導(dǎo)熱焊盤及具有其的qfp芯片的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了導(dǎo)熱焊盤及具有其的QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)。該導(dǎo)熱焊盤包括焊盤區(qū)域和外圍區(qū)域，焊盤區(qū)域設(shè)置有呈陣列布置的多個焊盤部，焊盤部之間具有間隙。將導(dǎo)熱焊盤的焊盤部呈陣列布置且相互隔離，使焊盤部的面積大大減小，一方面使高溫焊接過程中錫膏中的助焊劑裂解產(chǎn)生的氣體逸出的路徑縮短，另一方面相鄰的焊盤部之間的間隙為氣體逸出提供了通道，進(jìn)而使該氣體能夠及時逸出，從而有效減少了氣泡的面積和數(shù)量，保證了芯片具有足夠的散熱面積，改善了其散熱效果。同時使得焊盤形成導(dǎo)體的有效面積增加，因此降低了芯片的接地阻抗，進(jìn)而提高了芯片的可靠性。導(dǎo)熱焊盤的焊接效果有所改善，避免芯片的過度上浮，從而提高其四周引腳焊接可靠性。
【專利說明】
導(dǎo)熱焊盤及具有其的QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及芯片封裝領(lǐng)域，具體而言，涉及一種導(dǎo)熱焊盤及具有其的QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)代電子封裝器件正向高密度、高集成和小型化方向發(fā)展，而QFP封裝(Quad FlatPackage，四面扁平封裝)在芯片封裝技術(shù)中占主流地位。目前一些高集成度的QFP封裝芯片，例如TI公司生產(chǎn)的TMS320F28377，為了有良好散熱與接地效果，在芯片的底部會有一個用于散熱與接地的焊盤。焊盤的作用是實現(xiàn)芯片與外電路之間、元器件之間的電氣連接與機(jī)械連接，所以其可靠性尤為重要。芯片功率循環(huán)引起的熱應(yīng)力與交變循環(huán)將導(dǎo)致焊盤的熱疲勞，從而使焊點的性能退化，可靠性降低，甚至造成芯片失效。
[0003]因此，選用QFP封裝芯片的高密度印刷電路板，芯片的散熱特性影響產(chǎn)品長期運行的可靠性;芯片的接地阻抗則影響產(chǎn)品的性能，當(dāng)芯片的接地阻抗過大，將會出現(xiàn)上電初始化出錯、程序跑飛等現(xiàn)象。
[0004]現(xiàn)在市場主流的芯片廠家，如TI公司、Altera公司等都推出了帶導(dǎo)熱焊盤的芯片，帶導(dǎo)熱焊盤的QFP封裝芯片可以提升芯片的接地阻抗特性、散熱性能，從而提高產(chǎn)品性能及可靠性。圖1是TI公司的一款帶導(dǎo)熱焊盤的DSP芯片的導(dǎo)熱焊盤的結(jié)構(gòu)示意圖，其導(dǎo)熱焊盤的焊盤區(qū)域I’整體為焊盤部12’。
[0005]如圖2所示是QFP封裝芯片貼裝工藝流程。QFP封裝的芯片生產(chǎn)貼裝時，需要先涂上錫膏，而錫膏中含有助焊劑。在高溫過程中，助焊劑里的有機(jī)物裂解產(chǎn)生氣體，所以在PCB板過回流焊時，面積較大的焊盤上常會出現(xiàn)氣泡，氣泡的存在會使芯片散熱面積不夠，增大了芯片對地阻抗，這就會影響到焊接的可靠性和產(chǎn)品的性能。
【實用新型內(nèi)容】
[0006]本實用新型的主要目的在于提供一種導(dǎo)熱焊盤及具有其的QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)，以解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)熱焊盤的導(dǎo)熱效果差的問題。
[0007]為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本實用新型的一個方面，提供了一種導(dǎo)熱焊盤，該導(dǎo)熱焊盤包括焊盤區(qū)域和外圍區(qū)域，焊盤區(qū)域設(shè)置有呈陣列布置的多個焊盤部，焊盤部之間具有間隙。
[0008]進(jìn)一步地，上述沿第一方向依次排列的多個焊盤部形成焊盤單元，且各焊盤單元沿第二方向依次排列，第一方向與第二方向垂直。
[0009]進(jìn)一步地，上述各焊盤部為四邊形焊盤部。
[0010]進(jìn)一步地，上述四邊形焊盤部為菱形焊盤部或正方形焊盤部。
[0011 ]進(jìn)一步地，上述焊盤單元中各焊盤部的沿第一方向的邊在同一條直線上。
[0012 ] 進(jìn)一步地，上述焊盤單元中各焊盤部的對應(yīng)對角線在同一條直線上。
[0013]進(jìn)一步地，上述導(dǎo)熱焊盤還包括多個透氣孔，多個透氣孔圍繞焊盤區(qū)域設(shè)置在外圍區(qū)域中。
[0014]進(jìn)一步地，上述各透氣孔對應(yīng)與其相鄰的焊盤部的間隙設(shè)置。
[0015]進(jìn)一步地，上述各焊盤部的邊長為40?60mi Is。
[0016]進(jìn)一步地，上述相鄰焊盤部之間的間距為15?25mils。
[0017]進(jìn)一步地，靠近上述焊盤區(qū)域的焊盤部與外圍區(qū)域接觸，透氣孔與焊盤區(qū)域的最短距離為15?25mils。
[00? 8] 進(jìn)一步地，上述透氣孔為圓形透氣孔，透氣孔的直徑為20?40mi Is。
[0019]根據(jù)本實用新型的另一方面，提供了一種QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)，具有導(dǎo)熱焊盤和導(dǎo)電焊盤，該導(dǎo)熱焊盤為上述的導(dǎo)熱焊盤。
[0020]應(yīng)用本實用新型的技術(shù)方案，將導(dǎo)熱焊盤的焊盤區(qū)域由原來的整體焊盤改為呈陣列布置的相互隔離的多個焊盤部，各焊盤部的面積相對于原來焊盤區(qū)域整體為焊盤部的面積大大減小，一方面使高溫焊接過程中錫膏中的助焊劑裂解產(chǎn)生的氣體逸出的路徑縮短，另一方面相鄰的焊盤部之間具有間隙，該間隙為氣體逸出提供了通道，進(jìn)而使該氣體能夠及時逸出，從而有效減少了氣泡的面積和數(shù)量，保證了芯片具有足夠的散熱面積，改善了其散熱效果。同時，根據(jù)導(dǎo)體材料電阻定律，公式為R = PL/S，其中P:導(dǎo)體材料的電阻率，L:導(dǎo)體長度，S:導(dǎo)體橫截面積，由于減少了氣泡的面積，使得焊盤形成導(dǎo)體的有效面積增加，因此利用該導(dǎo)熱焊盤降低了芯片的接地阻抗，進(jìn)而提高了芯片的可靠性。進(jìn)一步地，經(jīng)過檢測，本申請的導(dǎo)熱焊盤的焊接效果也較原有整體焊盤部的結(jié)構(gòu)有所改善，這是由于焊盤部的氣泡減少，使得各焊盤部致密性得到改善，進(jìn)而保證了各焊盤的實際焊接效果，彌補(bǔ)了由于焊盤區(qū)域面積的減小導(dǎo)致的焊接效果降低的缺陷，避免芯片的過度上浮，從而提高其四周引腳焊接可靠性。
【附圖說明】
[0021]構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本實用新型的進(jìn)一步理解，本實用新型的示意性實施例及其說明用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0022]圖1示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)提供的一種導(dǎo)熱焊盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中QFP封裝芯片貼裝工藝流程示意圖；
[0024]圖3示出了根據(jù)本申請一種優(yōu)選實施例提供的導(dǎo)熱焊盤的結(jié)構(gòu)示意圖，其中示出了導(dǎo)電焊盤的結(jié)構(gòu)；
[0025]圖4示出了根據(jù)本申請另一種優(yōu)選實施例提供的導(dǎo)熱焊盤的結(jié)構(gòu)示意圖，其中示出了導(dǎo)電焊盤的結(jié)構(gòu)；
[0026]圖5示出了根據(jù)本申請又一種優(yōu)選實施例提供的QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖6示出了本申請實施例1的部分導(dǎo)熱焊盤的X射線透視圖；以及
[0028]圖7示出了本申請對比例I的部分導(dǎo)熱焊盤的X射線透視圖。
[0029]其中，上述附圖包括以下附圖標(biāo)記:
[0030]I’、焊盤區(qū)域；12’、焊盤部；1、焊盤區(qū)域；11、焊盤部;2、外圍區(qū)域;21、透氣孔;100、導(dǎo)熱焊盤;200、導(dǎo)電焊盤。
【具體實施方式】
[0031]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本實用新型。
[0032]如【背景技術(shù)】所描述的，現(xiàn)有技術(shù)中的導(dǎo)熱焊盤由于存在氣泡，導(dǎo)致芯片的散熱面積不夠，且影響了芯片的可靠性，為了解決該問題，本申請?zhí)峁┝艘环N導(dǎo)熱焊盤及具有其的QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)。
[0033]在本申請一種典型的實施方式中，提供了一種導(dǎo)熱焊盤，如圖3所示，該導(dǎo)熱焊盤包括焊盤區(qū)域I和外圍區(qū)域2，焊盤區(qū)域I具有呈陣列布置的多個焊盤部11，各焊盤部11之間具有間隙。
[0034]將導(dǎo)熱焊盤的焊盤區(qū)域I由原來的整體焊盤改為呈陣列布置的相互隔離的多個焊盤部，各焊盤部11的面積相對于原來焊盤區(qū)域I整體為焊盤部11的面積大大減小，一方面使高溫焊接過程中錫膏中的助焊劑裂解產(chǎn)生的氣體逸出的路徑縮短，另一方面相鄰的焊盤部11之間具有間隙，該間隙為氣體逸出提供了通道，進(jìn)而使該氣體能夠及時逸出，從而有效減少了氣泡的面積和數(shù)量，保證了芯片具有足夠的散熱面積，改善了其散熱效果。同時，根據(jù)導(dǎo)體材料電阻定律，公式為R = PL/S，其中P:導(dǎo)體材料的電阻率，L:導(dǎo)體長度，S:導(dǎo)體橫截面積，由于減少了氣泡的面積，使得焊盤形成導(dǎo)體的有效面積增加，因此利用該導(dǎo)熱焊盤降低了芯片的接地阻抗，進(jìn)而提高了芯片的可靠性。進(jìn)一步地，經(jīng)過檢測，本申請的導(dǎo)熱焊盤的焊接效果也較原有整體焊盤部11的結(jié)構(gòu)有所改善，這是由于焊盤部11的氣泡減少，使得各焊盤部11致密性得到改善，進(jìn)而保證了各焊盤的實際焊接效果，彌補(bǔ)了由于焊盤區(qū)域I面積的減小導(dǎo)致的焊接效果降低的缺陷，避免芯片的過度上浮，從而提高其四周引腳焊接可靠性。
[0035]在制作上述導(dǎo)熱焊盤的焊盤區(qū)域I時，可以按照圖2所示的流程進(jìn)行，在QFP芯片在貼裝前，PCB板上要涂敷錫膏，而錫膏只涂敷在欲形成導(dǎo)熱焊盤的焊盤部11的區(qū)域，貼裝上QFP芯片后，芯片與PCB板之間在沒有錫膏的區(qū)域就有了間隙，有錫膏的區(qū)域就形成焊盤部
Ilo
[0036]本申請的焊盤部11的排列方式可以有多種，為了使得焊盤區(qū)域I的散熱和焊接效果均勻，優(yōu)選如圖3所示，沿第一方向依次排列的多個焊盤部11形成焊盤單元，且各焊盤單元沿第二方向依次排列，第一方向與第二方向垂直。將焊盤部11設(shè)置成上述陣列的方式，使得焊盤區(qū)域I中焊盤部11的分布相對均勻，進(jìn)而使得各焊盤區(qū)域I的散熱和焊接效果較為均勻。
[0037]為了使得各焊盤部11易于制作，優(yōu)選上述各焊盤部11為四邊形焊盤部，該四邊形可以為矩形、正方形、菱形、平行四邊形等，進(jìn)一步優(yōu)選為矩形或正方形。當(dāng)然本申請焊盤部11的形狀也可以為圓形、橢圓形、三角形等其他多邊形。
[0038]當(dāng)采用上述陣列式分布時，其焊盤部11的分布優(yōu)選采用以下兩種方式，如圖3所示，上述焊盤單元中各焊盤部11的沿第一方向的邊在同一條直線上。或者如圖4所示，焊盤單元中各焊盤部11的對應(yīng)對角線在同一條直線上。
[0039]為了進(jìn)一步促進(jìn)氣體排出，優(yōu)選如圖3和4所示，上述外圍區(qū)域2中設(shè)置有多個透氣孔21，該多個透氣孔21圍繞焊盤區(qū)域I設(shè)置。透氣孔21的設(shè)置可以明顯加快氣體的排出。在PCB制板時，注意制作透氣孔的位置是不能沉銅且不能被綠油塞孔的。
[0040]如圖3和4所示，進(jìn)一步優(yōu)選各透氣孔21對應(yīng)與其相鄰的焊盤部11的間隙設(shè)置。即將透氣孔21對應(yīng)鏤空阻焊部11設(shè)置，縮短了氣體由鏤空阻焊部11至透氣孔21的距離，進(jìn)而進(jìn)一步加快了氣體的排出。
[0041]在對導(dǎo)熱焊盤的結(jié)構(gòu)做出上述設(shè)計的基礎(chǔ)上，本申請進(jìn)一步對導(dǎo)熱焊盤中的焊盤部11及其間距等尺寸做出了研究，優(yōu)選各焊盤部11的邊長為40?60mils。選擇上述邊長范圍的焊盤部11，既能保證足夠的焊接強(qiáng)度而且能夠保證各焊盤部11中心產(chǎn)生的氣泡的逸出效果。
[0042]進(jìn)一步優(yōu)選相鄰焊盤部11之間的間距為15?25mils。該間距使得相鄰焊盤部11中的氣泡均能夠及時逸出。
[0043]透氣孔徑的大小主要從三個方面考慮:PCB生產(chǎn)廠家加工工藝，現(xiàn)在普遍的廠家加工設(shè)備只能鉆Smil以上的孔;透氣效果，孔徑太小，影響透氣效果；占用的空間，孔徑太大，會影響到PCB的布線。因此本申請為了使透氣孔21發(fā)揮足夠的透氣效果且保證PCB原有功能不受影響，優(yōu)選靠近焊盤區(qū)域I的焊盤部11與外圍區(qū)域2接觸，透氣孔21與焊盤區(qū)域I的最短距離為15?25mi Is。進(jìn)一步優(yōu)選上述透氣孔21為圓形透氣孔，透氣孔21的直徑為20?40mils。當(dāng)然，上述尺寸只是以目前常規(guī)的導(dǎo)熱焊盤的設(shè)計尺寸為依據(jù)而設(shè)計，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實際需要進(jìn)行調(diào)整。
[0044]在本申請另一種典型的實施方式中，提供了一種QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)，如圖5所示，該封裝結(jié)構(gòu)具有導(dǎo)熱焊盤100和導(dǎo)電焊盤200，該導(dǎo)熱焊盤100為上述的導(dǎo)熱焊盤。由于本申請的導(dǎo)熱焊盤的焊盤部11氣泡較少且面積較小，使得其導(dǎo)熱效果得到有效優(yōu)化，接地阻抗得到有效降低，焊接效果得到保證，因此使得具有其封裝結(jié)構(gòu)的工作可靠性得到保證。
[0045]以下將結(jié)合實施例和對比例進(jìn)一步說明本申請的有益效果。
[0046]實施例1
[0047]利用具有圖3所示結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤作為封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤進(jìn)行QFP芯片的封裝，其中，焊盤部為正方形，邊長為50mils，相鄰焊盤部之間的間距為20mils，透氣孔與焊盤區(qū)域的最短距離為20mils，透氣孔的直徑為30mils。
[0048]實施例2
[0049]利用具有圖3所示結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤作為封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤進(jìn)行QFP芯片的封裝，其中，焊盤部為正方形，邊長為40mils，相鄰焊盤部之間的間距為25mils，透氣孔與焊盤區(qū)域的最短距離為15mils，透氣孔的直徑為20mils。
[0050]實施例3
[0051]利用具有圖3所示結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤作為封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤進(jìn)行QFP芯片的封裝，其中，焊盤部為正方形，邊長為60mils，相鄰焊盤部之間的間距為15mils，透氣孔與焊盤區(qū)域的最短距離為25mils，透氣孔的直徑為40mils。
[0052]實施例4
[0053]利用具有圖3所示結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤作為封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤進(jìn)行QFP芯片的封裝，其中，焊盤部為正方形，邊長為35mils，相鄰焊盤部之間的間距為15mils，透氣孔與焊盤區(qū)域的最短距離為20mils，透氣孔的直徑為30mils。
[0054]實施例5
[0055]利用具有圖4所示結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤作為封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤進(jìn)行QFP芯片的封裝，其中，焊盤部為菱形，邊長為50mils，相鄰焊盤部之間的間距為20mils，透氣孔與焊盤區(qū)域的最短距離為20mils，透氣孔的直徑為30mils。
[0056]實施例6
[0057]利用具有圖3所示結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤作為封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤進(jìn)行QFP芯片的封裝，其中，沒有設(shè)置透氣孔，焊盤部為正方形，邊長為50mils，相鄰焊盤部之間的間距為20mils。
[0058]實施例7
[0059]利用具有圖4所示結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤作為封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤進(jìn)行QFP芯片的封裝，其中，沒有設(shè)置透氣孔，焊盤部為菱形，邊長為50mils，相鄰焊盤部之間的間距為20mils。
[0060]對比例I
[0061]利用具有圖1所示結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤作為封裝結(jié)構(gòu)的導(dǎo)熱焊盤進(jìn)行QFP芯片的封裝，其中，該導(dǎo)熱焊盤的焊盤區(qū)域的面積與圖3和圖4中的焊盤區(qū)域的面積相等。
[0062]利用X射線成像儀對實施例1至7和對比例I的導(dǎo)熱焊盤中的氣泡進(jìn)行檢測，實施例1和對比例I的檢測結(jié)果見圖6和圖7，其中，實施例2至7的檢測結(jié)果與實施例1的檢測結(jié)果相似。由圖6和圖7的對比可以明顯看出，實施例1的焊盤部中氣泡較對比例I的焊盤部中的氣泡明顯減少，且其面積明顯減小。
[0063]從以上的描述中，可以看出，本實用新型上述的實施例實現(xiàn)了如下技術(shù)效果:
[0064]將導(dǎo)熱焊盤的焊盤區(qū)域由原來的整體焊盤改為呈陣列布置的相互隔離的多個焊盤部，各焊盤部的面積相對于原來焊盤區(qū)域整體為焊盤部的面積大大減小，一方面使高溫焊接過程中錫膏中的助焊劑裂解產(chǎn)生的氣體逸出的路徑縮短，另一方面相鄰的焊盤部之間具有間隙，該間隙為氣體逸出提供了通道，進(jìn)而使該氣體能夠及時逸出，從而有效減少了氣泡的面積和數(shù)量，保證了芯片具有足夠的散熱面積，改善了其散熱效果。
[0065]同時，根據(jù)導(dǎo)體材料電阻定律，公式為R=PL/S，其中P:導(dǎo)體材料的電阻率，L:導(dǎo)體長度，S:導(dǎo)體橫截面積，由于減少了氣泡的面積，使得焊盤形成導(dǎo)體的有效面積增加，因此利用該導(dǎo)熱焊盤降低了芯片的接地阻抗，進(jìn)而提高了芯片的可靠性。
[0066]進(jìn)一步地，經(jīng)過檢測，本申請的導(dǎo)熱焊盤的焊接效果也較原有整體焊盤部的結(jié)構(gòu)有所改善，這是由于焊盤部的氣泡減少，使得各焊盤部致密性得到改善，進(jìn)而保證了各焊盤的實際焊接效果，彌補(bǔ)了由于焊盤區(qū)域面積的減小導(dǎo)致的焊接效果降低的缺陷，避免芯片的過度上浮，從而提高其四周引腳焊接可靠性。
[0067]以上所述僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本實用新型，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本實用新型可以有各種更改和變化。凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，所述導(dǎo)熱焊盤包括焊盤區(qū)域(I)和外圍區(qū)域(2)，所述焊盤區(qū)域(I)設(shè)置有呈陣列布置的多個焊盤部(11)，所述焊盤部(11)之間具有間隙，所述外圍區(qū)域(2)中設(shè)置有多個透氣孔(21)，所述多個透氣孔(21)圍繞所述焊盤區(qū)域(I)設(shè)置。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，沿第一方向依次排列的多個焊盤部(11)形成焊盤單元，且各所述焊盤單元沿第二方向依次排列，所述第一方向與所述第二方向垂直。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，各所述焊盤部(11)為四邊形焊盤部。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，所述四邊形焊盤部為菱形焊盤部或正方形焊盤部。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，所述焊盤單元中各焊盤部(11)的沿第一方向的邊在同一條直線上。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，所述焊盤單元中各焊盤部(11)的對應(yīng)對角線在同一條直線上。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，各所述透氣孔(21)對應(yīng)與其相鄰的所述焊盤部(11)的所述間隙設(shè)置。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，各所述焊盤部(11)的邊長為40?60milso9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，相鄰所述焊盤部(11)之間的間距為15?25mils010.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，靠近所述焊盤區(qū)域(I)的所述焊盤部(11)與所述外圍區(qū)域(2)接觸，所述透氣孔(21)與所述焊盤區(qū)域(I)的最短距離為15?25mils011.根據(jù)權(quán)利要求7所述的導(dǎo)熱焊盤，其特征在于，所述透氣孔(21)為圓形透氣孔，所述透氣孔(21)的直徑為20?40mi Is。12.—種QFP芯片的封裝結(jié)構(gòu)，具有導(dǎo)熱焊盤(100)和導(dǎo)電焊盤(200)，其特征在于，所述導(dǎo)熱焊盤(100)為權(quán)利要求1至11中任一項所述的導(dǎo)熱焊盤。
【文檔編號】H01L23/367GK205621718SQ201620089186
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年1月28日
【發(fā)明人】譚章德, 康燕, 施現(xiàn)偉, 張東盛
【申請人】珠海格力節(jié)能環(huán)保制冷技術(shù)研究中心有限公司