形成金屬硅化物的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種形成金屬硅化物的方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件，在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件上沉積金屬薄膜，在金屬薄膜上沉積帽層，進(jìn)行第一次退火，去除未反應(yīng)的金屬薄膜及帽層，進(jìn)行第二次退火，其中，沉積金屬薄膜的過程依次包括以下兩個(gè)步驟：使用高功率沉積第一金屬薄膜；使用低功率沉積第二金屬薄膜。在第一步驟中，使用高功率沉積金屬薄膜，鉑(Pt)的含量較高，能夠提高相穩(wěn)定性，減少尖峰信號(hào)或尖頭信號(hào)。在第二步驟中，使用低功率沉積金屬薄膜，鎳(Ni)的含量較高，不僅在去除階段易于剝離，還可以減少鉑鎳合金的殘余量。
【專利說明】
形成金屬硅化物的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種形成金屬硅化物的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著金屬硅化物被廣泛用于諸如CMOS的平面半導(dǎo)體器件，其中鎳硅化物(N1-Silicide)被認(rèn)為是最行之有效的降低接觸電阻R。的金屬硅化物。相比于諸如鈦硅化物(T1-Silicide)、鈷硅化物(Co-Silicide)等其它金屬硅化物，鎳硅化物具有低硅耗、低形成熱預(yù)算、低電阻率和不存在線寬效應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn)。但是，它的缺點(diǎn)是熱穩(wěn)定性差，在600°C開始結(jié)團(tuán)，在750°C左右低阻NiSi開始向高阻的NiSi2轉(zhuǎn)化，致使薄層電阻升高，器件性能退化。因此，為了提高相穩(wěn)定性，進(jìn)一步在硅化物中使用鉑鎳合金結(jié)構(gòu)來改善鎳硅化物的穩(wěn)定性。
[0003]在現(xiàn)有的金屬硅化物形成方法中，通常以制備的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)為基礎(chǔ)，通過物理氣相沉積(PVD)在金屬氧化物半導(dǎo)體上沉積諸如鎳(Ni)和氮化鈦(TiN)材料的金屬薄膜及帽層；隨后進(jìn)行第一次退火；待使用諸如濕法剝離的方法移除未反應(yīng)的金屬和帽層后，繼續(xù)進(jìn)行第二次退火，從而得到具有低電阻率相的金屬硅化物。但是，在現(xiàn)有的金屬硅化物形成方法中，通常以相同的功率驅(qū)動(dòng)物理氣相沉積過程，使用相同功率將使得諸如鉑鎳合金的典型金屬薄膜材料中的鉑(Pt)含量較高。由于鉑(Pt)等金屬不易于在諸如濕法剝離的階段中被去除，可能引起諸如鉑(Pt)的薄膜金屬成分的殘余，嚴(yán)重影響后續(xù)工藝的進(jìn)行。同時(shí)，使用含鉑(Pt)量較高的鉑鎳合金形成金屬薄膜也將顯著增加源漏極的電阻率Rs。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種形成金屬硅化物的方法。
[0005]本發(fā)明提供一種制備金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的方法，包括:一種形成金屬硅化物的方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件；在所述金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件上沉積金屬薄膜；在所述金屬薄膜上沉積帽層；進(jìn)行第一次退火；去除未反應(yīng)的所述金屬薄膜及帽層；進(jìn)行第二次退火。其中，所述沉積金屬薄膜的過程依次包括以下兩個(gè)步驟:使用高功率沉積第一金屬薄膜；使用低功率沉積第二金屬薄膜。
[0006]其中，所述金屬薄膜為鎳鉑合金，所述使用高功率沉積第一金屬薄膜的過程中，金屬薄膜的鉑(Pt)含量較高。
[0007]其中，所述金屬薄膜為鎳鉑合金，所述使用低功率沉積第二金屬薄膜的過程中，金屬薄膜的鎳(Ni)含量較高。
[0008]其中，所述金屬硅化物為鎳鉑硅化物。
[0009]其中，所述金屬薄膜的沉積過程使用物理氣相沉積(PVD)。
[0010]其中，所述帽層材料為氮化鈦(TiN)。
[0011]其中，所述去除未反應(yīng)的金屬薄膜及帽層的過程使用濕法剝離。
[0012]其中，所述使用高功率沉積的第一金屬薄膜的厚度小于使用低功率沉積的第二金屬薄膜的厚度。
[0013]其中，所述使用高功率沉積的第一金屬薄膜全部用于形成金屬硅化物。
[0014]其中，所述使用低功率沉積的第二金屬薄膜部分用于形成金屬硅化物。
[0015]其中，所述退火過程使用激光退火或快速熱退火(RTA)。
[0016]其中，如權(quán)利要求8所述的形成金屬硅化物的方法，所述濕法剝離使用硫酸(H2SO4)或過氧化氫(H2O2) ο
[0017]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明所提供的形成金屬硅化物的方法包括沉積金屬薄膜的兩個(gè)步驟。在第一步驟中，使用高功率沉積金屬薄膜，鉑(Pt)的含量較高，所沉積的鉑鎳(NiPt)合金薄膜全部用于形成金屬娃化物，較高的鈾(Pt)含量能夠提高金屬娃化物的相穩(wěn)定性，減少元件的尖峰信號(hào)或尖頭信號(hào)缺陷。在第二步驟中，使用低功率沉積金屬薄膜，鎳(Ni)的含量較高，所沉積的鉑鎳合金薄膜部分用于形成金屬硅化物，較高的鎳(Ni)含量不僅在去除階段易于剝離，還可以減少在去除階段后鉑鎳合金的殘余量。
【附圖說明】
[0018]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0019]圖1a為本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體襯底上的金屬氧化半導(dǎo)體器件的示意圖；
[0020]圖1b為本發(fā)明在金屬氧化物半導(dǎo)體器件上以高功率沉積第一鉑鎳合金薄膜并以低功率沉積第二鉑鎳合金薄膜的示意圖；
[0021]圖1c為本發(fā)明沉積氮化鈦(TiN)帽層的示意圖；
[0022]圖1d為本發(fā)明第一次快速熱退火的示意圖；
[0023]圖1e為本發(fā)明濕法剝離的示意圖；
[0024]圖1f為本發(fā)明第二次快速熱退火的示意圖。
[0025]圖2為本發(fā)明形成金屬硅化物的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0027]應(yīng)予以注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述具體實(shí)施例，而非意圖限制根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0028]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層和區(qū)域的厚度，并且使用相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件，因而將省略對(duì)它們的描述。
[0029]圖1a為本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體襯底上的金屬氧化半導(dǎo)體器件的示意圖。如圖1a所示，在本發(fā)明中所述的半導(dǎo)體襯底100通常為晶圓，也稱晶片。其優(yōu)選為硅晶片。硅晶片的原始材料為硅(Si)。其通常由二氧化硅礦石經(jīng)過提煉、鹽酸氯化、蒸餾提純、單晶硅生長后而成型。制作金屬氧化物半導(dǎo)體器件在清洗過后的襯底上進(jìn)行。形成柵氧化層的步驟優(yōu)選將娃晶圓襯底的表面氧化為約20nm厚的二氧化娃，并沉積約250nm厚的氮化娃(Si3N4)薄層。在經(jīng)過前置氧化及沉積后，優(yōu)選使用光刻膠輔助干法或者濕法剝離技術(shù)進(jìn)行剝離，以定義金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件的有源區(qū)。隨后進(jìn)行P阱離子和N阱離子的注入，并進(jìn)行退火，從而形成P阱或N阱。在P阱或N阱上生長用于將柵極與下方源極、漏極以及漏源極之間的導(dǎo)電溝道隔離開來的氧化介質(zhì)層，即柵氧化層105。柵氧化層的厚度約為2nm至1nm,要求P阱和N阱表面非常潔凈。
[0030]隨后優(yōu)選利用物理或化學(xué)氣相沉積沉積厚度約為150-300nm的多晶硅104，隨后在多晶硅表面成形光刻膠，并利用干法或濕法剝離進(jìn)行多晶硅的剝離，除去成形的光刻膠后即得到金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的柵極101。
[0031]隨后，在柵極表面生長氧化層，在柵極表面沉積厚度約為120nm至ISOnm的氮化硅(Si3N4) ο氮化硅(Si3N4)在水平表面的薄層被剝離之后，留下隔離側(cè)墻110，用以精確定位源極和漏極的離子注入?yún)^(qū)域。
[0032]在隨后的源/漏極注入過程中，優(yōu)選使用淺深度、重?fù)诫s的砷離子進(jìn)行注入，形成源極(漏極)102和漏極(源極)103。
[0033]進(jìn)一步地，如圖1a制成的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件的表面的接觸電阻較大。重?fù)诫s的多晶硅由于自身雜質(zhì)固溶度的限$1」，會(huì)使得電路的RC時(shí)間變長，從而限制特征尺寸的進(jìn)一步減小，難以滿足超大規(guī)模集成電路的要求。因此，現(xiàn)代技術(shù)優(yōu)選采用能夠同時(shí)克服源/漏極及多晶硅柵的接觸電阻和薄層電阻對(duì)器件性能的影響的硅化物自對(duì)準(zhǔn)工藝，目前，鈦(Ti)和鈷(Co)的自對(duì)準(zhǔn)工藝隨著器件性能的不斷提高，已經(jīng)不能滿足器件性能要求，此時(shí)，鎳(Ni)硅化物的低硅耗、低形成熱預(yù)算、低電阻率和不存在線寬效應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn)使其成為新的替代材料。但鎳硅化物的相穩(wěn)定性差，為提高相穩(wěn)定性，優(yōu)選采用在硅化物中使用鉑鎳合金結(jié)構(gòu)來改善鎳硅化物的穩(wěn)定性。
[0034]使用鈾鎳合金雖然能夠提升穩(wěn)定性，卻引起兩個(gè)技術(shù)問題:第一，當(dāng)薄膜金屬中的鉑(Pt)含量較高時(shí)，會(huì)增加源漏極的電阻率；第二，當(dāng)薄膜中的鉑(Pt)含量較高時(shí)，由于鉑(Pt)不易溶于酸性試劑，不易于在濕法剝離中被去除，因此會(huì)增加濕法剝離后鉑(Pt)的殘余量。進(jìn)一步的，為了使得鉑鎳合金在去除階段易于剝離，減少鉑鎳合金的殘余量，并解決現(xiàn)有技術(shù)中鉑含量較高的金屬薄膜將增加器件源漏極的電阻率的技術(shù)問題，本發(fā)明優(yōu)選使用兩個(gè)步驟沉積鉑鎳合金。
[0035]圖1b為本發(fā)明在金屬氧化物半導(dǎo)體器件上以高功率沉積第一鉑鎳合金薄膜并以低功率沉積第二鉑鎳合金薄膜的示意圖。如圖1b所示，在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的表面以較高的功率沉積第一層鉑鎳合金薄膜106，再以較低的功率沉積第二層鉑鎳合金薄膜107。第一層鉑鎳合金薄膜106和第二層鉑鎳合金薄膜107均勻地沉積在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)的表面。優(yōu)選地，可以使用諸如真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜等物理氣相沉積(PVD)方法來沉積鉑鎳合金薄膜。
[0036]需要注意的是，沉積第一層鉑鎳合金薄膜所使用的高功率在大于等于3000W且小于等于5000W的范圍內(nèi)，優(yōu)選為4000W ;沉積第二層鉑鎳合金薄膜所使用的低功率在大于等于1000W且小于等于3000W的范圍內(nèi)，優(yōu)選為2000W。此外，還需要注意的是，使用較高的功率沉積的鉑鎳合金薄膜厚度小于使用低功率沉積的鉑鎳合金薄膜的厚度。優(yōu)選的，以較高的功率沉積的鉑鎳合金薄膜厚度在大于等于30埃且小于等于60埃的范圍內(nèi)。以較低的功率沉積的鉑鎳合金薄膜厚度在大于等于80埃且小于等于150埃的范圍內(nèi)。并且，使用較高的功率沉積的鉑鎳合金薄膜全部用于形成鉑鎳硅化物，而使用較低的功率沉積的鉑鎳合金薄膜僅部分用于形成鉑鎳硅化物。
[0037]也需要注意的是，由于使用較高的功率沉積，第一層鉑鎳合金薄膜的含鉑(Pt)量較高，因此具有較好的相穩(wěn)定性，能夠減少元件的尖峰信號(hào)或尖頭信號(hào)缺陷；而第二層鉑鎳合金薄膜由較低的功率沉積，含鉑(Pt)量較低，因此在去除階段易于剝離，還可以減少鉑鎳合金的殘余量。需要注意的是，所沉積的兩層金屬薄膜還可以使用其他適用的金屬或合金。
[0038]圖1c為本發(fā)明沉積氮化鈦(TiN)帽層的示意圖。如圖1c所示，在沉積的兩層金屬薄膜上沉積材料為氮化鈦(TiN)的帽層108。氮化鈦為由離子鍵、共價(jià)鍵和金屬鍵混合組成的寬禁帶半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)決定了其耐高溫、耐腐蝕、硬度高、化學(xué)穩(wěn)定性好的特性。由于氮化鈦(TiN)具有良好的導(dǎo)電性能和穩(wěn)定的物理化學(xué)特性，優(yōu)選地使用氮化鈦(TiN)作為帽層108的材料，從而對(duì)沉積第一層鉑鎳合金薄膜和第二層鉑鎳合金薄膜的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件起到保護(hù)和增益的作用。
[0039]此外，需要注意的是，氮化鈦(TiN)在一般情況下與水、鹽酸等均不反應(yīng)，僅在氧化性酸或加入氧化劑的酸的情況下得以溶解。因此，在后續(xù)的去除過程中優(yōu)選使用氧化性酸或加入氧化劑的酸進(jìn)行濕法剝離。
[0040]圖1d為本發(fā)明第一次快速熱退火的示意圖。如圖1d所示，對(duì)沉積的金屬薄膜和帽層進(jìn)行第一次退火。退火能夠以消除多晶硅與硅晶圓襯底的缺陷和內(nèi)應(yīng)力，恢復(fù)硅晶格的完整性，形成晶化的多晶硅。同時(shí)，在高溫環(huán)境下，在柵極101和源極(漏極)102以及漏極(源極)103的表面形成由已反應(yīng)的鉑鎳合金和氮化鈦(TiN)帽層所形成的薄膜109。該步驟能夠讓金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件有最佳化的金屬電性接觸和可靠性。
[0041]退火過程優(yōu)選在600-1000°C的溫度范圍進(jìn)行熱退火處理。退火過程有多種方式，包括常規(guī)熱退火、快速熱退火(RTA)、激光退火等。常規(guī)熱退火能夠修復(fù)硅表面的晶體損傷，但同時(shí)會(huì)造成表面雜質(zhì)的進(jìn)一步擴(kuò)散。與常規(guī)熱退火處理相比，激光退火或快速熱退火(RTA)可以保證退火前后器件的結(jié)深和雜質(zhì)分布不會(huì)發(fā)生明顯的改變，并且具有設(shè)備簡單、成本低、操作方便、可在大面積上進(jìn)行退火等的優(yōu)點(diǎn)。
[0042]本發(fā)明的第一次退火優(yōu)選采用快速熱退火(RTA)進(jìn)行退火處理。快速熱退火優(yōu)選快速升溫到1000°c左右的目標(biāo)溫度，并在注入氬氣(Ar)或氮?dú)?N2)的快速熱處理機(jī)中進(jìn)行?？焖贌嵬嘶鸬纳郎剡^程和短暫的持續(xù)時(shí)間能夠在晶格缺陷的修復(fù)、激活雜質(zhì)和最小化雜質(zhì)擴(kuò)散的三者之間取得優(yōu)化。需要注意的是，退火溫度、退火時(shí)間以及襯底溫度均對(duì)快速熱退火(RTA)得到的晶化物有顯著的影響。因此，需要選取適當(dāng)?shù)耐嘶饻囟?、退火時(shí)間以及襯底溫度。
[0043]本發(fā)明的第一次退火優(yōu)選采用激光退火進(jìn)行退火處理。激光退火的加熱時(shí)間較短，能夠避免破壞多晶硅和硅晶圓襯底的其它特性。激光退火的過程優(yōu)選使用激光束照射半導(dǎo)體表面，在照射區(qū)內(nèi)產(chǎn)生極高的溫度，使晶體的損傷得到修復(fù)，并消除位錯(cuò)。其能夠有效地消除離子注入所產(chǎn)生的晶格缺陷，同時(shí)由于加熱時(shí)間極短(約為常規(guī)熱退火的百萬分之一)，可避免破壞集成電路的淺結(jié)電導(dǎo)率和其它結(jié)特性。激光退火根據(jù)工作方式可以使用納秒級(jí)單脈沖激光退火，毫秒級(jí)單脈沖激光退火等，其中，優(yōu)選使用納秒級(jí)脈沖激光退火。需要注意的是，激光退火的關(guān)鍵參量是功率、光斑大小和掃描速度。
[0044]圖1e為本發(fā)明濕法剝離的示意圖。濕法剝離優(yōu)選為使用化學(xué)的方法來溶解器件表面的物質(zhì)，可能產(chǎn)生氣體、液體或可溶于腐蝕溶液中的副產(chǎn)物。如圖1e所示，可以使用氧化性酸或加入氧化劑的酸對(duì)器件表面的經(jīng)過第一次熱退火而未反應(yīng)的鉑鎳合金薄膜和帽層進(jìn)行剝離。優(yōu)選的，所述的氧化性酸或加入氧化劑的酸為硫酸或過氧化氫。此外，還可以選擇使用硝酸、磷酸、氫氟酸及其混合物等。需要注意的是，影響濕法剝離速率的主要因素為溫度、化學(xué)試劑的濃度以及要被腐蝕薄膜的成分。
[0045]需要注意的是，由于圖1c中的使用低功率沉積的鉑鎳(NiPt)合金薄膜的鉑(Pt)含量較低，因此濕法剝離能夠較好地完成去除的過程，并且鉑鎳(NiPt)合金的殘余量較少。
[0046]圖1f為本發(fā)明第二次退火的示意圖。圖1f示出了第二次退火的示意圖。退火過程優(yōu)選在600-1000°C的溫度范圍進(jìn)行熱退火處理。退火過程有多種方式，包括常規(guī)熱退火、快速熱退火(RTA)、激光退火等。常規(guī)熱退火能夠修復(fù)硅表面的晶體損傷，但同時(shí)會(huì)造成表面雜質(zhì)的進(jìn)一步擴(kuò)散。與常規(guī)熱退火處理相比，激光退火或快速熱退火(RTA)可以保證退火前后器件的結(jié)深和雜質(zhì)分布不會(huì)發(fā)生明顯的改變，并且具有設(shè)備簡單、成本低、操作方便、可在大面積上進(jìn)行退火等的優(yōu)點(diǎn)。類似地，第二次熱退火優(yōu)選使用激光退火或快速熱退火(RTA)完成第二次退火。
[0047]圖2為本發(fā)明形成金屬硅化物的方法的流程圖。本發(fā)明提供的形成金屬硅化物的方法包括:提供半導(dǎo)體襯底并在半導(dǎo)體襯底上形成有金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件的步驟201 ;在金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)器件上沉積金屬薄膜的步驟202 ;其中，沉積金屬薄膜的過程依次包括以下兩個(gè)步驟:使用高功率沉積第一金屬薄膜的步驟203 ;使用低功率沉積第二金屬薄膜的步驟204。隨后，在金屬薄膜上沉積帽層205，進(jìn)行第一次退火206，去除未反應(yīng)的金屬薄膜及帽層207，并進(jìn)行第二次退火208。在沉積第一金屬薄膜的步驟203中，使用高功率沉積金屬薄膜，該金屬薄膜全部用于形成金屬硅化物，其中鉑(Pt)的含量較高，能夠提高相穩(wěn)定性，減少尖峰信號(hào)或尖頭信號(hào)。在沉積第二金屬薄膜的步驟204中，使用低功率沉積金屬薄膜，該金屬薄膜僅部分用于形成金屬硅化物，其中鎳(Ni)的含量較高，不僅在去除階段易于剝離，還可以減少去除后鉑鎳合金的殘余量。
[0048]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種形成金屬硅化物的方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上形成有金屬氧化物半導(dǎo)體器件； 在所述金屬氧化物半導(dǎo)體器件上沉積金屬薄膜； 在所述金屬薄膜上沉積帽層； 進(jìn)行第一次退火； 去除未反應(yīng)的所述金屬薄膜及帽層； 進(jìn)行第二次退火； 其特征在于，所述沉積金屬薄膜的過程依次包括以下兩個(gè)步驟: 使用高功率沉積第一金屬薄膜； 使用低功率沉積第二金屬薄膜。2.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述金屬薄膜為鎳鉑合金，所述使用高功率沉積第一金屬薄膜的過程中，金屬薄膜的鉑含量較高。3.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述金屬薄膜為鎳鉑合金，所述使用低功率沉積第二金屬薄膜的過程中，金屬薄膜的鎳含量較高。4.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述金屬硅化物為鎳鉑硅化物。5.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述金屬薄膜的沉積過程使用物理氣相沉積。6.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述帽層材料為氮化鈦。7.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述去除未反應(yīng)的金屬薄膜及帽層的過程使用濕法剝離。8.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述使用高功率沉積的第一金屬薄膜的厚度小于使用低功率沉積的第二金屬薄膜的厚度。9.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述使用高功率沉積的第一金屬薄膜全部用于形成金屬娃化物。10.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述使用低功率沉積的第二金屬薄膜部分用于形成金屬娃化物。11.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述退火過程使用激光退火或快速熱退火。12.如權(quán)利要求7所述的形成金屬硅化物的方法，所述濕法剝離使用硫酸或過氧化氫。13.如權(quán)利要求8所述的形成金屬硅化物的方法，所述第一層金屬薄膜的厚度在30-60埃的范圍內(nèi)，所述第二層金屬薄膜的厚度在80-150埃的范圍內(nèi)。14.如權(quán)利要求1所述的形成金屬硅化物的方法，所述高功率在3000-5000W的范圍內(nèi)，所述低功率在1000-3000W的范圍內(nèi)。15.如權(quán)利要求14所述的形成金屬硅化物的方法，所述高功率為4000W，所述低功率為2000ffo
【文檔編號(hào)】H01L21/283GK106033721SQ201510107508
【公開日】2016年10月19日
【申請(qǐng)日】2015年3月11日
【發(fā)明人】劉英明
【申請(qǐng)人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司