專利名稱：升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器及其控制電路、使用了它的電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及開關(guān)調(diào)節(jié)器，特別涉及升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的起動時(shí)的控制 方式。
背景技術(shù)：
在近年的便攜式電話、PDA ( Personal Digital Assistant:個(gè)人數(shù)字助 理)、筆記本式個(gè)人計(jì)算機(jī)等各種電子設(shè)備中，安裝有作為液晶的背光燈 而設(shè)的發(fā)光二極管(以下稱LED)、微處理器、或者其他模擬、數(shù)字電路 等很多在不同的電源電壓下工作的器件。
另一方面，在這樣的電子設(shè)備中，作為電源，安裝有鋰離子電池等電
件，使用將電池電壓升壓或降壓的開關(guān)調(diào)節(jié)器等DC/DC轉(zhuǎn)換器。
升壓型或降壓型的開關(guān)調(diào)節(jié)器有使用整流用二極管的方式(以下稱二 極管整流方式)、取代二極管而使用同步整流用晶體管的方式(以下稱同 步整流方式)。前者具有在負(fù)載所流過的負(fù)載電流較小時(shí)能得到高效率的 優(yōu)點(diǎn)，但在控制電路外部除電感、電容外還需要二極管，所以電路面積變 大。后者在提供給負(fù)載的電流較小時(shí)的效率方面不如前者，但由于使用晶 體管來取代二極管，所以能夠集成在LSI內(nèi)部，能夠使包括外圍部件在內(nèi) 的電路面積小型化。
這里，二極管整流方式或同步整流方式的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器中，在從
出端子之間，串聯(lián)連接同步整流用晶體管和電感。在使用P溝道MOSFET 作為同步整流用晶體管，并且使其背柵極與源極(或者漏極)相連接的情 況下，存在如下問題即使在使同步整流用晶體管截止、停止升壓動作的 狀態(tài)下，也會經(jīng)由背柵極與漏極(或者源極)間的體二極管(寄生二極管) 和電感而向負(fù)載流過電 流o
專利文獻(xiàn)l:特開2004 - 32875號公才艮
專利文獻(xiàn)2:特開2002 - 252971號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
〔發(fā)明所要解決的課題〕
為了防止在升壓動作停止時(shí)經(jīng)由同步整流用晶體管和電感向負(fù)載流 過的電流，考慮在該電流路徑上設(shè)置直流防止用晶體管作為開關(guān)元件的方 法。但是，該方法存在若急速地使該直流防止用晶體管導(dǎo)通，則會流過沖 擊電流的問題。
本發(fā)明是鑒于這樣的課題而設(shè)計(jì)的，其目的在于提供一種抑制了起動 時(shí)的沖擊電流的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器。 〔用于解決課題的手段〕
本發(fā)明的一個(gè)方案涉及一種升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的控制電路。該控制電 路包括 一端接地的開關(guān)晶體管；第l端子，與開關(guān)晶體管的另一端相連； 第2端子，與一端應(yīng)連接于第1端子的電感的另一端相連接；第3端子， 被施加輸入電壓；輔助晶體管，被設(shè)置在第2端子與第3端子之間；第l 軟起動電路，生成隨時(shí)間而增大的第1軟起動電壓；第2軟起動電路，生 成相對于第1軟起動電壓延遲地增大的第2軟起動電壓；誤差放大器，基 于升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的輸出電壓與第l軟起動電壓的誤差電壓，控制輔助 晶體管的控制端子的電壓；脈沖寬度調(diào)制器，被輸入升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的 輸出電壓和使第2軟起動電壓移位了預(yù)定電壓量后的電壓，生成脈沖寬度 調(diào)制信號，并控制該脈沖寬度調(diào)制信號的占空比，使得所輸入的兩個(gè)電壓 相接近；驅(qū)動電路，基于脈沖寬度調(diào)制信號驅(qū)動上述開關(guān)晶體管。
將輔助晶體管用作升壓停止時(shí)的直流防止用開關(guān)，并與控制其控制端 子的電壓的誤差放大器一起構(gòu)成線性調(diào)節(jié)器。這里，所謂控制端子，是指 相當(dāng)于MOSET的柵極、雙極型晶體管的基極的端子。根據(jù)該方案，能夠 在升壓型開關(guān)晶體管起動時(shí)基于第l軟起動電壓，由線性調(diào)節(jié)器使輸出電 壓緩緩上升，然后基于第2軟起動電壓使升壓后的輸出電壓緩緩上升，能 夠抑制沖擊電流的產(chǎn)生。
第2軟起動電路可以包括電平移位電路，使從第l軟起動電路輸出的 第1軟起動電壓向低電壓側(cè)移位預(yù)定電平。
為生成軟起動電壓，需要使用了電容的時(shí)間常數(shù)電路、D/A轉(zhuǎn)換器等，
所以通過使用一個(gè)軟起動電路來生成第l軟起動電壓和第2軟起動電壓， 能夠減小電路面積。
開關(guān)晶體管可以是N溝道MOSFET( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，輔助晶體管可以是P 溝道MOSFET。
控制電路可以被一體集成在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上。這里的所謂集成，包 括電路的所有結(jié)構(gòu)要件都形成在半導(dǎo)體襯底上的情況，和電路的主要結(jié)構(gòu) 要件被一體集成的情況，也可以為調(diào)節(jié)電路常數(shù)而將一部分電阻、電容等 設(shè)置在半導(dǎo)體襯底的外部。
本發(fā)明的另一方案是升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器。該升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器包括 上述的控制電路；電感，設(shè)置在控制電路的第1端子和第2端子之間；整 流二極管，其陽極與第l端子相連接；輸出電容，被連接在整流二極管的 陰極與接地之間；其中，將整流二極管的陰極與輸出電容的連接點(diǎn)的電壓 作為輸出電壓輸出。
根據(jù)該方案，通過輔助晶體管能夠隔斷經(jīng)由電感和整流二極管流過的 電流。另外，能夠防止在起動時(shí)沖擊電流流入輸出電容。
本發(fā)明的再一個(gè)方案是電子設(shè)備。該電子設(shè)備包括電池；上述的升 壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器，對電池的電壓進(jìn)行升壓；由升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器驅(qū)動的發(fā) 光元件。
另外，將以上結(jié)構(gòu)要件的任意組合、本發(fā)明的結(jié)構(gòu)要件以及表達(dá)方式 在方法、裝置、系統(tǒng)等之間相互置換的方案，作為本發(fā)明的實(shí)施方式也是 有效的。


圖1是表示實(shí)施方式的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖2的(a) ~ (c)是表示圖1的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器起動時(shí)的時(shí)序圖。
圖3是表示安裝有圖1的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的框圖。
〔標(biāo)號說明〕
100控制電路，102第1端子，104第2端子，106第3端子，108電 壓反饋端子，110接地端子，112待機(jī)端子，200升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器，202 輸入端子，204輸出端子，300電子設(shè)備，310電池，320發(fā)光元件， Ml開關(guān)晶體管，M2輔助晶體管，Rl第1電阻，R2第2電阻，10驅(qū) 動電路，12脈沖寬度調(diào)制器，14 PWM比較器，16振蕩器，18誤差放 大器，20軟起動電路，22誤差放大器，24電平移位電路，Ll電感， Dl整流二極管，Co輸出電容，Vssl第1軟起動電壓，Vss2第2軟起 動電壓。
具體實(shí)施例方式
以下，基于優(yōu)選的實(shí)施方式，參照

本發(fā)明。對于各附圖中所 示的相同或等同的結(jié)構(gòu)要件、部件、處理標(biāo)注相同的標(biāo)號，并適當(dāng)省略重 復(fù)的說明。另外，實(shí)施方式只是例示，并非限定本發(fā)明，實(shí)施方式中所記 述的所有特征及其組合，不一定就是本發(fā)明的本質(zhì)特征。
圖1是表示實(shí)施方式的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的結(jié)構(gòu)的電路圖。升壓 型開關(guān)調(diào)節(jié)器200是包括控制電路100、電感L1、輸出電容Co、整流二 極管D1、第1電阻R1、第2電阻R2的二極管整流方式的開關(guān)調(diào)節(jié)器。
本實(shí)施方式的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200以預(yù)定的升壓率對輸入電壓Vin 升壓，從輸出端子204輸出輸出電壓Vout。
首先說明控制電路100的結(jié)構(gòu)。控制電路100作為輸入輸出端子，具 有第1端子102、第2端子104、第3端子106、電壓反饋端子108、接地 端子110、待機(jī)(standby)端子112。另外，其內(nèi)部包括開關(guān)晶體管Ml 、 輔助晶體管M2、驅(qū)動電路10、脈沖寬度調(diào)制器12、軟起動電路20、誤 差放大器22、電平移位電路24。
接地端子110與外部的接地電位相連接。開關(guān)晶體管Ml是N溝道 MOSFET，其源極通過接地端子110接地。第1端子102與開關(guān)晶體管 Ml的漏極相連。該第1端子102在外部與電感Ll的一端相連。第2端子 104與一端應(yīng)連接于第1端子102的電感Ll的另一端相連。第3端子106 #皮/人外部施加輸入電壓Vin。
輔助晶體管M2的漏極與第2端子104相連，源極與第3端子106相 連。由第1電阻Rl和第2電阻R2將升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的輸出電壓 Vout分壓后的反饋電壓Vout，被反饋到電壓反饋端子108。反饋電壓Vout， 由Vout， = Vout x Rl/ ( Rl + R2 )給出。反饋電壓Vout，被輸入到誤差放大
器22和脈沖寬度調(diào)制器12。
軟起動電路20生成隨時(shí)間而增大的第l軟起動電壓Vssl。該軟起動 電路20通過待機(jī)端子112被輸入待機(jī)信號STB,在待機(jī)信號STB從低電 平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，使第1軟起動電壓Vss 1從0 V緩緩上升到預(yù)定的最大電 壓Vmax。
誤差放大器22的反相輸入端子被輸入第l軟起動電壓Vssl，非反相 輸入端子被輸入反饋電壓Vout，。誤差放大器22將對第1軟起動電壓Vssl 與反饋電壓Vout，的誤差放大后的誤差電壓Verrl輸出到輔助晶體管M2的 輔助晶體管M2的作為控制端子的柵極。該誤差放大器22和輔助晶體管 M2構(gòu)成線性調(diào)節(jié)器，所以進(jìn)行反饋使得反饋電壓Vout，接近第l軟起動電 壓Vssl ，輸出電壓Vout以Vssl x ( Rl + R2 ) /Rl為目標(biāo)值被穩(wěn)定化。
電平移位電路24生成使從軟起動電路20輸出的第1軟起動電壓Vss 1 向低電壓側(cè)移位預(yù)定電平AV量后的第2軟起動電壓Vss2。第2軟起動電 壓Vss2被輸入到脈沖寬度調(diào)制器12。該第2軟起動電壓Vss2相對于第1 軟起動電壓Vssl時(shí)間上延遲地增大。
脈沖寬度調(diào)制器12被輸入反饋電壓Vout，、第2軟起動電壓Vss2。誤 差放大器18的反相輸入端子被輸入反饋電壓Vout，，非反相輸入端子被輸 入第2軟起動電壓Vss2。誤差放大器18對反饋電壓Vout，與第2軟起動電 壓Vss2的誤差進(jìn)行放大，將誤差電壓Verr2輸出到PWM比較器14的非 反相輸入端子。振蕩器16生成三角波或鋸齒波狀的周期電壓Vosc,輸出 到PWM比較器14的反相輸入端子。PWM比較器14對誤差電壓Verr2和 周期電壓Vosc進(jìn)行比較，輸出在Vosc〉Verr2時(shí)為低電平、Vosc〈Verr2時(shí) 為高電平的脈沖寬度調(diào)制信號(以下稱PWM信號)Vpwm。調(diào)節(jié)該P(yáng)WM 信號Vpwm的占空比，使得反饋電壓Vout，接近第2軟起動電壓Vss2。
驅(qū)動電路10基于從脈沖寬度調(diào)制器12輸出的PWM信號Vpwm驅(qū)動 開關(guān)晶體管Ml。開關(guān)晶體管Ml的導(dǎo)通時(shí)間由PWM信號Vpwm的占空 比控制。
這樣構(gòu)成的控制電路100如下那樣與電感Ll、整流二極管D1、輸出 電容Co相連接。電感Ll設(shè)置在控制電路100的第1端子102和第2端子 104之間。整流二極管Dl的陽極與第1端子102相連接。輸出電容Co連 接在整流二極管Dl的陰極與接地之間。整流二極管Dl的陰極與輸出電
容Co的連接點(diǎn)的電壓被作為升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的輸出電壓Vout提供
給負(fù)載。
下面說明如上這樣構(gòu)成的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的動作。圖2的(a)~ (c)是圖1的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的起動時(shí)的時(shí)序圖。該圖中為說明 簡潔而對縱軸和橫軸進(jìn)行了適當(dāng)放大或縮小。圖2的(a)表示從外部輸 入到控制電路100的待機(jī)信號STB。圖2的(b)表示第1軟起動電壓Vssl、 第2軟起動電壓Vss2。圖2的(c)表示升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的輸出電 壓Vout。
在時(shí)刻TO至?xí)r刻Tl期間，待機(jī)信號STB是低電平，升壓型開關(guān)調(diào) 節(jié)器200成為暫停狀態(tài)。在此期間，第1軟起動電壓Vssl是0V，第2軟 起動電壓Vss2也是0V。第1軟起動電壓Vssl為0V時(shí)，從誤差放大器 22輸出的誤差電壓Verrl、即輔助晶體管M2的柵極電壓上升到電源電壓 附近，所以輔助晶體管M2成為全截止?fàn)顟B(tài)。輔助晶體管M2全截止，從 而從第3端子106經(jīng)由輔助晶體管M2、電感L1、整流二極管D1至輸出 端子204的電流^各徑纟皮隔斷。
另外，在時(shí)刻TO至Tl期間，第2軟起動電壓Vss2也是0V,所以 PWM調(diào)制信號Vpwm的占空比成為0。/。，開關(guān)晶體管M1的開關(guān)動作停止。
在時(shí)刻Tl待機(jī)信號STB成為高電平后，軟起動電路20使第1軟起 動電壓Vssl從OV起緩緩地隨時(shí)間而上升。結(jié)果，輔助晶體管M2從全截 止的狀態(tài)漸漸向?qū)ǖ臓顟B(tài)變化，輸出電壓Vout隨著第1軟起動電壓Vss 1 的上升，滿足Vout=Vsslx (Rl + R2) /Rl關(guān)系地上升。在時(shí)刻T2，輔 助晶體管M2成為全導(dǎo)通的狀態(tài)，輸出電壓Vout上升至被輸入到第3端子 106的輸入電壓Vin附近時(shí)，輸出電壓Vout不再繼續(xù)上升。
另夕卜，如上所述第2軟起動電壓Vss2是將第l軟起動電壓Vssl向低 電壓側(cè)電平移位AV量后的電壓，所以在從時(shí)刻Tl起經(jīng)過預(yù)定的延遲時(shí) 間T后的時(shí)刻Tl，開始上升。升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的脈沖寬度調(diào)制器12 調(diào)節(jié)PWM信號Vpwm的占空比，使得反饋電壓Vout，變得等于第2軟起 動電壓Vss2。但在時(shí)刻Tl，至?xí)r刻T2期間，按Vss2 x ( Rl + R2 ) /Rl所 給出的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的輸出電壓的目標(biāo)值比輸入電壓Vin低，所以不 進(jìn)行升壓動作。
在時(shí)刻T3,由第2軟起動電壓Vss2規(guī)定的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的輸出電壓的目標(biāo)值超過輸入電壓Vin時(shí)，從脈沖寬度調(diào)制器12輸出的PWM信 號Vpwm的占空比隨時(shí)間而增大，由驅(qū)動電路IO驅(qū)動開關(guān)晶體管Ml，控 制升壓動作使得輸出電壓Vout接近以Vss2 x ( Rl + R2 ) /Rl給出的目標(biāo) 電壓。結(jié)果，隨著第2軟起動電壓Vss2的上升，輸出電壓Vout漸漸上升。 當(dāng)在時(shí)刻T4第2軟起動電壓Vss2達(dá)到Vref - Vmax - △ V所給出的目標(biāo) 基準(zhǔn)電壓時(shí)，軟起動動作結(jié)束，輸出電壓Vout被穩(wěn)定化。
以上說明了本實(shí)施方式的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的結(jié)構(gòu)和動作。通過 本實(shí)施方式的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200,在升壓動作開始前使用輔助晶體管 M2作為直流防止用開關(guān)，A^而能夠防止經(jīng)由電感Ll和整流二才及管Dl向 負(fù)載流過電流、或者輸出端子204呈現(xiàn)輸入電壓Vin的情況。
進(jìn)而，在升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的起動過程中，通過使該輔助晶體管 M2和誤差放大器22作為線性調(diào)節(jié)器來發(fā)揮作用，能夠在輸出電壓Vout 上升到輸入電壓Vin附近之前的期間內(nèi)使輸出電壓Vout緩緩上升。即，在 以往的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器中，在賦予輸入電壓Vin的時(shí)刻輸出電壓Vout 會上升到輸入電壓Vin,而通過本實(shí)施方式的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200，能 夠使輸出電壓Vout從OV起緩緩上升。
進(jìn)而，在輸出電壓Vout上升到輸入電壓Vin附近時(shí)輔助晶體管M2 成為全導(dǎo)通的狀態(tài)，第2端子104呈現(xiàn)接近輸入電壓Vin的電壓。之后， 雖然由升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200使第2端子104所呈現(xiàn)的輸入電壓Vin升壓， 但由于此時(shí)輸入到誤差放大器18的第2軟起動電壓Vss2隨時(shí)間而上升， 所以能夠使輸出電壓Vout也隨時(shí)間緩緩上升。這樣，通過使輸出電壓Vout 從OV起緩緩上升到預(yù)定的目標(biāo)電壓，能夠抑制起動時(shí)的沖擊電流。
圖3是表示安裝了圖1的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的電子設(shè)備300的結(jié) 構(gòu)的框圖。電子設(shè)備300是便攜式電話終端、數(shù)字靜態(tài)照相機(jī)、CD播放 器等電池驅(qū)動型的小型信息設(shè)備，包括電池310、發(fā)光元件320、升壓型 開關(guān)調(diào)節(jié)器200。電池310例如是鋰離子電池，輸出3V 4V程度的電池 電壓Vbat。電池電壓Vbat被輸入到升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的輸入端子202。 該輸入端子202對應(yīng)于圖1的第3端子106，電池電壓Vbat對應(yīng)于圖1的 輸入電壓Vin。升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200以電池電壓Vbat作為輸入電壓Vin發(fā)光元件320例如是作為液晶的背光燈、照相機(jī)的閃光燈、或者照明
用而設(shè)的LED，陽極連接于升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器200的輸出端子204。陰極 與用于控制發(fā)光元件320的發(fā)光亮度的恒電流電路330相連接。發(fā)光元件 320通過恒電流電路330所生成的恒電流來控制發(fā)光亮度。圖1的升壓型 開關(guān)調(diào)節(jié)器200能夠很好地在這樣的電子設(shè)備300中使用。
上述實(shí)施方式是個(gè)例示，可以對其各結(jié)構(gòu)要件和各處理過程的組合進(jìn) 行各種變形，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解這些變形例也包含在本發(fā)明的范圍 內(nèi)。
在實(shí)施方式中，是由軟起動電路20和電平移位電路24生成第l軟起 動電壓Vssl、第2軟起動電壓Vss2的，但不限于此，也可以使用兩個(gè)軟 起動電路來生成第1軟起動電壓Vssl和第2軟起動電壓Vss2。此時(shí)，能 夠獨(dú)立地控制第1軟起動電壓Vssl和第2軟起動電壓Vss2,所以能夠進(jìn)
行更靈活的軟起動。
在實(shí)施方式中說明了控制電路IOO被一體集成在一個(gè)LSI中的情況， 但不限于此，也可以是一部分結(jié)構(gòu)要件作為分立元件或芯片部件設(shè)置在 LSI的外部，或者由多個(gè)LSI構(gòu)成。
另外，在本實(shí)施方式中高電平、低電平的邏輯值的設(shè)定僅是一例，可 以通過反相器等使其適當(dāng)反轉(zhuǎn)而自由改變。
基于實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但顯然實(shí)施方式僅是表示本發(fā)明 的原理、應(yīng)用，在不脫離權(quán)利要求書所規(guī)定的本發(fā)明的思想的范圍內(nèi)，實(shí) 施方式可以有很多變形例和配置的變更。 〔工業(yè)可利用性〕
通過本發(fā)明的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的控制電路，能夠不設(shè)置直流防止用 晶體管地隔斷在升降壓動作停止時(shí)所流過的電流。
權(quán)利要求
1.一種升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的控制電路，其特征在于，包括一端接地的開關(guān)晶體管；第1端子，與上述開關(guān)晶體管的另一端相連；第2端子，與一端應(yīng)連接于上述第1端子的電感的另一端相連接；第3端子，被施加輸入電壓；輔助晶體管，被設(shè)置在上述第2端子與上述第3端子之間；第1軟起動電路，生成隨時(shí)間而增大的第1軟起動電壓；第2軟起動電路，生成相對于上述第1軟起動電壓延遲地增大的第2軟起動電壓；誤差放大器，基于上述升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的輸出電壓與上述第1軟起動電壓的誤差電壓，控制上述輔助晶體管的控制端子的電壓；脈沖寬度調(diào)制器，被輸入上述升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器的輸出電壓和使上述第2軟起動電壓移位了預(yù)定電壓量后的電壓，生成脈沖寬度調(diào)制信號，并控制該脈沖寬度調(diào)制信號的占空比，使得所輸入的兩個(gè)電壓相接近；以及驅(qū)動電路，基于上述脈沖寬度調(diào)制信號驅(qū)動上述開關(guān)晶體管。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制電路，其特征在于上述第2軟起動電路包括電平移位電路，使從上述第l軟起動電路輸 出的上述第1軟起動電壓向低電壓側(cè)移位預(yù)定電平量。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的控制電路，其特征在于上述開關(guān)晶體管是N溝道MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)，上述輔助晶體管是P 溝道MOSFET 。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的控制電路，其特征在于 被一體集成在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上。
5. —種升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器，其特征在于，包括 權(quán)利要求1或2所述的控制電路；電感，設(shè)置在上述控制電路的上述第1端子和上述第2端子之間； 整流二極管，其陽極與上述第1端子相連接；以及 輸出電容，被連接在上述整流二極管的陰極與接地之間； 其中，將上述整流二極管的陰極與上述輸出電容的連接點(diǎn)的電壓作為 輸出電壓l命出。
6.—種電子設(shè)備，其特征在于，包括 電池；權(quán)利要求5所述的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器，對上述電池的電壓進(jìn)行升壓；以及由上述升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器驅(qū)動的發(fā)光元件。
全文摘要
提供一種抑制了起動時(shí)的沖擊電流的升壓型開關(guān)調(diào)節(jié)器。開關(guān)晶體管(M1)的源極接地，漏極與第1端子(102)相連接。第2端子(104)與一端應(yīng)連接于第1端子(102)的電感(L1)的另一端相連接。第3端子(106)被施加輸入電壓(Vin)。輔助晶體管(M2)被設(shè)置在第2端子(104)與第3端子(106)之間。第1軟起動電路(20)生成隨時(shí)間而增大的第1軟起動電壓(Vss1)，第2軟起動電路(20、24)生成相對于第1軟起動電壓(Vss1)延遲地增大的第2軟起動電壓(Vss2)。誤差放大器(22)基于輸出電壓(Vout)與第1軟起動電壓(Vss1)的誤差電壓(Verr1)，控制輔助晶體管(M2)的柵極電壓。
文檔編號H02M3/155GK101199106SQ20068002160
公開日2008年6月11日 申請日期2006年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月15日
發(fā)明者大山英太郎, 宮原寬, 柄澤伸也 申請人:羅姆股份有限公司