一種心電圖芯片的版圖結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于芯片版圖布局領域，尤其涉及一種心電圖芯片的版圖結(jié)構(gòu)。
【背景技術】
[0002]隨著科技的不斷發(fā)展，心電圖芯片得到廣泛的應用，就對心電圖芯片的要求越來越高，目前，現(xiàn)有的心電圖芯片存在著布局抗噪聲能力差、芯片面積較大、版圖布局松散的冋題。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種心電圖芯片的版圖結(jié)構(gòu)，旨在解決存在著布局抗噪聲能力差、芯片面積較大、版圖布局松散的問題。
[0004]本實用新型是這樣實現(xiàn)的，一種心電圖芯片的版圖結(jié)構(gòu)，該版圖結(jié)構(gòu)采用核心模塊差分對稱設置在芯片的中心位置，對版圖中的數(shù)字部分與模擬部分采用雙隔離環(huán)隔離，對版圖中的動態(tài)信號的四周采用包絡線方式走線，包絡線連接到芯片的地電位；所述版圖結(jié)構(gòu)包括第一版圖區(qū)、第二版圖區(qū)、第三版圖區(qū)、第四版圖區(qū)、第五版圖區(qū)、第六版圖區(qū)及焊盤版圖區(qū)，所述焊盤版圖區(qū)設于心電圖芯片的四周形成方格，所述第一版圖區(qū)、第二版圖區(qū)、第三版圖區(qū)、第四版圖區(qū)、第五版圖區(qū)、第六版圖區(qū)設置于所述焊盤版圖區(qū)形成的方格內(nèi)，所述第一版圖區(qū)設于方格內(nèi)的左上位置，所述第二版圖區(qū)設于方格內(nèi)的右上位置，所述第三版圖區(qū)設于方格內(nèi)的左中下位置，所述第六版圖區(qū)設于方格內(nèi)的右下位置，所述第五版圖區(qū)設于方格內(nèi)的右中位置，所述第四版圖區(qū)設于所述第三版圖區(qū)與第五版圖區(qū)和第六版圖區(qū)之間，所述第一版圖區(qū)、第二版圖區(qū)、第三版圖區(qū)、第四版圖區(qū)、第五版圖區(qū)、第六版圖區(qū)及焊盤版圖區(qū)相互連接。
[0005]本實用新型的進一步技術方案是:所述第一版圖區(qū)為電壓參考模塊，所述電壓參考模塊包括多個電流鏡，所述電流鏡四周設置DUMMY器件。
[0006]本實用新型的進一步技術方案是:所述第二版圖區(qū)是電源和基準模塊。
[0007]本實用新型的進一步技術方案是:所述第三版圖區(qū)是阻抗提升模塊，用于對輸入的信號阻抗進行提升，所述阻抗提升模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離。
[0008]本實用新型的進一步技術方案是:所述第四版圖區(qū)是信號放大模塊，用于對輸入的信號進行放大處理，所述信號放大模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離。
[0009]本實用新型的進一步技術方案是:所述第五版圖區(qū)是雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊，用于對輸入的兩路信號轉(zhuǎn)換為一路信號輸出，所述雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離。
[0010]本實用新型的進一步技術方案是:所述第六版圖區(qū)是濾波模塊，所述濾波模塊包括多個MOS管，所述多個MOS管置于一個NWELL里面。
[0011]本實用新型的進一步技術方案是:所述焊盤版圖區(qū)內(nèi)均勻的設置多個焊盤。
[0012]本實用新型的有益效果是:通過在模擬與數(shù)字之間設置隔離環(huán)，動態(tài)信號四周采用包絡線布線，使得心電圖芯片的布局具有抗噪聲能力強、版圖布局緊湊、面積減小、集成度高。本芯片結(jié)構(gòu)小巧、抗干擾能力強。
【附圖說明】
[0013]圖1是本實用新型實施例提供的心電圖芯片的版圖結(jié)構(gòu)的布局圖。
【具體實施方式】
[0014]附圖標記:1-第一版圖區(qū) 2_第二版圖區(qū) 3_第二版圖區(qū) 4_第四版圖區(qū)5-第五版圖區(qū)6-第六版圖區(qū)7-焊盤版圖區(qū)。
[0015]圖1示出了本實用新型提供的心電圖芯片的版圖結(jié)構(gòu)，該版圖結(jié)構(gòu)采用核心模塊差分對稱設置在芯片的中心位置，對版圖中的數(shù)字部分與模擬部分采用雙隔離環(huán)隔離，對版圖中的動態(tài)信號的四周采用包絡線方式走線，包絡線連接到芯片的地電位；所述版圖結(jié)構(gòu)包括第一版圖1區(qū)、第二版圖區(qū)2、第三版圖區(qū)3、第四版圖區(qū)4、第五版圖區(qū)5、第六版圖區(qū)6及焊盤版圖區(qū)7，所述焊盤版圖區(qū)7設于心電圖芯片的四周形成方格，所述第一版圖區(qū)1、第二版圖區(qū)2、第三版圖區(qū)3、第四版圖區(qū)4、第五版圖區(qū)5、第六版圖區(qū)6設置于所述焊盤版圖區(qū)7形成的方格內(nèi)，所述第一版圖區(qū)I設于方格內(nèi)的左上位置，所述第二版圖區(qū)2設于方格內(nèi)的右上位置，所述第三版圖區(qū)3設于方格內(nèi)的左中下位置，所述第六版圖區(qū)6設于方格內(nèi)的右下位置，所述第五版圖區(qū)5設于方格內(nèi)的右中位置，所述第四版圖區(qū)4設于所述第三版圖區(qū)4與第五版圖區(qū)5和第六版圖區(qū)6之間，所述第一版圖區(qū)1、第二版圖區(qū)2、第三版圖區(qū)3、第四版圖區(qū)4、第五版圖區(qū)5、第六版圖區(qū)6及焊盤版圖區(qū)7相互連接。通過在模擬與數(shù)字之間設置隔離環(huán)，動態(tài)信號四周采用包絡線布線，使得心電圖芯片的布局具有抗噪聲能力強、版圖布局緊湊、面積減小、集成度高。本芯片結(jié)構(gòu)小巧、成本低廉、抗干擾能力強。
[0016]所述第一版圖區(qū)I為電壓參考模塊，所述電壓參考模塊包括多個電流鏡，所述電流鏡四周設置DUMMY器件。電壓參考模塊，主要提供一些reference (參考電壓)電壓。在版圖處理上主要是一些電流鏡的管子需要匹配，并且四周放上DUMMY (虛擬器件)器件。模擬動態(tài)信號和數(shù)字動態(tài)信號都采用包絡線的走線方式布局，包絡線接到地電位，以免干擾其他靜態(tài)的敏感信號。
[0017]所述第二版圖區(qū)2是電源和基準模塊。電源和基準模塊。這模塊中主要是產(chǎn)生基準的電阻和三極管需要高精度的匹配。在版圖處理上單個電阻的L、W—樣，擺放方向一致，采用交叉匹配的方式布局走線，為了達到在工藝制作上的刻蝕精度一致性，會在電阻的四周圍放上虛擬電阻，且所有的電阻都用P Guardring (P型隔離環(huán))環(huán)圈起來?；鶞手袃蓚€三極管的比例是1:8，在版圖上采用3*3的陣列進行布局走線，單個的三極管放中心位置，其余8個三極管放在四周，這樣能達到很好的匹配效果。
[0018]所述第三版圖區(qū)3是所述第三版圖區(qū)是阻抗提升模塊，用于對輸入的信號阻抗進行提升，所述阻抗提升模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離。
[0019]所述第四版圖區(qū)4是所述第四版圖區(qū)是信號放大模塊，用于對輸入的信號進行放大處理，所述信號放大模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離。
[0020]所述第五版圖區(qū)5是所述第五版圖區(qū)是雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊，用于對輸入的兩路信號轉(zhuǎn)換為一路信號輸出，所述雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離，所述阻抗提升模塊輸出端連接所述信號放大模塊輸入端，所述信號放大模塊輸出端連接所述雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊輸入端。
[0021]阻抗提升模塊、信號放大模塊及雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊的布局對信號的差分要求很高，所以這三個模塊的布局是聯(lián)合在一起的，三個模塊的擺放基本上是按照信號流的順序排布的，三個模塊本身都采用雙環(huán)隔離。差分信號從PAD處開始走線進入阻抗提升模塊，到最后輸出都需要屏蔽。信號放大模塊和雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊中相同功能的電阻、電容、MOS器件都要分散的交叉匹配，以便得到較高的電路性能。
[0022]所述第六版圖區(qū)6是濾波模塊，所述濾波模塊包括多個MOS管，所述多個MOS管置于一個NWELL里面。濾波模塊中相同尺寸的MOS管在版圖上放在一個NWELL里面，并且要匹配好。
[0023]所述焊盤版圖區(qū)7內(nèi)均勻的設置多個焊盤。
[0024]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【主權項】
1.一種心電圖芯片的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于:該版圖結(jié)構(gòu)采用核心模塊差分對稱設置在芯片的中心位置，對版圖中的數(shù)字部分與模擬部分采用雙隔離環(huán)隔離，對版圖中的動態(tài)信號的四周采用包絡線方式走線，包絡線連接到芯片的地電位；所述版圖結(jié)構(gòu)包括第一版圖區(qū)、第二版圖區(qū)、第三版圖區(qū)、第四版圖區(qū)、第五版圖區(qū)、第六版圖區(qū)及焊盤版圖區(qū)，所述焊盤版圖區(qū)設于心電圖芯片的四周形成方格，所述第一版圖區(qū)、第二版圖區(qū)、第三版圖區(qū)、第四版圖區(qū)、第五版圖區(qū)、第六版圖區(qū)設置于所述焊盤版圖區(qū)形成的方格內(nèi)，所述第一版圖區(qū)設于方格內(nèi)的左上位置，所述第二版圖區(qū)設于方格內(nèi)的右上位置，所述第三版圖區(qū)設于方格內(nèi)的左中下位置，所述第六版圖區(qū)設于方格內(nèi)的右下位置，所述第五版圖區(qū)設于方格內(nèi)的右中位置，所述第四版圖區(qū)設于所述第三版圖區(qū)與第五版圖區(qū)和第六版圖區(qū)之間，所述第一版圖區(qū)、第二版圖區(qū)、第三版圖區(qū)、第四版圖區(qū)、第五版圖區(qū)、第六版圖區(qū)及焊盤版圖區(qū)相互連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一版圖區(qū)為電壓參考模塊，所述電壓參考模塊包括多個電流鏡，所述電流鏡四周設置DUMMY器件。
3.根據(jù)權利要求2所述的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二版圖區(qū)是電源和基準模塊。
4.根據(jù)權利要求3所述的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第三版圖區(qū)是阻抗提升模塊，用于對輸入的信號阻抗進行提升，所述阻抗提升模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離。
5.根據(jù)權利要求4所述的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第四版圖區(qū)是信號放大模塊，用于對輸入的信號進行放大處理，所述信號放大模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離。
6.根據(jù)權利要求5所述的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第五版圖區(qū)是雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊，用于對輸入的兩路信號轉(zhuǎn)換為一路信號輸出，所述雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊內(nèi)器件間設置雙隔離環(huán)隔離，所述阻抗提升模塊輸出端連接所述信號放大模塊輸入端，所述信號放大模塊輸出端連接所述雙輸入轉(zhuǎn)單輸出模塊輸入端。
7.根據(jù)權利要求6所述的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第六版圖區(qū)是濾波模塊，所述濾波模塊包括多個MOS管，所述多個MOS管置于一個NWELL里面。
8.根據(jù)權利要求7所述的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊盤版圖區(qū)內(nèi)均勻的設置多個焊盤。
【專利摘要】本實用新型涉及一種心電芯片的版圖結(jié)構(gòu)，該心電芯片的版圖結(jié)構(gòu)主要是把核心模塊采用差分對稱的模式放在芯片的中心位置，這樣做的目的是為了得到更好的共模抑制比信號輸出和增益。對于模塊中的數(shù)字和模擬部分采用雙環(huán)隔離技術，防止數(shù)字噪聲對模擬信號的干擾。并且對于動態(tài)信號的四周采用包絡線的方式走線，包絡線接到芯片的地電位。IO部分，采用 MINI CUP IO結(jié)構(gòu)，這樣既節(jié)省了版圖面積又維持了抗ESD能力。整體而言，該布局具有較高的ESD防護能力和抗干擾能力、版圖布局緊湊、面積小等特點。
【IPC分類】H01L27-02
【公開號】CN204391111
【申請?zhí)枴緾N201420862412
【發(fā)明人】劉玲
【申請人】深圳貝特萊電子科技有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2014年12月31日