一種半導(dǎo)體真空吸盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體是一種半導(dǎo)體真空吸盤。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著IC制造技術(shù)的飛速發(fā)展，其主要襯底材料一單晶硅片的直徑不斷增大，使得傳統(tǒng)的硅片加工方法面臨許多新問(wèn)題。其中比較突出的問(wèn)題是硅片尺寸增大后，其強(qiáng)度變差，容易產(chǎn)生翹曲變形，加工精度不易保證。因而很有必要開(kāi)展大尺寸硅片的超精密加工裝備和關(guān)鍵技術(shù)的研究，硅片的定位夾持技術(shù)就是其中之一。生產(chǎn)實(shí)踐表明，磨削過(guò)程中，硅片的夾持可靠性和定位精度對(duì)硅片加工面型精度和表面質(zhì)量以及加工效率有重要影響。因此，研究和設(shè)計(jì)硅片夾持系統(tǒng)，對(duì)我國(guó)開(kāi)發(fā)和研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高精度、高質(zhì)量和高效率的大尺寸硅片超精密加工裝備，具有重要的理論意義和實(shí)用價(jià)值。制備兩英寸及更大尺寸的半導(dǎo)體外延片時(shí)，在全息干涉光柵制作光學(xué)系統(tǒng)中需要合適的外延片吸附裝置，要求該裝置對(duì)用于曝光的激光束不產(chǎn)生任何遮擋，同時(shí)也要求便于對(duì)外延片進(jìn)行夾取操作，當(dāng)外延片吸附后需保持穩(wěn)定，且整個(gè)吸附過(guò)程中要求壓力分布均勻，避免對(duì)外延片造成任何物理?yè)p傷，因而制備一種滿足上述要求的半導(dǎo)體吸盤成為本領(lǐng)域技術(shù)人員急待解決的技術(shù)問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的在于提供一種半導(dǎo)體真空吸盤，以解決上述【背景技術(shù)】中提出的問(wèn)題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:
[0005]一種半導(dǎo)體真空吸盤，包括吸盤上環(huán)、吸盤底板、多孔陶瓷上板、陶瓷密封環(huán)、中央孔、中央通道、手柄、內(nèi)層通道、外層通道、夾持板和圓柱銷，所述的陶瓷密封環(huán)安裝在多孔陶瓷上板外圈，多孔陶瓷上板設(shè)置在吸盤底板上，吸盤底板上平面外圈設(shè)有吸盤上環(huán)，吸盤上環(huán)設(shè)有有螺紋孔，吸盤底板中間設(shè)有中央孔，中央孔內(nèi)部設(shè)有內(nèi)螺紋，中央孔內(nèi)部設(shè)有中央通道，中央通道外壁設(shè)有外螺紋，中央通道上設(shè)有手柄，中央孔頂端設(shè)有通氣裝置，多孔陶瓷上板包括外層吸盤和內(nèi)層吸盤，多孔陶瓷上板上表面設(shè)有圓柱銷，多孔陶瓷上板內(nèi)部設(shè)有內(nèi)層通道和外層通道，內(nèi)層通道一端與通氣裝置的頂面連通，內(nèi)層通道另一端出口設(shè)置在內(nèi)層吸盤內(nèi)，外層通道一端出口設(shè)置在外層吸盤內(nèi)，外層通道另一端與通氣裝置的側(cè)面連通，多孔陶瓷上板上設(shè)有夾持板。
[0006]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步的方案:所述的陶瓷密封環(huán)和多孔陶瓷上板之間用環(huán)氧樹(shù)月旨粘接。
[0007]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述的吸盤上環(huán)和陶瓷密封環(huán)與吸盤底板相連接的徑向部分采用粘合劑粘接。
[0008]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述的中央通道與外部抽氣裝置連接。
[0009]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述的圓柱銷為Al 20 3陶瓷圓柱銷，每個(gè)小圓柱銷直徑為0.2mm,高度同樣為0.2_。
[0010]作為本實(shí)用新型再進(jìn)一步的方案:所述的夾持板的寬度為夾持板10-20mm。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型采取內(nèi)外層吸盤的設(shè)定，可用于加工不同尺寸的硅片，同時(shí)不同大小的硅片吸附時(shí)開(kāi)啟的吸附通道不一樣，針對(duì)性強(qiáng)，減少功耗，圓柱銷式的吸盤吸附面積大，吸附能力強(qiáng)，圓柱銷均勻分布，定位夾持精度高，減少了灰塵粘附，降低灰塵的影響。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1為一種半導(dǎo)體真空吸盤的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為一種半導(dǎo)體真空吸盤的俯視圖。
[0014]圖3為一種半導(dǎo)體真空吸盤的俯視圖。
[0015]圖中:1、吸盤上環(huán)，2、吸盤底板，3、多孔陶瓷上板，31、外層吸盤，32、內(nèi)層吸盤，4、陶瓷密封環(huán)，5、中央孔，6、中央通道，7、手柄，8、內(nèi)層通道，9、外層通道，10、夾持板，11、圓柱銷，12、螺紋孔，13、外螺紋，14、通氣裝置。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本專利的技術(shù)方案作進(jìn)一步詳細(xì)地說(shuō)明。
[0017]請(qǐng)參閱圖1-3，一種半導(dǎo)體真空吸盤，包括吸盤上環(huán)1、吸盤底板2、多孔陶瓷上板
3、陶瓷密封環(huán)4、中央孔5、中央通道6、手柄7、內(nèi)層通道8、外層通道9、夾持板10和圓柱銷11，所述的陶瓷密封環(huán)4安裝在多孔陶瓷上板3外圈，陶瓷密封環(huán)4和多孔陶瓷上板3之間用環(huán)氧樹(shù)脂粘接，多孔陶瓷上板3設(shè)置在吸盤底板2上，吸盤底板2上平面外圈設(shè)有吸盤上環(huán)1，吸盤上環(huán)I設(shè)有有螺紋孔12，通過(guò)螺栓穿過(guò)螺紋孔12將吸盤上環(huán)I固定在吸盤底板2上，吸盤上環(huán)I和陶瓷密封環(huán)4與吸盤底板2相連接的徑向部分采用粘合劑黏牢，吸盤底板2中間設(shè)有中央孔5，中央孔5內(nèi)部設(shè)有內(nèi)螺紋，中央孔5內(nèi)部設(shè)有中央通道6，中央通道6外壁設(shè)有外螺紋13，中央孔5和中央通道6配合設(shè)置，中央通道6上設(shè)有手柄7，中央通道6與外部抽氣裝置連接，中央孔5頂端設(shè)有通氣裝置14，多孔陶瓷上板3包括外層吸盤31和內(nèi)層吸盤32，多孔陶瓷上板3上表面設(shè)有圓柱銷11，圓柱銷11為Al 20 3陶瓷圓柱銷，每個(gè)小圓柱銷直徑為0.2mm，高度同樣為0.2mm，以多點(diǎn)接觸的方式支撐硅片，多孔陶瓷上板3內(nèi)部設(shè)有內(nèi)層通道8和外層通道9，內(nèi)層通道8 一端與通氣裝置14的頂面連通，內(nèi)層通道8另一端出口設(shè)置在內(nèi)層吸盤32內(nèi)，外層通道9 一端出口設(shè)置在外層吸盤31內(nèi)，外層通道9另一端與通氣裝置14的側(cè)面連通，多孔陶瓷上板3上設(shè)有夾持板10，夾持板10的寬度為夾持板10-20_，優(yōu)選為15_，與吸盤的底部相連，固定后方便對(duì)半導(dǎo)體外延片的夾取進(jìn)行操作。
[0018]本實(shí)用新型的工作原理是:本實(shí)用新型當(dāng)裝夾小直徑硅片時(shí)，只需要內(nèi)層吸盤工作，通過(guò)旋轉(zhuǎn)手柄帶動(dòng)中央通道的轉(zhuǎn)動(dòng)，使中央通道抵住通氣裝置頂端，使外部抽氣裝置與內(nèi)層通道連通，減小功耗，當(dāng)裝夾大直徑硅片時(shí)，需要外層吸盤和多內(nèi)層吸盤同時(shí)工作，轉(zhuǎn)動(dòng)中央通道，使內(nèi)層通道和外層通道同時(shí)連接通氣裝置，在外部抽氣裝置的作用下，使外層吸盤、內(nèi)層吸盤區(qū)形成真空，吸附半導(dǎo)體外延片。
[0019]上面對(duì)本專利的較佳實(shí)施方式作了詳細(xì)說(shuō)明，但是本專利并不限于上述實(shí)施方式，在本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所具備的知識(shí)范圍內(nèi)，還可以在不脫離本專利宗旨的前提下做出各種變化。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體真空吸盤，包括吸盤上環(huán)、吸盤底板、多孔陶瓷上板、陶瓷密封環(huán)、中央孔、中央通道、手柄、內(nèi)層通道、外層通道、夾持板和圓柱銷，其特征在于，所述的陶瓷密封環(huán)安裝在多孔陶瓷上板外圈，多孔陶瓷上板設(shè)置在吸盤底板上，吸盤底板上平面外圈設(shè)有吸盤上環(huán)，吸盤上環(huán)設(shè)有有螺紋孔，吸盤底板中間設(shè)有中央孔，中央孔內(nèi)部設(shè)有內(nèi)螺紋，中央孔內(nèi)部設(shè)有中央通道，中央通道外壁設(shè)有外螺紋，中央通道上設(shè)有手柄，中央孔頂端設(shè)有通氣裝置，多孔陶瓷上板包括外層吸盤和內(nèi)層吸盤，多孔陶瓷上板上表面設(shè)有圓柱銷，多孔陶瓷上板內(nèi)部設(shè)有內(nèi)層通道和外層通道，內(nèi)層通道一端與通氣裝置的頂面連通，內(nèi)層通道另一端出口設(shè)置在內(nèi)層吸盤內(nèi)，外層通道一端出口設(shè)置在外層吸盤內(nèi)，外層通道另一端與通氣裝置的側(cè)面連通，多孔陶瓷上板上設(shè)有夾持板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體真空吸盤，其特征在于，所述的陶瓷密封環(huán)和多孔陶瓷上板之間用環(huán)氧樹(shù)脂粘接。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體真空吸盤，其特征在于，所述的吸盤上環(huán)和陶瓷密封環(huán)與吸盤底板相連接的徑向部分采用粘合劑粘接。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體真空吸盤，其特征在于，所述的中央通道與外部抽氣裝置連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體真空吸盤，其特征在于，所述的圓柱銷為Al20 3陶瓷圓柱銷，每個(gè)小圓柱銷直徑為0.2_，高度同樣為0.2_。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體真空吸盤，其特征在于，所述的夾持板的寬度為夾持板10-20mm。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體真空吸盤，包括吸盤上環(huán)、吸盤底板、多孔陶瓷上板、陶瓷密封環(huán)、中央孔、中央通道、手柄、內(nèi)層通道、外層通道、夾持板和圓柱銷，所述的陶瓷密封環(huán)安裝在多孔陶瓷上板外圈，吸盤底板上平面外圈設(shè)有吸盤上環(huán)，吸盤底板中間設(shè)有中央孔，中央孔內(nèi)部設(shè)有中央通道，多孔陶瓷上板包括外層吸盤和內(nèi)層吸盤，多孔陶瓷上板上表面設(shè)有圓柱銷，多孔陶瓷上板上設(shè)有夾持板。本實(shí)用新型采取內(nèi)外層吸盤的設(shè)定，可用于加工不同尺寸的硅片，同時(shí)不同大小的硅片吸附時(shí)開(kāi)啟的吸附通道不一樣，針對(duì)性強(qiáng)，減少功耗，圓柱銷式的吸盤吸附面積大，吸附能力強(qiáng)，圓柱銷均勻分布，定位夾持精度高，減少了灰塵粘附，降低灰塵的影響。
【IPC分類】H01L21/683
【公開(kāi)號(hào)】CN204857698
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520561979
【發(fā)明人】吳根明
【申請(qǐng)人】吳根明
【公開(kāi)日】2015年12月9日
【申請(qǐng)日】2015年7月30日