專利名稱：芯片版圖的檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片版圖的檢測方法。
背景技術(shù)：
為了保證集成電路芯片在生產(chǎn)中成功量產(chǎn)，并得到高的良率，芯片制造工廠要求版圖設(shè)計(jì)者在版圖設(shè)計(jì)的時(shí)候按照一定的設(shè)計(jì)規(guī)則(Design Rule,DR)來設(shè)計(jì)芯片版圖，所述設(shè)計(jì)規(guī)則包括導(dǎo)線交叉條件、最小線寬、多晶硅在場區(qū)的最小伸出長度等等。由于集成電路芯片的芯片版圖設(shè)計(jì)需要遵守若干條設(shè)計(jì)規(guī)則，并且所述芯片版圖包括若干圖形，版圖設(shè)計(jì)軟件設(shè)計(jì)的圖形不可避免會(huì)存在一些誤差或者版圖設(shè)計(jì)者在設(shè)計(jì)過程中可能會(huì)出現(xiàn)失誤。因此，當(dāng)版圖設(shè)計(jì)完成后，在進(jìn)入工廠開始制造以前，首先需要根據(jù)每一設(shè)計(jì)規(guī)則，對(duì)設(shè)計(jì)的芯片版圖中與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的圖形進(jìn)行檢測，即設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(Design Rule Check, DRC)，獲得與若干圖形對(duì)應(yīng)的多個(gè)違反值(不滿足設(shè)計(jì)規(guī)則的這些違反結(jié)果)。然而并不是每個(gè)違反值都是需要修改的，通常需要根據(jù)工廠的工藝水平對(duì)所述違反值對(duì)應(yīng)的圖形進(jìn)行分析，判斷這些違反值對(duì)應(yīng)的圖形中是否存在不能滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求的情況，找出不滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求的違反值對(duì)應(yīng)的圖形，由版圖設(shè)計(jì)者更改版圖中這些不滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求的違反值對(duì)應(yīng)的圖形后，芯片才能進(jìn)入生產(chǎn)環(huán)節(jié)進(jìn)行生產(chǎn)。因此，所述設(shè)計(jì)規(guī)則檢查是確保芯片版圖布局滿足設(shè)計(jì)規(guī)則的一個(gè)檢查過程。但是隨著超大規(guī)模集成電路(Ultra Large Scale Integration, ULSI)的快速發(fā)展，電路在設(shè)計(jì)端的復(fù)雜性增加，版圖的復(fù)雜性也隨之增加，這使得芯片制造工廠對(duì)于先進(jìn)工藝的設(shè)計(jì)要求更加嚴(yán)格，設(shè)計(jì)規(guī)則復(fù)雜，使得設(shè)計(jì)的版圖經(jīng)設(shè)計(jì)規(guī)則檢測后，得到的違反值的數(shù)量成倍的增長。同一條設(shè)計(jì)規(guī)則在版圖中可能會(huì)檢查出成千上萬甚至上千萬條的違反值，例如某條設(shè)計(jì)規(guī)則的違反值的個(gè)數(shù)為1000個(gè)，其中的999個(gè)違反值可以根據(jù)生產(chǎn)線的經(jīng)驗(yàn)將其忽略，版圖設(shè)計(jì)者沒有必要對(duì)版圖中的進(jìn)行修改，另外I個(gè)違反值則必須由版圖設(shè)計(jì)者修改版圖中該違反值對(duì)應(yīng)的圖形，否則產(chǎn)品會(huì)有質(zhì)量問題。由于傳統(tǒng)設(shè)計(jì)的版圖結(jié)構(gòu)以及設(shè)計(jì)規(guī)則相對(duì)簡單，設(shè)計(jì)規(guī)則檢查得到的違反值相對(duì)較少，可以通過人工的方法對(duì)違反值逐一審查。目前半導(dǎo)體制造業(yè)對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則檢測的審查仍然停留在傳統(tǒng)的水平，當(dāng)違反某條設(shè)計(jì)規(guī)則的違反值多達(dá)上千萬時(shí)，只能根據(jù)抽樣法則隨機(jī)查看一定比例的違反值。例如，以5%的抽樣頻率隨機(jī)抽取1000個(gè)違反值中的50個(gè)進(jìn)行檢測，這樣雖然節(jié)省了檢測的時(shí)間，然而卻有高達(dá)95%的概率無法檢測到最需要修改的那I個(gè)違反值對(duì)應(yīng)的圖形，直到產(chǎn)品出現(xiàn)低良率的時(shí)候才發(fā)現(xiàn)版圖設(shè)計(jì)存在問題。需要重新修改版圖，制作芯片，不僅增加了工廠的制造成本，還大大延長了產(chǎn)品流向最終客戶端的周期，為芯片制造工廠帶來巨大的無法計(jì)算的損失。如何快速準(zhǔn)確的對(duì)眾多的違反值進(jìn)行分析，判斷是否存在不滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求情況，對(duì)這些不能滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求的違反值對(duì)應(yīng)的圖形作出修改，使芯片成功量產(chǎn)并提高產(chǎn)品的良率，成為亟需解決的問題。
更多關(guān)于芯片版圖的檢測方法請(qǐng)參考公開號(hào)為“US20060117283A1”的美國專利。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種芯片版圖的檢測方法，能夠快速準(zhǔn)確的判斷是否存在不滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求情況，修改這些不能滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求的違反值對(duì)應(yīng)的圖形，使芯片成功量產(chǎn)并提高產(chǎn)品的良率。為解決上述問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種芯片版圖的檢測方法，包括:步驟S1:提供芯片版圖，所述芯片版圖包括若干圖形；所述芯片版圖具有與所述圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則；步驟S2:根據(jù)所述設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)相關(guān)的圖形進(jìn)行第一圖形檢測，獲得違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值；步驟S3:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，并對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類；步驟S4:選擇所述類中一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足制造工藝條件，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形；若選擇的圖形滿足制造工藝條件，則循環(huán)執(zhí)行步驟S4，選擇下一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類?？蛇x地，所述圖形結(jié)構(gòu)為圖形形狀，或者違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的形狀、所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的周邊圖形的形狀、及兩者的位置關(guān)系?？蛇x地，對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類的方法包括:獲得與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，選取一個(gè)違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形為參考圖形，逐一比較剩余的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與所述參考圖形的重疊率，將重疊率大于等于95%的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與參考圖形歸為一類?？蛇x地，將重疊率等于100%的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與參考圖形歸為一類?？蛇x地，對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的多個(gè)圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類的方法包括:獲得與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，以每一所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的中心為中心，形成若干個(gè)大小、形狀相同的參考區(qū)域，每一所述參考區(qū)域至少包括所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形、部分與所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形相鄰的周邊圖形；選取任一個(gè)參考區(qū)域作為標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域，逐一比較剩余的參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和周邊圖形、與標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和周邊圖形的重疊率，將重疊率大于等于95%的參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形歸為一類?？蛇x地，所述參考區(qū)域的形狀為方形、圓形、橢圓形、扇形或三角形?？蛇x地，所述參考區(qū)域的形狀為正方形，所述正方形的邊長為0.2-1 μ m?？蛇x地，所述圖形設(shè)計(jì)需求包括:違反值對(duì)應(yīng)的圖形的安全距離內(nèi)沒有MOS晶體管、金屬線、導(dǎo)電插塞中的一種或多種。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn):根據(jù)科學(xué)有效的分類方法，對(duì)每一設(shè)計(jì)規(guī)則下違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值進(jìn)行了篩選，僅對(duì)每一設(shè)計(jì)規(guī)則下與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形結(jié)構(gòu)進(jìn)行分類，對(duì)所述類中一類的一個(gè)圖形進(jìn)行圖形檢測，判斷選擇的圖形是否滿足制造工藝條件，若存在制造工藝條件的圖形，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形，提高了檢測效率，且不易漏掉不滿足圖形設(shè)計(jì)需求的圖形，利于后續(xù)形成的芯片成功量產(chǎn)，并提聞廣品的良率。進(jìn)一步的，對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的多個(gè)圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類時(shí)，以每一所述違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的中心為中心，形成若干個(gè)大小、形狀相同的參考區(qū)域，比較每一參考區(qū)域中違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形、周邊圖形的形狀和兩者的位置關(guān)系，將每一參考區(qū)域中違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形、周邊圖形的形狀和兩者的位置關(guān)系相同或相近的歸為一類，然后進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，得到的檢測結(jié)果更加準(zhǔn)確，更有利于后續(xù)形成的芯片成功量廣，進(jìn)一步提聞了廣品的良率。


圖1是本發(fā)明實(shí)施例的芯片版圖的檢測方法的流程示意圖；圖2-圖4是本發(fā)明第一實(shí)施例的芯片版圖的檢測過程的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明第二實(shí)施例的芯片版圖的檢測過程的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的比較兩個(gè)參考區(qū)域中圖形的重疊率的方法示意圖。
具體實(shí)施例方式正如背景技術(shù)所述，現(xiàn)有技術(shù)難以快速準(zhǔn)確的對(duì)眾多的違反值進(jìn)行分析，判斷是否存在不滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求情況，對(duì)這些不能滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求的違反值對(duì)應(yīng)的圖形作出修改，芯片無法成功量產(chǎn)，產(chǎn)品的良率低。經(jīng)過研究后，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，設(shè)計(jì)規(guī)則大多與圖形尺寸有關(guān)，例如圖形沿某一方向的尺寸、相鄰圖形之間的距離、圖形的線寬等。在這些與圖形尺寸有關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則中，真正影響圖形設(shè)計(jì)需求的是與最小違反值對(duì)應(yīng)的那類圖形。因此，當(dāng)選擇與圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則時(shí)，無需對(duì)該設(shè)計(jì)規(guī)則下的每一違反值對(duì)應(yīng)的圖形進(jìn)行檢測，而是只需對(duì)具有最小違反值的那類圖形進(jìn)行檢測，這樣可以大大提高檢測的效率。更進(jìn)一步的，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在集成電路或超大規(guī)模集成電路芯片中，即使只對(duì)最小違反值的那類圖形進(jìn)行檢測，仍然有成千上萬個(gè)圖形。因此需要根據(jù)圖形結(jié)構(gòu)進(jìn)行再次分類，然后逐一對(duì)所述類中的一類中的一個(gè)圖形進(jìn)行檢測，判斷是否存在不滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求情況，對(duì)這些不能滿足工廠的圖形設(shè)計(jì)需求的違反值對(duì)應(yīng)的圖形作出修改，可以更加聞效準(zhǔn)確的檢測所述芯片版圖，使芯片成功量廣，提聞廣品的良率。經(jīng)過進(jìn)一步研究后，請(qǐng)參考圖1，發(fā)明人提供了一種芯片版圖的檢測方法，包括:步驟S1:提供芯片版圖，所述芯片版圖包括若干圖形；所述芯片版圖具有與所述圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則；步驟S2:根據(jù)所述設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)相關(guān)的圖形進(jìn)行第一圖形檢測，獲得違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值；步驟S3:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，并對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類；步驟S4:選擇所述類中一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足制造工藝條件，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形；若選擇的圖形滿足制造工藝條件，則循環(huán)執(zhí)行步驟S4，選擇下一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。第一實(shí)施例本發(fā)明第一實(shí)施例的芯片版圖的檢測方法，包括:步驟SI’:提供芯片版圖，所述芯片版圖包括若干圖形；所述芯片版圖具有與所述圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則；步驟S2’:根據(jù)所述設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)相關(guān)的圖形進(jìn)行第一圖形檢測，獲得違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值；步驟S3’:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，并對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形形狀分類；步驟S4，:選擇所述類中一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足制造工藝條件，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形；若選擇的圖形滿足制造工藝條件，則循環(huán)執(zhí)行步驟S4，選擇下一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。具體的請(qǐng)參考圖2-圖4，圖2-圖4示出了本發(fā)明第一實(shí)施例的芯片版圖的檢測過程的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖2，提供芯片版圖200，所述芯片版圖200包括若干圖形(未標(biāo)示)；所述芯片版圖具有與所述圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則。所述芯片版圖200為大規(guī)模集成電路的設(shè)計(jì)版圖，用于后續(xù)形成流片(即制作芯片時(shí)的模板)，以在工程中批量生產(chǎn)芯片。所述芯片版圖通常由專門的版圖設(shè)計(jì)者根據(jù)芯片制造工廠的需求和設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)而成。所述芯片版圖200中的圖形用于形成實(shí)際電路中的金屬線、導(dǎo)電插塞、焊盤、晶體管等。所述設(shè)計(jì)規(guī)則為芯片行業(yè)需要共同遵守的一個(gè)準(zhǔn)則，用于保證半導(dǎo)體行業(yè)生產(chǎn)的半導(dǎo)體器件的良率。所述設(shè)計(jì)規(guī)則涉及多個(gè)方面，例如圖形的寬度、相鄰圖形之間的距離、相鄰兩個(gè)導(dǎo)線的交叉條件、圖形的最小線寬、多晶硅在場區(qū)的最小伸出長度等。其中，大多數(shù)的設(shè)計(jì)規(guī)則與圖形尺寸相關(guān)，例如圖形的寬度、相鄰圖形之間的距離、圖形的最小線寬、多晶硅在場區(qū)的最小伸出長度等。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述與尺寸有關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則有若干個(gè)，例如，第一設(shè)計(jì)規(guī)則(Rule I)和第二設(shè)計(jì)規(guī)則(Rule 2)。其中第一設(shè)計(jì)規(guī)則是圖形沿Y方向的尺寸為0.72 μ m，第二設(shè)計(jì)規(guī)則是圖形沿X方向的尺寸為0.5 μ m (圖2所示)。需要說明的是，在本發(fā)明的實(shí)施例中，僅用第一設(shè)計(jì)規(guī)則和第二設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行示范性說明，實(shí)際的芯片版圖通常有成千上萬甚至更多條設(shè)計(jì)規(guī)則，需要按照每一所述設(shè)計(jì)規(guī)則分別進(jìn)行檢測。請(qǐng)繼續(xù)參考圖2，根據(jù)所述設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)相關(guān)的圖形進(jìn)行第一圖形檢測，獲得違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值(未圖示)。雖然版圖設(shè)計(jì)者是根據(jù)芯片的眾多設(shè)計(jì)規(guī)則來設(shè)計(jì)芯片版圖的，但是由于設(shè)計(jì)規(guī)則較多，比較復(fù)雜，尤其是超大規(guī)模集成電路的版圖設(shè)計(jì)，更是為版圖設(shè)計(jì)者增加了不少難度，而且可能由于人為或設(shè)計(jì)軟件的原因，設(shè)計(jì)出的芯片版圖跟理想的(即嚴(yán)格按照設(shè)計(jì)規(guī)則設(shè)計(jì)出的芯片版圖)存在出入，有可能會(huì)影響后續(xù)工藝。因此，工廠在獲得版圖設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)的芯片版圖后，需要對(duì)所述芯片版圖進(jìn)行第一圖形檢測，即將版圖設(shè)計(jì)者設(shè)計(jì)的芯片版圖導(dǎo)入到專門用于檢測芯片版圖的軟件中，根據(jù)每一設(shè)計(jì)規(guī)則，對(duì)與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的圖形進(jìn)行檢測，判斷檢測的圖形是否滿足該設(shè)計(jì)規(guī)則，獲得違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值。例如，根據(jù)第一設(shè)計(jì)規(guī)則(每一圖形沿Y方向的尺寸為0.72μπι)對(duì)相關(guān)的圖形第一圖形檢測的方法為:檢測得到每一圖形沿Y方向的尺寸，將其與第一設(shè)計(jì)規(guī)則相比較，若檢測的圖形沿Y方向的尺寸大于或小于0.72 μ m，則認(rèn)為所述檢測的圖形不滿足第一設(shè)計(jì)規(guī)則。獲得所有沿Y方向的尺寸不等于0.72 μ m的圖形，這些圖形即為違反第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，這些圖形沿Y方向的尺寸即為基于違反所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值。需要說明的是，在現(xiàn)有的集成電路設(shè)計(jì)的芯片版圖中，每一個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則下均存在成千上萬甚至上百萬個(gè)違反值。但是并非所有不符合設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形都需要修改，這些不符合設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形中，有一部分是可以滿足工廠的制造工藝條件的，所述滿足工廠的制造工藝條件的圖形即使不經(jīng)過修改，也不會(huì)影響到后續(xù)芯片的量產(chǎn)和產(chǎn)品的良率；而另一部受工廠的制造工藝條件的限制，如果不進(jìn)行修改，就會(huì)使得后續(xù)芯片無法成功量產(chǎn)，形成的產(chǎn)品的良率低。其中，所述制造工藝條件包括:不符合設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的安全距離(即不會(huì)影響產(chǎn)品良率的最大距離)內(nèi)沒有MOS晶體管、金屬線、導(dǎo)電插塞中的一種或多種。這些不符合設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形能否滿足工廠的制造工藝條件，指的是所述不符合設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的安全距離內(nèi)是否存在MOS晶體管、金屬線、導(dǎo)電插塞中的一種或多種。需要說明的是，受不同工廠的工藝水平限制，不同工廠制造工藝條件的標(biāo)準(zhǔn)并不相同，需要根據(jù)工廠的實(shí)際工藝水平確定。例如，A工廠要求，在距離不符合第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形10 μ m內(nèi)，不存在MOS晶體管、金屬線、導(dǎo)電插塞中的一種或多種，則滿足A工廠的制造工藝條件出工廠要求，在距離不符合第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形15 μ m內(nèi)，不存在MOS晶體管、金屬線、導(dǎo)電插塞中的一種或多種，則滿足B工廠的制造工藝條件。在本發(fā)明的實(shí)施例中，首先根據(jù)第一設(shè)計(jì)規(guī)則(Rule I)對(duì)所述芯片版圖200進(jìn)行第一圖形檢測后，得到多個(gè)不符合所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值，所述不符合第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值包括成千上萬甚至更多個(gè)，例如第一圖形和第一違反值、第二圖形和第二違反值、第三圖形和第三違反值、第四圖形和第四違反值等。需要說明的是，為了繪圖方便和便于理解，圖2中僅示出了部分不符合第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形。請(qǐng)參考圖3，選擇該設(shè)計(jì)規(guī)則下，違反值中最小的違反值及與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，由于在每一設(shè)計(jì)規(guī)則下檢測得到的不符合所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形較多，如果對(duì)不符合所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形逐一進(jìn)行是否滿足制造工藝條件的檢查，花費(fèi)的時(shí)間和精力較大，而如果采用抽樣的方式則又可能漏掉一些不滿足制造工藝條件的違反值，造成后續(xù)芯片無法成功量產(chǎn)和產(chǎn)品的良率低。
經(jīng)過研究，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，與圖形尺寸有關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則下，如果最小違反值對(duì)應(yīng)的那類圖形能滿足圖形設(shè)計(jì)需求，則意味著該設(shè)計(jì)規(guī)則下的這些違反值所對(duì)應(yīng)的圖形都是可以滿足圖形設(shè)計(jì)需求的，無需對(duì)該設(shè)計(jì)規(guī)則下的圖形進(jìn)行修改。因此，當(dāng)選擇與圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則時(shí)，無需對(duì)該設(shè)計(jì)規(guī)則下的每一違反值對(duì)應(yīng)的圖形進(jìn)行檢測，而是只需對(duì)具有最小違反值的那類圖形進(jìn)行檢測，這樣可以大大提高檢測的效率。本發(fā)明的實(shí)施例中，在第一設(shè)計(jì)規(guī)則下，獲得違反第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值；將所述違反值的數(shù)值相同的違反第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形分為一類，例如將違反值為0.5μηι的違反第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形歸為第一類al,將違反值為0.6 μ m的違反第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形歸為第二類a2,將違反值為0.7 μ m的違反第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形歸為第三類a3，所述第一類al、第二類a2和第三類a3各類的違反值數(shù)值相同，各自對(duì)應(yīng)的圖形均具有各種形狀，例如三角形、長方形、平行四邊形、多邊形等；然后根據(jù)違反值數(shù)值的大小對(duì)第一類al、第二類a2和第三類a3進(jìn)行排序，找出違反值最小的一類，即第一類al。需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以直接找出違反值的數(shù)值最小的多個(gè)圖形，將其歸為一類。需要說明的是，實(shí)際檢測過程中，需要先排除掉由于軟件中程序錯(cuò)誤，排除得到的違反值數(shù)值明顯小于其他違反值數(shù)值的那些違反值所對(duì)應(yīng)的圖形，然后再進(jìn)行檢測。例如，根據(jù)第一設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)相關(guān)的圖形進(jìn)行第一圖形檢測后，獲得多個(gè)違反值，包括
0.01 μ m、0.5 μ m、0.6 μ m、0.7 μ m、0.8 μ m，0.01 μ m明顯小于其他幾個(gè)違反值，需要將違反值0.0lym排除，然后再剩下的違反值中找出違反值中最小的違反值。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在集成電路或超大規(guī)模集成電路芯片中，即使只對(duì)最小違反值對(duì)應(yīng)的那類圖形進(jìn)行檢測，仍然有成千上萬個(gè)圖形。因此，需要根據(jù)圖形結(jié)構(gòu)對(duì)最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形進(jìn)行科學(xué)有效的分類，然后逐一對(duì)所述類中的一類中的一個(gè)圖形進(jìn)行檢測，判斷是否存在不滿足工廠的制造工藝條件的情況，對(duì)這些不能滿足工廠的制造工藝條件的圖形作出修改，可以更加高效準(zhǔn)確的檢測所述芯片版圖，使芯片成功量產(chǎn)，提高產(chǎn)品的良率。在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，所述圖形結(jié)構(gòu)為圖形形狀，將與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形中圖形形狀相同或相似的歸為一類。請(qǐng)參考圖4，在最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形中，選取一個(gè)圖形為參考圖形，逐一比較剩余的圖形與所述參考圖形的重疊率，將重疊率大于等于95%的圖形與參考圖形歸為一類。在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一類al (圖3所示)中的違反值最小，為0.5 μ m。選取第一類al中的一個(gè)違反第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形為參考圖形，逐一比較剩余的違反第一設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與所述參考圖形的重疊率，將重疊率等于100%的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與參考圖形歸為一類，即將圖形形狀相同的歸為一類，得到多個(gè)子類，例如第一子類bl中圖形全部為長方形、第二子類b2中的圖形全部為三角形、第三子類b3中的圖形全部為多邊形、第四子類b4中的圖形全部為平行四邊形。請(qǐng)繼續(xù)參考圖4，選擇所述類中一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，判斷該圖形是否滿足制造工藝條件，即在所述圖形的安全距離內(nèi)是否存在MOS晶體管、金屬線、導(dǎo)電插塞中的一種或多種，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，對(duì)所述類中的一個(gè)圖形進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測時(shí)，若選擇的圖形不滿足制造工藝條件，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形。例如，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，首先在第一子類bl中任選一個(gè)圖形進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，發(fā)現(xiàn)選擇的所述圖形的安全距離內(nèi)存在MOS晶體管、金屬線、導(dǎo)電插塞中的一種或多種，則表示該圖形不能滿足工廠的制造工藝條件，后續(xù)會(huì)影響到芯片的成功量產(chǎn)和產(chǎn)品的良率，需要對(duì)所述圖形進(jìn)行修改。在本發(fā)明的實(shí)施例中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，可以直接修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形。若選擇的圖形滿足制造工藝條件，則選擇下一類的一個(gè)圖形進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至所檢測的類中選擇的圖形不滿足制造工藝條件，修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形。例如，首先在第一子類bl中任選一個(gè)圖形進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，發(fā)現(xiàn)選擇的所述圖形的安全距離內(nèi)并不存在MOS晶體管、金屬線和導(dǎo)電插塞中的一種或多種，該圖形滿足工廠的制造工藝條件，則檢測第二子類b2，在所述第二子類b2中任選一個(gè)圖形進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，只有當(dāng)檢測的類即第二子類b2中選擇的圖形的安全距離內(nèi)存在MOS晶體管、金屬線和導(dǎo)電插塞中的一種或多種時(shí)，才需要修改該設(shè)計(jì)規(guī)則下相關(guān)的所有圖形，進(jìn)入下一設(shè)計(jì)規(guī)則下的第一圖形檢測，否則繼續(xù)對(duì)下一類中的圖形進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類，例如圖4中檢測完第一子類bl、第二子類b2、第三子類b3均滿足圖形設(shè)計(jì)需求，該設(shè)計(jì)規(guī)則下的基于制造工藝條件的第二圖形檢測結(jié)束，違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形均滿足工廠的制造工藝條件，違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形無需修改。當(dāng)一個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則下的第一圖形檢測結(jié)束后，則開始下一設(shè)計(jì)規(guī)則(第二設(shè)計(jì)規(guī)則)下的第一圖形檢測和基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至對(duì)所有規(guī)則下的第一圖形檢測和基于制造工藝條件的第二圖形檢測完畢，則芯片版圖的檢測過程結(jié)束。所述下一設(shè)計(jì)規(guī)則下的第一圖形檢測和基于制造工藝條件的第二圖形檢測的方法和步驟，可以參考本發(fā)明實(shí)施例中有關(guān)第一設(shè)計(jì)規(guī)則下的第一圖形檢測和基于制造工藝條件的第二圖形檢測的方法和步驟，在此不再贅述。本發(fā)明第一實(shí)施例中，對(duì)最小違反值所對(duì)應(yīng)的圖形按照?qǐng)D形形狀進(jìn)行分類，將圖形形狀相同或者相似(即重疊率大于等于95%)的圖形歸為一類，只需對(duì)所述類中一類中的一個(gè)圖形進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，就可以判斷出所述類中選擇的圖形是否滿足工廠的制造工藝條件，大大提高了芯片版圖的檢測效率，并且能夠較準(zhǔn)確的找出所述設(shè)計(jì)規(guī)則下是否存在不滿足工廠的制造工藝條件的圖形，修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形，使得后續(xù)芯片能夠成功量產(chǎn)，并提高了產(chǎn)品的良率。第二實(shí)施例與本發(fā)明的第一實(shí)施例不同，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形是否滿足工廠的制造工藝條件，不僅與違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形本身有關(guān)，還與其周邊圖形或結(jié)構(gòu)存在關(guān)聯(lián)，如果能夠綜合違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的形狀、其周邊圖形的形狀以及違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與其周邊圖形的位置關(guān)系，將違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形形狀相同、且其周邊圖形的形狀以及違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與周邊圖形的位置關(guān)系也相同或者相似的違反值歸為一類，則檢測人員的檢測的結(jié)果會(huì)更加準(zhǔn)確。本發(fā)明第二實(shí)施例的芯片版圖的檢測方法，包括:
步驟SI”:提供芯片版圖，所述芯片版圖包括若干圖形；所述芯片版圖具有與所述圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則；步驟S2”:根據(jù)所述設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的圖形進(jìn)行第一圖形檢測，獲得違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值；步驟S3”:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，并對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形形狀、其周邊圖形的形狀以及違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與其周邊圖形的位置關(guān)系分類；步驟S4”:選擇所述類中一類的一個(gè)圖形進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足制造工藝條件，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形；若選擇的圖形滿足制造工藝條件，則循環(huán)執(zhí)行步驟S4，選擇下一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。具體請(qǐng)參考圖2_圖3、圖5_圖6,圖2_圖3、圖5_圖6不出了本發(fā)明第二實(shí)施例的芯片版圖的檢測過程的結(jié)構(gòu)示意圖。請(qǐng)參考圖2，提供芯片版圖200，所述芯片版圖200包括若干圖形(未標(biāo)示)；提供若干與所述圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則；選擇一個(gè)設(shè)計(jì)規(guī)則，并根據(jù)所述設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)相關(guān)的圖形進(jìn)行檢測，獲得違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值(未圖示)。更多詳細(xì)的關(guān)于芯片版圖200、設(shè)計(jì)規(guī)則、違反值的說明，請(qǐng)參考本發(fā)明的第一實(shí)施例中的相關(guān)描述，在此不再贅述。請(qǐng)參考圖3，選擇該設(shè)計(jì)規(guī)則下，違反值中最小的違反值及與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形。在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，第一類al中圖形的違反值最小，為0.5μπι。選擇違反值為0.5 μ m的圖形進(jìn)行下一步驟。所述選擇該設(shè)計(jì)規(guī)則下，違反值中最小的違反值及與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的方法，請(qǐng)參考本發(fā)明第一實(shí)施例中的方法，在此不再贅述。請(qǐng)參考圖5，對(duì)最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形形狀、其周邊圖形的形狀以及違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與其周邊圖形的位置關(guān)系分類，將違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形形狀相同、且其周邊圖形的形狀以及違反值對(duì)應(yīng)的圖形與周邊圖形的位置關(guān)系也相同或者相似的圖形歸為一類。在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，所述按違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形形狀、其周邊圖形的形狀以及違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與其周邊圖形的位置關(guān)系分類的具體方法包括:獲得與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，以每一所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的中心為中心，形成若干個(gè)大小、形狀相同的參考區(qū)域，每一所述參考區(qū)域至少包括所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形、部分與所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形相鄰的周邊圖形；選取任一個(gè)參考區(qū)域作為標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域，逐一比較剩余的參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和周邊圖形、與標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和周邊圖形的重疊率，將重疊率大于等于95%的參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形歸為一類。其中，所述參考區(qū)域的形狀不受限制，可以為方形、圓形、橢圓形、扇形或三角形等；所示參考區(qū)域的大小根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行確定，只要保證每個(gè)違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形所對(duì)應(yīng)的參考區(qū)域是大小和形狀相同的即可。在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，請(qǐng)參考圖6，比較兩個(gè)參考區(qū)域中的圖形的重疊率的方法為:找出第一參考區(qū)域305中的兩個(gè)頂點(diǎn)，例如Al和BI，找出第二參考區(qū)域311中與第一參考區(qū)域305中的頂點(diǎn)Al和BI相對(duì)應(yīng)的頂點(diǎn)A2和B2 ;分別將頂點(diǎn)Al和頂點(diǎn)A2重合，將頂點(diǎn)BI和頂點(diǎn)B2重合，即第一參考區(qū)域305和第二參考區(qū)域311重疊；計(jì)算兩個(gè)參考區(qū)域中圖形的重疊率。需要說明的是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)兩個(gè)參考區(qū)域中的圖形的重疊率大于等于95%時(shí)，可以認(rèn)為兩個(gè)參考區(qū)域中違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形形狀相同或相似，其周邊圖形形狀相同或相似，且違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與周邊圖形的位置關(guān)系相同或相似。 與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形均在第一類al (圖3所示)中，因此，在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，只需對(duì)第一類al中的圖形按照上述方法進(jìn)行分類。具體請(qǐng)參考圖5，圖5示出了根據(jù)某條設(shè)計(jì)規(guī)則(第一設(shè)計(jì)規(guī)則)檢測得到的部分違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形。為方便起見，圖5中僅選取了第一類al中的三個(gè)圖形，例如第一圖形301、第二圖形307、第三圖形313，進(jìn)行示范性說明。首先，以第一圖形301的中心為中心，形成第一參考區(qū)域305，所述第一參考區(qū)域305中還包括與第一圖形301相鄰的周邊圖形303 ;以第二圖形307的中心為中心，形成第二參考區(qū)域311，所述第二參考區(qū)域311中還包括與第二圖形307相鄰的周邊圖形309 ;以第三圖形313的中心為中心，形成第三參考區(qū)域317，所述第三參考區(qū)域317中還包括與第三圖形313相鄰的周邊圖形315。其中，所述第一參考區(qū)域305、第二參考區(qū)域311和第三參考區(qū)域317的大小和形狀均相同。所述第一參考區(qū)域305、第二參考區(qū)域311和第三參考區(qū)域317為邊長為
0.2-1 μ m正方形，在本發(fā)明的實(shí)施例中，正方形的邊長為0.5 μ m。其次，選取第一參考區(qū)域305、第二參考區(qū)域311和第三參考區(qū)域317中的一個(gè)作為標(biāo)準(zhǔn)參考圖形。例如，在本發(fā)明的實(shí)例2中，選取第一參考區(qū)域305作為標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域。然后，分別比較第一參考區(qū)域305、第二參考區(qū)域311和第三參考區(qū)域317與標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和周邊圖形的重疊率，得到第一重疊率、第二重疊率和
第二重疊率。本發(fā)明實(shí)施例中，由于第一參考區(qū)域305為標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域，因此所述第一重疊率為100%;所述第二重疊率由比較第二參考區(qū)域311中的第二圖形307和周邊圖形309與作為標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域的第一參考區(qū)域305中的第一圖形301和周邊圖形303的重疊率后得到；所述第三重疊率由比較第三參考區(qū)域317中的第三圖形313和周邊圖形315與作為標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域的第一參考區(qū)域305中的第一圖形301和周邊圖形303的重疊率后得到。若得到的第二重疊率和/或第三重疊率大于等于95%，則將相應(yīng)的圖形歸為一類。采用本發(fā)明第二實(shí)施例中的方法對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形進(jìn)行分類，由于考慮了最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形的周邊圖形的影響，將違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形形狀、其周邊圖形和兩者的位置關(guān)系均相同或相近的歸為一類，檢測人員采用本發(fā)明第二實(shí)施例的檢測方法得到的結(jié)果更加精確。需要說明的是，所述周邊圖形指的是除違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形外，位于所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形對(duì)應(yīng)的參考區(qū)域內(nèi)的那些圖形。
需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，如果最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形的數(shù)量很多，還可以在按照?qǐng)D形結(jié)構(gòu)進(jìn)行分類前，根據(jù)不同的分類規(guī)則，例如違反值對(duì)應(yīng)的圖形的周長、面積等進(jìn)行多次分類。需要說明的是，如果設(shè)計(jì)規(guī)則與尺寸無關(guān)，例如設(shè)計(jì)規(guī)則為導(dǎo)線的交叉情況時(shí)，若違反了設(shè)計(jì)規(guī)則，主要看違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形(導(dǎo)線)周圍是否存在MOS晶體管，若其安全距離內(nèi)存在MOS晶體管，則該違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形(導(dǎo)線)不能滿足工廠的制造工藝條件，需要對(duì)所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形即導(dǎo)線進(jìn)行修改；若其安全距離內(nèi)不存在MOS晶體管，則該違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形滿足工廠的制造工藝條件，不需要對(duì)對(duì)應(yīng)的導(dǎo)線進(jìn)行修改。綜上，本發(fā)明實(shí)施例的芯片版圖的檢測方法中，根據(jù)科學(xué)有效的分類方法，對(duì)每一設(shè)計(jì)規(guī)則下違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值進(jìn)行了篩選，僅對(duì)每一設(shè)計(jì)規(guī)則下與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形結(jié)構(gòu)進(jìn)行分類，對(duì)所述類中一類的一個(gè)圖形進(jìn)行圖形檢測，判斷選擇的圖形是否滿足制造工藝條件，若存在制造工藝條件的圖形，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形，提高了檢測效率，且不易漏掉不滿足圖形設(shè)計(jì)需求的圖形，利于后續(xù)形成的芯片成功量產(chǎn)，并提高產(chǎn)品的良率。進(jìn)一步的，對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的多個(gè)圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類時(shí)，以每一所述違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的中心為中心，形成若干個(gè)大小、形狀相同的參考區(qū)域，比較每一參考區(qū)域中違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形、周邊圖形的形狀和兩者的位置關(guān)系，將每一參考區(qū)域中違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形、周邊圖形的形狀和兩者的位置關(guān)系相同或相近的歸為一類，然后進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，得到的檢測結(jié)果更加準(zhǔn)確，更有利于后續(xù)形成的芯片成功量廣，進(jìn)一步提聞了廣品的良率。本發(fā)明雖然已以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動(dòng)和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種芯片版圖的檢測方法，其特征在于，包括: 步驟S1:提供芯片版圖，所述芯片版圖包括若干圖形；所述芯片版圖具有與所述圖形尺寸相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則； 步驟S2:根據(jù)所述設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)相關(guān)的圖形進(jìn)行第一圖形檢測，獲得違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值； 步驟S3:選擇違反值中最小的違反值及與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，并對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類； 步驟S4:選擇所述類中一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足制造工藝條件，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形；若選擇的圖形滿足制造工藝條件，則循環(huán)執(zhí)行步驟S4，選擇下一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片版圖的檢測方法，其特征在于，所述圖形結(jié)構(gòu)為違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形形狀，或者違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的形狀、所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的周邊圖形的形狀、及兩者的位置關(guān)系。
3.如權(quán)利要求1所述的芯片版圖的檢測方法，其特征在于，對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類的方法包括:獲得與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，選取一個(gè)違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形為參考圖形，逐一比較剩余的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與所述參考圖形的重疊率，將重疊率大于等于95%的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與參考圖形歸為一類。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片版圖的檢測方法，其特征在于，將重疊率等于100%的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形與參考圖形歸為一類。
5.如權(quán)利要求1所述的芯片版圖的檢測方法，其特征在于，對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的多個(gè)圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類的方法包括:獲得與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，以每一所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的中心為中心，形成若干個(gè)大小、形狀相同的參考區(qū)域，每一所述參考區(qū)域至少包括所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形、部分與所述違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形相鄰的周邊圖形；選取任一個(gè)參考區(qū)域作為標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域，逐一比較剩余的參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和周邊圖形、與標(biāo)準(zhǔn)參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和周邊圖形的重疊率，將重疊率大于等于95%的參考區(qū)域中的違反設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形歸為一類。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片版圖的檢測方法，其特征在于，所述參考區(qū)域的形狀為方形、圓形、橢圓形、扇形或三角形。
7.如權(quán)利要求5所述的芯片版圖的檢測方法，其特征在于，所述參考區(qū)域的形狀為正方形，所述正方形的邊長為0.2-1 μ m。
8.如權(quán)利要求1所述的芯片版圖的檢測方法，其特征在于，所述圖形設(shè)計(jì)需求包括:違反值對(duì)應(yīng)的圖形的安全距離內(nèi)沒有MOS晶體管、金屬線、導(dǎo)電插塞中的一種或多種。
全文摘要
一種芯片版圖的檢測方法，根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)芯片版圖相關(guān)的圖形進(jìn)行第一圖形檢測，獲得違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形和基于違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形的違反值；選擇違反值中最小的違反值、與最小違反值對(duì)應(yīng)的違反所述設(shè)計(jì)規(guī)則的圖形，對(duì)與最小違反值對(duì)應(yīng)的圖形按圖形結(jié)構(gòu)分類；選擇所述類中一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，若選擇的圖形不滿足制造工藝條件，則修改與所述設(shè)計(jì)規(guī)則相關(guān)的所有圖形；若選擇的圖形滿足制造工藝條件，則選擇下一類的一個(gè)圖形，進(jìn)行基于制造工藝條件的第二圖形檢測，直至檢測完所有類。采用本發(fā)明實(shí)施例的檢測方法，能夠高效、準(zhǔn)確的找出并修改不滿足制造工藝條件的圖形，使芯片成功量產(chǎn)并提高產(chǎn)品的良率。
文檔編號(hào)G06F17/50GK103164552SQ20111041414
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2011年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月13日
發(fā)明者魏靖恒, 劉喆秋 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司