一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]電磁兼容EMC(Electro-Magnetic Compatibility)，是設(shè)備所產(chǎn)生的電磁能量既不對其它設(shè)備產(chǎn)生干擾，也不受其他設(shè)備的電磁能量干擾的能力。如果在一個電路系統(tǒng)中各電路模塊之間能和諧、正常的工作而不致相互發(fā)生電磁干擾造成性能改變或無法工作，稱這個電路系統(tǒng)是相互兼容的。但是隨著目前電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電路功能不斷地趨于多樣化、結(jié)構(gòu)不斷地趨于復(fù)雜化、工作功率逐漸地加大和系統(tǒng)頻率逐級地提高，同時靈敏度的要求已越來越高，很難保證系統(tǒng)不產(chǎn)生一定的電磁輻射或受到外界的電磁干擾。為了使系統(tǒng)達(dá)到電磁兼容，必須以系統(tǒng)的電磁環(huán)境為依據(jù)，要求每個電路模塊盡量不產(chǎn)生電磁輻射，同時又要求它具有一定的抗電磁干擾的能力，才能保證系統(tǒng)達(dá)到相對的完全兼容。而實現(xiàn)封裝體屏蔽電磁干擾的一般方法是在封裝體之外加上金屬制成的適當(dāng)?shù)碾姶牌帘谓饘贇?，對電磁波進(jìn)行屏蔽。同時，隨著封裝結(jié)構(gòu)封裝的小型化發(fā)展的時代趨勢，封裝結(jié)構(gòu)的基板也朝著輕薄化、小型化的方向發(fā)展。
[0003]然而，對于業(yè)界現(xiàn)有的單層超薄基板系列產(chǎn)品，如果使用conformal shielding制程在此單層超薄基板產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，目前在產(chǎn)業(yè)界尚未有人使用，由于在進(jìn)行金屬屏蔽層覆蓋時，會造成產(chǎn)品引腳處與金屬屏蔽層形成短路。
[0004]但如果對單層超薄基板產(chǎn)品先作引腳電鍍處理，需先通過蝕刻工藝將背銅去除，將整條產(chǎn)品切單分成單一封裝結(jié)構(gòu)，然后再在單顆產(chǎn)品上形成金屬屏蔽層，如此分開作業(yè)比較耗費時間，生產(chǎn)效率低下。
[0005]因此，有必要提供對現(xiàn)有的單層超薄基板的結(jié)構(gòu)和制備工藝進(jìn)行進(jìn)一步的改進(jìn)，提升生產(chǎn)效率以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對以上技術(shù)問題，本實用新型設(shè)計開發(fā)了一種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)對超薄封裝結(jié)構(gòu)金屬屏蔽層的有效涂覆，使封裝結(jié)構(gòu)達(dá)到良好的電磁屏蔽和電磁兼容性能，并對單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品進(jìn)行金屬屏蔽層涂覆工藝進(jìn)行改進(jìn)，采用半切(Half cut)工藝，一次性對整條單層超薄基板封裝產(chǎn)品進(jìn)行金屬屏蔽層涂覆，從而提高生產(chǎn)效率;并在后續(xù)的單層超薄基板封裝產(chǎn)品的引腳處，植錫球或印刷錫膏，或者通過化學(xué)沉積工藝沉積Ni/Au，有效避免引腳電鍍時短路的缺陷。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0008]—種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬屏蔽層、膠封體、阻焊層、鎳或金層、單層基板、BT樹脂層、封裝元件、引腳，所述的金屬屏蔽層覆蓋在單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)除底層外的表面上，金屬屏蔽層的厚度大于I um;封裝結(jié)構(gòu)的單層基板的厚度為0.05-0.3 mm。
[0009]進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的厚度是在0.2-0.8mmo
[0010]進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述的金屬屏蔽層為銅或不銹鋼。
[0011]進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述的封裝元件包括芯片、鍵合線或凸塊，裝于膠封體內(nèi)，膠封體的厚度為0.175-0.48mm。
[0012]進(jìn)一步，作為優(yōu)選，所述的引腳處植有錫球或印刷錫膏。
[0013]進(jìn)一步，作為作為引腳處植有錫球或印刷錫膏的替代方案，所述的引腳做化鍍處理，先在引腳上鍍一層鎳層，然后再鍍一層金層。
[0014]本實用新型的有益效果為:
[0015]1、本實用新型應(yīng)用半切(Half Cut)工藝，可以對整條產(chǎn)品進(jìn)行電磁屏蔽層(EMIShielding)涂覆作業(yè)，將引腳的電鍍處理和金屬屏蔽層的電鍍處理過程分開，避免了引腳處的重復(fù)電鍍，并對單層超薄基板的產(chǎn)品的金屬屏蔽層和引腳的集中統(tǒng)一處理，從而提高生產(chǎn)效率。
[0016]2、本實用新型還實現(xiàn)了單層超薄基板工藝和電磁屏蔽層(EMI Shielding)涂覆工藝的結(jié)合，可以應(yīng)用于所有類型封裝產(chǎn)品，適用性廣。
[0017]3、本實用新型對該類型產(chǎn)品引腳采用植錫球或印刷錫膏，或通過化學(xué)沉積工藝沉積Ni/Au,避免單層超薄產(chǎn)品應(yīng)用于電磁屏蔽層(EMI Shielding)工藝時基板引腳短路的缺陷。
【附圖說明】
[0018]圖1-8為單層基板封裝體的工藝流程圖；
[0019]圖9-15為單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的halfcut的工藝流程圖；
[0020]圖16為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)的組裝結(jié)構(gòu)圖；
[0021]圖17為本實用新型封裝結(jié)構(gòu)在halfcut時后組裝結(jié)構(gòu)圖；
[0022]圖18為本實用新型結(jié)構(gòu)圖；
[0023]其中，1-載板，2-銅柱，3-BT樹脂層、4-金屬銅層、5-鉆孔、6-第一導(dǎo)線層、7-阻焊層、8-鎳或金層、9-單層基板、10-背銅、11-膠封體、12-half cut切除區(qū)、13-金屬屏蔽層、14-膠帶、15-1C芯片、16-錫球、17-錫膏。
【具體實施方式】
[0024]下面將結(jié)合本實用新型的實施例和附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0025]—種帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)，包括金屬屏蔽層13、膠封體11、阻焊層7、鎳或金層8、單層基板9、BT樹脂層3、封裝元件、引腳，所述的金屬屏蔽層覆蓋13在單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)除底層外的表面上，金屬屏蔽層的厚度大于I um;封裝結(jié)構(gòu)的單層基板9的厚度為0.05-0.3 mm;所述帶金屬屏蔽層的單層超薄基板封裝結(jié)構(gòu)的厚度是在0.2-0.8mm;所述的金屬屏蔽層為銅或不銹鋼;所述的封裝元件包括IC芯片15、鍵合線或凸塊，裝于膠封體內(nèi)，膠封體的厚度為0.175-0.48mm;所述的引腳處植有錫球16或印刷錫膏17。
[0026]進(jìn)一步，作為引腳處植有錫球或印刷錫膏的替代，所述的引腳做化鍍處理，先在引腳