一種芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體芯片加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體芯片廣泛用于各種電器，電源的整流，二極管、三極管、整流器及超快恢復(fù)線路都有使用，現(xiàn)有技術(shù)是，芯片制作工藝是在芯片上均勻的刻出溝道，邊緣晶粒的溝道與中心位置晶粒溝道尺寸一致，在低電壓測試時漏電小，當(dāng)用1200V電壓測試時，漏電遠遠大于工藝參數(shù)，這是現(xiàn)有技術(shù)的不足之處。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的在于，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種通過改變芯片邊沿晶粒溝道設(shè)置，大大提高了產(chǎn)品的合格率的一種芯片。
[0004]為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的技術(shù)方案為:一種芯片，由縱橫溝道間隔組成晶粒的芯片本體，其特征在于:在所述芯片本體的邊沿溝道的外側(cè)增加設(shè)置一條刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。
[0005]本實用新型的進一步改進有，所述刻痕設(shè)置在不完整的所述晶粒上面。這樣保證芯片的所有晶粒都是完整的。
[0006]本實用新型的進一步改進還有，所述刻痕與所述芯片本體的邊沿溝道間距為L，L為 250μηι-400μηιο
[0007]本實用新型的進一步改進還有，所述刻痕與所述溝道的尺寸一致。
[0008]說明書中沒有描述的結(jié)構(gòu)屬于現(xiàn)有技術(shù)。
[0009]本方案的有益效果可根據(jù)對上述方案的敘述得知，做一次光刻時，通過改變光刻版的圖形，在晶片邊沿的溝道處外側(cè)增加了一條溝道，并確保開溝時溝道與圖形一致，然后溝道里填滿玻璃，解決邊緣漏電，保證邊緣一周的晶粒符合工藝參數(shù)，提高良率，降低成本。由原來的90%提高到現(xiàn)在的97%，并在下一步工序中，節(jié)省時間50%，大大地提高了工作效率，并保證了合格率，由于良率和效率的提升在成本方面節(jié)約了8%。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為圖1的A局部放大結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:1_芯片本體，2_晶粒，3_溝道，4_刻痕。
【具體實施方式】
[0011 ]下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細說明。
[0012]通過附圖可以看出，一種芯片，由縱橫溝道3間隔組成晶粒2的芯片本體I，其特征在于:在所述芯片本體I的邊沿溝道3的外側(cè)增加設(shè)置一條刻痕4，并在所述刻痕4里填充玻璃。所述刻痕4設(shè)置在不完整的所述晶粒2上面。所述刻痕4與所述芯片本體I的邊沿溝道間距為L，L為250μηι-400μηι。所述刻痕4與所述溝道3的尺寸一致。
[0013]當(dāng)然，上述說明并非對本實用新型的限制，本實用新型也不僅限于上述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實用新型的實質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、改型、添加或替換，也屬于本實用新型的保護范圍。
【主權(quán)項】
1.一種芯片，由縱橫溝道間隔組成晶粒的芯片本體，其特征在于:在所述芯片本體的邊沿溝道的外側(cè)增加設(shè)置一條刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片，其特征在于:所述刻痕設(shè)置在不完整的所述晶粒上面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片，其特征在于:所述刻痕與所述芯片本體的邊沿溝道間距為 L，L 為 250μηι-400μηι。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片，其特征在于:所述刻痕與所述溝道的尺寸一致。
【專利摘要】本實用新型公開了一種芯片，由縱橫溝道間隔組成晶粒的芯片本體，其特征在于：在所述芯片本體的邊沿溝道的外側(cè)增加設(shè)置一條刻痕，并在所述刻痕里填充玻璃。本方案的有益效果是：做一次光刻時，通過改變光刻版的圖形，在晶片邊沿的溝道處外側(cè)增加了一條溝道，并確保開溝時溝道與圖形一致，然后溝道里填滿玻璃，解決邊緣漏電，保證邊緣一周的晶粒符合工藝參數(shù)，提高良率，降低成本。由原來的90%提高到現(xiàn)在的97%，并在下一步工序中，節(jié)省時間50%，大大地提高了工作效率，并保證了合格率，由于良率和效率的提升在成本方面節(jié)約了8%。
【IPC分類】H01L23/31, H01L23/29
【公開號】CN205211726
【申請?zhí)枴緾N201520869113
【發(fā)明人】王大勇, 孫者利
【申請人】濟南卓微電子有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2015年11月3日