7的角度為60° -80°時(shí)，能有效改善前后比，通過實(shí)驗(yàn)測得，其所述缺口 7的角度為60° -80°時(shí)，前后比效果較佳。
[0047]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述缺口 7的角度為70° ;所述缺口 7的角度為70°時(shí)，能有效改善前后比，通過實(shí)驗(yàn)測得，其所述缺口 7的角度為70°時(shí)，前后比效果最好。
[0048]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第一側(cè)壁I的寬度為
1.5cm-2cm ;通過實(shí)驗(yàn)測得，其能有效增強(qiáng)高頻段的增益效果。
[0049]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第一斜壁的自由端設(shè)有第一隔離部21 ;通過實(shí)驗(yàn)測得，設(shè)置第一隔離部21可以有效增加隔離度，隔離度在30dB。
[0050]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第三斜壁5的自由端設(shè)有第三隔離部51 ;通過實(shí)驗(yàn)測得，設(shè)置第三隔離部51可以有效增加隔離度，隔離度在30dB。
[0051]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第一隔離部21為二氧化硅半導(dǎo)體。第一隔離部21為二氧化硅半導(dǎo)體時(shí)，通過實(shí)驗(yàn)測得，第一隔離部21的隔離度最大，低頻段均大于30dB。
[0052]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第三隔離部51為二氧化硅半導(dǎo)體。第三隔離部51為二氧化硅半導(dǎo)體時(shí)，通過實(shí)驗(yàn)測得，第二隔離部31的隔離度最大，低頻段均大于30dB。
[0053]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第二側(cè)壁4靠近另一振子片的一側(cè)并列設(shè)有至少一個(gè)的半圓形的增頻缺孔42 ;過實(shí)驗(yàn)測得，其能有效增強(qiáng)高頻段的增?效果。
[0054]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述增頻缺孔42數(shù)量為5-8個(gè)；實(shí)驗(yàn)測得，所述增頻缺孔42數(shù)量為5-8個(gè)時(shí)，其高頻段的增益效果最佳。
[0055]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述增頻缺孔42的直徑為0.5mm-1mm ;實(shí)驗(yàn)測得，所述增頻缺孔42的直徑為0.5mm-lmm，其高頻段的增益效果最佳。
[0056]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第二斜壁的底部設(shè)有第二隔離部31 ;通過實(shí)驗(yàn)測得，設(shè)置第二隔離部31可以有效增加隔離度，隔離度在32dB。
[0057]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第二隔離部31為二氧化硅半導(dǎo)體；通過實(shí)驗(yàn)測得，第二隔離部31的隔離度最大，低頻段均大于35dB。
[0058]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第二側(cè)壁4遠(yuǎn)離另一振子片的一側(cè)并列延伸出至少一個(gè)隔離桿41 ;通過實(shí)驗(yàn)測得，設(shè)置隔離桿41可以有效增加隔離度。
[0059]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述隔離桿41數(shù)量為三根，所述三根隔離桿41的長度從下往上依次遞減。通過如此結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，在不斷實(shí)驗(yàn)當(dāng)中發(fā)現(xiàn)，依次遞減的結(jié)構(gòu)能有效增加隔離度，使隔離度效果更加。本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述最長的隔離桿41長度為10mm。如此可以使得隔離度效果達(dá)到最佳。
[0060]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子:所述第一側(cè)壁I設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)第一矩形過孔11，所述兩個(gè)并排的第一矩形過孔11為一組；本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，每組并列排列；所述每組第一矩形過孔11之間設(shè)有第二矩形過孔12，所述第二矩形過孔12內(nèi)填充有二氧化硅半導(dǎo)體。通過此結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以使得流經(jīng)第一側(cè)壁I的電流理論長度增加，實(shí)現(xiàn)提高增益的效果，通過此方式排列，其增加的效果明顯，增益顯著增尚O
[0061]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第二矩形過孔12的長度為2mm-5mm。此參數(shù)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，通過實(shí)驗(yàn)得知，其效果最佳。通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，通過不斷試驗(yàn)和參數(shù)調(diào)整下，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，單個(gè)輻射單元最低頻點(diǎn)前后比大于30dB，頻帶內(nèi)前后比平均大于32dB;并且具有較高的單元增益，依測得數(shù)據(jù)，從方向圖中可以看出，其最低頻點(diǎn)增益大于9.37dBi,頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dB1
[0062]本實(shí)施例所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，所述第三隔離部51至第一側(cè)壁I的距離不少于5mm。所述第三隔離部51的寬度不低于1mm。
[0063]以上所述僅是本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例，故凡依本實(shí)用新型專利申請范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，包含在本實(shí)用新型專利申請的保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:包括有通過饋電線連接的上下對(duì)稱的兩個(gè)輻射單元；所述每個(gè)輻射單元包括有左右對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)振子片，所述每個(gè)振子片包括有第一側(cè)壁、從第一側(cè)壁的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、從第一側(cè)壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側(cè)壁平行設(shè)置的第二側(cè)壁；所述第二側(cè)壁的頂端向第一側(cè)壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述兩個(gè)振子片的第二側(cè)壁之間連接有耦合橋；所述兩個(gè)輻射單元之間連接有饋電臂； 所述第二側(cè)壁靠近另一振子片的一側(cè)并列設(shè)有至少一個(gè)的半圓形的增頻缺孔；所述增頻缺孔數(shù)量為5-8個(gè)；所述增頻缺孔的直徑為0.
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述第一側(cè)壁與第一斜壁連接處的外側(cè)為一圓角，所述圓角的半徑為0.
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述圓角的半徑為1mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述第一斜壁設(shè)有一三角形缺口，所述缺口的角度為60° -80°。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述缺口的角度為70°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述第一側(cè)壁的寬度為1.5cm-2cm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述第一斜壁的自由端設(shè)有第一隔離部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述第三斜壁的自由端設(shè)有第三隔離部。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述第一隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種設(shè)有增頻孔的單極性振子，其特征在于:所述第三隔離部為二氧化硅半導(dǎo)體。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種設(shè)有增頻孔的單極性振子；包括有通過饋電線連接的上下對(duì)稱的兩個(gè)輻射單元；所述每個(gè)輻射單元包括有左右對(duì)稱設(shè)置的兩個(gè)振子片，所述每個(gè)振子片包括有第一側(cè)壁、從第一側(cè)壁的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、從第一側(cè)壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側(cè)壁平行設(shè)置的第二側(cè)壁；所述第二側(cè)壁的頂端向第一側(cè)壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述兩個(gè)振子片的第二側(cè)壁之間連接有耦合橋；所述兩個(gè)輻射單元之間連接有饋電臂；通過優(yōu)良的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的前后比特性，頻帶內(nèi)前后比平均大于32dB；頻帶內(nèi)平均增益大于9.8dBi。
【IPC分類】H01Q1-52, H01Q1-36
【公開號(hào)】CN204375921
【申請?zhí)枴緾N201520039404
【發(fā)明人】楊立民
【申請人】臨安科泰通信科技有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2015年1月21日