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      一種紅外探測器封裝外殼的制作方法

      文檔序號(hào):10336894閱讀:392來源:國知局
      一種紅外探測器封裝外殼的制作方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及一種電子元器件外殼,具體是一種紅外探測器封裝外殼。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著電子產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,對(duì)電子器件的封裝提出了更高的要求。目前,電子器件的封裝均采用塑料封裝,已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化、規(guī)模化,但塑料的本身物理性質(zhì)決定了它不能在高溫、低溫等苛刻環(huán)境下工作,其使用環(huán)境受到很大的局限。并且,塑料封裝氣密性不足,影響器件的使用性能。
      【實(shí)用新型內(nèi)容】
      [0003]為實(shí)現(xiàn)所述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種紅外探測器封裝外殼,由殼體、外引線組成,殼體的材料是陶瓷,殼體設(shè)有凹腔,殼體內(nèi)有印刷線路,外引線與印刷線路電連接;殼體內(nèi)部由底部至開口端依次設(shè)置有相互平行的定位臺(tái)和防溢臺(tái),其中定位臺(tái)控制電子元件的水平,防溢臺(tái)防止灌裝時(shí)的灌封膠溢出防溢臺(tái)。
      [0004]所述定位臺(tái)和防溢臺(tái)由殼體殼壁切削厚度后構(gòu)成,且定位臺(tái)處的殼壁厚度大于防溢臺(tái)處殼壁厚度。
      [0005]所述定位臺(tái)和防溢臺(tái)由凸出于殼體內(nèi)壁的凸臺(tái)構(gòu)成,且定位臺(tái)的凸出厚度大于防溢臺(tái)的凸出厚度。
      [0006]所述定位臺(tái)與防溢臺(tái)之間的距離大于電子元件基板的厚度。
      [0007]所述定位臺(tái)與防溢臺(tái)之間的距離為電子元件基板厚度的1.2-3倍。
      [0008]所述防溢臺(tái)與殼體開口端的距離為定位臺(tái)與防溢臺(tái)之間距離的1/5-1/2。
      [0009]所述定位臺(tái)與殼體底部的距離為定位臺(tái)和防溢臺(tái)之間距離的3-10倍。
      [0010]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:
      [0011 ] 1、由于外殼材料由陶瓷和金屬組成,陶瓷和金屬材料的物理特性決定了本實(shí)用新型電子器件的封裝外殼可耐高溫、低溫等苛刻環(huán)境,大大拓展了使用環(huán)境范圍,殼體采用陶瓷材料并用金屬蓋板進(jìn)行封裝,這樣的結(jié)構(gòu)氣密性很好,可確保器件的使用性能,用陶瓷材料制作可以方便地形成凹腔,便于芯片封裝。
      [0012]2、利用殼體上的定位臺(tái)解決了電子元件的水平固定問題,定位臺(tái)能夠支撐電子元件的基板,保證電子元件在殼體內(nèi)的位置和水平。利用防溢臺(tái)解決了外觀一致性問題,防溢臺(tái)避免了溢出的灌裝膠沿殼體內(nèi)壁上升而露出殼體的問題,使灌裝膠在防溢臺(tái)處依重力下降而漫延到電子元件的基板邊沿,保證了整個(gè)封裝件的外觀形狀。定位臺(tái)和防溢臺(tái)利用殼體自身形成,制造簡單。調(diào)整定位臺(tái)和防溢臺(tái)之間的距離可以控制灌裝膠的溢出狀態(tài),調(diào)整定位臺(tái)與殼體底部的距離可以控制電子元件的封裝厚度。本方案結(jié)構(gòu)簡單、膠料高度一致性好,而且提高了電子元件的水平程度和減震效果,消除了殼體各邊的多余膠料并阻斷毛細(xì)現(xiàn)象。
      【附圖說明】
      [0013]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不意圖;
      [0014]圖2為本實(shí)用新型的俯視圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
      [0016]請(qǐng)參閱圖1-2,本實(shí)用新型實(shí)施例中,一種紅外探測器封裝外殼,由殼體3、外引線4組成,殼體3的材料是陶瓷,殼體3設(shè)有凹腔,殼體3內(nèi)有印刷線路2,外引線4與印刷線路2電連接。
      [0017]在殼體3內(nèi)壁上,由殼體3的底部至開口端依次設(shè)置相互平行的定位臺(tái)5和防溢臺(tái)6,其中定位臺(tái)5和防溢臺(tái)6直接利用殼壁不同的厚度形成,其中防溢臺(tái)6處殼壁的厚度小于定位臺(tái)5處殼壁的厚度小于殼壁的厚度。防溢臺(tái)6與定位臺(tái)5之間的距離大于安裝電子元件的基板厚度且是基板厚度的1.2-3倍。定位臺(tái)5與殼體3底部之間空間用于容納電子元件和灌裝膠,其距離為定位臺(tái)5與防溢臺(tái)6之間距離的3-10倍。防溢臺(tái)6與殼體3開口端的距離保證灌裝膠即使溢出也不會(huì)超過殼體3的開口端,一般是定位臺(tái)5與防溢臺(tái)6之間距離的1/5-1/2。
      [0018]灌裝時(shí)將電子元件置入外殼內(nèi),而電子元件的基板則放置在定位臺(tái)5上,保證了電子元件處于水平狀態(tài),再將灌裝膠由基板上的孔注入基板與殼體3形成的空間內(nèi),控制灌裝膠的量,使灌裝膠由基板與殼體3之間溢出,溢出的灌裝膠在防溢臺(tái)6處通過液體的表面張力反向漫延到基板四周,使整個(gè)電子元件與殼體3之間達(dá)到固定和密封。
      [0019]針對(duì)不同的需要,可以更改殼體3的外形尺寸、腔體形狀、腔體內(nèi)印刷線路2的布線、外引線4的引線數(shù)等,制成不同規(guī)格的電子器件的封裝外殼。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.一種紅外探測器封裝外殼,其特征在于,由殼體、外引線組成,殼體的材料是陶瓷,殼體設(shè)有凹腔,殼體內(nèi)有印刷線路,外引線與印刷線路電連接;殼體內(nèi)部由底部至開口端依次設(shè)置有相互平行的定位臺(tái)和防溢臺(tái),其中定位臺(tái)控制電子元件的水平,防溢臺(tái)防止灌裝時(shí)的灌封膠溢出防溢臺(tái)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外探測器封裝外殼,其特征在于,所述定位臺(tái)和防溢臺(tái)由殼體殼壁切削厚度后構(gòu)成,且定位臺(tái)處的殼壁厚度大于防溢臺(tái)處殼壁厚度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種紅外探測器封裝外殼,其特征在于,所述定位臺(tái)和防溢臺(tái)由凸出于殼體內(nèi)壁的凸臺(tái)構(gòu)成,且定位臺(tái)的凸出厚度大于防溢臺(tái)的凸出厚度。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的一種紅外探測器封裝外殼,其特征在于,所述定位臺(tái)與防溢臺(tái)之間的距離大于電子元件基板的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種紅外探測器封裝外殼,其特征在于,所述定位臺(tái)與防溢臺(tái)之間的距離為電子元件基板厚度的1.2-3倍。6.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的一種紅外探測器封裝外殼,其特征在于,所述防溢臺(tái)與殼體開口端的距離為定位臺(tái)與防溢臺(tái)之間距離的1/5-1/2。7.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的一種紅外探測器封裝外殼,其特征在于,所述定位臺(tái)與殼體底部的距離為定位臺(tái)和防溢臺(tái)之間距離的3-10倍。
      【專利摘要】一種紅外探測器封裝外殼,由殼體、外引線組成,殼體的材料是陶瓷,殼體設(shè)有凹腔,殼體內(nèi)有印刷線路,外引線與印刷線路電連接;殼體內(nèi)部由底部至開口端依次設(shè)置有相互平行的定位臺(tái)和防溢臺(tái),其中定位臺(tái)控制電子元件的水平,防溢臺(tái)防止灌裝時(shí)的灌封膠溢出防溢臺(tái)。本方案結(jié)構(gòu)簡單、膠料高度一致性好,而且提高了電子元件的水平程度和減震效果,消除了殼體各邊的多余膠料并阻斷毛細(xì)現(xiàn)象。外殼由陶瓷和金屬組成,陶瓷和金屬材料的物理特性決定了本實(shí)用新型電子器件的封裝外殼可耐高溫、低溫等苛刻環(huán)境,大大拓展了使用環(huán)境范圍。
      【IPC分類】H01L23/06, H01L23/053, H01L31/0203
      【公開號(hào)】CN205248285
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520983480
      【發(fā)明人】單永, 張鋒
      【申請(qǐng)人】安徽潤爾光電科技有限公司
      【公開日】2016年5月18日
      【申請(qǐng)日】2015年11月27日
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