一種復(fù)合白光led及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種復(fù)合白光LED，包括基板，LED芯片及透光殼體，所述LED芯片底部固定于所述基板表面，所述基板上部套有透光殼體，在LED芯片上部覆蓋有熒光粉膠體，所述透光殼體內(nèi)表面附著有量子點(diǎn)薄膜，所述量子點(diǎn)薄膜與熒光粉膠體間為空氣間隙。本發(fā)明還公開(kāi)了該復(fù)合白光LED的制備方法。由于熒光粉膠與量子點(diǎn)殼體間留有空氣間隙，該空氣間隙可以防止量子點(diǎn)發(fā)射光與熒光粉發(fā)射光之間的吸收效應(yīng)；并且量子點(diǎn)薄膜與熒光粉層為曲面形貌，更利于光能量的取出，從而顯著提高復(fù)合白光LED的發(fā)光效率。本發(fā)明的操作方法簡(jiǎn)單，成本低，可靈活控制熒光粉膠與量子點(diǎn)薄膜的厚度、形貌以及成分，從而獲得高顯色性能的復(fù)合白光LED，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
【專利說(shuō)明】
一種復(fù)合白光LED及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明屬于LED封裝領(lǐng)域，更具體地，涉及一種復(fù)合白光LED及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體照明是一種基于高效白光發(fā)光二極管的新型照明技術(shù)。相比傳統(tǒng)照明光 源，具有發(fā)光效率高、耗電量少、可靠性高和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，被公認(rèn)為21世紀(jì)最具發(fā)展前景 的高技術(shù)領(lǐng)域之一。同時(shí)，基于白光LED背光的平板顯示技術(shù)近年來(lái)發(fā)展迅猛，已成為新的 經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。預(yù)計(jì)到2020年我國(guó)白光LED相關(guān)產(chǎn)值有望達(dá)到萬(wàn)億元。
[0003] 目前商業(yè)化的白光LED是利用藍(lán)光LED芯片激發(fā)黃色熒光粉，透射藍(lán)光與激發(fā)黃光 混合得到白光。然而由于光譜中缺乏紅光成分，因此傳統(tǒng)的白光LED有著顯色指數(shù)低、色彩 不飽和的缺陷?；诖?，國(guó)內(nèi)外學(xué)者與產(chǎn)業(yè)界提出在傳統(tǒng)白光LED中加入新的光轉(zhuǎn)換材料一 量子點(diǎn)。量子點(diǎn)是一種半導(dǎo)體材料，尺寸在2~20nm之間。由于量子點(diǎn)的發(fā)光波長(zhǎng)可以隨尺 寸調(diào)控，并且有著寬的吸收譜和窄的發(fā)射譜，因此同時(shí)摻有熒光粉和量子點(diǎn)的復(fù)合白光LED 有著出色的顯色性能，色彩飽和度高。然而現(xiàn)有的復(fù)合白光LED封裝結(jié)構(gòu)中，量子點(diǎn)層與熒 光粉層的形貌大多為平面形，未經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)，不利于光能量的取出；并且量子點(diǎn)與熒光粉 層之間的相互吸收作用導(dǎo)致能量損失，導(dǎo)致復(fù)合白光LED發(fā)光效率不高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷，本發(fā)明的目的是提供一種提高發(fā)光效率的復(fù)合白光 LED。
[0005] 本發(fā)明的另一目的是提供該復(fù)合白光LED的制備方法。
[0006] 為達(dá)到上述目的之一，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：
[0007] 一種復(fù)合白光LED，包括基板，LED芯片及透光殼體，所述LED芯片底部固定于所述 基板表面，所述基板上部套有透光殼體，在LED芯片上部覆蓋有熒光粉膠體，所述透光殼體 內(nèi)表面附著有量子點(diǎn)薄膜，所述量子點(diǎn)薄膜與熒光粉膠體間為空氣間隙。
[0008] 進(jìn)一步地，所述量子點(diǎn)薄膜的厚度為0.05~3mm，所述量子點(diǎn)薄膜包括量子點(diǎn)顆粒 和尚分子基質(zhì)。
[0009] 進(jìn)一步地，所述量子點(diǎn)顆粒在量子點(diǎn)薄膜中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1~10%，所述量子點(diǎn) 顆粒的發(fā)光波長(zhǎng)為450~700nm〇
[0010] 進(jìn)一步地，所述量子點(diǎn)顆粒為核殼結(jié)構(gòu)顆粒，所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的核層為硒化鎘、 硫硒化鎘、磷化銦、銅銦硫、鈣鈦礦中的一種或多種，所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的殼層為硫化鋅、硫 化鎘、硫鋅化鎘中的一種或多種;所述高分子基質(zhì)為聚甲基丙烯酸甲酯。
[0011] 進(jìn)一步地，所述量子點(diǎn)薄膜的邊緣厚度為中心厚度的50~100%。
[0012] 量子點(diǎn)顆粒的粒徑為2~30nm。
[0013] 進(jìn)一步地，所述透光殼體的材料為硅膠、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或玻璃;所 述透光殼體的形狀為半球形或球缺形。
[0014] 透光殼體的透光率大于90% ;透光殼體內(nèi)表面的直徑為1~30mm。
[0015] 進(jìn)一步地，所述熒光粉膠體的形貌為半球形或球缺形，底面半徑為0.7~1.5mm，高 度不超過(guò)底面半徑。
[0016] 進(jìn)一步地，所述熒光粉膠體包括熒光粉顆粒和硅膠，所述熒光粉顆粒的質(zhì)量分?jǐn)?shù) 為5~30%，所述熒光粉顆粒的發(fā)光波長(zhǎng)為450~700nm。
[0017] 熒光粉顆粒的粒徑為12~20μπι。
[0018] 進(jìn)一步地，所述LED芯片為垂直電極芯片或水平電極芯片，其襯底為藍(lán)寶石或硅。
[0019] -種制備權(quán)利上述的復(fù)合白光LED的方法，包括以下步驟：
[0020] Sl、點(diǎn)涂熒光粉膠:將熒光粉膠體點(diǎn)涂在所述LED芯片正上方，覆蓋LED芯片，形成 半球形或球缺形的形貌，再放入烘箱中，加熱，使熒光粉膠固化；
[0021] S2、制備量子點(diǎn)透光殼體:將甲基丙烯酸甲酯溶液與偶氮二異丁腈粉末混合后，加 入量子點(diǎn)，超聲震蕩，隨后將混合溶液加熱，吸取混合溶液注入透光殼體內(nèi)表面，再放入加 熱箱中使溶液固化；
[0022] S3、復(fù)合白光LED的封裝:將S2所得到的透光殼體安裝在基板上，完成復(fù)合白光LED 的封裝。
[0023] 總體而言，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明通過(guò)將熒光粉膠體和量子點(diǎn)殼體制作成曲面， 并且在熒光粉膠體與量子點(diǎn)殼體之間留有空氣間隙，從而具有下列有益效果：
[0024] 1、通過(guò)將熒光粉膠體與量子點(diǎn)殼體制作成曲面的結(jié)構(gòu)，可減少光能量在膠體與外 界面的全反射，從而提高復(fù)合白光LED取光效率。
[0025] 2、通過(guò)在熒光粉膠體與量子點(diǎn)殼體間留有空氣間隙，可減少熒光粉與量子點(diǎn)對(duì)彼 此光能量的相互吸收，從而減少吸收損失，提高復(fù)合白光LED取光效率。
[0026] 3、由于直接在透光殼體內(nèi)部制備得到曲面量子點(diǎn)薄膜，且量子點(diǎn)薄膜的邊緣光 滑，從而無(wú)需裁剪量子點(diǎn)薄膜，因而節(jié)省了量子點(diǎn)材料，降低了生產(chǎn)成本。
[0027] 4、本發(fā)明的操作方法簡(jiǎn)單，成本低，可靈活控制熒光粉膠與量子點(diǎn)薄膜的厚度、形 貌以及成分，從而獲得高顯色性能的復(fù)合白光LED，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。
【附圖說(shuō)明】
[0028] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的LED結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖2為本發(fā)明制備LED的流程圖；
[0030] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例2的LED結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031] 圖4是本發(fā)明對(duì)比例1的LED結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5是樣品測(cè)試的光譜分布圖；
[0033]在所有附圖中，相同的附圖標(biāo)記用來(lái)表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中：1001-基板、 1002-LED芯片、1003-熒光粉膠體、1004-空氣間隙、1005-量子點(diǎn)薄膜、1006-透光殼體、 1007-點(diǎn)膠設(shè)備、1008-封裝膠。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì) 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個(gè)實(shí)施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要 彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0035] 本發(fā)明提供了 一種復(fù)合白光LED，包括基板1001，LED芯片1002，焚光粉膠體1003， 量子點(diǎn)薄膜1005以及透光殼體1006,所述LED芯片1002底部固定于所述基板1001表面，所述 基板1001上部套有透光殼體1006,在LED芯片1002上部覆蓋有熒光粉膠體1003,所述透光殼 體1006內(nèi)表面附著有量子點(diǎn)薄膜1005,所述量子點(diǎn)薄膜1005與熒光粉膠體1004之間留有空 氣間隙1004,如圖1所示。
[0036] 所述透光殼體的透光率大于90%，材料可采用硅膠、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚 碳酸酯(PC)或玻璃等耐熱透光的硬質(zhì)材料，其形狀為半球形，內(nèi)表面的直徑為1~30mm。
[0037] 所述量子點(diǎn)薄膜的厚度為0.05~3mm，由粒徑為2~30nm的量子點(diǎn)顆粒和高分子基 質(zhì)組成，其中，所述量子點(diǎn)顆粒的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1~10%，所述量子點(diǎn)顆粒的發(fā)光波長(zhǎng)為 450nm~700nm。所述量子點(diǎn)顆粒為核殼結(jié)構(gòu)顆粒，所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的核層為硒化鎘 (CdSe)、硫硒化鎘(CdSSe)、磷化銦（InP)、銅銦硫(CuInS 2)、鈣鈦礦(CsPbX3,其中X = Cl，Br， I)中的一種或多種，所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的殼層為硫化鋅（ZnS)、硫化鎘（CdS)、硫鋅化鎘 (CdZnS)中的一種或多種;所述高分子基質(zhì)為聚甲基丙烯酸甲酯。量子點(diǎn)薄膜的厚度根據(jù)所 制備的復(fù)合白光LED的大小和性能而定，其組成則根據(jù)所制備的白光LED來(lái)選擇。
[0038] 所述熒光粉膠中的膠體為硅膠，環(huán)氧樹(shù)脂和液態(tài)玻璃中的一種或多種，形貌為半 球形或球缺形，底面半徑為0.7~1.5mm，高度不超過(guò)底面半徑，由粒徑為12~20μπι的熒光粉 顆粒和硅膠組成，其中，所述熒光粉顆粒的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5~30%，所述熒光粉顆粒的發(fā)光波 長(zhǎng)為450~700nm。
[0039] 所述LED芯片為垂直電極芯片或水平電極芯片，其襯底為藍(lán)寶石或硅。
[0040] 該復(fù)合白光LED的制備方法，包括以下步驟，如圖2所示：
[00411 Sl、點(diǎn)涂熒光粉膠。將所述熒光粉膠體1003通過(guò)點(diǎn)膠設(shè)備1007點(diǎn)涂在所述LED芯片 1002正上方，覆蓋LED芯片1002，形成半球形或球缺形的形貌，再放入烘箱中，150 °C加熱1小 時(shí)，使熒光粉膠固化；
[0042] S2、制備量子點(diǎn)透光殼體。取2mL甲基丙烯酸甲酯溶液與0.Olg偶氮二異丁腈粉末 混合后，加入量子點(diǎn)，超聲震蕩10分鐘，隨后將混合溶液在70°C下水浴10分鐘，再?gòu)幕旌先?液中吸取3~40yL，注入透光殼體1006內(nèi)表面，再放入45 °C的加熱箱中12小時(shí)使溶液固化； [0043] S3、復(fù)合白光LED的封裝。將S2所得到的透光殼體1006安裝在基板1001上，完成復(fù) 合白光LED的封裝。
[0044] 實(shí)施例1
[0045] S1、點(diǎn)涂熒光粉膠。本實(shí)施例采用粒徑為12μπι，發(fā)光波長(zhǎng)為555nm的熒光粉顆粒，熒 光粉膠的膠體采用A/B組分熱固化型硅膠，固化溫度為150°C。所用芯片尺寸為0.5mmX 0.5mmX0.1mm。首先將O.lg焚光粉顆粒與0.5g A膠、0.5g B膠混合并攪拌均勾，再放入真空 箱中抽真空30分鐘；隨后將制備的熒光粉膠體點(diǎn)涂在所述LED上方，形成半徑為1.5mm的半 球形形貌;再放入烘箱中，150°C加熱1小時(shí)，使熒光粉膠體固化；
[0046] S2、制備量子點(diǎn)殼體。本實(shí)施例采用直徑為30mm的透光殼體，其材料為聚碳酸酯 (PC)，透光率為95%。量子點(diǎn)成分為CdSe/ZnS，發(fā)光波長(zhǎng)為630nm。首先取2mL甲基丙烯酸甲 酯溶液與〇. Olg偶氮二異丁腈粉末混合后，加入3mg量子點(diǎn)，超聲震蕩10分鐘，隨后將混合溶 液在70 °C下水浴10分鐘，再?gòu)幕旌先芤褐形?0yL，注入開(kāi)口朝上的透光殼體內(nèi)表面，再放 入45°C的加熱箱中12小時(shí)使溶液固化;最終制備得到的量子點(diǎn)殼體中量子點(diǎn)薄膜的中間厚 度與邊緣厚度均約為0.9mm;
[0047] S3、復(fù)合白光LED的封裝。將S2所得到的量子點(diǎn)殼體安裝在基板上，完成復(fù)合白光 LED的封裝。其制備過(guò)程如圖2所示，得到的復(fù)合白光LED如圖1所示。
[0048] 實(shí)施例2
[0049] 以所述的相同步驟重復(fù)實(shí)施例1，區(qū)別在于，熒光粉采用平均粒徑為18um，發(fā)光波 長(zhǎng)為540nm的熒光粉，量子點(diǎn)采用發(fā)光波長(zhǎng)為630nm的CdSSe/ZnS量子點(diǎn)；將0.2g熒光粉顆粒 與0.5g A膠、0.5g B膠混合配制成熒光粉膠體，隨后將制備的熒光粉膠體點(diǎn)涂在所述LED上 方，形成底面半徑為1.5mm，高度為1.2mm的球缺形形貌;取2mL甲基丙稀酸甲酯溶液與0.Olg 偶氮二異丁腈粉末混合后，加入5mg量子點(diǎn)制備成混合溶液，取30yL混合溶液注入透光殼體 中，最終得到量子點(diǎn)殼體中量子點(diǎn)薄膜的中間厚度約為1.2mm，邊緣厚度約為0.9mm。得到的 復(fù)合白光LED如圖3所示。
[0050] 實(shí)施例3
[0051]以所述的相同步驟重復(fù)實(shí)施例1，區(qū)別在于，采用直徑為20mm的半球形透光殼體， 其材料為聚甲基丙烯酸甲酯，透光率為98 %。
[0052]熒光粉顆粒采用平均粒徑為15μπι，發(fā)光波長(zhǎng)為580nm的熒光粉顆粒，熒光粉顆粒的 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%。熒光粉膠形成底面半徑為1.0 mm，高度為0.8mm的球缺形形貌。
[0053]量子點(diǎn)采用發(fā)光波長(zhǎng)為520nm的CuInS2/ZnS量子點(diǎn)，量子點(diǎn)顆粒在量子點(diǎn)薄膜中 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為1 %，量子點(diǎn)薄膜的中間厚度約為3mm，邊緣厚度約為1.5mm。
[0054] 實(shí)施例4
[0055]以所述的相同步驟重復(fù)實(shí)施例1，區(qū)別在于，采用直徑為25mm的半球形透光殼體， 其材料為玻璃，透光率為90 %。
[0056]熒光粉顆粒采用平均粒徑為16μπι，發(fā)光波長(zhǎng)為650nm的熒光粉顆粒，熒光粉顆粒的 質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。熒光粉膠形成底面半徑為1.2mm，高度為I .Omm的球缺形形貌。
[0057] 量子點(diǎn)采用發(fā)光波長(zhǎng)為650nm的CsPbBr3/CdZnS量子點(diǎn)，量子點(diǎn)顆粒在量子點(diǎn)薄膜 中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，量子點(diǎn)薄膜的中間厚度約為1.5mm，邊緣厚度約為0.9mm。
[0058] 實(shí)施例5
[0059] 以所述的相同步驟重復(fù)實(shí)施例1，區(qū)別在于，熒光粉顆粒采用平均粒徑為12μπι，發(fā) 光波長(zhǎng)為500nm的熒光粉顆粒，熒光粉顆粒的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%。熒光粉膠形成底面半徑為 1.2mm的半球形形貌。
[0060] 量子點(diǎn)采用發(fā)光波長(zhǎng)為550nm的InP/CdS量子點(diǎn)，量子點(diǎn)顆粒在量子點(diǎn)薄膜中的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為5%，量子點(diǎn)薄膜的中間厚度和邊緣厚度均約為1.0mm。
[0061 ] 實(shí)施例6
[0062] 以所述的相同步驟重復(fù)實(shí)施例1，區(qū)別在于，熒光粉膠形成半徑為1.2mm的半球形 形貌;量子點(diǎn)薄膜的中間厚度約為1.2mm，邊緣厚度約為1.0mm。
[0063] 對(duì)比例1
[0064] 作為對(duì)比組，在實(shí)施例6得到的復(fù)合白光LED的熒光粉膠與量子點(diǎn)膠之間填滿封裝 膠（自固化型硅膠），將LED倒置，靜置兩小時(shí)使封裝膠固化，得到的復(fù)合白光LED，如圖4所 示，1001為基板、1002為L(zhǎng)ED芯片、1003為熒光粉膠體、1005為量子點(diǎn)薄膜、1006為透光殼體、 1008為封裝膠。
[0065] 測(cè)試實(shí)施例6(記為樣品1)和對(duì)比例1(記為樣品2)的復(fù)合白光LED的光學(xué)性能。
[0066] 測(cè)試設(shè)備為積分球(杭州遠(yuǎn)方，ATA-500)，測(cè)試電流為20mA。測(cè)試結(jié)果如下：
[0067]表1兩組樣品的測(cè)試結(jié)果
[0070]從測(cè)試結(jié)果中可以看出，樣品1(本發(fā)明所使用的封裝結(jié)構(gòu)）比樣品2(對(duì)比例所使 用的封裝結(jié)構(gòu))可以取得更高的出射光功率，并且相比樣品2,其光效提高了 12.66%。
[0071]分析原因，是由于本發(fā)明所使用的封裝結(jié)構(gòu)中，在熒光粉膠與量子點(diǎn)膠之間有空 氣層，該空氣層可減少熒光粉與量子點(diǎn)對(duì)彼此光能量的相互吸收，從而減少吸收損失，提高 復(fù)合白光LED取光效率。從圖5所示的光譜分布對(duì)比中也可以顯著看出，樣品1的熒光粉發(fā)射 光譜和量子點(diǎn)發(fā)射光譜能量明顯高于樣品2。因此，本實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明，本發(fā)明所使用的封裝 結(jié)構(gòu)確有利于白光LED取光效率的提高。
[0072]上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟 悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神和范疇下，對(duì)上述實(shí)例進(jìn)行修飾或改變。因此， 舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成 的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種復(fù)合白光LED，包括基板，LED芯片及透光殼體，所述LED芯片底部固定于所述基 板表面，所述基板上部套有透光殼體，其特征在于，在LED芯片上部覆蓋有熒光粉膠體，所述 透光殼體內(nèi)表面附著有量子點(diǎn)薄膜，所述量子點(diǎn)薄膜與熒光粉膠體間為空氣間隙。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合白光LED，其特征在于，所述量子點(diǎn)薄膜的厚度為0.05~ 3mm，所述量子點(diǎn)薄膜包括量子點(diǎn)顆粒和高分子基質(zhì)。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合白光LED，其特征在于，所述量子點(diǎn)顆粒在量子點(diǎn)薄膜中 的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.1~10%，所述量子點(diǎn)顆粒的發(fā)光波長(zhǎng)為450~700nm。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合白光LED，其特征在于，所述量子點(diǎn)顆粒為核殼結(jié)構(gòu)顆粒， 所述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的核層為硒化鎘、硫硒化鎘、磷化銦、銅銦硫、鈣鈦礦中的一種或多種，所 述核殼結(jié)構(gòu)顆粒的殼層為硫化鋅、硫化鎘、硫鋅化鎘中的一種或多種;所述高分子基質(zhì)為聚 甲基丙烯酸甲酯。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合白光LED，其特征在于，所述量子點(diǎn)薄膜的邊緣厚度為中 心厚度的50~100%。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合白光LED，其特征在于，所述透光殼體的材料為硅膠、聚甲 基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或玻璃;所述透光殼體的形狀為半球形或球缺形。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合白光LED，其特征在于，所述熒光粉膠體的形貌為半球形 或球缺形，底面半徑為0.7~1.5mm，高度不超過(guò)底面半徑。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合白光LED，其特征在于，所述熒光粉膠體包括熒光粉顆粒 和硅膠，所述熒光粉顆粒的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5~30%，所述熒光粉顆粒的發(fā)光波長(zhǎng)為450~700nm。9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合白光LED，其特征在于，所述LED芯片為垂直電極芯片或水 平電極芯片，其襯底為藍(lán)寶石或硅。10. -種制備權(quán)利要求1~9任一項(xiàng)所述的復(fù)合白光LED的方法，其特征在于，包括以下步 驟： 51、 點(diǎn)涂熒光粉膠:將熒光粉膠體點(diǎn)涂在所述LED芯片正上方，覆蓋LED芯片，形成半球 形或球缺形的形貌，再放入烘箱中，加熱，使熒光粉膠固化； 52、 制備量子點(diǎn)透光殼體:將甲基丙烯酸甲酯溶液與偶氮二異丁腈粉末混合后，加入量 子點(diǎn)，超聲震蕩，隨后將混合溶液加熱，吸取混合溶液注入透光殼體內(nèi)表面，再放入加熱箱 中使溶液固化； 53、 復(fù)合白光LED的封裝:將S2所得到的透光殼體安裝在基板上，完成復(fù)合白光LED的封 裝。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK106058012SQ201610619622
【公開(kāi)日】2016年10月26日
【申請(qǐng)日】2016年7月27日
【發(fā)明人】安娜, 馬昊玥, 盧睿, 楊磊, 唐秀梅, 李春峰, 邊盾
【申請(qǐng)人】天津市中環(huán)量子科技有限公司