專利名稱：過(guò)電壓控制模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電工、電子領(lǐng)域的器件，具體地講本發(fā)明涉及一種過(guò)電壓控制模塊。在國(guó)際專利分類表中本發(fā)明應(yīng)該分為H02H小類。
背景技術(shù)：
目前，有的過(guò)電壓保護(hù)模塊結(jié)構(gòu)還是合理的，使用也是方便的，其不足之處是保護(hù)模塊為二端元件，只能對(duì)單相電路過(guò)壓事故進(jìn)行保護(hù)，頗為不足。目前使用的附加過(guò)電壓保護(hù)功能的漏電保安器，由于電路系統(tǒng)仍采用印刷電路板、分立元件的結(jié)構(gòu)，在電路元件中有電解電容，由于對(duì)溫度、濕度、塵埃、腐蝕性氣體等使用環(huán)境的耐受性差，會(huì)對(duì)這種漏電保安器的工作性能造成不利的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明目的在于針對(duì)已有技術(shù)的不足，提供一種集成化、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于安裝使用，對(duì)環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，對(duì)交流單相、交流三相、直流供電系統(tǒng)都能穩(wěn)定可靠工作的過(guò)電壓控制模塊。
本發(fā)明的發(fā)明目的是通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的所述的過(guò)電壓控制模塊有三支二極管VD1、VD2、VD3，所述的過(guò)電壓控制模塊有一個(gè)包括壓敏電阻R1和可控硅VDT的過(guò)電壓開(kāi)關(guān)電路。
所述的過(guò)電壓控制模塊有四個(gè)引腳，分別為引腳1、引腳2、引腳3、引腳4。
所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳2連接二極管VD1的正極，所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳3連接二極管VD2的正極，所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳4連接二極管VD3的正極；二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極相連接，可控硅VDT的陽(yáng)極連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極，壓敏電阻R1的一端連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極。
壓敏電阻R1的另一端連接二極管VD4的正極，二極管VD4的負(fù)極連接可控硅VDT的控制極，電阻R3的一端連接可控硅VDT的控制極，可控硅VDT的陰極連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1，電阻R3的另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1。
在具體實(shí)施例中所述的過(guò)電壓模塊有一個(gè)電容C1，所述的電容C1的一端連接可控硅VDT的控制極，所述的電容C1的另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1。
所述的過(guò)電壓控制模塊有一個(gè)防止可控硅VDT瞬態(tài)過(guò)電壓的抑制電路，所述的抑制電路為電阻R2、電容C2串聯(lián)電路，所述的電阻R2的一端連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極，所述的電阻R2的另一端連接電容C2的一端，所述電容C2的另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1。
所述的過(guò)電壓控制模塊的外側(cè)封有一層樹(shù)脂或絕緣材料層。
由于本發(fā)明采用了上述的技術(shù)方案，因?yàn)楸景l(fā)明集成化、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，所以便于安裝使用，性能穩(wěn)定可靠。本發(fā)明對(duì)環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，對(duì)交、直流都能穩(wěn)定可靠地工作，是一種新型的系列化的過(guò)電壓控制模塊產(chǎn)品。


下面對(duì)本發(fā)明的附圖進(jìn)行說(shuō)明附圖1是過(guò)電壓控制模塊在三相交流電路中的工作原理圖。方框中的部分是過(guò)電壓控制模塊。
附圖2是過(guò)電壓控制模塊在交流單相電路中的工作原理圖。方框中的部分是過(guò)電壓控制模塊。
附圖3是過(guò)電壓控制模塊在直流電路中的工作原理圖。方框中的部分是過(guò)電壓控制模塊。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明附圖1是過(guò)電壓控制模塊在三相交流電路中的工作原理圖。方框中的部分是過(guò)電壓控制模塊，也就是說(shuō)方框中的內(nèi)容就是所述的本發(fā)明的過(guò)電壓控制模塊。從附圖1中可以看到所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳2連接二極管VD1的正極，所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳3連接二極管VD2的正極，所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳4連接二極管VD3的正極；二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極相連接，可控硅VDT的陽(yáng)極連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極，壓敏電阻R1的一端連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極，電阻R2的一端連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極。
壓敏電阻R1的另一端連接二極管VD4的正極，二極管VD4的負(fù)極連接可控硅VDT的控制極，電阻R3的一端連接可控硅VDT的控制極，電容C1的一端連接可控硅VDT的控制極，電阻R2的另一端連接電容C2的一端，可控硅VDT的陰極連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1，電容C1另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1，電阻R3的另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1，電容C2的另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1，跳閘線圈YA的一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1，跳閘線圈YA的另一端連接N線。
選擇壓敏電阻R1適當(dāng)?shù)膶?dǎo)通電壓值來(lái)控制可控硅VDT的通與斷。配合跳閘線圈YA、斷路器SA來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)供電線路的過(guò)電壓控制。設(shè)定壓敏電阻R1適當(dāng)?shù)膶?dǎo)通電壓值，當(dāng)L1、L2、L3對(duì)N的電壓低于壓敏電阻R1的導(dǎo)通值時(shí)，壓敏電阻R1不導(dǎo)通，可控硅VDT控制極無(wú)觸發(fā)電流，可控硅VDT截止。跳閘線圈YA不吸合，斷路器SA處于合閘位置，供電線路正常向用戶供電。
當(dāng)L1對(duì)N的電壓超過(guò)壓敏電阻R1的導(dǎo)通值時(shí)，壓敏電阻R1導(dǎo)通，可控硅VDT控制極有觸發(fā)電流通過(guò)，可控硅VDT導(dǎo)通。在L1、二極管VD1、可控硅VDT、跳閘線圈YA和N線之間形成回路。跳閘線圈YA吸合，斷路器SA跳閘，斷開(kāi)供電電路。
當(dāng)L2對(duì)N的電壓超過(guò)壓敏電阻R1的導(dǎo)通值時(shí)，壓敏電阻R1導(dǎo)通，可控硅VDT控制極有觸發(fā)電流通過(guò)，可控硅VDT導(dǎo)通。在L2、二極管VD2、可控硅VDT、跳閘線圈YA和N線之間形成回路。跳閘線圈YA吸合，斷路器SA跳閘，斷開(kāi)供電電路。
當(dāng)L3對(duì)N的電壓超過(guò)壓敏電阻R1的導(dǎo)通值時(shí)，壓敏電阻R1導(dǎo)通，可控硅VDT控制極有觸發(fā)電流通過(guò)，可控硅VDT導(dǎo)通。在L3、二極管VD3、可控硅VDT、跳閘線圈YA和N線之間形成回路。跳閘線圈YA吸合，斷路器SA跳閘，斷開(kāi)供電電路。
二極管VD1、VD2、VD3是整流、隔離二極管。
壓敏電阻R1、二極管VD4和電阻R3構(gòu)成可控硅VDT的控制極觸發(fā)電路。電容C1是為防止可控硅VDT誤觸發(fā)而設(shè)置的。
電阻R2、電容C2構(gòu)成防止可控硅VDT瞬態(tài)過(guò)電壓的抑制電路。
附圖2是過(guò)電壓控制模塊在交流單相電路中的工作原理圖。方框中的部分是過(guò)電壓控制模塊。當(dāng)L對(duì)N的電壓超過(guò)壓敏電阻R1的導(dǎo)通值時(shí)，壓敏電阻R1導(dǎo)通，可控硅VDT控制極有觸發(fā)電流通過(guò)，可控硅VDT導(dǎo)通。在L、二極管VD2、可控硅VDT、跳閘線圈YA和N線之間形成回路。跳閘線圈YA吸合，斷路器SA跳閘，斷開(kāi)供電電路。
附圖3是過(guò)電壓控制模塊在直流電路中的工作原理圖。方框中的部分是過(guò)電壓控制模塊。當(dāng)電源正極(+)對(duì)負(fù)極(-)之間的電壓值超過(guò)壓敏電阻R1的導(dǎo)通值時(shí)，壓敏電阻R1導(dǎo)通，可控硅VDT控制極有觸發(fā)電流通過(guò)，可控硅VDT導(dǎo)通。在電源正極(+)、二極管VD2、可控硅VDT、跳閘線圈YA和電源負(fù)極(-)之間形成回路。跳閘線圈YA吸合，斷路器SA跳閘，斷開(kāi)供電電路。
實(shí)驗(yàn)證明，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、便于安裝、運(yùn)行穩(wěn)定可靠、使用壽命長(zhǎng)，本發(fā)明對(duì)環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng)，對(duì)交、直流都能穩(wěn)定可靠地工作，是一種新型的系列化的過(guò)電壓控制模塊產(chǎn)品。
權(quán)利要求
1.一種過(guò)電壓控制模塊，其特征在于所述的過(guò)電壓控制模塊有三支二極管VD1、VD2、VD3，所述的過(guò)電壓控制模塊有一個(gè)包括壓敏電阻R1和可控硅VDT的過(guò)電壓開(kāi)關(guān)電路；所述的過(guò)電壓控制模塊有四個(gè)引腳，分別為引腳1、引腳2、引腳3、引腳4；所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳2連接二極管VD1的正極，所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳3連接二極管VD2的正極，所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳4連接二極管VD3的正極；二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極相連接，可控硅VDT的陽(yáng)極連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極，壓敏電阻R1的一端連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極；壓敏電阻R1的另一端連接二極管VD4的正極，二極管VD4的負(fù)極連接可控硅VDT的控制極，電阻R3的一端連接可控硅VDT的控制極，可控硅VDT的陰極連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1，電阻R3的另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓控制模塊，其特征在于所述的過(guò)電壓控制模塊有一個(gè)電容C1，所述的電容C1的一端連接可控硅VDT的控制極，所述的電容C1的另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓控制模塊，其特征在于所述的過(guò)電壓控制模塊有一個(gè)防止可控硅VDT瞬態(tài)過(guò)電壓的抑制電路，所述的抑制電路為電阻R2、電容C2串聯(lián)電路，所述的電阻R2的一端連接二極管VD1、VD2、VD3的負(fù)極，所述的電阻R2的另一端連接電容C2的一端，所述電容C2的另一端連接所述的過(guò)電壓控制模塊的引腳1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的過(guò)電壓控制模塊，其特征在于所述的過(guò)電壓控制模塊的外側(cè)封有一層樹(shù)脂或絕緣材料層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種過(guò)電壓控制模塊，主要特點(diǎn)在于所述的過(guò)電壓控制模塊有一個(gè)包括壓敏電阻R
文檔編號(hào)H02H3/20GK1558480SQ20041003906
公開(kāi)日2004年12月29日 申請(qǐng)日期2004年2月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月2日
發(fā)明者楊季民 申請(qǐng)人:楊季民