顯示區(qū)的測試圖形；測量測試圖形的參數(shù)，包括圖形的尺寸、間距，判斷測試圖形的參數(shù)是否滿足要求;如果不滿足要求則調整參數(shù);如果測試圖形符合要求，則在下層上形成間隔層，間隔層包括柵極絕緣層或層間絕緣層;在顯示區(qū)和非顯示區(qū)中形成過孔，過孔貫穿間隔層，非顯示區(qū)的過孔位于測試線的上方;測量過孔的位置是否滿足要求;如果過孔位置偏離期望位置，則調整過孔的位置;重復以上步驟繼續(xù)形成后續(xù)的層。
[0055]本實用新型的實施例的方法還包括:每層測試圖形中包括多個測試塊和多個測試線，下層的測試塊和上層的測試塊之間形成電容器，測量電容器的電容，判斷是否滿足期望的要求。根據(jù)本實用新型的實施例的方法，每層測試圖形中包括多個測試線，多個測試線的寬度互不相同且間隔分開，并且，不同層的測試線材料不同。根據(jù)本實用新型的實施例的方法，測量不同層上的測試線構成溝道長度不同的薄膜晶體管的參數(shù)。
[0056]根據(jù)本實用新型的實施例的方法，下層的顯示圖形包括有源層，上層的所述顯示圖形包括數(shù)據(jù)線和源極和漏極;和/或下層的所述顯示圖形包括數(shù)據(jù)線和源極和漏極，上層的所述顯示圖形包括柵線;和/或下層的所述顯示圖形包括數(shù)據(jù)線和源極和漏極，上層的顯示圖形包括像素電極。
[0057]在本實用新型的實施例中，測試線本身的尺寸可以用于判斷線組件的相關工藝是否滿足預定要求；同時測試線中的金屬測試線可以用于連接不同層的測試塊，從用于判斷不同層之間的電連接、不同層之間的測試塊形成的電容器、薄膜晶體管是否滿足預定要求，因而根據(jù)本實用新型的實施例，不需要設置專門用于判斷線寬等的測試線，用于構成電容器的測試線即可以用于判斷測試線是否完整，測試線的尺寸是否達到預定要求，由此可以減少測試線的數(shù)量;根據(jù)本實用新型的實施例，可以在有源層、柵極所在層、間隔層、源漏金屬所在層以及像素電極所在層分別監(jiān)測測試組件單元，可以即時監(jiān)測各層測試線的尺寸、電容及長、短溝道的薄膜晶體管特性;根據(jù)本實用新型的實施例，將對不同層的重疊、包括圖案化工藝、黃光對準工藝等各種不同工藝的參數(shù)、電容、薄膜晶體管長短溝道的監(jiān)測整合在一起，減少了測試組件單元的復雜度，從而節(jié)約了成本。
[0058]根據(jù)本實用新型的一個實施例的形成測試組件單元的方法可以具體包括:
[0059]1)提供基板100，對基板100進行清洗處理，基板100由玻璃等透明材料構成。利用等離子增強化學氣相外延方法在基板上連續(xù)形成緩沖層101，和一非晶硅薄膜102。所述緩沖層101可以由氧化硅、氮化硅形成單一或復合層組成，氧化硅厚度為50-100納米，氮化硅厚度為100-300納米，非晶硅薄膜厚度為40-50納米，如圖1所示;接著將基板100送往高溫爐中進行處理，以達到脫氫(減少非晶硅薄膜中氫的含量)的目的，一般將氫的含量控制在2 %以內。
[0060]2)然后把上述基板進行退火處理，例如使用準分子激光退火，使非晶硅轉變多晶硅薄膜有源層102;再通過光刻抗蝕劑曝光顯影形成有源層光刻抗蝕劑圖案103，如圖2所不ο
[0061]3)利用刻蝕的方法進行有源層刻蝕，最后再利用剝離裝置將PR膠進行剝離，形成有源層圖案102，如圖3所示。換句話說，有源層102圖案包括多條多晶硅測試線。這些多晶硅測試線預定寬度不同，且相互間隔分開。
[0062]4)接著再利用等離子增強化學氣相外延的方法沉積柵極絕緣層200，如圖4所示。
[0063]5)接著再利用例如濺射工藝沉積柵極金屬層300，如圖5所示。再通過光刻抗蝕劑曝光和顯影形成柵極光刻抗蝕劑圖案301，并利用蝕刻的方式進行柵極金屬層蝕刻，最后再利用剝離裝置剝離光刻抗蝕劑，最終柵極的圖案如圖6與圖7所示。換句話說，柵極金屬層300圖案包括多條柵極金屬測試線和多個柵極金屬測試塊。這些柵極金屬測試線預定寬度不同，且相互間隔分開;柵極金屬測試塊大小不同，且相互之間間隔分開。
[0064]6)接著再利用等離子增強化學氣相外延的方法沉積間隔層，例如內部介質層400，在內部介質層沉積完成后，通過光刻工藝曝光顯影形成介質層光刻抗蝕劑圖案401，并利用蝕刻的方式進行介質層的蝕刻，最后再利用剝離裝置將剝離光刻抗蝕劑，最終形成的介質層的圖案如圖8?10所示。
[0065]7)接著利用例如濺射工藝沉積源極和漏極金屬層500，如圖11所示。再通過光刻工藝曝光顯影形成源極和漏極光刻抗蝕劑圖案501，如圖12所示。
[0066]8)利用刻蝕的方法進行源極和漏極金屬層的刻蝕，最后再利用剝離裝置將光刻抗蝕劑剝離，最終源極和漏極的圖案如圖13所示。換句話說，源極和漏極金屬層500圖案包括多條源極和漏極金屬測試線500’和多個源極和漏極金屬測試塊500。這些源極和漏極金屬測試線500’預定寬度不同，且相互間隔分開;源極和漏極金屬測試塊500大小不同，且相互之間間隔分開。
[0067]9)接著沉積平坦層600，在平坦層沉積完成后，形成掩模601(如圖15a所示)，通過光刻工藝曝光顯影形成平坦層圖案600，如圖14、15a以及15b所示。
[0068]10)接著利用例如濺射工藝沉積像素電極層層700，如圖16所示。再通過光學曝光和顯影形成像素光刻抗蝕劑圖案701，如圖17所示。
[0069]11)利用刻蝕的方法進行像素層刻蝕，最后再利用剝離裝置對光刻抗蝕劑進行剝離，最終像素電極的圖形如圖18所示。換句話說，像素電極金屬層700圖案包括多條像素電極金屬測試線700’和多個像素電極金屬測試塊700。這些像素電極金屬測試線700’預定寬度不同，且相互間隔分開;像素電極金屬測試塊700大小不同，且相互之間間隔分開。
[0070]在本實用新型的實施例中，還包括形成過孔，過孔貫穿間隔層連接不同上的金屬線以便形成電連接。
[0071]在本文中，觀察測試線或測試塊是否正確地形成是指，判斷測試圖形中所有的測試線和測試塊都達到了預定的寬度，并且任意相鄰的兩條測試線或測試塊之間、或測試線和測試塊之間的間距也達到預定的寬度。在本文中，可以利用CCD攝像頭對測試圖形進行拍照，通過對CCD攝像頭獲取的圖像分析測試圖形的寬度、間隔是否符合預設參數(shù)。
[0072]此外，當測試圖形以及與該測試圖形同層設置的顯示圖形由金屬材料形成時，還需要判斷顯示圖形中的線條之間是否形成短路。此時，判斷測試圖形是否正確形成需要判斷同一測試圖形的任意兩條測試線、測試塊之間是否發(fā)生短路。具體地，可以通過測試任意兩條測試線、測試塊之間的阻抗判斷二者之間是否發(fā)生短路，相應地，可以判斷在顯示區(qū)的顯示圖形中，具有與被測量的測試線相同寬度、與測試塊相同尺寸的塊之間是否短路。
[0073]當測試不同層之間的測試塊之間的電容值可以判斷不同層之間的顯示區(qū)的圖形中的測試塊之間電容是否符合預定要求，從而可以判斷不同層之間的測試塊尺寸、間距、連接測試塊的測試線和過孔是否正確等。
[0074]當觀察過孔是否正確形成時，需要判斷是否所有的過孔都已經形成，并且判斷每個過孔的孔徑是否已經達到預定值。
[0075]觀察上層測試圖形中的測試塊或測試框的側邊與下層測試圖形中的測試塊的側邊之間的間隔，如果間隔為預定值則說明黃光對準能力符合要求，反之說明黃光對準能力不符合要求，應該調整工藝參數(shù)。
[0076]利用檢測源極和漏極金屬所形成源極和漏極金屬測試塊500與像素電極金屬測試塊700的間距，可以量測源極和漏極金屬500與像素電極金屬測試塊700之間的重疊程度，而利用量測源極和漏極金屬之間的線寬，同時可檢測源極和漏極金屬層光刻與蝕刻的工藝能力程度。
[0077]在本實施例中，在形成每層金屬層中圖案之后可以測量測試區(qū)內的金屬圖形判斷工藝的參數(shù)是否符合預定要求。例如，利用檢測多晶硅層102、柵極金屬層300、源極和漏極金屬層500所形成測試塊與柵極金屬測試線300’、介質層測試線400’、源極和漏極金屬測試線500’及像素電極層測試線700’的尺寸和這些測試線之間的間距，判斷形成在圖形區(qū)內相應的層內的相應的線元件的尺寸以及這些線元件相互之間的間距是否達到預定參數(shù);可以量測多晶硅測試塊102、柵極金屬層測試塊300、介質層測試線400’、源極和漏極金屬測試塊500以及