專利名稱：稀土類磁體的磁化方法及稀土類磁體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及稀土類磁體的磁化方法，特別涉及適合固定于旋轉(zhuǎn)機(jī)的定子上使用的稀土類磁體的磁化方法。
特別是稀土類·鐵·硼系磁體(以下，稱作“R-T-(M)-B系磁體”。R是包括Y的稀土類元素，T是Fe或者Fe與Co和/或Ni的混合物，M是添加元素(例如，Al、Ti、Cu、V、Cr、Ni、Ga、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Hf、Ta、W的至少一種)，B是硼或者硼和碳的混合物。)，在各種磁體中，顯示出最高的最大磁能積，價(jià)格也比較便宜，因此在各種電子設(shè)備中被積極地采用。
例如，為了得到高的能量效率，或者以達(dá)到小型輕量化等為目的，在各種旋轉(zhuǎn)機(jī)(電動(dòng)機(jī)等)中使用稀土類磁體。例如，在特開2000-41372號(hào)公報(bào)中公開了如圖5所示的可動(dòng)磁體型直流轉(zhuǎn)矩電動(dòng)機(jī)10。
該直流轉(zhuǎn)矩電動(dòng)機(jī)10具有在以軸3為中心的圓柱狀的鐵心(例如軟鐵)4的周圍圓筒狀地固定著永久磁體5和6的轉(zhuǎn)子1；以及呈大致コ字狀、在其端部形成分別與轉(zhuǎn)子1保持規(guī)定的空隙而對(duì)置的第1磁極部7、第2磁極部8、并在基部(圖中上方)卷繞線圈9的定子2。在此，定子2，例如是疊合飽和磁密度1.6T(特斯拉)以上的電磁鋼帶的定子。
在上述公報(bào)中公開的永久磁體5和6分別是半圓筒形(弓形)的永久磁體，即在相互相反方向磁化。例如，磁體5，表面(外周面)側(cè)是N極，背面(內(nèi)面)側(cè)周圍S極，另一方面，磁體6，表面(外周面)側(cè)是S極，背面(內(nèi)面)側(cè)作為N極。也可以使用一體形成的圓筒狀磁體(未圖示)來代替磁體5和6。
已經(jīng)知道，在將上述電動(dòng)機(jī)10的轉(zhuǎn)子中所使用的磁體5和6配置成圓筒狀的狀態(tài)下進(jìn)行磁化，或者，在使一體形成的圓筒狀的磁體進(jìn)行磁化時(shí)，如目前這樣，如果在徑向方向施加一次磁場(chǎng)進(jìn)行磁化，就存在不能充分磁化在相互相反方向磁化的區(qū)域(相當(dāng)于圖5的磁體5和6)的邊界部分的問題。這樣的不完全磁化的磁體，或平均磁通密度降低，或得到所希望的表面磁通密度的角度范圍變窄。進(jìn)而，在表面磁通密度的角度分布(軸周圍)中，在邊界部分的附近產(chǎn)生極值，表面磁通密度的變化的線性降低，結(jié)果，難以精度良好地調(diào)整旋轉(zhuǎn)機(jī)的角度，往往不能充分發(fā)揮旋轉(zhuǎn)機(jī)的性能。
本發(fā)明的稀土類磁體的磁化方法包括準(zhǔn)備以形成圓筒的方式配置的稀土類磁體的工序；通過在上述稀土類磁體上施加第一外部磁場(chǎng)、形成從上述圓筒的內(nèi)側(cè)向外側(cè)磁化的第一區(qū)域和從外側(cè)向內(nèi)側(cè)磁化的第二區(qū)域的第一磁化工序；在上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域的邊界、以施加與在上述第一磁化工序中施加的外部磁場(chǎng)成分的方向呈超過0°不到50°的角度的方向的施加磁場(chǎng)成分的方式、施加第二外部磁場(chǎng)的第二磁化工序。由此達(dá)到上述目的。
在優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述稀土類磁體，以上述圓筒的軸為中心、相對(duì)于磁路可相對(duì)地旋轉(zhuǎn)地被支持，以相對(duì)上述磁路的相對(duì)位置為第一位置實(shí)施上述第一磁化工序，使上述稀土類磁體以上述軸為中心、相對(duì)于上述磁路進(jìn)行上述相對(duì)地旋轉(zhuǎn)后，實(shí)施上述第二磁化工序。
在優(yōu)選的實(shí)施方式中，沿上述圓筒的圓周形成具有上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域各一個(gè)的二極磁體。
在上述第一區(qū)域和上述第二區(qū)域的邊界，在上述第一磁化工序中施加的外部磁場(chǎng)成分的方向和在上述第二磁化工序中施加的外部磁場(chǎng)成分的方向形成的角度，優(yōu)選為20°以上40°以下，更優(yōu)選為25°以上35°以下。
上述第一外部磁場(chǎng)和上述第二外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度，優(yōu)選為實(shí)質(zhì)上相互相等。例如，優(yōu)選使用相同磁路、以相同條件產(chǎn)生第一外部磁場(chǎng)和第二外部磁場(chǎng)，僅改變相對(duì)于稀土類磁體的磁路的相對(duì)位置(軸周圍的角度)。作為磁路，可以使用公知的各種磁路。
上述稀土類磁體優(yōu)選為徑向取向各向異性燒結(jié)磁體。
本發(fā)明的稀土類磁體，由于使用上述任一種磁化方法進(jìn)行磁化，所以具有優(yōu)異的磁特性。
本發(fā)明的稀土類磁體，是圓筒狀的稀土類磁體，具有從圓筒的內(nèi)側(cè)向外側(cè)磁化的第一區(qū)域和從外側(cè)向內(nèi)側(cè)磁化的第二區(qū)域，在上述第一區(qū)域和上述第一區(qū)域的邊界，表面磁通密度不選取極值連續(xù)地發(fā)生變化。
在優(yōu)選的實(shí)施方式中，在上述第一區(qū)域或者上述第二區(qū)域，表面磁通密度選取最大值的角度為120°以上140°以下。
在優(yōu)選的實(shí)施方式中，表面磁通密度從零點(diǎn)至選取最大值的角度范圍為20°以上30°以下。
本發(fā)明的旋轉(zhuǎn)機(jī)，由于具備用上述制造方法制造的稀土類磁體，所以具有優(yōu)異的特性，適合用于閥門開度控制裝置等中。
圖2是表示為了實(shí)施本發(fā)明的實(shí)施方式的磁化方法所使用的磁化裝置100的示意圖。
圖3(a)～(c)是表示徑向環(huán)狀磁體的表面磁通密度Bg的角度依存性的曲線圖，(a)表示目前的磁化方法，(b)和(c)表示本發(fā)明的磁化方法。
圖4是用于說明由旋轉(zhuǎn)角θ產(chǎn)生的徑向環(huán)狀磁體的磁性差異的曲線圖。
圖5是表示適合使用本發(fā)明的稀土類磁體的公知旋轉(zhuǎn)機(jī)的圖。
具體實(shí)施例方式
以下，參照


本發(fā)明的稀土類磁體的磁化方法的實(shí)施方式，但本發(fā)明不受以下的實(shí)施方式的限制。
本發(fā)明的稀土類磁體的磁化方法，如圖1(a)和(b)所示，包括至少2次磁化工序。
首先，準(zhǔn)備以形成圓筒22a的方式配置的稀土類磁體(為了簡(jiǎn)單起見，磁化前的也稱作“磁體”)22。稀土類磁體22既可以是一體地形成的稀土類磁體，也可以是在圓柱狀的轉(zhuǎn)子的表面固定數(shù)個(gè)弓形磁體的稀土類磁體(工序(a))。
接著，通過在稀土類磁體22上施加第一外部磁場(chǎng)H1，形成從圓筒22a的內(nèi)側(cè)向外側(cè)磁化的第一區(qū)域R1和從外側(cè)向內(nèi)側(cè)磁化的第二區(qū)域R2(工序(b))。此時(shí)，稀土類磁體22的第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的邊界部分BR的磁化方向是不穩(wěn)定的。特別是，在徑向取向的各向異性稀土類燒結(jié)磁體中，晶粒沿徑向取向，因此邊界部分BR的晶粒承受著垂直于其取向方向的方向(即，相對(duì)于圓筒22a的切線方向)的磁化磁場(chǎng)，而不能被良好地磁化。目前，僅實(shí)施該磁化工序。
本發(fā)明的磁化方法，在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域的邊界部分BR中，以施加與在第一磁化工序中施加的外部磁場(chǎng)成分的方向(在此以H1代表)呈超過0°不到50°角度的方向的外部磁場(chǎng)成分(在此以H2代表)的方式施加第二外部磁場(chǎng)H2(工序(c))。利用該第二外部磁場(chǎng)H2，使邊界部分BR的晶粒的磁化方向穩(wěn)定。第一外部磁場(chǎng)H1和第二外部磁場(chǎng)H2的強(qiáng)度，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上相等。再者，該第一磁化工序和/或第二磁化工序可以實(shí)施數(shù)次。根據(jù)所使用的稀土類磁體，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定外部磁場(chǎng)H1和H2的強(qiáng)度，但在徑向取向R-T-(M)-B系磁體的情況下，設(shè)定成2T～4T。
在圖1(a)和(b)中，為了簡(jiǎn)單起見，表示在稀土類磁體22的全體上施加相同方向的外部磁場(chǎng)H1或H2的情況，但這不一定是必要的。例如，在邊界部分BR與各區(qū)域R1和R2的中心附近，也可以施加不同方向的外部磁場(chǎng)成分。
以下說明使用磁性優(yōu)異的、表面磁通密度(最大值)的平坦性優(yōu)異的、徑向取向的R-T-(M)-B系各向異性燒結(jié)磁體的例子。在此使用的徑向環(huán)狀磁體(參照?qǐng)D2的符號(hào)112)，例如以下那樣制作。
首先，采用薄帶鑄造法(參照美國(guó)專利5383987號(hào)的說明書)等的急冷法(冷卻速度102～104℃/sec)制作稀土類合金粉末。該粉末在型腔內(nèi)的磁場(chǎng)強(qiáng)度為0.4MA/m以上的取向磁場(chǎng)下進(jìn)行壓制成型，制作密度為3.5g/cm3以上的成型體。將所得到的成型體燒結(jié)(在Ar氣氛下、1000℃～1100℃，2～5小時(shí))，再通過實(shí)施時(shí)效處理(400℃～600℃，3～7小時(shí))，制作徑向環(huán)狀磁體。該徑向環(huán)狀磁體的形狀，例如是外徑29mm、內(nèi)徑25mm、高12mm。再者，由于采用公知的方法制造徑向環(huán)狀磁體，所以在此省略其制造方法的詳細(xì)說明(例如，參照特開2001-192705號(hào)公報(bào))。徑向環(huán)狀磁體也可以通過將數(shù)個(gè)弓形磁體(成型體)粘結(jié)成環(huán)狀(圓筒狀)而形成。不言而喻，即使在此場(chǎng)合，最終得到的徑向環(huán)狀磁體中的磁粉的取向也設(shè)定成徑向取向，燒結(jié)磁體從環(huán)的中心沿半徑方向具有磁各向異性。
在本實(shí)施方式中，使用圖2所示的磁化裝置100進(jìn)行磁化。
磁化裝置100具有固定在軸103上的圓柱狀的轉(zhuǎn)子110；對(duì)轉(zhuǎn)子110產(chǎn)生外部磁場(chǎng)的磁路120(120a和120b)。軸103被支持臺(tái)130以可旋轉(zhuǎn)的方式支持著。如后所述，為了使被磁化的徑向環(huán)狀磁體112和磁路120的相對(duì)位置，以軸103為中心以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)度(θ)發(fā)生變更，例如，可以設(shè)置將以規(guī)定的角度設(shè)置的溝夾緊的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)132。這樣通過設(shè)置階段性地按每規(guī)定的角度旋轉(zhuǎn)的機(jī)構(gòu)，能夠容易且再現(xiàn)性良好地實(shí)行旋轉(zhuǎn)角θ的控制。
磁路120具有軛體122(112a和122b)，在軛體122上卷繞與電容器電源(未圖示)連接的線圈124(124a和124b)。在圓柱狀的轉(zhuǎn)子110的外周配置圓筒狀的徑向環(huán)狀磁體112。磁路120a和120b，對(duì)徑向環(huán)狀磁體112產(chǎn)生規(guī)定方向的外部磁場(chǎng)(例如，圖1中的H1和H2)。作為磁路120，也可以使用空心線圈等其它公知的磁路。另外，通過適當(dāng)?shù)刈兏怕返拇艠O的形狀，也能夠使4極以上的徑向環(huán)狀磁體進(jìn)行磁化。
首先，徑向環(huán)狀磁體112以相對(duì)于軸103處于第一位置的狀態(tài)，從磁路120a和120b施加規(guī)定的外部磁場(chǎng)(約3T)。第一位置也可以是任意的位置。
僅通過實(shí)施該第一磁化工序得到的徑向環(huán)狀磁體112的表面磁通密度Bg(T特斯拉)的角度依存性，使用具備霍爾元件測(cè)頭的高斯計(jì)進(jìn)行測(cè)定，其結(jié)果示于圖3(a)中。測(cè)定角度，以通過所得到的徑向環(huán)狀磁體112的N極區(qū)域(朝向外周進(jìn)行磁化的區(qū)域R1)和S極區(qū)域(朝向內(nèi)周進(jìn)行磁化的區(qū)域R2)的邊界線(與連接N區(qū)域的中心S區(qū)域的中心的線垂直的線等價(jià))和徑向環(huán)狀磁體112的中心軸的方向作為0°。
接著，在實(shí)施第一磁化工序后，相對(duì)第一位置，在使徑向環(huán)狀磁體112圍繞軸103僅旋轉(zhuǎn)一定的角度θ的第二位置，施加與第一磁化工序相同的外部磁場(chǎng)。在使旋轉(zhuǎn)角θ達(dá)到20°和40°時(shí)所得到的徑向環(huán)狀磁體11 2的表面磁通密度Bg的角度依存性示于圖3(b)中(在20°和40°成為相同的結(jié)果)。另外，在使旋轉(zhuǎn)角θ為30°時(shí)所得到的徑向環(huán)狀磁體112的表面磁通密度Bg的角度依存性示于圖3(c)中。
如圖3(a)～(c)所示，沿徑向環(huán)狀磁體的圓周的表面磁通密度Bg，在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的邊界部分BR(參照?qǐng)D1)中，其值選取零，此后，在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的各自中，其值(絕對(duì)值)增大，選取最大值，然后，經(jīng)過平坦區(qū)域，在邊界部分BR中再變?yōu)榱?。如果?yán)格地說，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的各自中的最大值是極大值，平坦區(qū)域中的表面磁通密度Bg的值成為比最大值(極大值)稍微小的值。在此，將第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的各自中的2個(gè)極大值間的平坦區(qū)域稱為表面磁通密度B選取最大值的“最大值區(qū)域”。
首先，由圖3(a)的曲線可知，僅一次的磁化工序，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的邊界部分BR(參照?qǐng)D1)不能充分地被磁化，因此表面磁通密度Bg取最大值的最大值區(qū)域的角度范圍(50°～150°和220°～330°)狹窄，并且，平均磁通密度也低。而且，在邊界部分BR附近，表面磁通密度Bg也不連續(xù)地發(fā)生變化，選取極值(極大值和極小值)。另外，在邊界部分BR附近，表面磁通密度Bg從零點(diǎn)至選取最大值的角度范圍超過30°。
這樣，如果僅在第一磁化工序中進(jìn)行磁化，表面磁通密度Bg的最大值區(qū)域的角度范圍，在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的各自中，比較狹小，不到120°，而且，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的邊界部分BR中的表面磁通密度Bg的變化中出現(xiàn)極值，因此使用具有這樣特性的徑向環(huán)狀磁體122，例如如果構(gòu)成旋轉(zhuǎn)機(jī)，不僅能量效率低，而且產(chǎn)生大的振動(dòng)。而且，使用這樣的徑向環(huán)狀磁體，制作精密的位置(角度)傳感器是困難的。
與此相反，使用本發(fā)明的磁化方法得到的徑向環(huán)狀磁體的特性，如圖3(b)和(c)所示可知，與圖3(a)相比，表面磁通密度Bg選取最大值的角度范圍寬，平均磁通密度也變高。最大區(qū)域的角度范圍，在圖3(b)所示的例子中，是30°～150°和210°～330°，在圖3(c)所示的例子中，是20°～150°和195°～330°。
另外，在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的邊界部分BR附近，表面磁通密度單調(diào)地增加或者減少，不存在在圖3(a)中看到的極值(極大值或極小值)。特別是，將圖3(c)所示的旋轉(zhuǎn)角θ變?yōu)?0°時(shí)的徑向環(huán)狀磁體112，選取最大值的角度范圍寬，平均磁通密度也高。而且還知道，在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的邊界部分BR附近的表面磁通密度Bg的變化也是非常平滑的。
這樣，通過實(shí)施第一磁化工序和第二磁化工序，就能夠得到表面磁通密度Bg的最大區(qū)域的角度范圍是120°以上140°以下、表面磁通密度Bg從零點(diǎn)至選取最大值的角度范圍是20°以上30°以下的徑向環(huán)狀磁體。另外，該徑向環(huán)狀磁體的表面磁通密度Bg，在第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的邊界部分BR附近，不選取極值單調(diào)地增加或者減少，表面磁通密度Bg變化的線性高。
在圖4中表示相對(duì)旋轉(zhuǎn)角θ將變化旋轉(zhuǎn)角θ得到的各種徑向環(huán)狀磁體112的表面磁通密度Bg選取最大值的角度范圍和表面磁通密度選取最大值一半以上的值的角度范圍分別除以360度的值進(jìn)行繪圖的結(jié)果。旋轉(zhuǎn)角θ＝0°表示僅實(shí)施第一磁化工序，在使旋轉(zhuǎn)角θ為50°時(shí)，得到與θ＝0°時(shí)大致相同的結(jié)果。
由圖4的曲線可知，通過采用本發(fā)明的磁化方法并使旋轉(zhuǎn)角θ超過0°不到50°，表面磁通密度Bg選取最大值的角度范圍和選取最大值一半的值的角度范圍，比目前的磁化方法(相當(dāng)于圖4中的旋轉(zhuǎn)角θ＝0°)增加。而且，通過使旋轉(zhuǎn)角θ為20°以上40°以下的范圍，如圖3(b)所示，第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2的邊界部分BR中的表面磁通密度Bg的變化中不出現(xiàn)極值，連續(xù)、平滑地進(jìn)行變化。而且，通過使旋轉(zhuǎn)角θ為30°±5°以內(nèi)，邊界部分BR中的表面磁通密度Bg的變化更變得平滑。在旋轉(zhuǎn)角θ是約30°時(shí)，如圖3(c)所示，表面磁通密度B最平滑地變化。
這樣，如果使用本發(fā)明的磁化方法，就能得到在相互相反方向進(jìn)行磁化的區(qū)域(第一區(qū)域R1和第二區(qū)域R2)的邊界部分BR比目前更可靠地被磁化的徑向環(huán)狀磁體。如果使用這樣的徑向環(huán)狀磁體構(gòu)成圖5所示的旋轉(zhuǎn)機(jī)，就得到能量效率高、振動(dòng)發(fā)生少的旋轉(zhuǎn)機(jī)。這樣的旋轉(zhuǎn)機(jī)，例如適合使用于如特開2000-41372號(hào)公報(bào)中所公開那樣的、要求以高精度控制節(jié)流閥控制裝置等的角度的用途中。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，可提供一種在對(duì)以形成相互相反方向磁化的區(qū)域的方式配置成圓筒狀的磁體進(jìn)行磁化時(shí)，使區(qū)域的邊界附近比目前更可靠地向規(guī)定方向進(jìn)行磁化的磁化方法。另外，通過使用以這樣的磁化方法磁化的磁體，可提供高性能的旋轉(zhuǎn)機(jī)。如果使用本發(fā)明的稀土類磁體，電動(dòng)機(jī)或驅(qū)動(dòng)器等的轉(zhuǎn)矩波動(dòng)降低，而且能量效率也提高。
尤其是，通過使用本發(fā)明的磁化方法使徑向取向的R-T-(M)-B系燒結(jié)磁體磁化而得到的磁體，適合用于高性能的旋轉(zhuǎn)機(jī)或高精度位置(角度)檢測(cè)用的傳感器。不用說，本發(fā)明中也不限于稀土類燒結(jié)磁體，也用于粘結(jié)磁體等各種稀土類磁體的磁化。
權(quán)利要求
1.一種稀土類磁體的磁化方法，其特征在于包括準(zhǔn)備以形成圓筒的方式配置的稀土類磁體的工序；通過在所述稀土類磁體上施加第一外部磁場(chǎng)、形成從所述圓筒的內(nèi)側(cè)向外側(cè)磁化的第一區(qū)域和從外側(cè)向內(nèi)側(cè)磁化的第二區(qū)域的第一磁化工序；和在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的邊界、以施加與在所述第一磁化工序中施加的外部磁場(chǎng)成分的方向呈超過0°不到50°的角度的方向的施加磁場(chǎng)成分的方式、施加第二外部磁場(chǎng)的第二磁化工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土類磁體的磁化方法，其特征在于以所述圓筒的軸為中心、相對(duì)于磁路可相對(duì)旋轉(zhuǎn)地支持所述稀土類磁體，以相對(duì)于所述磁路的相對(duì)位置為第一位置實(shí)施所述第一磁化工序，使所述稀土類磁體以所述軸為中心、相對(duì)于所述磁路進(jìn)行所述相對(duì)地旋轉(zhuǎn)之后，實(shí)施所述第二磁化工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的稀土類磁體的磁化方法，其特征在于沿所述圓筒的圓周形成具有所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域各一個(gè)的二極磁體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的稀土類磁體的磁化方法，其特征在于在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的邊界，在所述第一磁化工序中施加的外部磁場(chǎng)成分的方向和在所述第二磁化工序中施加的外部磁場(chǎng)成分的方向形成的角度為20°以上40°以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的稀土類磁體的磁化方法，其特征在于所述第一外部磁場(chǎng)和所述第二外部磁場(chǎng)的強(qiáng)度實(shí)質(zhì)上是相互相等的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的稀土類磁體的磁化方法，其特征在于所述稀土類磁體是徑向取向各向異性燒結(jié)磁體。
7.一種包括使用權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的磁化方法實(shí)施的磁化工序的稀土類磁體的制造方法。
8.一種由權(quán)利要求7的制造方法制造的稀土類磁體。
9.一種圓筒狀的稀土類磁體，其特征在于具有從圓筒的內(nèi)側(cè)向外側(cè)磁化的第一區(qū)域和從外側(cè)向內(nèi)側(cè)磁化的第二區(qū)域，在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域的邊界，表面磁通密度不選取極值而連續(xù)地變化。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的稀土類磁體，其特征在于在所述第一區(qū)域或所述第二區(qū)域，表面磁通密度選取最大值的角度范圍是120°以上140°以下。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的稀土類磁體，其特征在于表面磁通密度從零點(diǎn)至選取最大值的角度范圍是20°以上30°以下。
12.一種具備權(quán)利要求8～11中任一項(xiàng)所述的稀土類磁體的旋轉(zhuǎn)機(jī)。
13.一種具備權(quán)利要求12所述的旋轉(zhuǎn)機(jī)的閥門開度控制裝置。
全文摘要
本發(fā)明包括準(zhǔn)備以形成圓筒(22a)的方式配置的稀土類磁體(22)的工序；通過在稀土類磁體(22)上施加第一外部磁場(chǎng)(H1)、形成從圓筒(22a)的內(nèi)側(cè)向外側(cè)磁化的第一區(qū)域(R1)和從外側(cè)向內(nèi)側(cè)磁化的第二區(qū)域(R2)的第一磁化工序；在第一區(qū)域(R1)和第二區(qū)域(R2)的邊界、以施加與在第一磁化工序中施加的外部磁場(chǎng)成分的方向呈超過0°不到50°的角度的方向的施加磁場(chǎng)成分的方式、施加第二外部磁場(chǎng)(H2)的第二磁化工序。
文檔編號(hào)H02K15/03GK1463447SQ02802080
公開日2003年12月24日 申請(qǐng)日期2002年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月30日
發(fā)明者坂口英二, 森本仁 申請(qǐng)人:住友特殊金屬株式會(huì)社