結(jié)合不同圖案材料的光學(xué)光刻技術(shù)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及結(jié)合不同圖案材料的光學(xué)光刻技術(shù)。具體的，本發(fā)明提供一種用于圖案化工件的技術(shù)，所述工件例如集成電路工件。在示范性實施例中，所述方法包含接收工件，所述工件具有設(shè)置在襯底上的材料層。第一組鰭形成在所述材料層上，并且第二組鰭形成在所述材料層上，穿插在所述第一組鰭之間。所述第二組鰭具有與所述第一組鰭不同的蝕刻劑靈敏度。在所述第一組鰭上實施第一蝕刻工藝并且經(jīng)配置以避免實質(zhì)上蝕刻所述第二組鰭。在所述第二組鰭上實施第二蝕刻工藝并且經(jīng)配置以避免實質(zhì)上蝕刻所述第一組鰭。所述材料層被蝕刻以轉(zhuǎn)移圖案，所述圖案由所述第一蝕刻工藝和所述第二蝕刻工藝界定。
【專利說明】
結(jié)合不同圖案材料的光學(xué)光刻技術(shù)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及光學(xué)光刻技術(shù)，特別地，涉及結(jié)合不同圖案材料的光學(xué)光刻技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路(IC)工業(yè)已經(jīng)歷了快速的發(fā)展。在IC發(fā)展期間，隨著幾何尺寸(即，通過采用制造程序的最小部件(或線))的減小，功能密度(即，每一個芯片的互連元件的數(shù)量)普遍地增加。這種按比例縮小工藝通常提供了增加生產(chǎn)效率以及降低相關(guān)成本的有益效果。然而，這種按比例縮小同時也伴隨著增加了包括這種IC元件在設(shè)計和制造中的復(fù)雜性，同時，為了實現(xiàn)這些有益效果，也同樣需要在元件制造中的類似發(fā)展。
[0003]僅舉一例，光刻技術(shù)的發(fā)展在降低元件尺寸方面至為重要。一般來說，光刻技術(shù)用于在目標(biāo)上形成圖案。在一種光刻技術(shù)類型中，其被稱為“光學(xué)光刻技術(shù)”，在目標(biāo)上預(yù)鍍光阻涂覆之前，輻射(例如紫外光)在穿過遮罩或照射到遮罩時被反射。光學(xué)光刻技術(shù)將圖案傳遞到光阻，所述光阻在之后被選擇性地移除以顯示所述圖案。所述目標(biāo)然后接受工藝步驟，其利用移除光阻后的形狀而在目標(biāo)上形成特征。光刻技術(shù)的另一種類型，其被稱為“直寫式光刻技術(shù)”，采用激光、電子束(e-beam)、離子束或其它狹窄聚焦式輻射，以暴露涂層阻劑或直接圖案化材料層。電子束光刻技術(shù)是直寫式光刻技術(shù)中最常見的類型之一，并且通過引導(dǎo)電子的平行束到所要暴露的區(qū)域，電子束光刻技術(shù)可以優(yōu)良的精確性移除、增加或改變材料層。
[0004]為了追求元件特征更小的臨界尺寸(CD)，可實施多次的光學(xué)光刻圖案化技術(shù)，從而界定一種圖案。同樣地，可通過包含沉積和蝕刻的其它技術(shù)而補充所述阻劑的光學(xué)光刻圖案化技術(shù)，以便在將所述圖案傳遞到基底層之前進(jìn)一步界定所述圖案。將這種組合增加到制造步驟的同時，也提供了更好的控制以及用于形成所述圖案的更大范圍。因此，盡管其造成了一些挑戰(zhàn)，但圖案化技術(shù)和材料的新組合也同時具有進(jìn)一步提高CD控制、克服現(xiàn)有CD的局限性并且由此而使所要制造的電路元件更加穩(wěn)健的潛質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種圖案化工件的方法，所述方法包含:接收工件，所述工件具有待圖案化的材料層;在所述材料層上形成第一組鰭;在所述材料層上形成第二組鰭，所述第二組鰭穿插在所述第一組鰭之間，其中第二組鰭具有與所述第一組鰭不同的蝕刻劑靈敏度;在所述第一組鰭上實施第一蝕刻工藝，經(jīng)配置以避免實質(zhì)上蝕刻所述第二組鰭;在所述第二組鰭上實施第二蝕刻工藝，經(jīng)配置以避免實質(zhì)上蝕刻所述第一組鰭；以及蝕刻所述材料層，從而將圖案轉(zhuǎn)移到所述材料層，所述圖案由所述第一蝕刻工藝和所述第二蝕刻工藝界定。
[0006]本發(fā)明還提供一種制造方法，其包含:接收襯底，所述襯底具有設(shè)置其上的材料層;在所述材料層上沉積第一鰭材料，以界定第一組鰭;在所述材料層上所述第一組鰭之間的沉積第二組鰭材料，以界定第二組鰭，其中所述第二組鰭具有與所述第一材料不同的蝕刻劑靈敏度;采用選擇性蝕刻所述第一組鰭的蝕刻程序，在所述第一組鰭上實施第一鰭切割工藝;采用選擇性蝕刻所述第二組鰭的蝕刻程序，在所述第二組鰭上實施第二鰭切割工藝；以及將所述圖案轉(zhuǎn)移到材料層，所述圖案由在所述第一鰭切割工藝之后剩余的所述第一組鰭的部分以及所述第二鰭切割工藝之后剩余的所述第二組鰭的部分而界定。
[0007]本發(fā)明更提供一種圖案化方法，其包含:接收包含材料層的工件;在所述材料層上形成第一組鰭和第二組鰭，其中所述第二組鰭中的鰭穿插在所述第一組鰭的鰭之間，并且其中所述第一組鰭具有與所述第二組鰭不同的蝕刻劑靈敏度;在所述第一組鰭上實施第一圖案化工藝，以移除所述第一組鰭的子集合，并且蝕刻所述材料層的第一暴露部分，所述材料層在所述第一組鰭所述移除的子集合的下方，其中所述第一圖案化工藝經(jīng)配置以避免移除所述第二組鰭的暴露部分；以及在所述第二組鰭上實施第二圖案化工藝，以移除所述第二組鰭的子集合，并且蝕刻所述材料層的第一暴露部分，所述材料層在所述第二組鰭所述移除的子集合的下方，其中所述第二圖案化工藝經(jīng)配置以避免移除所述第一組鰭的暴露部分。
【附圖說明】
[0008]為協(xié)助讀者達(dá)到最佳理解效果，建議在閱讀本揭露時同時應(yīng)閱讀以下具體描述。應(yīng)理解的是，根據(jù)工業(yè)中的常規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，各種特征并未按比例示出。事實上，為更清楚地論述，各種特征尺寸可任意地增大或減小。
[0009]圖1是根據(jù)本揭露不同方面的可操作實施光刻技術(shù)的光學(xué)光刻系統(tǒng)框圖。
[0010]圖2是根據(jù)本揭露不同方面的用于圖案化工件的方法流程圖。
[0011 ]圖3-10是根據(jù)本揭露不同方面的接受圖案化方法的工件部分截面圖。
[0012]圖1IA和IIB是根據(jù)本揭露不同方面的接受圖案化方法的工件部分俯視圖。
[0013]圖12-17是根據(jù)本揭露不同方面接受圖案化方法的工件部分的其它截面圖。
[0014]圖18是根據(jù)本揭露不同方面采用定向自組裝材料而圖案化工件的第二方法流程圖。
[0015]圖19-21是根據(jù)本揭露不同方面的接受第二圖案化方法的工件部分截面圖。
[0016]圖22是根據(jù)本揭露不同方面的用于圖案化工件的第三方法流程圖。
[0017]圖23-30是根據(jù)本揭露不同方面的接受第三圖案化方法的工件部分截面圖。
【具體實施方式】
[0018]本揭露主要涉及IC元件的制造，并且更具體來說，涉及用于以光學(xué)光刻圖案化工件以形成一組特征的系統(tǒng)和技術(shù)。
[0019]本說明書提供了數(shù)個不同的實施方法或?qū)嵤├捎糜趯崿F(xiàn)本發(fā)明的不同特征。以下所描述的組件和裝置的具體示例用以簡化本揭露。當(dāng)然，這些只是示例并且旨在不局限于此。例如，以下所描述的在第二特征之上或在第二特征上形成第一特征，那么包含了以直接接觸的方式形成所述第一和第二特征的實施例，并且也包含了在所述第一和第二特征之間形成附加特征的實施例，而這樣的所述第一和第二特征可以不是直接接觸的。另外，本揭露在不同示例中可重復(fù)參考數(shù)字和/或參考字母。所述重復(fù)的目的在于簡明及清楚，但其本身不決定所描述的實施例和/或構(gòu)造之間的關(guān)系。
[0020]此外，空間上的相關(guān)術(shù)語，例如“在…的下面”、“在…的下方”、“低于”、“在…的上方”以及“上面”等，此處可用于簡單地描述如圖中所示的一個元件或特征相對于另一(多個)元件或另一(多個)特征的關(guān)系。所述空間上的相關(guān)術(shù)語旨在包含除了圖中所描述的方向外，還包含在使用或操作中的元件的不同方向。另外，裝置可被定向(旋轉(zhuǎn)90度或以其它方向定向)，并且此處所用的空間上的相關(guān)描述符號可同樣作相應(yīng)地說明。
[0021]本揭露涉及采用光刻技術(shù)圖案化例如半導(dǎo)體襯底等工件。本揭露的技術(shù)同樣適用于范圍更廣的光刻技術(shù)，包含光學(xué)光刻和直寫式光刻技術(shù)。根據(jù)上下文，參照圖1，所描述的是一種適合用于實施一種光刻技術(shù)的光學(xué)光刻系統(tǒng)。為此，圖1是根據(jù)本揭露的各方面可操作實施光刻技術(shù)的光學(xué)光刻系統(tǒng)100的框圖。
[0022]光學(xué)光刻系統(tǒng)100，通常也可被稱為“掃描器”，其可經(jīng)操作而采用特征式輻射源和曝光模式以實施光學(xué)光刻曝光工藝。在所示的實施例中，光學(xué)光刻系統(tǒng)100是極紫外(EUV)光學(xué)光刻系統(tǒng)，其設(shè)計為采用波長范圍在約Inm和約10nm之間的EUV輻射而對工件曝光。在一些示范性實施例中，光學(xué)光刻系統(tǒng)100包含產(chǎn)生EUV輻射的輻射源102，其波長在約為13.5nm的附近范圍內(nèi)。在一個這類的實施例中，EUV輻射源102采用激光式等離子體(LPP)以產(chǎn)生EUV輻射，其用激光使介質(zhì)(例如錫微滴)加熱成為高溫等離子體。
[0023]光學(xué)光刻系統(tǒng)100還包含照明裝置104，所述照明裝置104將經(jīng)由輻射源102產(chǎn)生的輻射聚焦并塑形。照明裝置104可包含具有單片式鏡片和/或陣列式鏡片(例如，波帶片)的折射光學(xué)部件，并且可包含具有單片式反光鏡和/或反光鏡陣列的反射光學(xué)部件。盡管在實際的實施例中，照明裝置104可包含數(shù)十個(dozens)或甚至數(shù)百個鏡片和/或反光鏡，然而為了清楚起見，圖1所示的光學(xué)部件的數(shù)量已經(jīng)減少。光學(xué)部件經(jīng)設(shè)置并對準(zhǔn)以將由輻射源102放射的輻射投影到被固定在遮罩平臺108中的遮罩106上。照明裝置104的光學(xué)部件也可使所述輻射沿光路塑形，從而產(chǎn)生在遮罩106上的特定照明圖案。
[0024]遮罩106包含多個反射區(qū)域和吸收區(qū)域(在反射遮罩的情況下)和/或多個透射區(qū)域和吸收區(qū)域(在透射遮罩的情況下)。在穿過遮罩106或由遮罩106反射后，輻射被導(dǎo)向通過投影光學(xué)模塊110，也被稱為投影光學(xué)框(Ρ0Β)。與照明裝置104類似，投影光學(xué)模塊110可包含具有單片式鏡片和/或陣列式鏡片(例如，波帶板)的折射光學(xué)部件，并且可包含具有單片式反光鏡和/或反光鏡陣列的反射光學(xué)部件。投影光學(xué)模塊110的光學(xué)部件設(shè)置并調(diào)整為指向傳輸穿過遮罩106或由遮罩106反射的輻射，并且將其投影在工件112上，例如所示的半導(dǎo)體襯底或任何適合的工件，所述工件保留在襯底平臺114中。
[0025]由遮罩106反射或傳輸?shù)妮椛溆糜诒┞豆ぜ?12。在工件112上由投影光學(xué)模塊110投影的輻射引起目標(biāo)的感光部件的變化。在普遍的示例中，工件112包含具有感光光阻層的半導(dǎo)體襯底。感光光阻層暴露到輻射的部分經(jīng)受化學(xué)轉(zhuǎn)變，使其或多或少對發(fā)展工藝又較高的靈敏度。在示范性實施例中，在暴露之后，感光光阻層經(jīng)受顯影后烘烤、發(fā)展、沖洗和干化的過程，從而移除感光光阻層的部分并且使剩余的部分硬化。在工件112上實施的后續(xù)工藝階段可采用圖案化的光阻從而選擇性地加工工件112部分。
[0026]參照圖2-17，現(xiàn)將描述一種用于光學(xué)光刻圖案化的技術(shù)，其采用光學(xué)光刻系統(tǒng)100和/或任何其它適合的直寫式或光學(xué)光刻系統(tǒng)而實施。如以下更詳細(xì)的描述，通過利用圖案化材料中不同蝕刻劑靈敏度，所述技術(shù)可以減少光學(xué)光刻技術(shù)之間(例如線形成和線切割)對于對準(zhǔn)方面的要求。圖2是根據(jù)本揭露的各方面用于圖案化工件112的方法200的流程圖。應(yīng)理解的是，額外的步驟可在方法200之前、期間和在其之后實施，并且為了描述方法200的其它實施例，此處所描述的一些所述步驟可被代替或被省略。圖3-10是根據(jù)本揭露的各方面工件112經(jīng)過圖案化方法的部分的截面圖。圖1lA和IlB是根據(jù)本揭露的各方面工件112經(jīng)過圖案化方法的部分的俯視圖。圖12-17是根據(jù)本揭露的各方面工件112經(jīng)過圖案化方法的部分的截面圖。為了清楚且容易地理解，省略了圖中的一些元件。
[0027]參照圖2中的方框202和圖3，接收工件112用于將其圖案化。示范性工件112包含其上可形成其它材料的襯底302。用于制造集成電路(IC)的襯底302的一種常用類型是整體硅襯底。另外或作為選擇，襯底302可包含另一元素(單一元素)半導(dǎo)體，例如晶體結(jié)構(gòu)中的鍺；化合物半導(dǎo)體，例如鍺化硅、碳化硅、砷化鍺、磷化鍺、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦;非半導(dǎo)體材料，例如鈉鈣玻璃、熔硅、熔石英和/或氟化鈣(CaF2);和/或其組合?？赡苄砸r底302還包含硅上絕緣(SOI)襯底。SOI襯底采用氧離子植入硅晶隔離法(SIM0X)、晶圓結(jié)合和/或其它適合的方法制造而成。在其它示例中，襯底302可包含多層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0028]襯底302可包含(例如，P型阱(wells)或η型阱(wells))的各種摻雜區(qū)域，例如源極/汲極區(qū)域。摻雜區(qū)域可摻雜以(例如磷或砷)的P型摻雜劑，和/或根據(jù)設(shè)計需求摻雜以(例如硼或BF2)的η型摻雜劑。摻雜區(qū)域可采用P阱結(jié)構(gòu)、N阱結(jié)構(gòu)、雙阱結(jié)構(gòu)或采用凸起結(jié)構(gòu)而形成在襯底上。摻雜區(qū)域可采用本位摻雜磊晶生長和/或其它適合的技術(shù)通過布植摻雜劑原子而形成。在一些實施例中，摻雜區(qū)域包含白圈/口袋型區(qū)域，其可以減少短溝道效應(yīng)(例如，穿通效應(yīng))，并且可通過傾角離子布植或其它適合的技術(shù)而形成。
[0029]襯底302還可包含各種形成在其上的材料層。在所示的實施例中，工件112包含所要被圖案化的材料層304和設(shè)置在材料層304上的犧牲層306。應(yīng)理解的是，襯底302可具有任何數(shù)量的材料層、遮罩層、犧牲層、阻劑層和/或形成在其上的其它層?？筛鶕?jù)部分有選擇性的蝕刻劑而選擇用于這些層的適合的材料。例如，所要被圖案化的材料層304和犧牲層306可構(gòu)造為具有不同蝕刻劑靈敏度的，從而可采用其對應(yīng)的蝕刻劑在不充分蝕刻其它層的情況下而移除每一層。例如，所給出的蝕刻劑的兩種材料可具有10:1的靈敏度比，其允許第一材料蝕刻一定的深度，即移除與第二材料等同的10%。因此，在各種實施例中，材料層304包含半導(dǎo)體和/或介電材料，例如半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物和/或半導(dǎo)體氮氧化物，而犧牲層306則包含具有不同蝕刻劑靈敏度的不同材料，例如不同的半導(dǎo)體、不同的半導(dǎo)體氧化物、不同的半導(dǎo)體氮化物、不同的半導(dǎo)體氮氧化物和/或其它介電材料。在這種實施例中，材料層304包含氧化硅，并且犧牲層306包含非晶硅，同時這些材料顯示出不同的蝕刻劑靈敏度。
[0030]光學(xué)光刻感光阻劑(例如，光阻)308可形成在犧牲層306上。可采用任何適合阻劑308的材料或化合物，并且所示的三層光阻阻劑308是一種這樣的示例。示范性三層阻劑308包含底層310、中間層312和頂層314，其每一個都具有不同的或至少獨立的材料。例如，底層310可包含CxHyOz材料、中間層312可包含SiCxHyOz聚合物材料，并且頂層314可包含具有光敏化合物的CxHyOz材料，其在暴露到輻射時引起頂層314的性質(zhì)改變。這種性質(zhì)改變可用于選擇性地移除阻劑308的暴露部分(在正型阻劑的情況下)或非暴露部分(在負(fù)型阻劑的情況下)。應(yīng)理解的是，在其它實施例中，三層光阻中的一個或多個層可被省略，并且其額外的層可提供作為三層光阻的一部分。
[0031]參照圖2中的方框204和圖4，圖案化阻劑層，并且在所示的實施例中，阻劑層308的頂層314首先被圖案化。圖案化可采用任何適合的光刻技術(shù)而實施，其包含光學(xué)光刻和/或直寫式光刻技術(shù)。一種示范性的光學(xué)光刻圖案化工藝包含阻劑層308的柔性烘烤、遮罩對準(zhǔn)、曝光、顯影后烘烤、發(fā)展阻劑層308、沖洗和干化(例如，硬質(zhì)烘烤)。一種示范性直寫式圖案化工藝包含采用電子束或其它能源掃描阻劑層308的表面以改變能源的密度，從而改變由阻劑層308的各種區(qū)域接收的劑量。以下將清楚地說明，在材料層308中形成的最終圖案是基于所述第一圖案，但其它中間圖案化步驟在方法200完成之前可以更改。圖4中的實施例示出了第一區(qū)域402和第二區(qū)域404，其中第一區(qū)域中第一圖案的形狀具有第一間距和寬度(例如，最小間距和寬度)，并且第二區(qū)域中的形狀具有第二間距和寬度(由虛線界定的邊界)從而表現(xiàn)本技術(shù)的靈活性以形成具不同間隔的特征。
[0032]參照圖2中的方框206和圖5，將圖案從阻劑層308轉(zhuǎn)移到犧牲層306以在犧牲層中形成心軸(mandrel)。心軸是特征形狀，其可用于對準(zhǔn)后續(xù)形成的間隔，而非直接用于圖案化材料層304。將圖案轉(zhuǎn)移到犧牲層306可包含一個或多個蝕刻工藝以使形成阻劑層308中的開口向下擴展。以這種方式，阻劑層308(和/或其頂層314)是用于蝕刻工藝中的遮罩。所述轉(zhuǎn)移過程可包含任何適合的蝕刻工藝，包含濕蝕刻、干蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻、灰化和/或其它適合的技術(shù)。可選擇蝕刻工藝和/或蝕刻試劑在不明顯蝕刻材料層304的情況下用以蝕刻犧牲層306。任何剩余的阻劑308可隨著犧牲層306的圖案化而被剝除。
[0033]參照圖2中的方框208和圖6A和6B，在犧牲層306心軸的側(cè)壁上形成第一間隔602。一部分是由于其形狀之故，第一間隔602的結(jié)構(gòu)被稱之為“鰭”。第一間隔602鰭的材料可包含任何適合的半導(dǎo)體、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物、半導(dǎo)體氮氧化物、其它介電材料和/或其它適合的材料，并且可選擇為具有不同的蝕刻劑靈敏度的材料層304和犧牲層306。例如，在一種具有氧化娃材料層304和非晶娃犧牲層306的實施例中，第一間隔602鰭包含氮化娃。
[0034]如圖6A和6B所示，在工件112的水平表面上沒有實質(zhì)上保留間隔材料的情況下，用于在犧牲層306的側(cè)壁上形成第一間隔602鰭的一種技術(shù)是沉積和蝕刻工藝。首先參照圖6A，在一個實施例中，第一間隔602的材料通過任何適合的工藝(包含原子層沉積(ALD)Jt學(xué)蒸鍍(CVD)、等離子體增強CVD(PECVD)和/或其它適合的沉積技術(shù))而沉積在犧牲層306和材料層304上。盡管圖6A中已示出在水平面上沉積的材料，但也可采用保形沉積技術(shù)。為了移除這種額外的材料，可實施例如干蝕刻或等離子蝕刻等非等向性蝕刻，從而回蝕且移除沉積在犧牲層306和材料層304的水平面上的第一間隔602的所述部分，如圖6B所示。以這種方式，只保留了沉積在犧牲層306心軸的垂直表面上的第一間隔602的所述部分。在各種示例中，沉積厚度和蝕刻技術(shù)調(diào)整為控制第一間隔602鰭的水平厚度(以參考標(biāo)記604示出)。所述第一間隔602的厚度與形成在材料層304中的特征厚度相關(guān)，并且在一些實施例中，沉積和蝕刻技術(shù)比起單獨光學(xué)光刻技術(shù)，可更精準(zhǔn)地操控特征厚度。
[0035]參照圖2中的方框210和圖7，可選擇性地移除犧牲層306的心軸，留下設(shè)置在材料層304上的第一間隔602鰭。可采用任何適合的蝕刻技術(shù)選擇性地移除心軸，包含濕蝕刻、干蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻、灰化和/或其它適合的技術(shù)，并且在沒有實質(zhì)性蝕刻第一間隔602或材料層304的情況下，蝕刻技術(shù)和蝕刻劑的化學(xué)過程可利用犧牲層306的蝕刻選擇性而移除心軸。
[0036]參照圖2中的方框212和圖8，在第一間隔602鰭的側(cè)壁上形成第二間隔802材料，以形成一組第二間隔802鰭。第二間隔802材料可包含任何適合的半導(dǎo)體、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物、半導(dǎo)體氮氧化物和/或其它適合的材料，并且可選擇地具有不同于第一間隔602和材料層304蝕刻劑靈敏度的。在一種示范性實施例中，第二間隔802包含非晶硅以提供所需的蝕刻劑選擇性。與第一間隔602類似，第二間隔802的材料可通過沉積和回蝕工藝而形成。對此，第二間隔802可通過任何適合的工藝保形沉積在工件112上，所述工藝包含ALD、CVD,PE CVD和/或其它適合的沉積技術(shù)，并且采用例如非等向性干蝕刻或等離子蝕刻技術(shù)等非等向性蝕刻而隨后蝕刻所述第二間隔802。在各種示例中，通過沉積厚度和蝕刻技術(shù)的調(diào)整以控制第二間隔802鰭的水平厚度，而這與在材料層304中最終形成的所述些特征厚度以及與特征之間的間隔有關(guān)。
[0037]參照圖2中的方框214和圖9，在由第一間隔602和第二間隔802界定的凹陷中形成第三間隔902。第三間隔902可包含任何適合的半導(dǎo)體、半導(dǎo)體氧化物、半導(dǎo)體氮化物、半導(dǎo)體氮氧化物和/或其它適合的材料，并且可選擇為具有與第一間隔602、第二間隔802和材料層304不同蝕刻劑靈敏度的。例如，第三間隔902可包含灰化移除介電材料(ARD)。在一些實施例(例如，在所述實施例中第三間隔鰭以最小間距而形成)中，沉積工藝在沒有回蝕工藝的情況下可足以形成第三間隔902鰭。在一些實施例中(例如，在所述實施例中鰭以不規(guī)則間距而形成，參照標(biāo)記904)，沉積是在回蝕工藝之后，從而使第三間隔902鰭在沒有實質(zhì)上沉積在水平面上的情況下而形成在工件112的垂直側(cè)壁上。沉積和任何回蝕工藝可以基本上如文中第一間隔602和第二間隔802所描述的方式實施。在沉積第三間隔902之后，可實施化學(xué)機械拋光/研磨(CMP)工藝，以研磨由第一、第二和第三間隔而界定的工件112的頂面。
[0038]參照圖2中的方框216和圖10，選擇性地移除第二間隔802而留下第一間隔602鰭和第三間隔902鰭，同時暴露材料層304的一部分。可采用任何適合的蝕刻技術(shù)而選擇性地移除第二間隔802，所述技術(shù)包含濕蝕刻、干蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻、灰化和/或其它適合的技術(shù)，并且在沒有實質(zhì)上蝕刻周圍結(jié)構(gòu)的情況下，所述蝕刻技術(shù)和蝕刻劑的化學(xué)過程可利用第二間隔802的選擇性蝕刻而移除心軸。第一間隔602和第三間隔902的剩余鰭延縱軸1102以平行線路延伸，如圖1IA和IIB所示。
[0039]在后續(xù)的步驟中，移除第一間隔602鰭和第三間隔902所選擇的部分，所述步驟稱為“鰭切割”(fin-cut)或“線切割”(line-cut)步驟。鰭切割防止相對應(yīng)的特征形成在材料層304中。在一些實施例中，光學(xué)光刻圖案化技術(shù)用于界定移除第一間隔602和/或第三間隔902的切割區(qū)域。圖1lA示出了由邊界框限定的示范性切割區(qū)域。在采用光學(xué)光刻技術(shù)界定切割區(qū)域時，由于應(yīng)用了多種圖案化技術(shù)，所以對準(zhǔn)方面的甚至微小誤差也能導(dǎo)致工件112不能使用。然而，所確定的是，通過采用改變用于每一種材料的間隔材料和各自的切割工藝，而降低了在對準(zhǔn)方面的要求。例如，如圖1lA所示，如果單一鰭切割用于移除所有的目標(biāo)鰭(即，如果僅使用單一鰭材料或如果示范性切割區(qū)域1104用于切割第一間隔602鰭和第三間隔902鰭)，切割區(qū)域1104的縱向邊緣將在間隔之間對準(zhǔn)。誤差范圍最多是在鰭之間的間隔，所述鰭是由垂直于縱向的方向測量而得。此外，彎曲的部分(例如，由參考標(biāo)記1106所示的彎曲部分)應(yīng)非常小心地控制，以避免鰭的非故意進(jìn)入。
[0040]相比之下，如果采用多種鰭切割程序，每個程序以不同的鰭材料作為目標(biāo)，那么將大大降低對準(zhǔn)的要求。例如，圖1lB示出了采用兩個切割區(qū)域以獲得相同效果的技術(shù)。具體來說，切割區(qū)域1108僅用于移除第一間隔602鰭，并且切割區(qū)域1110僅用于移除第三間隔902鰭。在圖1lB中，為了標(biāo)明清楚起見，在縱向上偏移切割區(qū)域1110。可以看出，待切割的特征(切割區(qū)域1108的第一間隔602鰭，以及切割區(qū)域1110的第二間隔802鰭)，其切割區(qū)域的縱向邊緣之間任何位置均可對準(zhǔn)。因此，誤差范圍即為相同材料類型的相鄰鰭間的間隔。切割區(qū)域的曲線區(qū)域可不修整鰭而有更大的余地。這種在對準(zhǔn)方面要求的降低可用于提高收益，從而進(jìn)一步減少⑶和/或在材料層304中制造完整的新圖案。
[0041]參照方框218-224，實施兩個獨立的切割工藝，其每一個可蝕刻特殊的間隔材料。應(yīng)理解的是，本揭露的理念應(yīng)用與任何數(shù)量的獨立特殊材料的鰭切割工藝，并且可采用任何順序而蝕刻間隔材料。在一個這樣的實施例中，如方框218-220所示，第一鰭切割工藝實施在第三間隔902鰭上。參照圖12中的方框218，阻劑1202，例如三層光阻，形成在工件112上并且以圖13所示的方式進(jìn)行圖案化從而暴露第三間隔902將要被移除的部分。所述圖案化可米用任何適合的光刻技術(shù)(包含光學(xué)光刻技術(shù)和/或直寫式光刻)而實施。圖案化的阻劑1202也可暴露第一間隔602鰭的部分。然而，由于隨后的蝕刻選擇性地移除了第三間隔902的材料，所以第一間隔602的部分將在基本上未蝕刻的情況下而保留。
[0042]參照圖2中的方框220和圖14，可通過蝕刻工藝或其它適合的技術(shù)而移除第三間隔902鰭的暴露部分。例如，第三間隔902可通過濕蝕刻、干蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻、灰化和/或其它適合的技術(shù)而被移除。蝕刻工藝和/或蝕刻化學(xué)過程可選擇為在不實質(zhì)上蝕刻第一間隔602或在下方的材料層304的情況下而蝕刻第三間隔902。阻劑1202的任何剩余部分可通過以下蝕刻而被移除。
[0043]如方框222-224所示，然后在第一間隔602鰭上實施切割工藝。所要重復(fù)的是，可以任何順序切割第一間隔602和第三間隔902。參照圖2中的方框222和圖15，另一阻劑1502，例如三層光阻，可形成在工件112上，并且圖案化所述阻劑1502以暴露第一間隔602將要被移除的部分。圖案化技術(shù)可采用任何適合的光學(xué)光刻技術(shù)(包含光學(xué)光刻和/或直寫式光刻)而實施。圖案化阻劑1502還可暴露第三間隔902和/或材料層304的部分。然而，由于后續(xù)蝕刻技術(shù)選擇性地移除了第一間隔602材料，所以圍繞的結(jié)構(gòu)可維持實質(zhì)上未蝕刻。
[0044]參照圖2中的方框224和圖16，第一間隔602鰭的暴露部分可通過蝕刻工藝或其它適合的技術(shù)而被移除。例如，其可包含濕蝕刻、干蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻、灰化和/或其它適合的技術(shù)。蝕刻工藝和/或蝕刻試劑可選擇為在不實質(zhì)上蝕刻第三間隔902或在下方的材料層304的情況下而蝕刻第一間隔602。阻劑1502的任何剩余部分可通過以下蝕刻工藝而被移除。
[0045]參照圖2中的方框226和圖17，采用第一間隔602和/或第三間隔902的剩余部分作為硬質(zhì)遮罩而圖案化材料層304。圖案化所述材料層可包含任何適合的蝕刻技術(shù)，例如濕蝕亥IJ、干蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻、灰化和/或其它適合的技術(shù)。以這種方式，最終圖案形成在材料層304上。然后，移除了第一間隔602和/或第三間隔902的剩余部分。如上所述，通過采用具有不同蝕刻劑靈敏度的材料，這種改進(jìn)的圖案化技術(shù)降低了在對準(zhǔn)方面的要求，減少了切割區(qū)域中因應(yīng)曲線的修剪，并可使最終圖案更清晰。當(dāng)然，這些有益效果僅是示范性的，并且所述有益效果不適用于任何特殊的實施例。
[0046]在圖案化材料層304之后，工件112進(jìn)入到方框228中的后續(xù)制造工藝。圖案化材料層304可結(jié)合任何蝕刻工藝(沉積工藝、布置工藝、磊晶工藝和/或其它制造工藝)使用。在各種示例中，圖案化材料層304用于制造柵極堆疊、用于制造互連結(jié)構(gòu)、用于形成非平面元件，其通過蝕刻而暴露鰭或通過磊晶生長的鰭材料和/或其它適合的應(yīng)用。
[0047]在前述的示例中，第二間隔802和第三間隔902采用獨立的沉積工藝而形成。與之相反，在一些實施例中，采用定向自組裝(Directed Self_Assembly，DSA)材料，是其分成第二間隔802材料和第三間隔902材料作為調(diào)制工藝的一部分。為了更詳細(xì)的介紹，DSA材料利用一些共聚物材料的優(yōu)勢以規(guī)律的且重復(fù)圖案化的方式對準(zhǔn)，例如球形、圓柱形、薄層狀(分層狀)和/或雙連續(xù)的螺旋十二面體結(jié)構(gòu)，所述術(shù)語稱之為微相分離。微相分離的共聚物的晶體形態(tài)依賴于所用的聚合物、與組成聚合物相關(guān)的量、包含溫度在內(nèi)的工藝變化和其它因素。通過控制DSA材料的組分和比例以及其固化工藝，可應(yīng)用一種無差別的DSA層，其以特定的間距分離成可個別加以蝕刻的第二間隔802鰭和第三間隔902鰭。
[0048]以下將參照圖18-21描述采用DSA材料而制造的技術(shù)。圖18是根據(jù)本發(fā)明的各方面采用定向自組裝材料而圖案化工件112的第二方法1800的流程圖。應(yīng)理解的是，額外的步驟可在方法1800之前、期間和在方法1800之后實施，并且此處描述的一些步驟可被方法1800的其它實施例代替或被省略。圖19-21是根據(jù)本揭露的各方面工件112經(jīng)過第二圖案化方法的部分的截面圖。為了清楚且容易地理解，此處簡化圖中的一些元件。
[0049]參照圖18中方框1802和圖19，所接受的工件112包含襯底302、待圖案化的材料層304和一組第一間隔602鰭，其每一個與圖2-7中所述的基本上相同。對此，第一間隔602鰭可采用與圖2中方框202-210基本上相同的方式而形成。參照圖18中的方框1804和圖20，定向自組裝(DSA)材料2002沉積在工件112上并且沉積在第一間隔602鰭之間。如上所述，在實施固化工藝時，DSA材料2002包含聚合物或組裝成具有均勻成分區(qū)域的化合物。在一些實施例中，DSA材料2002選擇為使這些區(qū)域可以選擇性被蝕刻并且使這些區(qū)域具有所希望的尺寸和形狀。具體來說，通過調(diào)整DSA材料2002組分的分子重量，可控制所產(chǎn)生區(qū)域的水平寬度，通過控制鰭寬度和特征尺寸而給設(shè)計者更精確的機制。各種適合的DSA材料包含一個或多個聚苯乙烯塊聚二甲硅氧烷(PS-b-H)MS)、聚苯乙烯塊有機玻璃(PS-b-PMMA)、氧化聚乙烯塊聚異戊二烯(PEO-b-PI)、氧化聚乙烯塊聚丁二烯(PE0-b-PB0)、氧化聚乙烯塊聚苯乙烯(PEO-b-PS)、氧化聚乙烯塊有機玻璃(PEO-b-PMMA)、聚醚乙烯氧化聚乙烯塊(PEO-b-PEE)、聚乙烯塊多邊形吡啶(PS-b-PI)、聚苯乙烯塊聚丁二烯(PS-b-PBD)、聚苯乙烯塊聚二茂鐵二甲基硅烷(PS-b-PFS)、聚丁二烯塊聚-2-氨基吡啶(PBD-b-PVP)和聚異戊二烯塊有機玻璃(P1-b-PMMA) ASA材料可通過適合的方法沉積而成，其中一些包含旋涂式涂覆、濺射、浸漬涂敷和其它適合的方法。
[0050]參照圖18中的方框1806和圖21，在DSA材料2002上實施固化工藝。固化工藝使DSA材料2002的組分自組裝到第二間隔2102鰭和第三間隔2104鰭中?？梢远ㄖ脐P(guān)于DSA材料的特殊固化工藝，并且在一些示例中包含加熱工件112和暴露DSA材料2002到紫外光。與其它參數(shù)一起，可調(diào)整加熱工藝期間的加熱和溫度參數(shù)以控制第二間隔2102鰭和第三鰭2104鰭的水平寬度(如參考標(biāo)記2106所示)。與圖2-17中的第二間隔802鰭和第三間隔902鰭類似，第二間隔2102鰭和第三間隔2104鰭可具有蝕刻靈敏度，其不同于第一間隔602材料和材料層304的每一個的靈敏度。
[0051]參照圖18中的方框1808，進(jìn)入到固化工藝，提供工件112以利用第一間隔鰭602和第三間隔鰭2104圖案化材料層304?；旧先鐖D2中方框216-224和圖10-16所述，其可包含移除第二間隔2102鰭以及一個或多個選擇性材料鰭切割工藝。剩余的第一間隔602鰭和第三間隔2104鰭的圖案可轉(zhuǎn)移到材料層304，基本上如圖2中方框226和圖17所述。隨后，工件112可提供用于制造柵極堆疊、用于制造互連結(jié)構(gòu)、用于形成非平面元件，通過蝕刻以暴露鰭或通過磊晶生長鰭材料和/或其它適合的應(yīng)用，基本上如圖2中方框228所示。
[0052]在前述的示例中，第一間隔鰭和第三間隔鰭形成在保留的材料層上。參照圖22-30，描述了所述技術(shù)的變化，即第一間隔鰭和第三間隔鰭形成在待蝕刻材料層的區(qū)域上。圖22是根據(jù)本揭露的各方面用于圖案化工件112的第三方面2200的流程圖。應(yīng)理解的是，額外的步驟可在方法2200之前、期間以及在方法200之后實施，并且此處描述的一些步驟可被方法2200的其它實施例代替或被省略。圖23-30是根據(jù)本揭露的各方面工件112經(jīng)過第三圖案化方法的部分的截面圖。為了清楚且容易地理解，此處簡化圖中的一些元件。
[0053]參照圖22中的方框2202和圖23，工件112接收為包含襯底302、待圖案化的材料層304、一組第一間隔602材料鰭、一組第二間隔802材料鰭和一組第三間隔902材料鰭。每一個原件與圖2-21中的上述元件基本上類似，并且可通過上述技術(shù)或任何其它適合的技術(shù)而形成(例如，圖2中的方框202-214，圖18中的方框1802-1806等)。例如，第二間隔802鰭和第三間隔902鰭可通過圖2中方框212-214的沉積和回蝕技術(shù)而形成，和/或通過圖18中方框1804-1806所述的DSA材料沉積和固化而成。
[0054]當(dāng)接收工件112，實施獨立的鰭切割工藝，選擇性地將第一間隔602材料或第三間隔902材料作為目標(biāo)。應(yīng)理解的是，本揭露的理念適用于任何數(shù)量的獨立材料特殊鰭切割工藝并且可以用任何順序蝕刻任何間隔材料。在一個這種實施例中，第一鰭切割工藝實施在第三間隔902鰭上，如方框2204-2206所示。首先參照圖22中的方框2204和圖24，阻劑2402，例如三層光阻，形成在工件112上，并且圖案化所述阻劑以暴露第三間隔902鰭的一部分，其界定了待蝕刻材料層304的區(qū)域。這與所述示例不同:在不將圖案轉(zhuǎn)移到材料層304的情況下阻劑暴露了待移除的第三間隔902的部分。也與前述的一些示例不同，S卩，第二間隔802鰭可在鰭切割工藝期間呈現(xiàn)在工件112上，如圖24所示。阻劑2402的圖案也可暴露第一間隔602鰭的部分。然而，后續(xù)蝕刻選擇性地移除了第三間隔902材料和材料層304，所以第一間隔602的暴露部分基本上未蝕刻。
[0055]對此，參照圖22中的方框2206和圖25，可移除第三間隔902鰭的暴露部分以暴露材料層304的部分，并且然后材料層304的暴露部分被蝕刻。這可通過單獨的蝕刻步驟或組合的蝕刻步驟而實施，并且任何適合的濕蝕刻、干蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻、灰化和/或其它適合的技術(shù)科實施在方框2206的工件上。在不實質(zhì)上蝕刻第一間隔602和第二間隔802的情況下，蝕刻工藝和/或蝕刻化學(xué)過程可選擇性地蝕刻第三間隔902和材料層304。阻劑2402的任何剩余部分可通過方框2206的以下蝕刻工藝而被移除。
[0056]然后，可在第一間隔602鰭上實施第二鰭切割工藝。所重復(fù)的是，第一間隔602和第三間隔902可以用任何順序切割。參照方框2208和圖26，另一阻劑2602，例如三層光阻，可形成在工件112上。阻劑2602可沉積在材料層304中，并且可填充形成在方框2206中的凹陷。圖案化阻劑2602以暴露第一間隔602的所述部分，從而將其轉(zhuǎn)移到材料層304。所述圖案化技術(shù)科采用任何適合的光學(xué)光刻技術(shù)而實施，其包含光學(xué)光刻技術(shù)和/或直寫式光刻技術(shù)。阻劑2602的圖案也可暴露第二間隔802和/或第三間隔902的部分。然而，由于后續(xù)的蝕刻選擇性地將第一間隔602材料作為目標(biāo)，所以圍繞結(jié)構(gòu)可基本上保持為被蝕刻。
[0057]參照圖22中的方框2210和圖27，可移除第一間隔602的暴露部分以暴露材料層304的部分，并且通過蝕刻工藝或其它適合的技術(shù)而蝕刻材料層304的暴露部分。這可通過獨立的蝕刻步驟或采用組合式蝕刻工藝而實施，并且任何適合的濕蝕刻、干蝕刻、反應(yīng)離子蝕亥|J、灰化和/或其它適合的技術(shù)科實施在方框2210中的工件上。在不完全蝕刻第二間隔802或第三間隔902的情況下，蝕刻工藝和/或蝕刻化學(xué)過程可選擇性地蝕刻第一間隔602和材料層304。阻劑2602的任何剩余部分可通過方框2210中的以下蝕刻技術(shù)而被移除。
[0058]參照圖22中方框2212和圖28，一個或多個填充材料2802可沉積在方框2204-2210中材料層304所形成的凹陷中。任何適合的填充材料2802可沉積在凹陷中，并且，盡管示出了各種示范性實施例，但應(yīng)理解的是本揭露的技術(shù)可用于任何填充材料2802作為制造工藝的一部分。在一個示例中，即材料層304是用于形成互連結(jié)構(gòu)的中間層介電材料，填充材料2802包含導(dǎo)體，例如T1、TiN、W、Al、其它金屬導(dǎo)體和/或非金屬導(dǎo)體。在一個示例中，即材料層304用于界定柵極結(jié)構(gòu)，填充材料2802包含接口介電材料、高介電系數(shù)柵極材料、柵極電極材料和/或一個或多個封蓋材料。在一個示例中，即材料層304用于形成鰭(其用于非平面的元件)，填充材料2802包含磊晶生長的半導(dǎo)體材料。在這些示例和其它示例中，填充材料2802可通過任何適合的工藝而形成，所述工藝包含旋涂式沉積、濺射、ALD、CVD、物理氣相沉積(PVD)和/或其它適合的工藝。
[0059]參照圖22的方框2214和圖29，移除了剩余的第一間隔602鰭、第二間隔802鰭和第三間隔902鰭。這可在方框2212中的沉積填充材料2802之前或之后實施。蝕刻循序具有不同的效果和公平性。例如，當(dāng)呈現(xiàn)間隔鰭的同時，待填充的凹陷也更深。在凹陷底部的化學(xué)試劑的流動性降低的同時，更高的縱橫比使間隔鰭的沉積更具挑戰(zhàn)性。然而，在沉積前移除間隔鰭可緩解形成在材料層304中的形狀。因此，方框2212和2214可以任何適合的方式實施。
[0060]如圖22中的方框2216和圖30所示，同樣依賴于其應(yīng)用，移除剩余的材料層304而在襯底上留下填充材料2802。參照圖22中的方框2218，提供工件112用于進(jìn)一步的制造工藝，其基本上如圖2中的方框228所示。
[0061]因此，本揭露提供一種用于在工件上形成特征的技術(shù)，其提供了較低的覆蓋要求以及較高的設(shè)計靈活性。在一些實施例中，所提供的方法包含接收工件，所述工件具有待圖案化的材料層。在所述材料層上形成第一組鰭。在所述材料層上形成第二組鰭，所述第二組鰭穿插在所述第一組鰭之間。第二組鰭具有與所述第一組鰭不同的蝕刻劑靈敏度。在所述第一組鰭上實施第一蝕刻工藝，經(jīng)配置以避免實質(zhì)上蝕刻所述第二組鰭。在所述第二組鰭上實施第二蝕刻工藝，經(jīng)配置以避免實質(zhì)上蝕刻所述第一組鰭。蝕刻所述材料層，從而將圖案轉(zhuǎn)移到所述材料層，所述圖案由所述第一蝕刻工藝和所述第二蝕刻工藝界定。在一些這種實施例中，形成第二組鰭包含將定向自組裝材料施加于所述工件的所述第一組鰭之間，以及在所述定向自組裝材料上實施固化工藝，所述固化工藝使得所述定向自組裝材料組件對準(zhǔn)而作為所述第二組鰭。在一些這種實施例中，形成第二組鰭還包含在不實質(zhì)上蝕刻所述第二組鰭和所述第一組鰭的情況下，從所述第二組鰭和所述第一組鰭之間選擇性地移除所述定向自組裝材料的另一組件。
[0062]在另一實施例中，提供了制造的方法，其包含接收襯底，所述襯底具有設(shè)置其上的材料層。在所述材料層上沉積第一鰭材料，以界定第一組鰭。在所述材料層上所述第一組鰭之間沉積第二組鰭材料，以界定第二組鰭。所述第二組鰭具有與所述第一材料不同的蝕刻劑靈敏度。采用選擇性蝕刻所述第一組鰭的蝕刻程序，在所述第一組鰭上實施第一鰭切割工藝。采用選擇性蝕刻所述第二組鰭的蝕刻程序，在所述第二組鰭上實施第二鰭切割工藝。將圖案轉(zhuǎn)移到材料層，所述圖案由在所述第一鰭切割工藝之后剩余的所述第一組鰭的部分以及所述第二鰭切割工藝之后剩余的所述第二組鰭的部分而界定。在一些這種實施例中，犧牲材料形成在材料層上并且被圖案化。為了界定第一組鰭，在所述圖案化的犧牲材料的側(cè)壁上沉積所述第一鰭材料，以界定所述第一組鰭。采用蝕刻技術(shù)移除所述犧牲材料，所述蝕刻技術(shù)經(jīng)配置以保留剩余在所述材料層上的所述第一組鰭。
[0063]在另一實施例中，提供了圖案方法，其包含接收包含材料層的工件。在所述材料層上形成第一組鰭和第二組鰭。所述第二組鰭中的鰭穿插在所述第一組鰭的鰭之間，并且所述第一組鰭具有與所述第二組鰭不同的蝕刻劑靈敏度。在所述第一組鰭上實施第一圖案化工藝，以移除所述第一組鰭的子集合，并且蝕刻所述材料層的第一暴露部分，所述材料層在所述第一組鰭所述移除的子集合的下方。所述第一圖案化工藝經(jīng)配置以避免移除所述第二組鰭的暴露部分。在所述第二組鰭上實施第二圖案化工藝，以移除所述第二組鰭的子集合，并且蝕刻所述材料層的第一暴露部分，所述材料層在所述第二組鰭所述移除的子集合的下方。所述第二圖案化工藝經(jīng)配置以避免移除所述第一組鰭的暴露部分。在一些這種實施例中，方法還包含在所述襯底上的所述材料層的所述第一被蝕刻部分中以及所述材料層的所述第二被蝕刻部分中沉積填充材料。在一些這種實施例中，在沉積填充材料之后選擇性地移除材料層。
[0064]上述概括了幾個實施例的特征，從而使本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解本揭露的各方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解的是，其可容易地將本揭露作為設(shè)計或修改其它工藝的基礎(chǔ)，從而達(dá)到此處所引用的實施例的相同目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同的有益效果。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)理解的是，這種等同的構(gòu)造不能背離本揭露的精神和范圍，并且在不背離本揭露的精神和范圍的情況下可進(jìn)行各種改變、替換和更改。
【主權(quán)項】
1.一種圖案化工件的方法，所述方法包含: 接收工件，所述工件具有待圖案化的材料層； 在所述材料層上形成第一組鰭； 在所述材料層上形成第二組鰭，所述第二組鰭穿插在所述第一組鰭之間，其中第二組鰭具有與所述第一組鰭不同的蝕刻劑靈敏度； 在所述第一組鰭上實施第一蝕刻工藝，經(jīng)配置以避免實質(zhì)上蝕刻所述第二組鰭； 在所述第二組鰭上實施第二蝕刻工藝，經(jīng)配置以避免實質(zhì)上蝕刻所述第一組鰭； 以及 蝕刻所述材料層，從而將圖案轉(zhuǎn)移到所述材料層，所述圖案由所述第一蝕刻工藝和所述第二蝕刻工藝界定。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二組鰭包含: 將定向自組裝材料施加于所述工件的所述第一組鰭之間；以及 在所述定向自組裝材料上實施固化工藝，所述固化工藝使得所述定向自組裝材料組件對準(zhǔn)而作為所述第二組鰭。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述第二組鰭還包含: 在不實質(zhì)上蝕刻所述第二組鰭和所述第一組鰭的情況下，從所述第二組鰭和所述第一組鰭之間選擇性地移除所述定向自組裝材料的另一組件。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法， 其中實施所述第一蝕刻工藝包含圖案化阻劑，以暴露待移除的所述第一組鰭的子集入η ? 其中所述圖案化阻劑的步驟暴露所述第二組鰭中的至少一個鰭，并且其中所述第一蝕刻工藝還經(jīng)配置以在所述第一蝕刻工藝之后保留所述第二組鰭中暴露的所述至少一個鰭。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法， 其中所述阻劑是第一阻劑， 其中實施所述第二蝕刻工藝包含圖案化第二阻劑，以暴露待移除的所述第二組鰭的子朱η ? 其中所述圖案化第二阻劑的步驟暴露所述第一組鰭中的至少一個鰭，并且其中所述第二蝕刻工藝還經(jīng)配置以在所述第二蝕刻工藝之后保留所述第一組鰭中暴露的所述至少一個鰭。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一組鰭包含: 蝕刻設(shè)置在所述材料層上的心軸材料，以界定垂直側(cè)壁； 在所述心軸材料的所述垂直側(cè)壁上形成所述第一組鰭的材料；以及 選擇性地移除所述心軸材料，同時保留剩余的所述第一組鰭的所述材料。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在所述垂直側(cè)壁上形成所述第一組鰭的所述材料包含: 在所述心軸材料上以及在所述材料層上實施所述材料的保形沉積； 實施所述材料的非等向性蝕刻，以移除設(shè)置在所述工件水平面上的所述材料部分。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二組鰭包含在所述第一組的所述側(cè)壁上形成間隔材料，并且在所述間隔材料之間以及在所述第一組鰭的鰭之間沉積所述第二組鰭的材料。9.一種制造方法，其包含: 接收襯底，所述襯底具有設(shè)置其上的材料層； 在所述材料層上沉積第一鰭材料，以界定第一組鰭； 在所述材料層上所述第一組鰭之間沉積第二組鰭材料，以界定第二組鰭，其中所述第二組鰭具有與所述第一材料不同的蝕刻劑靈敏度； 采用選擇性蝕刻所述第一組鰭的蝕刻技術(shù)，在所述第一組鰭上實施第一鰭切割工藝；采用選擇性蝕刻所述第二組鰭的蝕刻技術(shù)，在所述第二組鰭上實施第二鰭切割工藝；以及 將圖案轉(zhuǎn)移到材料層，所述圖案由在所述第一鰭切割工藝之后剩余的所述第一組鰭的部分以及所述第二鰭切割工藝之后剩余的所述第二組鰭的部分所界定。10.—種圖案化方法，其包含: 接收包含材料層的工件； 在所述材料層上形成第一組鰭和第二組鰭，其中所述第二組鰭中的鰭穿插在所述第一組鰭的鰭之間，并且其中所述第一組鰭具有與所述第二組鰭不同的蝕刻劑靈敏度； 在所述第一組鰭上實施第一圖案化工藝，以移除所述第一組鰭的子集合，并且蝕刻所述材料層的第一暴露部分，所述材料層在所述第一組鰭所述移除的子集合的下方，其中所述第一圖案化工藝經(jīng)配置以避免移除所述第二組鰭的暴露部分；以及 在所述第二組鰭上實施第二圖案化工藝，以移除所述第二組鰭的子集合，并且蝕刻所述材料層的第一暴露部分，所述材料層在所述第二組鰭所述移除的子集合的下方，其中所述第二圖案化工藝經(jīng)配置以避免移除所述第一組鰭的暴露部分。
【文檔編號】H01L21/311GK106057665SQ201510859123
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2015年11月30日
【發(fā)明人】曾晉沅, 洪繼正, 陳俊光, 陳德芳, 劉如淦, 高蔡勝, 林緯良
【申請人】臺灣積體電路制造股份有限公司