一種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片，所述厚膜電路衰減片包括一氧化鈹基板，所述氧化鈹基板背面無電路非金屬化，所述氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線、第二接地導(dǎo)線和第三接地導(dǎo)線，所述輸入電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和輸出電極依次串聯(lián)形成卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，第一接地導(dǎo)線連接第一膜狀電阻，第二接地導(dǎo)線連接第二膜狀電阻，第三接地導(dǎo)線連接第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻的輸入端連接有第一焙銀，所述第三膜狀電阻的輸出端連接有第二焙銀。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，體積小，衰減平坦度好阻值精度和衰減精度高，重復(fù)性好。
【專利說明】
一種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及一種氧化鈹陶瓷基板衰減片，特別涉及一種氧化鈹陶瓷基板50瓦20dB的衰減片。
【背景技術(shù)】
[0002]氧化鈹陶瓷基板50瓦20dB的衰減片是同軸固定衰減器芯片的一種，廣泛應(yīng)用在微波通訊、雷達(dá)等設(shè)備中。衰減器是一個(gè)功率消耗元件，不能對兩端電路有影響。目前市場上的大功率衰減片精度少數(shù)能達(dá)到4GHz，滿足不了8GHz頻段應(yīng)用要求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型為了解決上述問題，從而提供一種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片。
[0004]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0005]—種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片，所述氧化鈹陶瓷基板衰減片包括一氧化鈹基板，所述氧化鈹基板背面無電路非金屬化，所述氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線、第二接地導(dǎo)線和第三接地導(dǎo)線，所述輸入電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和輸出電極依次串聯(lián)形成卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，第一接地導(dǎo)線連接第一膜狀電阻，第二接地導(dǎo)線連接第二膜狀電阻，第三接地導(dǎo)線連接第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻的輸入端連接有第一焙銀，所述第三膜狀電阻的輸出端連接有第二焙銀。
[0006]在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述第一膜狀電阻、第二膜狀電阻和第三膜狀電阻分別通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，所述第一膜狀電阻輸入端和第三膜狀電阻輸出端分別與接地端的阻抗為50±I Ω。
[0007]在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述氧化鈹基板的體積為61*12.6*1.2mm。
[0008]在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，第一接地導(dǎo)線、第二接地導(dǎo)線和第三接地導(dǎo)線分別位于第一膜狀電阻、第二膜狀電阻和第三膜狀電阻的中心位置，為偏心結(jié)構(gòu)。
[0009]本實(shí)用新型的有益效果是:
[0010]本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，體積小，衰減平坦度好阻值精度和衰減精度高，
重復(fù)性好。
[0011]本實(shí)用新型可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。
【附圖說明】
[0012]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0013]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。
[0015]參見圖1，本實(shí)用新型提供的50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片，其包括一氧化鈹基板100。
[0016]氧化鈹基板100的體積具體為61*12.6*1.2mm，其背面無電路非金屬化，在其正面設(shè)有輸入電極200、輸出電極300、第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430、第一接地導(dǎo)線510、第二接地導(dǎo)線520和第三接地導(dǎo)線530。
[0017]輸入電極200、第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430和輸出電極300依次串聯(lián)可形成一卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，當(dāng)信號通過第一膜狀電阻410輸入端進(jìn)入到厚膜電路衰減片后，可通過第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430對功率進(jìn)行逐級吸收，最后通過第三膜狀電阻430輸出端輸出實(shí)際所需要的信號，這樣可達(dá)到駐波小，頻帶寬的要求。
[0018]另外，為了提高吸收效率，第一膜狀電阻410和第三膜狀電阻430的體積相同，第二膜狀電阻420是第一膜狀電阻410或第三膜狀電阻430體積的兩倍。
[0019]第一接地導(dǎo)線510對應(yīng)連接第一膜狀電阻410，第二接地導(dǎo)線520對應(yīng)連接第二膜狀電阻420，第三接地導(dǎo)線530對應(yīng)連接第三膜狀電阻430，這樣輸入電極200、第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420、第三膜狀電阻430和輸出電極300依次串聯(lián)形成的卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)可通過第一接地導(dǎo)線510、第二接地導(dǎo)線520和第三接地導(dǎo)線530接地導(dǎo)通。
[0020]另外，第一接地導(dǎo)線510、第二接地導(dǎo)線520和第三接地導(dǎo)線530分別位于第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420和第三膜狀電阻430的中心位置，為偏心結(jié)構(gòu)。
[0021]第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420和第三膜狀電阻430分別通過厚膜工藝制成，第一膜狀電阻410的輸出端連接有第一焙銀600，第三膜狀電阻430的輸入端連接有第二焙銀700。
[0022]第一膜狀電阻410、第二膜狀電阻420和第三膜狀電阻430分別通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，第一膜狀電阻410的輸入端和第三膜狀電阻430的輸出端分別與接地端的阻抗為50± I Ω，這樣使得厚膜電路衰減片的特性阻抗為50 Ω、頻率為4GHz、功率容量為100W。
[0023]以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片，其特征在于，所述氧化鈹陶瓷基板衰減片包括一氧化鈹基板，所述氧化鈹基板背面無電路非金屬化，所述氧化鈹基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻、第一接地導(dǎo)線、第二接地導(dǎo)線和第三接地導(dǎo)線，所述輸入電極、第一膜狀電阻、第二膜狀電阻、第三膜狀電阻和輸出電極依次串聯(lián)形成卡片式衰減網(wǎng)絡(luò)，第一接地導(dǎo)線連接第一膜狀電阻，第二接地導(dǎo)線連接第二膜狀電阻，第三接地導(dǎo)線連接第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻的輸入端連接有第一焙銀，所述第三膜狀電阻的輸出端連接有第二焙銀。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片，其特征在于，所述第一膜狀電阻、第二膜狀電阻和第三膜狀電阻分別通過激光調(diào)阻機(jī)進(jìn)行激光調(diào)阻，所述第一膜狀電阻輸入端和第三膜狀電阻輸出端分別與接地端的阻抗為50±1 Ω。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片，其特征在于，所述氧化鈹基板的體積為61*12.6*1.2mm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種50瓦20dB的氧化鈹陶瓷基板衰減片，其特征在于，第一接地導(dǎo)線、第二接地導(dǎo)線和第三接地導(dǎo)線分別位于第一膜狀電阻、第二膜狀電阻和第三膜狀電阻的中心位置，為偏心結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01P1/22GK205564938SQ201521083954
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2015年12月22日
【發(fā)明人】周敏, 戴林華, 周蕾
【申請人】上海華湘計(jì)算機(jī)通訊工程有限公司