專(zhuān)利名稱(chēng)：一種光伏發(fā)電裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能發(fā)電裝置，尤其是一種高倍電流輸出的光伏發(fā)電裝置。
背景技術(shù)：
目前，光伏發(fā)電已是比較成熟的技術(shù)，但是，現(xiàn)有技術(shù)的光伏發(fā)電消耗的硅
材料太多，聚焦發(fā)電表面溫度遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于7(TC，電流提升的倍數(shù)不太高，發(fā)電效率 不高，實(shí)現(xiàn)規(guī)模發(fā)電將使用大量單晶硅片。由于目前單晶硅片的價(jià)格很高，「大]此 造成光伏發(fā)電裝置的價(jià)格也很高，按使用壽命等因素折合的電價(jià)相對(duì)較高，所以 普及率較低，目前基本上靠國(guó)家補(bǔ)貼維持。因此，設(shè)計(jì)一種單晶硅片表面溫度低 于7(TC、電流提高到100至300倍的光伏發(fā)電裝置，是目前需要解決的技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種單晶硅片表面溫度低于7(TC、電流提 高到100至300倍的光伏發(fā)電裝置。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案是
一種光伏發(fā)電裝置，由多個(gè)單晶硅片組成，多個(gè)面積較小的單晶硅片分別焊 接于多個(gè)面積較大的金屬板的上部，多個(gè)焊接有單晶硅片的金屬板通過(guò)絕緣板順 序連接固定，前后兩塊金屬板之間絕緣，前一塊單晶硅片的柵網(wǎng)面與后一塊金屬 板通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)連接。
本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案還可以是
本發(fā)明所述的絕緣板在金屬板的下部將前后兩塊金屬板連接固定。
本發(fā)明所述的金屬板為方形金屬板，所述的單晶硅片為方形單晶硅片，單晶 硅片焊接在金屬板上部的中心部位。
本發(fā)明金屬板的面積是單晶硅片的面積的300-500倍。
本發(fā)明的有益效果是
與現(xiàn)有技術(shù)相比，單晶硅片表面溫度低于7(TC、電流提高到100至300倍， 電價(jià)低。


圖1是木發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖(剖視圖)。 圖2是圖1的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
如圖所示， 一種光伏發(fā)電裝置，由多個(gè)單晶硅片2組成，多個(gè)面積較小的單 晶硅片2分別焊接于多個(gè)面積較大的金屬板1的上部，多個(gè)輝接有単晶硅片2的20 說(shuō)明書(shū)第2/2頁(yè)
金屬板1通過(guò)絕緣板4順序連接固定，前后兩塊金屬板之間絕緣，前一塊單晶硅 片的柵網(wǎng)面與后一塊金屬板通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)3連接。所述的絕緣板4在金屬板的下部將
前后兩塊金屬板連接固定。所述的金屬板1為方形金屬板，所述的單晶硅片2為 方形單品硅片，單晶硅片2焊接在金屬板1上部的中心部位。金屬板1的面積是 單晶硅片2的面積的300-500倍。
權(quán)利要求
1、一種光伏發(fā)電裝置，由多個(gè)單晶硅片(2)組成，其特征在于多個(gè)面積較小的單晶硅片(2)分別焊接于多個(gè)面積較大的金屬板(1)的上部，多個(gè)焊接有單晶硅片(2)的金屬板(1)通過(guò)絕緣板(4)順序連接固定，前后兩塊金屬板之間絕緣，前一塊單晶硅片的柵網(wǎng)面與后一塊金屬板通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)(3)連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光伏發(fā)電裝置，其特征在于所述的絕緣板(4)在金屬板的下部將前后兩塊金屬板連接固定。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種光伏發(fā)電裝置，其特征在于所述的金屬板(1)為方形金屬板，所述的單晶硅片(2)為方形單晶硅片，單晶硅片(2) 焊接在金屬板(1)上部的中心部位。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種光伏發(fā)電裝置，其特征在于金屬板(1)的 面積是單晶硅片(2)的面積的300-500倍。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)一種光伏發(fā)電裝置，由多個(gè)單晶硅片組成，多個(gè)面積較小的單晶硅片分別焊接于多個(gè)面積較大的金屬板的上部，多個(gè)焊接有單晶硅片的金屬板通過(guò)絕緣板順序連接固定，前后兩塊金屬板之間絕緣，前一塊單晶硅片的柵網(wǎng)面與后一塊金屬板通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)連接。它是單晶硅片表面溫度低于70℃、電流提高到100至300倍，電價(jià)低的光伏發(fā)電裝置。
文檔編號(hào)H02N6/00GK101599720SQ20091007496
公開(kāi)日2009年12月9日 申請(qǐng)日期2009年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月21日
發(fā)明者粱方民 申請(qǐng)人:粱方民