羌懿糠窒虬l(fā) 光層中的并苯系材料傳遞。
[0102] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述并苯系材料為蒽系材料。
[0103] 由此，能夠?qū)㈦娮佑行实貜碾娮虞斔蛯又械碾娮虞斔托圆牧系妮旃羌懿糠窒虬l(fā) 光層中的蒽系材料傳遞。
[0104] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述并苯系材料為并四苯系材料。
[0105] 由此，能夠?qū)㈦娮佑行实貜碾娮虞斔蛯又械碾娮虞斔托圆牧系妮旃羌懿糠窒虬l(fā) 光層中的并四苯系材料傳遞。
[0106] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述并苯系材料由碳原子和氫原子構(gòu)成。
[0107]由此，能夠防止產(chǎn)生主體材料與發(fā)光材料的非本意的相互作用。因此，能夠提高發(fā) 光元件的發(fā)光效率。另外，能夠提高主體材料對電位和空穴的耐性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元 件的長壽命化。
[0108] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述主體材料含有羥基喹啉系金屬配位化合物而構(gòu) 成。
[0109] 由此，羥基喹啉系金屬配位化合物能夠?qū)⒛軌蚴箍昭ê碗娮釉俅谓Y(jié)合來生成激 子，同時使該激子的能量轉(zhuǎn)移到發(fā)光材料來激發(fā)發(fā)光材料。
[0110] 在本發(fā)明的發(fā)光元件中，優(yōu)選上述電子輸送層具備第1電子輸送層和第2電子輸送 層，所述第1電子輸送層含有在分子內(nèi)具有氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的上述化合物作為第1 電子輸送性材料而構(gòu)成;所述第2電子輸送層在上述第1電子輸送層與上述發(fā)光層之間以與 這兩層連接的方式設(shè)置、并含有與上述第1電子輸送性材料不同的第2電子輸送性材料而構(gòu) 成。
[0111] 由此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件的長壽命化。
[0112] 本發(fā)明的發(fā)光裝置，其特征在于，具備本發(fā)明的發(fā)光元件。
[0113] 這樣的發(fā)光裝置能夠在近紅外區(qū)域發(fā)光。另外，由于具備高效率且長壽命的發(fā)光 元件，因此可靠性優(yōu)異。
[0114] 本發(fā)明的認證裝置，其特征在于，具備本發(fā)明的發(fā)光元件。
[0115]這樣的認證裝置能夠使用近紅外光進行生物體認證。另外，由于具備高效率且長 壽命的發(fā)光元件，因此可靠性優(yōu)異。
[0116] 本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，具備本發(fā)明的發(fā)光元件。
[0117] 由于這樣的電子設(shè)備具備高效率且長壽命的發(fā)光元件，因此可靠性優(yōu)異。
【附圖說明】
[0118] 圖1是示意性地表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光元件的縱截面的圖。
[0119] 圖2是表示應(yīng)用了本發(fā)明的發(fā)光裝置的顯示器裝置的實施方式的縱截面圖。
[0120]圖3是表示本發(fā)明的認證裝置的實施方式的圖。
[0121] 圖4是表示應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的移動型(或筆記本型)個人電腦的結(jié)構(gòu)的立 體圖。
[0122] 圖5是表示本發(fā)明的實施例(實施例1-1、1_10、1-11)和比較例1-1的發(fā)光元件的發(fā) 光光譜的圖。
[0123] 圖6是表示本發(fā)明的實施例(實施例2-1、2-10、2_11)和比較例2-1的發(fā)光元件的發(fā) 光光譜的圖。
[0124] 圖7是表示本發(fā)明的實施例(實施例3-2、3-8、3-9)和比較例3-1的發(fā)光元件的發(fā)光 光譜的圖。
【具體實施方式】
[0125] 以下，對將本發(fā)明的噻二唑系化合物、發(fā)光元件用化合物、發(fā)光元件、發(fā)光裝置、認 證裝置以及電子設(shè)備示于附圖的優(yōu)選的實施方式進行說明。
[0126] 圖1是示意性地表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光元件的截面圖。應(yīng)予說明，以 下，為了便于說明，以圖1中的上側(cè)為"上"、下側(cè)為"下"來進行說明。
[0127] 圖1所示的發(fā)光元件（電致發(fā)光元件）1是陽極3、空穴注入層4、空穴輸送層5、發(fā)光 層6、電子輸送層7、電子注入層8和陰極9依次層疊而成的。即，在發(fā)光元件1中，層疊體14插 入到陽極3與陰極9之間，所述層疊體14是空穴注入層4、空穴輸送層5、發(fā)光層6、電子輸送層 7和電子注入層8依次從陽極3側(cè)向陰極9側(cè)層疊而成的。
[0128] 而且，發(fā)光元件1的整體設(shè)置在基板2上并且用密封部件10密封。
[0129] 在這樣的發(fā)光元件1中，通過在陽極3和陰極9施加驅(qū)動電壓，從而電子從陰極9側(cè) 供給(注入)到發(fā)光層6,同時空穴從陽極3側(cè)供給(注入)到發(fā)光層6。另外，在發(fā)光層6中，空 穴和電子再次結(jié)合，利用在該再次結(jié)合時釋放的能量生成激子(exciton)，在激子返回基態(tài) 時釋放(發(fā)出）能量(熒光或磷光）。由此，發(fā)光元件1發(fā)光。
[0130] 如后所述，特別是該發(fā)光元件1通過使用噻二唑系化合物(發(fā)光元件用化合物)作 為發(fā)光層6的發(fā)光材料，從而在近紅外區(qū)域發(fā)光。應(yīng)予說明，本說明書中"近紅外區(qū)域"是指 700nm~1500nm的波長區(qū)域。
[0131]基板2是支撐陽極3的部件。因為本實施方式的發(fā)光元件1是從基板2側(cè)發(fā)出光的結(jié) 構(gòu)(底部發(fā)射型），所以基板2和陽極3各自實質(zhì)上是透明的(無色透明、著色透明或半透明）。
[0132] 作為基板2的構(gòu)成材料，例如，可舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇 酯、聚丙烯、環(huán)烯烴聚合物、聚酰胺、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚芳酯這樣的樹 脂材料，石英玻璃、鈉鈣玻璃這樣的玻璃材料等，可以使用它們中的1種或組合2種以上使 用。
[0133] 這樣的基板2的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為0.1~30mm左右，更優(yōu)選為0.1~ 10mm左右。
[0134] 應(yīng)予說明，發(fā)光元件1是從基板2的相反側(cè)發(fā)出光的結(jié)構(gòu)(頂部發(fā)射型）時，透明基 板和不透明基板均可用作基板2。
[0135] 作為不透明基板，例如可舉出由氧化鋁這種陶瓷材料構(gòu)成的基板、在不銹鋼這種 金屬基板的表面形成氧化膜(絕緣膜)的基板、由樹脂材料構(gòu)成的基板等。
[0136] 另外，對于這樣的發(fā)光元件1，陽極3與陰極9之間的距離（即層疊體14的平均厚度） 優(yōu)選為100~500nm，更優(yōu)選為100~300nm，進一步優(yōu)選為100~250nm。由此，能夠簡單且可 靠地使發(fā)光元件1的驅(qū)動電壓在實用的范圍內(nèi)。
[0137] 以下，順次說明構(gòu)成發(fā)光元件1的各部分。
[0138] 陽極
[0139] 陽極3是介由后述的空穴注入層4向空穴輸送層5注入空穴的電極。作為該陽極3的 構(gòu)成材料，優(yōu)選使用功函數(shù)大、導(dǎo)電性優(yōu)異的材料。
[0140] 作為陽極3的構(gòu)成材料，例如可舉出IT0(Indium Tin 0xide)、IZ0(Indium Zinc (^(^)、1113〇3、311〇2、含有313的311〇2、含有41的211〇等氧化物，411^48、(：11或含有它們的合金 等;可以使用它們中的1種或組合2種以上使用。
[0141] 特別地，陽極3優(yōu)選由ΙΤ0構(gòu)成。ΙΤ0是具有透明性、且功函數(shù)大、導(dǎo)電性優(yōu)異的材 料。由此，能夠從陽極3向空穴注入層4有效率地注入空穴。
[0142] 另外，優(yōu)選陽極3的空穴注入層4側(cè)的表面（圖1中上表面)實施等離子體處理。由 此，能夠提高陽極3與空穴注入層4的接合面的化學和機械穩(wěn)定性。其結(jié)果，能夠提高從陽極 3對空穴注入層4的空穴注入性。應(yīng)予說明，對于該等離子體處理，在后述發(fā)光元件1的制造 方法的說明中進行詳述。
[0143] 這樣的陽極3的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為10~200nm左右，更優(yōu)選為50~ 150nm左右。
[0144] 陰極
[0145] 另一方面，陰極9是介由后述的電子注入層8將電子注入到電子輸送層7的電極。作 為該陰極9的構(gòu)成材料，優(yōu)選使用功函數(shù)小的材料。
[0146] 作為陰極9 的構(gòu)成材料，例如可舉出Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、 Al、Cs、Rb或含有它們的合金等，可以使用它們中的1種或組合2種以上(例如，作為多層的層 疊體、多種的混合層等)使用。
[0147] 特別是在使用合金作為陰極9的構(gòu)成材料時，優(yōu)選使用含有Ag、Al、Cu等穩(wěn)定的金 屬元素的合金，具體而言，優(yōu)選使用MgAg、AlLi、CuLi等合金。通過使用該合金作為陰極9的 構(gòu)成材料，能夠?qū)崿F(xiàn)陰極9的電子注入效率和穩(wěn)定性的提高。
[0148] 這樣的陰極9的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為100~lOOOOnm左右，更優(yōu)選為100 ~500nm左右。
[0149] 應(yīng)予說明，因為本實施方式的發(fā)光元件1是底部發(fā)射型，所以對陰極9不特別要求 透光性。另外，由于發(fā)光元件1是頂部發(fā)光型時，需要使光從陰極9側(cè)透過，所以優(yōu)選陰極9的 平均厚度為1~50nm左右。
[0150] 空穴注入層
[0151] 空穴注入層4具有提高來自陽極3的空穴注入效率的功能（即，具有空穴注入性）。
[0152] 這樣通過在陽極3與后述的空穴輸送層5之間設(shè)置空穴注入層4,能夠提高來自陽 極3的空穴性，其結(jié)果，能夠提高發(fā)光元件1的發(fā)光效率。
[0153] 該空穴注入層4包含具有空穴注入性的材料(即，空穴注入性材料）。
[0154] 作為該空穴注入層4包含的空穴注入性材料，沒有特別限定，例如可舉出銅酞菁、 4，4 '，4" -三(N，N-苯基-3-甲基苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)、N，N' -雙(4-二苯基氨基-苯 基)-N，N ' -二苯基-聯(lián)苯-4-4 ' -二胺等。
[0155] 其中，作為空穴注入層4所含的空穴注入性材料，從空穴注入性和空穴輸送性優(yōu)異 的觀點出發(fā)，優(yōu)選使用胺系材料，更優(yōu)選使用二氨基苯衍生物、聯(lián)苯胺衍生物(具有聯(lián)苯胺 骨架的材料），分子內(nèi)具有"二氨基苯"單元和"聯(lián)苯胺"單元二者的三胺系化合物、四胺系化 合物。
[0156] 這樣的空穴注入層4的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為5~90nm左右，更優(yōu)選為10 ~70nm左右。
[0157] 應(yīng)予說明，空穴注入層4可以根據(jù)陽極3和空穴輸送層5的構(gòu)成材料而省略。
[0158]空穴輸送層
[0159] 空穴輸送層5具有將從陽極3介由空穴注入層4而注入的空穴輸送到發(fā)光層6的功 能（即，具有空穴輸送性）。
[0160] 該空穴輸送層5包含具有空穴輸送性的材料(即，空穴輸送性材料)而構(gòu)成。
[0161] 該空穴輸送層5所含的空穴輸送性材料中，可以單獨或組合使用各種p型高分子材 料、各種P型低分子材料，例如可舉出N，N' -二（1 -萘基)-N，N' -二苯基-1，Γ -二苯基-4，4 ' -二胺(NPD)、N，N'_二苯基-N，N'_雙(3-甲基苯基)-1，Γ-二苯基-4,4'-二胺(TPD)等四芳基 聯(lián)苯胺衍生物、四芳基二氨基芴化合物或其衍生物（胺系化合物）、四對聯(lián)苯基-聯(lián)苯胺 (HTL-1)等，可以使用它們中的1種或組合2種以上使用。
[0162] 其中，作為空穴輸送層5所含的空穴輸送性材料，從空穴注入性和空穴輸送性優(yōu)異 的觀點出發(fā)，優(yōu)選胺系材料，更優(yōu)選聯(lián)苯胺衍生物(具有聯(lián)苯胺骨架的材料）。
[0163] 這樣的空穴輸送層5的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為5~90nm左右，更優(yōu)選為10 ~70nm左右。
[0164]發(fā)光層
[0165] 該發(fā)光層6通過在上述陽極3與陰極9之間通電而發(fā)光。
[0166] 這樣的發(fā)光層6包含發(fā)光材料而構(gòu)成。
[0167] 特別是該發(fā)光層6含有下述式（1)表示的化合物（以下，也簡稱為"噻二唑系化合 物"）作為發(fā)光材料而構(gòu)成。
[0169] [式（1)中，A和B各自獨立地表不氣原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氣基、 三芳基胺。]
[0170] 這樣的含有噻二唑系化合物的發(fā)光層6能夠得到在700nm以上的波長區(qū)域(近紅外 區(qū)域)的發(fā)光。
[0171]特別是作為發(fā)光層6使用的發(fā)光材料(噻二唑系化合物），優(yōu)選使用下述式(2)或式 (3)表不的化合物。
[0173] [式（2)、（3)中，A各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氨 基、三芳基胺。]
[0174] 即，上述式⑴中，優(yōu)選B分別為苯基或甲基。
[0175] 苯基和甲基各自的化學穩(wěn)定性較高。因此，通過使用該化合物作為發(fā)光材料，能夠 實現(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。另外，由于能夠?qū)l(fā)光材料的分子量抑制到較小，因此能夠使 用氣相成膜高精度地形成發(fā)光層6。其結(jié)果，因為這一點也能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件1的高效率化 和長壽命化。
[0176] 此外，作為發(fā)光層6使用的發(fā)光材料，優(yōu)選使用下述式(4)~(9)表示的化合物，具 體而言，尤其優(yōu)選使用下述式D-1~D-3表示的化合物。

[0179][式(4)~(9)中，R各自獨立地表示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基。另外，相 鄰的2個R的碳彼此可以連接形成環(huán)狀。]
[0181 ]應(yīng)予說明，發(fā)光層6可以包含上述發(fā)光材料以外的發(fā)光材料(各種焚光材料、各種 磷光材料)。
[0182] 另外，作為發(fā)光層6的構(gòu)成材料，除上述的發(fā)光材料以外，還使用作為客體材料(摻 雜劑)添加(擔載)有該發(fā)光材料的主體材料。該主體材料具有以下功能:使空穴和電子再次 結(jié)合生成激子，同時將該激子的能量轉(zhuǎn)移(福斯特轉(zhuǎn)移或德克斯特轉(zhuǎn)移)給發(fā)光材料，激發(fā) 發(fā)光材料。因此，能夠提高發(fā)光元件1的發(fā)光效率。這樣的主體材料，例如可將作為客體材料 的發(fā)光材料作為摻雜劑摻雜到主體材料中而使用。
[0183] 作為這種主體材料，只要是對所用發(fā)光材料發(fā)揮如上所述功能的材料，就沒有特 另IJ限定，例如，可以舉出二苯乙烯基芳撐衍生物、下述式1冊一1、1冊一2、1冊一3表示的化合 物等萘并萘衍生物、2-叔丁基-9，10-二(2-萘基)蒽(TBADN)等蒽衍生物、茈衍生物、二苯乙 烯基苯衍生物、二苯乙烯基胺衍生物、雙(2-甲基-8-羥基喹啉）（對苯基苯酚)鋁(BA1 q )、三 (8-羥基喹啉）錯配位化合物(Alq3)等羥基喹啉系金屬配位化合物、三苯基胺的4倍體等三 芳基胺衍生物，0惡二唑衍生物、紅熒烯及其衍生物，噻咯衍生物、二咔唑衍生物、低聚噻吩 衍生物、苯并吡喃衍生物、三唑衍生物、苯并0惡唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、4， 4'-雙(2,2'_二苯基乙烯基)聯(lián)苯(DPVBi)、3-苯基-4-0--萘基)-5-苯基咔唑、4,4'-N，N'_ 二咔唑聯(lián)苯(CBP)等咔唑衍生物等，可以單獨使用它們中的1種或組合2種以上使用。
[0184] 特別是作為這樣的主體材料，優(yōu)選使用作為并苯系材料的并四苯系材料或蒽系材 料。如果發(fā)光層6的主體材料包含并苯系材料而構(gòu)成，則能夠?qū)㈦娮佑行实貜碾娮虞斔蛯?7中的電子輸送性材料的蒽骨架部分向發(fā)光層6中的并苯系材料輸送。
[0185] 并苯系材料與上述這種發(fā)光材料的非本意的相互作用少。另外，如果使用并苯系 材料(尤其是蒽系材料、并四苯系材料)作為主體材料，則能夠效率地進行從主體材料向發(fā) 光材料的能量轉(zhuǎn)移。認為這是由以下原因引起的：（a)可能來自并苯系材料的三重激發(fā)態(tài)的 能量轉(zhuǎn)移導(dǎo)致發(fā)光材料的一重激發(fā)態(tài)的生成，（b)并苯系材料的π電子云與發(fā)光材料的電子 云的重疊變大，（c)并苯系材料的熒光光譜與發(fā)光材料的吸收光譜的重疊變大等。
[0186] 因此，如果使用并苯系材料作為主體材料，則能夠提高發(fā)光元件1的發(fā)光效率。
[0187] 另外，并苯系材料對電子和空穴的耐性優(yōu)異。并且，并苯系材料的熱穩(wěn)定性也優(yōu) 異。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。另外，由于并苯系材料的熱穩(wěn)定性優(yōu)異，所以使 用氣相成膜法形成發(fā)光層時，能夠防止因成膜時的熱量引起的主體材料的分解。因此，能夠 形成具有優(yōu)異的膜質(zhì)的發(fā)光層，其結(jié)果，因為這一點也能提高發(fā)光元件1的發(fā)光效率，并且 實現(xiàn)長壽命化。
[0188] 此外，由于并苯系材料其自身難以發(fā)光，所以也能夠防止主體材料給發(fā)光元件1的 發(fā)光光譜帶來的負面影響。
[0189] 另外，并苯系材料只要是具有并苯骨架并且發(fā)揮如上所述的效果的材料，就沒有 特別限定，例如可舉出萘衍生物，蒽衍生物，萘并萘衍生物(并四苯衍生物）、并五苯衍生物， 可以使用它們中的1種或組合2種以上使用，但優(yōu)選使用蒽衍生物(蒽系材料)或并四苯衍生 物(并四苯系材料）。
[0190] 作為并四苯系材料，只要是在一個分子內(nèi)具有至少一個的并四苯骨架，且能夠發(fā) 揮作為上述主體材料的功能的材料，就沒有特別限定，例如，優(yōu)選使用下述式IRH-1表示的 化合物，更優(yōu)選使用下述式IRH-2表示的化合物，進一步優(yōu)選使用下述IRH-3表示的化合物。 由此，能夠抑制連續(xù)驅(qū)動時的電壓上升，并且進一步提高發(fā)光元件1的發(fā)光效率，同時能夠 實現(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。
[0192][上述式IRH-1中，η表示1~12的自然數(shù)，R表示取代基或官能團，且各自獨立地表 示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氨基基。另外，上述式IRH-2、IRH-3中，Ri~R4 各自獨立地表不氛原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氣基。另外，Ri~R4互相可以相 同也可以不同。]
[0193]另外，優(yōu)選并四苯系材料由碳原子和氫原子構(gòu)成。由此，能夠防止產(chǎn)生主體材料與 發(fā)光材料的非本意的相互作用。因此，能夠提高發(fā)光元件1的發(fā)光效率。另外，能夠提高主體 材料對電位和空穴的耐性。因此，能夠抑制連續(xù)驅(qū)動時的電壓上升，并且能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件 1的長壽命化。
[0194]具體而言，作為并四苯系材料，例如，優(yōu)選使用下述式H1-1~H1-11表示的化合物、 下述式HI -12~H1 -27表示的化合物。

[0197]作為蒽系材料，使用下述式IRH-4表示的化合物或其衍生物，特別優(yōu)選使用下述 式IRH5~IRH - 8表示的化合物。由此，能夠抑制發(fā)光元件1在連續(xù)驅(qū)動時的電壓上升，并且 能夠進一步提高發(fā)光效率，同時實現(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。
[0199][上述式IRH-4中，η表示1~10的自然數(shù)，R表示取代基或官能團，且各自獨立地表 示氫原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氨基。另外，上述式IRH-5~IRH-8中，Ri，R2 各自獨立地表不氛原子、烷基、可以具有取代基的芳基、芳基氣基。另外，Ri，R2互相可以相同 也可以不同。]
[0200]另外，蒽系材料優(yōu)選由碳原子和氫原子構(gòu)成。由此，能夠防止產(chǎn)生主體材料與發(fā)光 材料的非本意的相互作用。因此，能夠提高發(fā)光元件1的發(fā)光效率。另外，能夠提高主體材料 對電位和空穴的耐性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。
[0201]具體而言，作為蒽系材料，例如，優(yōu)選使用下述式H2-1~H2-16表示的化合物，下述 式H2-21~H2-40表示的化合物，下述式H2-51~H2 - 70表示的化合物。


[0205]包含這樣的發(fā)光材料和主體材料的發(fā)光層6中的發(fā)光材料的含量(摻雜量)優(yōu)選為 0.01~10wt%，更優(yōu)選為0.1~5wt%。通過使發(fā)光材料的含量在這樣的范圍內(nèi)，能夠使發(fā)光 效率最優(yōu)化。
[0206] 另外，發(fā)光層6的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為1~60nm左右，更優(yōu)選為3~50nm 左右。
[0207] 電子輸送層
[0208] 電子輸送層7具有將從陰極9介由電子注入層8而注入的電子輸送到發(fā)光層6的功 能。
[0209 ]作為電子輸送層7的構(gòu)成材料(電子輸送性材料），例如可舉出2，9-二甲基-4，7-二 苯基-1，10-菲咯啉(BCP)等菲咯啉衍生物、三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)等以8-羥基喹啉或其 衍生物為配體的有機金屬配位化合物等喹啉衍生物、氮雜中氮茚衍生物、0惡二唑衍生物、 茈衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹喔啉衍生物、二苯基醌衍生物、硝基取代芴衍生物 等，可以使用它們中的1種或組合2種以上使用。
[0210] 其中，作為電子輸送層7中使用的電子輸送性材料，優(yōu)選使用氮雜中氮茚衍生物， 尤其更優(yōu)選使用分子內(nèi)具有氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的化合物（以下，也簡稱為"氮雜中氮 茚系化合物"）。
[0211] 這樣，由于使用分子內(nèi)具有氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的化合物作為與發(fā)光層6鄰 接的電子輸送層7的電子輸送性材料，所以能夠有效率地將電子從電子輸送層7向發(fā)光層6 輸送。因此，能夠使發(fā)光元件1的發(fā)光效率優(yōu)異。
[0212] 另外，由于能夠有效率地進行從電子輸送層7向發(fā)光層6的電子輸送，所以能夠使 發(fā)光元件1的驅(qū)動電壓低電壓化，伴隨于此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。
[0213] 此外，由于分子內(nèi)具有氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的化合物對電子和空穴的穩(wěn)定性 (耐性)優(yōu)異，所以，由于這一點也能實現(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。
[0214] 優(yōu)選電子輸送層7中使用的電子輸送性材料(氮雜中氮茚系化合物)在一個分子內(nèi) 所含的氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的個數(shù)分別為1個或2個。由此，能夠使電子輸送層7的電子 輸送性和電子注入性優(yōu)異。
[0215] 具體而言，作為電子輸送層7中使用氮雜中氮茚系化合物，例如優(yōu)選使用下述式 ELT-A1~ELT-A24表示的這種化合物、下述式ELT-B1~式ELT-B12表示的這種化合物、下述 ELT-C1~ELT-C20表示的化合物。
[0218] 這樣的氮雜中氮茚化合物的電子輸送性和電子注入性優(yōu)異。因此，能夠提高發(fā)光 元件1的發(fā)光效率。
[0219] 認為該氮雜中氮茚化合物的電子輸送性和電子注入性優(yōu)異是基于以下理由。
[0220] 上述那樣的分子內(nèi)具有氮雜中氮茚骨架和蒽骨架的氮雜中氮茚系化合物，由于其 分子整體以π共輒體系連接，所以電子云擴散到分子整體。
[0221] 而且，該氮雜中氮茚系化合物的氮雜中氮茚骨架部分具有接收電子的功能、和將 其接收的電子向蒽骨架部分送出的功能。另一方面，該氮雜中氮茚系化合物的蒽骨架部分 具有從氮雜中氮諱骨架部分接收電子的功能、和將其接收的電子向與電子輸送層7的陽極3 側(cè)鄰接的層、即發(fā)光層6輸送的功能。
[0222] 如果具體地進行說明，則該氮雜中氮茚系化合物的氮雜中氮茚骨架部分具有2個 氮原子，其一方(接近蒽骨架部分的一側(cè)）的氮原子具有sp 2雜化軌道，另一方(遠離蒽骨架 部分的一側(cè)）的氮原子具有sp3雜化軌道。具有sp2雜化軌道的氮原子構(gòu)成氮雜中氮茚系化合 物分子的共輒體系的一部分，并且，與碳原子相比，其電負性高、吸引電子的強度大，所以作 為接收電子的部分而發(fā)揮功能。另一方面，具有sp 3雜化軌道的氮原子不是通常的共輒體 系，但由于具有非共用電子對，因此作為其電子向氮雜中氮茚系化合物的分子共輒體系送 出電子的部分而發(fā)揮功能。
[0223] 另一方面，由于該氮雜中氮茚系化合物的蒽骨架部分為電中性，所以能夠容易地 從氮雜中氮茚骨架部分接收電子。另外，該氮雜中氮茚系化合物的蒽骨架部分與發(fā)光層6的 構(gòu)成材料、尤其與主體材料(并苯系材料)軌道的重疊大，所以能夠容易地向發(fā)光層6的主體 材料傳遞電子。
[0224] 另外，如上所述，由于該氮雜中氮茚系化合物的電子輸送性和電子注入性優(yōu)異，所 以作為結(jié)果，能夠使發(fā)光元件1的驅(qū)動電壓低電壓化。
[0225] 另外，對于氮雜中氮茚骨架部分，具有sp2雜化軌道的氮原子被還原也穩(wěn)定，具有 sp3雜化軌道的氮原子被氧化也穩(wěn)定。因此，該氮雜中氮茚系化合物對電子和空穴的穩(wěn)定性 高。其結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。
[0226] 另外，電子輸送層7組合將如上所述的電子輸送性材料中的2種以上來使用時，可 以由混合了 2種以上的電子輸送性材料的混合材料構(gòu)成，也可以層疊多個由不同電子輸送 性材料構(gòu)成的層而構(gòu)成。另外，電子輸送層7可以含有氮雜中氮茚系化合物以外的材料而構(gòu) 成。
[0227] 電子輸送層7層疊多個層構(gòu)成時，電子輸送層7優(yōu)選具備:第1電子輸送層，其含有 上述氮雜中氮茚系化合物作為第1電子輸送性材料而構(gòu)成;第2電子輸送層，其在該第1電子 輸送層與上述發(fā)光層6之間以與這兩層連接的方式設(shè)置、并含有與第1電子輸送性材料不同 的第2電子輸送性材料而構(gòu)成。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。
[0228] 另外，此時作為上述第2電子輸送性材料，例如可以使用Alq、并四苯系材料、蒽系 材料等。另外，第2電子輸送層的平均厚度沒有特別限定，但優(yōu)選例如5nm~20nm左右。由此， 由于第2電子輸送層與發(fā)光層6或第1電子輸送層的一部分形成混合層，所以既能使從電子 輸送層7向發(fā)光層6的電子輸送性變良好，又能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)光元件1的長壽命化。
[0229] 電子輸送層7的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選1.0~200nm左右，更優(yōu)選10~100nm 左右。
[0230] 電子注入層
[0231] 電子注入層8具有提高來自陰極9的電子注入效率的功能。
[0232] 作為該電子注入層8的構(gòu)成材料（電子注入性材料），例如可舉出各種無機絕緣材 料、各種無機半導(dǎo)體材料。
[0233] 作為這樣的無機絕緣材料，例如可舉出堿金屬氧化物、堿金屬硫?qū)倩衔铮蚧?物、硒化物、蹄化物）、堿土金屬氧化為、堿土金屬硫?qū)倩衔铩A金屬的鹵化物和堿土金屬 的鹵化物等，可以使用它們中的1種或組合2種以上使用。將它們作為主材料構(gòu)成電子注入 層8,由此能夠進一步提高電子注入性。特別是堿金屬化合物(堿金屬硫?qū)倩衔?、堿金屬的 鹵化物等)的功函數(shù)非常小，使用堿金屬化合物構(gòu)成電子注入層8,從而發(fā)光元件1能夠得到 高亮度。
[0234] 作為堿金屬氧化物、堿金屬硫?qū)倩衔铮缈膳e出1^2〇、1^0、似23、他236、他0等。 [0235] 作為堿土金屬氧化物、堿土金屬硫?qū)倩衔铮缈膳e出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、 MgO、CaSe 等。
[0236] 作為堿金屬的鹵化物，例如可舉出〇8?、1^?、他？、肝、1^(：1、1((：1、他(：1等。
[0237] 作為堿土金屬的1?化物，例如可舉出[3?2、1^2、3冊、]\^2、1^2等。
[0238] 另外，作為無機半導(dǎo)體材料，例如可舉出含有Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Cd、 Mg、Si、Ta、Sb和Zn中的至少一種元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等，可以使用它們中的 1種或組合2種以上使用。
[0239] 電子注入層8的平均厚度沒有特別限定，優(yōu)選為0.1~lOOOnm左右，更優(yōu)選為0.2~ 100nm左右，進一步優(yōu)選為0 · 2~50nm左右。
[0240] 應(yīng)予說明，該電子注入層8可以根據(jù)陰極9和電子輸送層7的構(gòu)成材料、厚度等而省 略。
[0241] 密封部件
[0242] 密封部件10按照覆蓋陽極3、層疊體14和陰極9的方式來設(shè)置，具有將它們氣密性 密封，并隔絕氧、水分的功能。通過設(shè)置密封部件10,能夠得到提高發(fā)光元件1的可靠性、防 止變質(zhì)?劣化(耐久性提高)等效果。
[0243] 作為密封部件10的構(gòu)成材料，例如可舉出41^11、0、他、1&、1^或含有這它們的合 金，氧化硅，各種樹脂材料等。應(yīng)予說明，在使用具有導(dǎo)電性的材料作為密封部件10的構(gòu)成 材料時，為了防止短路，優(yōu)選根據(jù)需要在密封部件10與陽極3、層疊體14和陰極9之間設(shè)置絕 緣膜。
[0244] 另外，可以使密封部件1〇以平板狀與基板2對置，用例如熱固性樹脂等密封材將它 們之間密封。
[0245] 根據(jù)如上所述地構(gòu)成的發(fā)光元件1，使用噻二唑系化合物作為發(fā)光層6的發(fā)光材 料，并且在發(fā)光層6的主體材料中使用并四苯系或蒽系材料，由此能夠在近紅外區(qū)域發(fā)光， 并能夠?qū)崿F(xiàn)高效率化和長壽命化。
[0246] 此外，通過使用氮雜中氮茚系化合物作為電子輸送層7的電子輸送性材料，能夠在 近紅外發(fā)光的同時，進一步實現(xiàn)高效率和長壽命化。
[0247] 例如，上述發(fā)光元件1例如可以如下制造。
[0248] [ 1 ]首先，準備基板2，在該基板2上形成陽極3。
[0249]陽極3例如可以使用等離子體CVD、熱CVD之類化學蒸鍍法(CVD)、真空蒸鍍等干式 鍍覆法、電鍍等濕式鍍覆法、噴鍍法、溶膠?凝膠法、MOD法、接合金屬箱等來形成。
[0250] [2]接著，在陽極3上形成空穴注入層4。
[0251] 空穴注入層4例如可以通過使用CVD法、真空蒸鍍、濺射等干式鍍覆法等的氣相工 藝來形成。
[0252] 應(yīng)予說明，空穴注入層4例如也可以通過在陽極3上供給將空穴注入性材料溶解在 溶劑中或分散在分散劑中而成的空穴注入層形成用材料，然后干燥(脫溶劑或脫分散劑)而 形成。
[0253] 作為空穴注入層形成用材料的供給方法，例如也可以使用旋涂法、輥涂法、噴墨印 刷法等各種涂布法。通過使用該涂布法，可以較容易地形成空穴注入層4。
[0254] 作為空穴注入層形成用材料的制備中所用的溶劑或分散劑，例如可舉出各種無機 溶劑、各種有機溶劑、或含有它們的混合溶劑等。
[0255] 應(yīng)予說明，干燥例如可以通過在大氣壓或減壓環(huán)境中的放置、加熱處理、吹送非活 性氣體等來進行。
[0256] 另外，也可以在本工序前，對陽極3的上表面實施氧等離子體處理。由此，可以進行 向陽極3的上表面賦予親液性、除去(清洗)附著在陽極3的上表面的有機物、調(diào)整陽極3的上 表面附近的功函數(shù)等。
[0257] 其中，作為氧等離子體處理的條件，例如優(yōu)選等離子體功率100~800W左右、氧氣 流量50~lOOmL/min左右、被處理部件（陽極3)的傳送速度0.5~lOmm/sec左右、基板2的溫 度70~90°C左右。
[0258] [ 3 ]接著，在空穴注入層4上形成空穴輸送層5。
[0259] 優(yōu)選空穴輸送層5例如通過使用CVD法、真空蒸鍍、濺射等干式鍍覆法等的氣相工 藝來形成。
[0260] 應(yīng)予說明，也可以通過在空穴注入層4上供給將空穴輸送性材料溶解在溶劑中或 分散在分散劑中而成的空穴輸送層形成用材料，然后干燥(脫溶劑或脫分散劑)而形成。
[0261] [4]接著，在空穴輸送層5上形成發(fā)光層6。
[0262] 發(fā)光層6例如可以通過使用真空蒸鍍等干式鍍覆法等的氣相工藝來形成。
[0263] [5]接著，在發(fā)光層6上形成電子輸送層7。
[0264] 優(yōu)選電子輸送層7例如通過使用真空蒸鍍等干式鍍覆法等的氣相工藝來形成。
[0265] 應(yīng)予說明，電子輸送層7例如也可以在發(fā)光層6上供給將電子輸送材料溶解在溶劑 中或分散在分散劑中而成的電子輸送層形成用材料，然后干燥(脫溶劑或脫分散劑）而形 成。
[0266] [ 6 ]接著，在電子輸送層7上形成電子注入層8。
[0267]在使用無機材料作為電子注入層8的構(gòu)成材料時，電子注入層8例如可以采用使用 CVD法、真空蒸鍍、濺射等干式鍍覆法等的氣相工藝、涂布無機微粒油墨并進行煅燒等來形 成。
[0268] [ 7 ]接著，在電子注入層8上形成陰極9。
[0269]陰極9例如可以使用真空蒸鍍法、濺射法、接合金屬箱、涂布金屬微粒油墨并進行 煅燒等來形成。
[0270]經(jīng)過如上的工序，可得到發(fā)光元件1。
[0271] 最后，被覆密封部件10以覆蓋得到的發(fā)光元件1，與基板2接合。
[0272] 發(fā)光裝置
[0273]接著，對本發(fā)明的發(fā)光裝置的實施方式進行說明。
[0274] 圖2是表示應(yīng)用了本發(fā)明發(fā)光裝置的顯示器裝置的實施方式的縱截面圖。
[0275] 圖2所示的顯示器裝置100具有:基板21、多個發(fā)光元件1A、用于分別驅(qū)動各發(fā)光素 子1A的多個驅(qū)動用晶體管24。其中，顯示器裝置100是頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)的顯示器面板。
[0276]基板21上設(shè)置多個驅(qū)動用晶體管24,按照覆蓋這些驅(qū)動用晶體管24的方式形成由 絕緣材料構(gòu)成的平坦化層22。
[0277] 各驅(qū)動用晶體管24具有：由硅形成的半導(dǎo)體層241、半導(dǎo)體層241上形成的柵極絕 緣層242、柵極絕緣層242上形成的柵電極243、源電極244、漏電極245。
[0278] 在平坦化層上，與各驅(qū)動用晶體管24對應(yīng)地設(shè)置發(fā)光元件1A。
[0279]對于發(fā)光元件1A，反射膜32、防腐蝕膜33、陽極3、層疊體(有機EL發(fā)光部）14、陰極 13、陰極保護層34依次層疊在平坦化層22上。本實施方式中，各發(fā)光元件1A的陽極3構(gòu)成像 素電極，通過導(dǎo)電部(布線）27與各驅(qū)動用晶體管24的漏電極245電連接。另外，各發(fā)光元件 1A的陰極13形成公共電極。
[0280] 圖2中的發(fā)光元件1A在近紅外區(qū)域發(fā)光。
[0281] 在鄰接的發(fā)光元件1A彼此之間設(shè)置有隔壁31。另外，在這些發(fā)光元件1A上按照覆 蓋它們的方式形成由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的環(huán)氧樹脂層35。
[0282]然后，環(huán)氧樹脂層35上以覆蓋它們的方式設(shè)置密封基板20。
[0283] 以上說明的顯示器裝置100,例如可用作軍事用途等的近紅外線顯示器。
[0284] 根據(jù)這樣的顯示器裝置100,可在近紅外區(qū)域發(fā)光。另外，由于具備高效率和長壽 命的發(fā)光元件1A，所以可靠性優(yōu)異。
[0285] 認證裝置
[0286] 接著，說明本發(fā)明的認證裝置的實施方式。
[0287] 圖3是表示本發(fā)明的認證裝置的實施方式的圖。
[0288] 圖3所示的認證裝置1000是使用生物體F(在本實施方式中為指尖）的生物體信息 來認證個人的生物體認證裝置。
[0289] 該認證裝置1000具有:光源100B、保護層玻璃1001、微透鏡陣列1002、受光元件組 1003、發(fā)光元件驅(qū)動部1006、受光元件驅(qū)動部1004、控制部1005。
[0290] 光源100B具備多個上述發(fā)光元件1，向作為攝像對象物的生物體F照射近紅外區(qū)域 的光。例如，該光源100B的多個發(fā)光元件1沿著保護層玻璃1001的外圓周部配置。
[0291 ]保護層玻璃1001是生物體F接觸或接近的部位。
[0292]微透鏡陣列1002設(shè)置在保護層玻璃1001的生物體F接觸或接近的一側(cè)的相反側(cè)。 該微透鏡陣列1002是多個微透鏡排列成矩陣狀而構(gòu)成。
[0293]受光元件組1003設(shè)置在相對于微透鏡陣列1002與保護層玻璃1001相反的一側(cè)。該 受光元件組1003由與微透鏡陣列1002的多個微透鏡對應(yīng)地設(shè)置成矩陣狀的多個受光元件 構(gòu)成。作為該受光元件組1003的各受光元件，例如可使用CCD(Charge Coupled Device)、 CMOS 等。
[0294] 發(fā)光元件驅(qū)動部1006是對光源100B進行驅(qū)動的驅(qū)動電路。
[0295] 受光元件驅(qū)動部1004是對受光元件組1003進行驅(qū)動的驅(qū)動電路。
[0296] 控制部1005例如為MPU，具有控制發(fā)光元件驅(qū)動部1006和受光元件驅(qū)動部1004的 驅(qū)動的功能。
[0297] 另外，控制部1005具有通過比較受光元件組1003的受光結(jié)果與預(yù)先存儲的生物體 認證信息來進行生物體F的認證的功能。
[0298] 例如，控制部1005基于受光元件組1003的受光結(jié)果，生成關(guān)于生物體F的圖像圖案 (例如靜脈圖案）。然后，控制部1005將其畫像圖案與作為生物體認證信息而預(yù)先存儲的圖 像圖案進行比較，基于該比較結(jié)果來進行生物體F的認證(例如靜脈認證）。
[0299] 根據(jù)這樣的認證裝置1000,可使用近紅外光來進行生物體認證。另外，由于具備高 效率和長壽命的發(fā)光元件1，所以可靠性優(yōu)異。
[0300] 這樣的認證裝置1000可裝入各種電子設(shè)備。
[0301] 電子設(shè)備
[0302] 圖4是表示應(yīng)用了本發(fā)明的電子設(shè)備的移動型(或是筆記本型)個人電腦的結(jié)構(gòu)的 立體圖。
[0303] 在該圖中，個人電腦1100是由具備鍵盤1102的主體部1104和具備顯示部的顯示單 元1106構(gòu)成，顯示單元1106介由鉸鏈結(jié)構(gòu)部可相對于主體部1104轉(zhuǎn)動地被支撐。
[0304] 該個人電腦1100中，主體部1104設(shè)置有上述認證裝置1000。
[0305] 根據(jù)這樣的個人電腦1100,由于具備高效率和長壽命的發(fā)光元件1，所以可靠性優(yōu) 異。
[0306] 應(yīng)予說明，本發(fā)明的電子設(shè)備，除圖4的個人電腦(移動型個人電腦）以外，還可應(yīng) 用于例如手機、數(shù)碼相機、電視、攝像機、取景器型或直接監(jiān)視型的磁帶錄像機、便攜型個人 電腦、汽車導(dǎo)航裝置、尋呼機、電子記事本(也包括帶有通信功能的）、電子詞典、計算器、電 子游戲機、文字處理器、工作站、電視電話、防盜用電視監(jiān)視器、電子雙筒望遠鏡、P0S終端、 具備觸摸板的設(shè)備（例如金融機構(gòu)的自動取款機、自動售票機）、醫(yī)療設(shè)備（例如電子體溫 計、血壓計、血糖計、脈搏測量裝置、脈波測量裝置、心電顯示裝置、超聲波診斷裝置、內(nèi)窺鏡 用顯示裝置），魚群探測機、各種測定設(shè)備、度量儀表類(例如車輛、飛機、船舶的度量儀表 類）、飛行模擬裝置、其他各種監(jiān)視器類、投影儀等投射型顯示裝置等。
[0307] 以上，基于圖示的實施方式說明了本發(fā)明的噻二唑系化合物、發(fā)光元件用化合物、 發(fā)光元件、發(fā)光裝置、認證裝置以及電子設(shè)備，但本發(fā)明不限定于此。
[0308] 例如，本發(fā)明的發(fā)光元件和發(fā)光裝置也可以用作照明用的光源。
[0309] 實施例
[0310]接著，對本發(fā)明的具體實施例進行說明。
[0311] 1.噻二唑系化合物的制造
[0312]合成例A1
[0314] 合成(A 卜 1)
[0315] 在5升的燒瓶中加入1500ml發(fā)煙硝酸并進行冷卻。保持在10~50°C的同時向其中 逐步添加1500ml硫酸。向其中經(jīng)1小時少量地添加150g的作為原料的二溴苯并噻二唑即化 合物(a)。此時以使溶液溫度變?yōu)?°C以下的方式進行。全部添加后，在室溫(25°C)反應(yīng)20小 時。反應(yīng)后，將反應(yīng)液注入3kg的冰中，攪拌一晚。其后，過濾后用甲醇、庚烷清洗。
[0316] 將過濾后的殘留物用200ml的甲苯進行熱溶解后，緩冷至室溫后進行過濾，將殘留 物用少量的甲苯清洗后，減壓干燥。
[0317]由此，得到60g的HPLC純度95%的化合物(b)(4,7-二溴-5,6-二硝基-苯并[1，2,5] 噻二唑）。
[0318]合成(A 卜 2)
[0319] Ar下，在5升的燒瓶中加入30g得到的作為二溴體的化合物(b)和23g苯硼酸（市售 品）、2500ml甲苯、2M碳酸銫水溶液（152g/(蒸餾水)234ml)，在90°C下反應(yīng)一晚。反應(yīng)后進行 過濾、分液、濃縮，將得到的52g粗品用硅膠柱(Si0 2 5kg)分離，從而得到紫紅色固體。
[0320]由此，得到6g的HPLC純度96 %的化合物(c) (5，6-二硝基-4，7-二苯基-苯并[1，2， 5]噻二唑）。
[0321]合成(A1-3)
[0322] Ar下，在1升的燒瓶中加入6g得到的作為二硝基體的化合物(c)、7g還原鐵、600ml 乙酸，在80°C下反應(yīng)4小時后冷卻至室溫。反應(yīng)后，將反應(yīng)液注入到1.5升離子交換水中，向其 中添加1.5升乙酸乙酯。由于添加后固體析出，所以添加1升四氫呋喃和300g食鹽進行分液。水 層用1升的四氫呋喃再萃取。再次用少量的水、甲醇清洗濃縮干燥后的物質(zhì)，得到橙色固體。
[0323] 由此，得到7g的HPLC純度80%的化合物(d) (4，7-二苯基-苯并[1，2，5]噻二唑基-5,6-二胺）。
[0324] 合成(A1-4)
[0325] Ar下，在1升的燒瓶中加入4.5g得到的作為二胺體的化合物(d)，3.7g苯偶酰、加入 300ml乙酸作為溶劑，80°C下反應(yīng)2小時。反應(yīng)后，冷卻至室溫，將反應(yīng)液注入1升離子交換水 中，對結(jié)晶進行過濾、水洗，得到7g的墨綠色固體。然后，用硅膠柱(Si0 2 lkg)對該墨綠色固 體進行精制。
[0326] 由此，得到4g的HPLC純度99 %的化合物(e)(上述式D-1表示的化合物）。對該化合 物(e)進行質(zhì)量分析之后，M+:492。
[0327] 然后，在設(shè)定溫度340°C下對得到的化合物(e)進行升華精制。該升華精制后的化 合物(0)的即^：純度為99%。
[0328] 合成例A2
[0330]上述合成例A1中，使用三苯基胺的硼酸體代替合成(A1-2)中使用的苯硼酸，除此 之外，與上述合成例A1同樣地進行合成。由此，得到上述式D-2表示的化合物(h)。
[0331] 其中，合成三苯基胺的硼酸體時，Ar下，在5升的燒瓶中加入246g的4-溴三苯基胺 (市售品）、1500ml脫水四氫呋喃，在-60°C下經(jīng)3小時滴加1.6M的n-BuLi/己烷溶液570ml。30 分鐘后經(jīng)1小時滴加429g硼酸三異丙酯。滴加后在自然進行的溫度下反應(yīng)一晚。反應(yīng)后，滴 加2升水，其后用2升甲苯萃取、分液。對有機層進行濃縮、重結(jié)晶，并進行過濾、干燥后得到 160g白色的作為目標產(chǎn)物的硼酸體。
[0332] 得到的硼酸體的HPLC純度為99%。
[0333] 然后，使用得到的硼酸體，進行與上述合成例A1的合成(A1-2)同樣的合成，得到化 合物(f)。
[0334] 使用得到的化合物(f)，進行與上述合成例A1的合成(A1-3)同樣的合成，得到化合 物(g)。
[0335] 使用得到的化合物(g)，進行與上述合成例A1的合成(A1-4)同樣的合成，得到上述 式D-2表不的化合物(h)。
[0336] 合成例A3
[0338] 在上述合成例A1中，使用二苯基胺代替合成(A1-2)中使用的苯硼酸，除此之外，與 上述合成例A1同樣地進行合成。由此，得到上述式D-3表示的化合物(k)。
[0339] 其中，在使用二苯基胺的合成中，Ar下，在300ml的燒瓶中使llg四（三苯基膦）鈀 (〇)溶解在l〇〇ml的甲苯中加熱至100 °C。向其中加入8g三叔丁基膦反應(yīng)30分鐘，制成催化劑 (Pd催化劑）。
[0340]另一方面，Ar下，在5升的燒瓶中，使30g作為二溴體的化合物（b)和33g二苯基胺 (市售品）溶解于2500ml甲苯加熱至100°C。向其中添加預(yù)先制備好的Pd催化劑和20g的t-BuOK后進行3小時加熱回流。
[0341 ]反應(yīng)后冷卻至室溫后，添加100ml的水，攪拌1小時左右后在分液漏斗中用水進行 分液清洗，干燥有機層得到固體。用硅膠柱(Si02 5kg)對得到的固體進行分離，得到紫色固體。
[0342] 由此，得至lj 10g的HPLC純度96 %的化合物（i) (5，6-二硝基-N，N，N '，N' -四苯基-苯 并[1，2,5]噻二唑）。
[0343] 然后，使用得到的化合物（i)，進行與上述合成例A1的合成(A1-3)同樣的合成，得 到化合物(j)。
[0344] 使用得到的化合物（j)，進行與上述合成例A1的合成(A1-4)同樣的合成，得到上述 式D-3表不的化合物(k)。
[0345] 2.主體材料(并四苯系材料)的制造 [0346]合成例B1式H1-2表示的化合物的合成
[0348]合成（B1-1)
[0349] Ar下，在300ml的燒瓶中加入6g的4-溴聯(lián)苯和50ml干燥二乙醚。室溫下滴加1.6M的 n-BuLi/己烷溶液14.5ml，反應(yīng)30分鐘。
[0350]另一方面，Ar下，另外在500ml的燒瓶中投入2.7g的5，12-萘并萘醌和100ml的干燥 甲苯。向其中滴加預(yù)先調(diào)整的聯(lián)苯基鋰，反應(yīng)3小時。反應(yīng)后，添加20ml的蒸餾水攪拌30分鐘 后，加入到甲醇中，過濾分離固體。用硅膠(Si0 2 500g)精制得到的固體。
[0351] 由此，得到4.5g白色固體(5，12-雙聯(lián)苯-4-基-5，12-二氫-萘并萘-5，12-二醇）。
[0352] 合成（B1-2)
[0353] 量取合成(B1-1)中得到的4.5g二醇體和300ml乙酸加入到1000ml的燒瓶中。向其 中加入在5g鹽酸(35%)中溶解了 5g氯化亞錫（11)(無水)的液體，攪拌30分鐘。其后，移入分 液漏斗，之后加入甲苯，用蒸餾水分液清洗、并干燥。用硅膠(Si0 2 500g)對得到的個體進行 精制，得到4g黃色固體(上述式H1-2表示的化合物）。
[0354]合成例B2式H1-5表示的化合物的合成
[0356] 合成（B2-1)
[0357] Ar下，在300ml的燒瓶中加入6g的4-溴-[1，Γ ; 3'，Γ ]三聯(lián)苯和50ml干燥二乙醚。 室溫下滴加1.6M的n-BuLi/己烷溶液14.5ml，反應(yīng)30分鐘。
[0358] 另一方面，Ar下，另外在500ml的燒瓶中加入2g的5,12-萘并萘醌和100ml干燥甲 苯。向其中滴加預(yù)先調(diào)整的三聯(lián)苯鋰，反應(yīng)3小時。反應(yīng)后，添加20ml的蒸餾水，攪拌30分鐘 后，加入到甲醇中，過濾分離固體。用硅膠(Si0 2 500g)對得到的固體進行精制。
[0359] 由此，得到5g白色固體(5，12_雙[1，Γ ;3'，Γ]三聯(lián)苯-4'-基-5，12-二氫萘并萘-5,12-二醇。
[0360] 合成（B2-2)
[0361] 量取合成(B2-1)中得到的5g二醇體和300ml乙酸，投入到1000ml的燒瓶中。向其中 加入在5g鹽酸(35% )中溶解了5g氯化亞錫（II)(無水)的液體，攪拌30分鐘。其后，移入分液 漏斗，加入甲苯，用蒸餾水分液清洗、并干燥。用硅膠(Si0 2 500g)對得到的個體進行精制， 得到4.5g黃色固體(上述式H1 -5表示的化合物）。
[0362] 合成例B3式H1-13表示的化合物的合成
[0364] 合成（B3-1)
[0365] 在500ml的燒瓶中加入100ml二氯甲烷、5.2g萘醌、10g的1，3-二苯基異苯并呋喃， 攪拌1小時。攪拌后，經(jīng)10分鐘添加33ml市售品的三溴化硼（二氯甲烷溶液lmol/L)，由此得 到7. lg黃色針狀結(jié)晶(6，11-二苯基-5，12-萘并萘醌）。
[0366] 合成(B3-2)
[0367] Ar下，在200ml的燒瓶中投入6g的4-溴-聯(lián)苯和80ml干燥二乙醚。室溫下滴加1.6M 的n-BuLi/己烷溶液16ml，反應(yīng)30分鐘。
[0368] 另一方面，Ar下，另外在500ml的燒瓶中投入4.2g合成（B3-1)中得到的醌類和 100ml干燥甲苯。向其中滴加預(yù)先調(diào)整的聯(lián)苯鋰，反應(yīng)3小時。反應(yīng)后，添加20ml的蒸餾水，攪 拌30分鐘后，倒入到甲醇中，過濾分離固體。用硅膠(Si0 2 500g)對得到的固體進行精制。
[0369] 由此，得到5.5g白色固體(5，12-雙聯(lián)苯-4-基-6，11-二苯基-5，12-二氫-萘并萘-5,12-二醇）。
[0370] 合成（B3-3)
[0371] 量取合成(B3-2)中得到5g二醇體和200ml四氫呋喃，加入到500ml的燒瓶中。向其 中加入10g氫碘酸(55 %水溶液），遮光攪拌2小時。其后，移入分液漏斗，加入甲苯，用蒸餾水 分液清洗、并干燥。用硅膠（Si02 500g)對得到的固體進行精制，得到3g紅色固體(上述式 H1-13表示的化合物）。
[0372] 3.主體材料(蒽系材料)的制造
[0373] 合成例C1式H2-34表示的化合物的合成
[0375] 合成（C1-1)
[0376] 使2. lg市售的2-萘硼酸和5g的9,10-二溴蒽溶解于50ml的二甲氧基乙燒，加熱至 80 °C。向其中加入50ml蒸餾水和1 Og碳酸鈉。進一步向其中加入0.4g四（三苯基膦)鈀(Ο)。
[0377] 3小時后用分液漏斗進行甲苯萃取，用硅膠(Si02 500g)進行精制。
[0378] 由此，得到3g淡黃白色結(jié)晶（9-溴-10-萘-2-基-蒽）。
[0379] 合成（C1-2)
[0380] Ar下，在500ml的燒瓶中，使10.5g市售的2-萘硼酸和17.5g的1，4_二溴苯溶解在 250ml的二甲氧基乙烷中，加熱至80 °C。向其中加入250ml蒸餾水和碳酸鈉30g。進一步向其 中加入2g四（三苯基膦)鈀(0)。
[0381] 3小時后用分液漏斗進行甲苯萃取，用硅膠(Si02 500g)進行精制。
[0382]由此，得到10g白色結(jié)晶（2_(4_漠苯基)-蔡）。
[0383] 合成（C1-3)
[0384] Ar下，在1升的燒瓶中加入合成(C1-2)中得到的10g的2-(4-溴苯基)-萘、500ml脫 水四氫呋喃，在-60°C下經(jīng)30分鐘滴加1.6M的n-BuLi/己烷溶液221111。30分鐘后添加78硼酸 三異丙酯。滴加后在自然進行的溫度下反應(yīng)一晚。反應(yīng)后，滴加 l〇〇mL水，其后用2升甲苯萃 取、分液。對有機層進行濃縮、重結(jié)晶，并進行過濾、干燥后得到5g白色的苯硼酸衍生物。
[0385] 合成（C1-4)
[0386] Ar下，在500ml的燒瓶中使合成(C1-1)中得到的3g的9-溴-10-萘-2-基-蒽、和合成 (C1-3)中得到3g硼酸溶解在200ml的二甲氧基乙烷中，加熱至80°C。向其中加入250ml蒸餾 水和10g碳酸鈉。進一步向其中加入0.5g四（三苯基膦)鈀(0)。
[0387] 3小時后用分液漏斗進行甲苯萃取，利用硅膠柱色譜進行精制。
[0388] 由此，得到3g淡黃白色固體(上述式H2-34表示的化合物）。
[0389]合成例C2式H2-61表示的化合物的合成
[0391]合成（C2-1)
[0392] Ar下，在300ml的燒瓶中加入5g聯(lián)二蒽酮和150ml干燥二乙醚。向其中加入5.5ml市 售的苯基鋰試劑（19% 丁醚溶液），室溫下攪拌3小時。其后，投入10ml的水后，轉(zhuǎn)移到分液漏 斗用甲苯萃取目標產(chǎn)物、干燥，用硅膠(Si02 500g)進行分離精制。
[0393] 由此，得到5g白色的目標產(chǎn)物（10，10'-二苯基-10!1，10'!1-[9,9']聯(lián)二蒽亞基-10， 10'-二醇（10、10'-^7工二少-10!1、10'!1-[9、9']匕、、7^卜7七二1]寧^-10、10'-^才一少））。
[0394] 合成（C2-2)
[0395] 將合成(C2-1)中得到的5g二醇體和300ml乙酸加入到500ml的燒瓶中。向其中加入 在5g鹽酸（35%)中溶解了5g氯化亞錫（II)(無水）的液體，攪拌30分鐘。其后，移入分液漏 斗，加入甲苯，用蒸餾水分液清洗、并干燥。用硅膠(Si0 2 500g)對得到的固體進行精制，得 到5.5g黃白色固體(上述式H2-61表示的化合物）。
[0396] 合成例C3式H2-66表示的化合物
[0398] 合成（C3-1)
[0399] 使2.2g市售的苯硼酸和6g的9,10-二溴蒽溶解于100ml的二甲氧基乙烷，加熱至80 °C。向其中加入50ml蒸餾水和10g碳酸鈉。進一步向其中加入0.5g四（三苯基膦)鈀(0)。
[0400] 3小時后用分液漏斗進行甲苯萃取，用硅膠(Si02 500g)進行精制。
[04011由此，得到4g黃白色結(jié)晶（9-溴-10-苯基-蒽）。
[0402]合成(C3-2)
[0403] Ar下，在500ml的燒瓶中使合成(C3-1)中得到的4g的9-溴-10-苯基-蒽和0.8g市售 品的苯二硼酸溶解在200ml的二甲氧基乙烷中，加熱至80 °C。向其中加入250ml蒸餾水和10g 碳酸鈉。進一步向其中加入〇. 5g四（三苯基膦)鈀(0)。
[0404] 3小時后用分液漏斗進行甲苯萃取，用硅膠柱色譜進行精制。
[0405]由此，得到2g淡黃白色固體(上述式H2-66表示的化合物）。
[0406] 4.電子輸送性材料(氮雜中氮茚系化合物)的制造
[0407]合成例D1式ETL-A3表示的化合物的合成
[0409]合成(D1-1)
[0410] 使2. lg市售的2-萘硼酸和5g的9,10-二溴蒽溶解在50ml的二甲氧基乙烷中，加熱 至80 °C。向其中加入50ml蒸餾水和10g碳酸鈉。進一步向其中加入0.4g四（三苯基膦)鈀(0)。 [0411] 3小時后用分液漏斗進行甲苯萃取，用硅膠(Si0 2 500g)進行精制。
[0412]由此，得到3g淡黃白色結(jié)晶(9-溴-10-萘-2-基-蒽）。
[0413] 合成(D 卜 2)
[0414] Ar下，在1升的燒瓶中加入合成(D1-1)中得到的3g的9-溴-10-萘-2-基-蒽、500ml 脫水四氫呋喃，在_60°C下經(jīng)10分鐘滴加1.6M的n-BuLi/己烷溶液61111。30分鐘后添加1.5g硼 酸三異丙酯。滴加后在自然進行的溫度下反應(yīng)3小時。反應(yīng)后，滴加50mL蒸餾水，其后用1升 甲苯萃取、分液。對有機層進行濃縮、重結(jié)晶，并進行過濾、干燥后得到2g白色的目標產(chǎn)物 (硼酸體）。
[0415] 合成（D1-3)
[0416] Ar下，在300ml的燒瓶中量取3.4g的2-氨基吡啶，向其中加入40ml乙醇和40mL丙酮使 其溶解。向其中加入l〇g的4-溴苯甲酰甲基溴化物進行加熱回流。3小時后，中止加熱冷卻至室 溫。減壓除去溶劑后，加熱溶解于1升的甲醇中，過濾除去不溶雜質(zhì)后，濃縮，回收沉淀的物質(zhì)。
[0417] 由此，得到8g目標產(chǎn)物的白色固體(2_(4-溴苯基)-咪唑并[1，2-aM啶）。
[0418] 合成（D1-4)
[0419] Ar下，在500ml的燒瓶中使合成(D1-2)中得到的2g硼酸體和合成(D1-3)中得到的 1.7g咪唑并吡啶衍生物溶解在200ml的二甲氧基乙烷中，加熱至80°C。向其中加入250ml蒸 餾水和10g碳酸鈉。進一步向其中加入0.5g四（三苯基膦)鈀(0)。
[0420] 3小時后用分液漏斗進行甲苯萃取，用硅膠(Si02 500g)進行精制。
[0421] 由此，得到2g白色固體(上述式ETL-A3表示的化合物）。
[0422] 5.發(fā)光元件的制造
[0423] 實施例1-1
[0424] <1>首先，準備平均厚度0.5mm的透明玻璃基板。接著，采用濺射法在該基板上形 成平均厚度l〇〇nm的ΙΤ0電極（陽極）。
[0425] 然后，將基板順次浸漬于丙酮、2-丙醇，進行超聲波清洗后，實施氧等離子體處理 和氬等離子體處理。這些等離子體處理分別在將基板加熱至70~90°C的狀態(tài)下，在等離子 體功率100W、氣體流量20sccm、處理時間5sec的條件下進行。
[0426] <2>接著，采用真空蒸鍍法將作為胺系空穴輸送性材料的四對聯(lián)苯基-聯(lián)苯胺 (下述式HTL-1表示的化合物)蒸鍍在ΙΤ0電極上，形成平均厚度50nm的空穴輸送層。
[0428] <3>接著，采用真空蒸鍍法將發(fā)光層的構(gòu)成材料蒸鍍在空穴輸送層上，形成平均 厚度25nm的發(fā)光層。作為發(fā)光層的構(gòu)成材料，使用上述式D-2表示的化合物作為發(fā)光材料 (客體材料），使用上述式H1-2表示的化合物(并四苯系材料)作為主體材料。另外，使發(fā)光層 中的發(fā)光材料(摻雜劑)的含量(摻雜濃度)為4. Owt %。
[0429] <4>接著，采用真空蒸鍍法，將2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)在發(fā) 光層上成膜，形成平均厚度80nm的電子輸送層。
[0430] <5>接著，采用真空蒸鍍法將氟化鋰(LiF)在電子輸送層上成膜，形成平均厚度 lnm的電子注入層。
[0431] <6>接著，采用真空蒸鍍法將A1在電子注入層上成膜。由此，形成由A1構(gòu)成的平 均厚度1 〇 〇 nm的陰極。
[0432] <7>接著，按照覆蓋形成的各層的方式被覆玻璃制保護層(密封部件），用環(huán)氧樹 脂固定、密封。
[0433] 經(jīng)過以上的工序，制造出發(fā)光元件。
[0434] 實施例1-2
[0435] 使用上述式H1-5表示的化合物（并四苯系材料）作為發(fā)光層的主體材料，除此以 外，與上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0436] 實施例1-3
[0437] 使用上述式H1-13表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，除此以 外，與上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0438] 實施例1-4
[0439] 使發(fā)光層中的發(fā)光材料(摻雜劑)的含量(摻雜濃度)為1. Owt %，除此以外，與上述 實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0440] 實施例1-5
[0441 ]使發(fā)光層中的發(fā)光材料(摻雜劑)的含量(摻雜濃度)為2. Owt %，除此以外，與上述 實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0442] 實施例1-6
[0443]使發(fā)光層中的發(fā)光材料(摻雜劑）的含量(摻雜濃度)為10 . Owt %，除此以外，與上 述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0444] 實施例1-7
[0445] 使發(fā)光層的平均厚度為15nm，并且使電子輸送層的平均厚度為90nm，除此以外，與 上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0446] 實施例1-8
[0447] 使發(fā)光層的平均厚度為50nm，并且使電子輸送層的平均厚度為55nm，除此以外，與 上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0448] 實施例1-9
[0449] 使發(fā)光層的平均厚度為70nm，并且使電子輸送層的平均厚度為35nm，除此以外，與 上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0450] 實施例1-10
[0451] 使用上述式D-1表示的化合物作為發(fā)光層的發(fā)光材料，除此以外，與上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0452] 實施例1-11
[0453] 使用上述式D-3表示的化合物作為發(fā)光層的發(fā)光材料，除此以外，與上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0454] 比較例卜1
[0455] 使用Alq3作為發(fā)光層的主體材料，除此以外，與上述實施例1-垌樣地制造發(fā)光元件。
[0456] 實施例2-1
[0457] 使用上述式H2-34表示的化合物(蒽系材料)作為發(fā)光層的主體材料，除此之外，與 上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0458] 實施例2-2
[0459] 使用上述式H2-61表示的化合物(蒽系材料)作為發(fā)光層的主體材料，除此之外，與 上述實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0460] 實施例2-3
[0461] 使用上述式H2-66表示的化合物(蒽系材料)作為發(fā)光層的主體材料，除此之外，與 上述實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0462] 實施例2-4
[0463] 使發(fā)光層中的發(fā)光材料(摻雜劑)的含量(摻雜濃度)為1. Owt %，除此之外，與上述 實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0464] 實施例2-5
[0465] 使發(fā)光層中的發(fā)光材料(摻雜劑)的含量(摻雜濃度)為2. Owt %，除此之外，與上述 實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0466] 實施例2-6
[0467] 使發(fā)光層中的發(fā)光材料(摻雜劑）的含量(摻雜濃度)為10.Owt%，除此之外，與上 述實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0468] 實施例2-7
[0469] 使發(fā)光層的平均厚度為15nm，并且使電子輸送層的平均厚度為90nm，除此之外，與 上述實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0470] 實施例2-8
[0471] 使發(fā)光層的平均厚度為50nm，并且使電子輸送層的平均厚度為55nm，除此之外，與 上述實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0472] 實施例2-9
[0473] 使發(fā)光層的平均厚度為70nm，并且使電子輸送層的平均厚度為35nm，除此之外，與 上述實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0474] 實施例2-10
[0475] 使用上述式D-1表示的化合物作為發(fā)光層的發(fā)光材料，除此之外，與上述實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0476] 實施例2-11
[0477] 使用上述式D-3表示的化合物作為發(fā)光層的發(fā)光材料，除此之外，與上述實施例2-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0478] 比較例2-1
[0479] 使用Alq3作為發(fā)光層的主體材料，除此之外，與上述實施例2-垌樣地制造發(fā)光元件。
[0480] 實施例3-1
[0481] 使用三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)作為發(fā)光層的主體材料，在電子輸送層使用上述式 ETL-A3表示的化合物(氮雜中氮茚系化合物），除此之外，與上述實施例1-1同樣地制造發(fā)光 元件。
[0482] 實施例3-2
[0483]使用上述式H1-5表示的化合物（并四苯系材料）作為發(fā)光層的主體材料，除此之 外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0484] 實施例3-3
[0485] 使用上述式H1-13表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，除此之 外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0486] 實施例3-4
[0487] 使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，并且使發(fā) 光層的平均厚度為45nm、電子輸送層的平均厚度為60nm，除此之外，與上述實施例3-1同樣 地制造發(fā)光元件。
[0488] 實施例3-5
[0489] 使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，并且使發(fā) 光層的平均厚度為15nm、電子輸送層的平均厚度為90nm，除此之外，與上述實施例3-1同樣 地制造發(fā)光元件。
[0490] 實施例3-6
[0491] 使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，另外，利 用真空蒸鍍法將Alq3、上述式ETL-A3表示的化合物依次層疊形成電子輸送層，除此之外，與 上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0492]其中，對于電子輸送層而言，由Alq3構(gòu)成的層的平均厚度為20nm、由上述式ETL-A3 表示的化合物構(gòu)成的層的平均厚度為60nm。
[0493] 實施例3-7
[0494] 使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，另外，利 用真空蒸鍍法將上述式H1-5表示的化合物、Alq 3、上述式ETL-A3表示的化合物依次層疊形 成電子輸送層，除此之外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0495] 其中，發(fā)光層的平均厚度為35nm。另外，對于電子輸送層而言，由上述式H1-5表示 的化合物構(gòu)成的層的平均厚度為20nm、由Alq 3構(gòu)成的層的平均厚度為20nm、由上述式ETL-A3表示的化合物構(gòu)成的層的平均厚度為30nm。
[0496] 實施例3-8
[0497] 使用上述式D-1表示的化合物作為發(fā)光層的發(fā)光材料，使用上述式H1-5表示的化 合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，除此之外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光 元件。
[0498] 實施例3-9
[0499] 使用上述式D-3表示的化合物作為發(fā)光層的發(fā)光材料，使用上述式H1-5表示的化合 物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，除此之外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0500] 比較例3-1
[0501] 使用2,9_二甲基-4,7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)作為電子輸送層的電子輸送性 材料，除此以外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0502] 參考例1
[0503] 使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，使用2,9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)作為電子輸送層的電子輸送性材料，并且使發(fā)光層 的平均厚度為45nm，電子輸送層的平均厚度為60nm，除此以外，與上述實施例3-1同樣地制 造發(fā)光元件。
[0504] 參考例2
[0505] 使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，使用2,9_ 二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)作為電子輸送層的電子輸送性材料，并且使發(fā)光層 的平均厚度為15nm，電子輸送層的平均厚度為90nm，除此以外，與上述實施例3-1同樣地制 造發(fā)光元件。
[0506] 參考例3
[0507]使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，另外，利 用真空蒸鍍法將Alq3、BCP依次層疊來形成電子輸送層，除此以外，與上述實施例3-1同樣地 制造發(fā)光元件。
[0508]其中，對于電子輸送層而言，由Alq3構(gòu)成的層的平均厚度為20nm，由BCP構(gòu)成的層 的平均厚度為60nm〇
[0509] 參考例4
[0510] 使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，另外，利 用真空蒸鍍法將上述式H1-5表示的化合物、Alq 3、BCP依次層疊來形成電子輸送層，除此以 外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0511] 其中，發(fā)光層的平均厚度為35nm。另外，對于電子輸送層而言，由上述式H1-5表示 的化合物構(gòu)成的層的平均厚度為20nm，由Alq 3構(gòu)成的層的平均厚度為20nm，由BCP構(gòu)成的層 的平均厚度為30nm〇
[0512] 參考例5
[0513] 使用上述式H1-5表示的化合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，使用Alq3 作為電子輸送層的電子輸送性材料，除此以外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0514] 參考例6
[0515]使用上述式D-1表示的化合物作為發(fā)光層的發(fā)光材料，使用上述式H1-5表示的化 合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，使用BCP作為電子輸送層的電子輸送性材料， 除此以外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0516] 參考例7
[0517]使用上述式D-3表示的化合物作為發(fā)光層的發(fā)光材料，使用上述式H1-5表示的化 合物(并四苯系材料)作為發(fā)光層的主體材料，使用BCP作為電子輸送層的電子輸送性材料， 除此以外，與上述實施例3-1同樣地制造發(fā)光元件。
[0518] 6.評價
[0519] 在各實施例和比較例中，使用恒定電流電源（Τ0Υ0 Corporation制 KEITHLEY2400)，使lOOmA/cm2的恒定電流流過發(fā)光元件，使用分光輻射亮度計（Konica Minolta Sensing株式會社制CS-2000)測定此時的發(fā)光峰值波長。使用光功率測試儀(ADC CORPORATION制光功率計8230)測定發(fā)光功率。應(yīng)予說明，在實施例1-11、2-11、3-9以及參考 例7的發(fā)光峰值波長和發(fā)光功率等的測定中使用Ocean Optics公司制S2000。
[0520] 另外，還測定此時的電壓值(驅(qū)動電壓）。
[0521 ] 進而，測定亮度為初期亮度的80 %的時間(LT80)。
[0522] 將這些測定結(jié)果示于表1、表2、表3。應(yīng)予說明，實施例1-1、1-10、1-11以及比較例 1-1中的發(fā)光元件的發(fā)光光譜示于圖5,實施例2-1、2-10、2-11和比較例2-1的發(fā)光元件的發(fā) 光光譜示于圖6,實施例3-2、3-8、3-9和比較例3-1的發(fā)光元件的發(fā)光光譜示于圖7。
[0523] 表 1


[0529]由表1可知，實施例1-1~1-11的發(fā)光元件在近紅外區(qū)域發(fā)光，并且與比較例1-1的 發(fā)光元件相比，能夠得到高發(fā)光功率。另外，實施例1-1~1-11的發(fā)光元件與比較例1-1的發(fā) 光元件相比，能夠抑制驅(qū)動電壓。因此，實施例1-1~1-11的發(fā)光元件具有優(yōu)異的發(fā)光效率。
[0530] 另外，實施例1-1~1-11的發(fā)光元件與比較例1-1的發(fā)光元件相比，具有長壽命。
[0531] 由表2可知，實施例2-1~2-11的發(fā)光元件在近紅外區(qū)域發(fā)光，并且與比較例2-1的 發(fā)光元件相比，能夠得到高發(fā)光功率。另外，實施例2-1~2-11的發(fā)光元件與比較例2-1的發(fā) 光元件相比，能夠抑制驅(qū)動電壓。因此，實施例2-1~2-11的發(fā)光元件具有優(yōu)異的發(fā)光效率。
[0532] 另外，實施例2-1~2-11的發(fā)光元件與比較例2-1的發(fā)光元件相比，具有長壽命。
[0533] 由表3可知，實施例3-1~3-9的發(fā)光元件在近紅外區(qū)域發(fā)光，并且與比較例3-1的 發(fā)光元件相比，能夠得到高發(fā)光功率。另外，實施例3-1~3-9的發(fā)光元件與比較例3-1和參 考例1~7的發(fā)光元件相比，能夠抑制驅(qū)動電壓。因此，實施例3-1~3-9的發(fā)光元件具有優(yōu)異 的發(fā)光效率。
[0534] 另外，實施例3-1~3-9的發(fā)光元件與比較例3-1和參考例1~7的發(fā)光元件相比，具 有長壽命。
[0535] 符號說明
[0536] 1、1A…發(fā)光兀件，2…基板，3…陽極，4…空穴注入層，5…空穴輸送層，6…發(fā)光層， 7…電子輸送層，8…電子注入層，9…陰極，10···密封部件，13···陰極，14···層疊體，100…顯 示器裝置，1000···認證裝置，l〇〇l···保護層玻璃，1002···微透鏡陣列，1003···受光元件組， 1004…受光兀件驅(qū)動部，1005···控制部，1006···發(fā)光兀件驅(qū)動部，20···密封基板，21···基板， 22…平坦化層，24···驅(qū)動用晶體管，241…半導(dǎo)體層，242…柵極絕緣層，243…柵電極，24令·· 源電極，245…漏電極，27···布線，3l···隔壁，32···反射膜，33···防腐蝕膜，34…陰極保護層， 35…環(huán)氧樹脂層，1100···個人電腦，1102···鍵盤，1104···主體部，1106···顯示單元，F(xiàn)…生物 體。
【主權(quán)項】
1. 一種發(fā)光元件，其特征在于，具有： 陽極， 陰極， 發(fā)光層，設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間，且通過在所述陽極和所述陰極之間通電而 發(fā)光； 所述發(fā)光層，含有下述式(1)表示的化合物作為發(fā)光材料；所述式（1)中，A各自獨立地表示芳基、芳基氨基、三芳基胺，B各自獨立地表示烷基、芳 基， 所述發(fā)光層含有下述式IRH-5表示的化合物作為保持所述發(fā)光材料的主體材料而構(gòu) 成·所述式IRH-5中，R1、R2各自獨立地表示氫原子、烷基、芳基，另外，R1、R 2互相可以相同也 可以不同。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其中，所述式(1)中，B分別為苯基或甲基。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層含有下述式IRH-7表示的 化合物作為保持所述發(fā)光材料的主體材料而構(gòu)成，所述式IRH-7中，R1、1?2各自獨立地表示氫原子、烷基、芳基，另外，R1、1? 2互相可以相同也 可以不同。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件，其特征在于，所述發(fā)光層含有下述式IRH-8表示的 化合物作為保持所述發(fā)光材料的主體材料而構(gòu)成，所述式IRH-8中，R1、R2各自獨立地表示氫原子、烷基、芳基，另外，R1、R 2互相可以相同也 可以不同。5. -種發(fā)光裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件。6. -種認證裝置，其特征在于，具備權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件。7. -種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件。
【文檔編號】C07D513/04GK106025099SQ201610561918
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2012年4月10日
【發(fā)明人】藤田徹司, 山本英利
【申請人】精工愛普生株式會社