逆變器裝置制造方法
【專利摘要】逆變器裝置具有:散熱框體,其具有主面、散熱片、第1凹部以及第2凹部,該散熱片配置在所述主面的相反側(cè),該第1凹部與所述主面中的對應于所述散熱片的區(qū)域相鄰而設置,該第2凹部與所述主面中的對應于所述散熱片的區(qū)域相鄰而設置;半導體模塊,其配置在所述主面中的與所述散熱片對應的區(qū)域,具有二極管模塊以及逆變器模塊;浪涌電流抑制電阻,其由封裝材料封裝在所述第1凹部內(nèi),且電連接于所述二極管模塊和所述逆變器模塊之間;以及再生電阻,其由所述封裝材料封裝在所述第2凹部內(nèi),且電連接于所述二極管模塊和所述逆變器模塊之間。
【專利說明】逆變器裝置
【技術(shù)領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種逆變器裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在專利文獻I中,記載有如下技術(shù),即在電氣裝置中,針對在上部安裝有發(fā)熱量大的電氣部件的框體,在框體內(nèi)部的空腔側(cè)設置多個散熱片,將作為電磁噪聲的產(chǎn)生源的電氣部件配置在框體的內(nèi)部,將框體上部的電氣部件和框體內(nèi)部的電氣部件通過電線進行電連接。由此,根據(jù)專利文獻I,能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)熱量大的電氣部件的散熱良好,并且從作為電磁噪聲的產(chǎn)生源的電氣部件向外部輻射的電磁噪聲較小的電氣裝置。
[0003]專利文獻1:日本特開平10-51912號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]在專利文獻I所記載的技術(shù)中,為了對來自框體上部的電氣部件的熱量進行散熱,需要在框體內(nèi)部設置多個散熱片,并且,為了減小從作為電磁噪聲的產(chǎn)生源的電氣部件向外部輻射的電磁噪聲,需要將框體設為箱型,并將作為電磁噪聲的產(chǎn)生源的電氣部件以不與多個散熱片碰觸的方式收容在其內(nèi)部。因此,電氣裝置作為整體易于大型化,難以減小部件安裝空間。
[0005]本發(fā)明就是鑒于上述問題而提出的,其目的在于得到一種能夠減小部件安裝空間的逆變器裝置。
[0006]為了解決上述課題,實現(xiàn)目的,本發(fā)明的I個技術(shù)方案涉及的逆變器裝置的特征在于,具有:散熱框體,其具有主面、散熱片、第I凹部以及第2凹部,該散熱片配置在所述主面的相反側(cè),該第I凹部與所述主面中的對應于所述散熱片的區(qū)域相鄰而設置,該第2凹部與所述主面中的對應于所述散熱片的區(qū)域相鄰而設置;半導體模塊,其配置在所述主面中的與所述散熱片對應的區(qū)域,具有二極管模塊以及逆變器模塊;浪涌電流抑制電阻,其由封裝材料封裝在所述第I凹部內(nèi),且電連接于所述二極管模塊和所述逆變器模塊之間;以及再生電阻,其由所述封裝材料封裝在所述第2凹部內(nèi),且電連接于所述二極管模塊和所述逆變器模塊之間。
[0007]發(fā)明的效果
[0008]根據(jù)本發(fā)明,由于能夠抑制散熱框體的高度使其不會高于散熱片前端的高度,因此能夠減少部件安裝空間。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是示出實施方式I涉及的逆變器裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0010]圖2是示出實施方式I涉及的逆變器裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0011]圖3是示出實施方式2涉及的逆變器裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0012]圖4是示出實施方式2涉及的逆變器裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0013]圖5是示出實施方式3涉及的逆變器裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0014]圖6是示出實施方式3涉及的逆變器裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
【具體實施方式】
[0015]以下,基于附圖詳細地說明本發(fā)明涉及的逆變器裝置的實施方式。另外,本發(fā)明并不限定于本實施方式。
[0016]實施方式I
[0017]使用圖1說明實施方式I涉及的逆變器裝置I的電路結(jié)構(gòu)。圖1是示出逆變器裝置I的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0018]逆變器裝置I具有:半導體模塊10、平滑電容器C、電流檢測器CT、控制部CTRL、浪涌電流抑制電阻20、繼電器RL、再生電阻30、再生二極管D、再生晶體管TR、電壓傳感器SNS。半導體模塊10具有二極管模塊1a以及逆變器模塊10b。
[0019]逆變器裝置I將從電源PS供給的交流電力利用二極管模塊1a變換為直流電力,利用平滑電容器C使直流電力平滑,并將平滑后的直流電力在逆變器模塊1b中通過多個開關元件的開關動作而變換為交流電力,將變換后的交流電力供給至電動機M而驅(qū)動電動機M。
[0020]此時,為了有效地通過平滑電容器C進行平滑化,有時在平滑電容器C中使用大容量的電容器。因此,在電源PS接通時,有可能向逆變器模塊1b流入大的浪涌電流,如果大的浪涌電流流入,則逆變器模塊1b內(nèi)的多個開關元件有可能劣化。
[0021]為了抑制該浪涌電流,在二極管模塊1a和逆變器模塊1b之間的P線上并聯(lián)連接浪涌電流抑制電阻20以及繼電器RL,控制部CTRL在電源PS接通時使繼電器RL成為開路狀態(tài)而由浪涌電流抑制電阻20消耗二極管模塊1a的輸出電流。即,浪涌電流抑制電阻20電連接在二極管模塊1a和逆變器模塊1b之間。例如,浪涌電流抑制電阻20的一端T21與二極管模塊1a的P側(cè)輸出端子Tll連接,浪涌電流抑制電阻20的另一端T22與逆變器模塊1b的P側(cè)輸入端子T13連接。
[0022]此外,如果從高速運轉(zhuǎn)變?yōu)闇p速運轉(zhuǎn),則電動機M作為發(fā)電機而動作,因此有可能由于來自電動機M的再生電力而母線電壓上升,如果母線電壓上升,則逆變器裝置I難以進行適當?shù)碾娏ψ儞Q動作。
[0023]為了抑制該母線電壓的上升,在二極管模塊1a和逆變器模塊1b之間,在P線和N線之間連接再生二極管D以及再生晶體管TR,并在該再生二極管D與再生晶體管TR的中間節(jié)點和P線之間連接再生電阻30,控制部CTRL在利用電壓傳感器SNS檢測出的逆變器模塊1b的輸入側(cè)電壓超過規(guī)定電壓的情況下,使再生晶體管TR導通而由再生電阻30消耗來自電動機M的再生電力。S卩,再生電阻30電連接在二極管模塊1a和逆變器模塊1b之間。例如,再生電阻30的一端T31與二極管模塊1a的P側(cè)輸出端子Tll連接,再生電阻30的另一端T32經(jīng)由再生二極管D而與逆變器模塊1b的P側(cè)輸入端子T13連接,并經(jīng)由再生晶體管TR而與逆變器模塊1b的N側(cè)輸入端子T14連接。
[0024]如上所述,浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30電連接在半導體模塊10中的二極管模塊1a和逆變器模塊1b之間,因此在安裝時,優(yōu)選配置在半導體模塊10的附近。
[0025]下面,使用圖2說明逆變器裝置I的安裝結(jié)構(gòu)。圖2是示出逆變器裝置I的安裝形式的圖,圖2(b)是示出逆變器裝置I的安裝結(jié)構(gòu)的俯視圖,圖2(a)是用A-A線剖切圖2(b)的俯視圖的情況下的剖視圖,圖2(c)是用C-C線剖切圖2(b)的俯視圖的情況下的剖視圖。
[0026]逆變器裝置I具有散熱框體40、半導體模塊10、浪涌電流抑制電阻20、以及再生電阻30。
[0027]散熱框體40收容浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30,并且在其主面40a上搭載有半導體模塊10,多個散熱片F(xiàn)l?F6與散熱框體40的主體一體成型。浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30由封裝材料51、52封裝在散熱框體40內(nèi)。
[0028]具體而言,散熱框體40如圖2(a)?(C)所示,以大致長方體形狀作為基本結(jié)構(gòu),并且形成有沿C-C線方向延伸的槽TRl?TR6和沿A-A線方向延伸的槽TR7。散熱框體40例如通過鋁壓鑄而一體成型為如圖2(a)?(c)所示的形狀。
[0029]更具體而言,散熱框體40在主面40a的相反側(cè)形成有槽TRl?TR6和槽TR7,在主面40a的相反側(cè)配置有多個散熱片F(xiàn)l?F6。在散熱框體40的主面40a中,與散熱片F(xiàn)l?F6對應的區(qū)域是區(qū)域40al,在與該區(qū)域40al相鄰的區(qū)域40a2處設有第I凹部40b。在散熱框體40中,包圍第I凹部40b的壁部WLl經(jīng)由槽TRl而與多個散熱片F(xiàn)l?F6隔開。第I凹部40b具有與區(qū)域40a2對應的形狀,例如形成為大致長方體形狀。此外,在散熱框體40的主面40a中,與散熱片F(xiàn)l?F6對應的區(qū)域是區(qū)域40al,在與該區(qū)域40al相鄰的區(qū)域40a3處,設有第2凹部40c。在散熱框體40中,包圍第2凹部40c的壁部WL2經(jīng)由槽TR7而與多個散熱片F(xiàn)l?F6隔開。第2凹部40c具有與區(qū)域40a3對應的形狀,例如形成為大致長方體形狀。
[0030]半導體模塊10配置在散熱框體40的主面40a中的與散熱片F(xiàn)l?F6對應的區(qū)域40al。由此,由半導體模塊10中的多個開關元件的開關動作等產(chǎn)生的熱量能夠從主面40a中的區(qū)域40al經(jīng)由散熱片F(xiàn)l?F6有效地散熱。
[0031]浪涌電流抑制電阻20收容在第I凹部40b內(nèi),利用封裝材料51封裝在第I凹部40b內(nèi)。封裝材料51例如是具有導熱性的膠合劑,將由浪涌電流抑制電阻20產(chǎn)生的熱量向散熱框體40的壁部WLl傳遞。由此,在浪涌電流抑制電阻20中產(chǎn)生的熱量能夠從封裝材料51經(jīng)由壁部WLl有效地散熱。此外,壁部WLl與散熱片F(xiàn)l?F6隔開,因此能夠不與在半導體模塊10中產(chǎn)生的熱量的散熱路徑干涉,而對由浪涌電流抑制電阻20產(chǎn)生的熱量進行散熱。
[0032]再生電阻30收容在第2凹部40c內(nèi),利用封裝材料52封裝在第2凹部40c內(nèi)。封裝材料52例如是具有導熱性的膠合劑,將由再生電阻30產(chǎn)生的熱量向散熱框體40的壁部WL2傳遞。由此,在再生電阻30中產(chǎn)生的熱量能夠從封裝材料52經(jīng)由壁部WL2有效地散熱。此外,壁部WL2與散熱片F(xiàn)l?F6隔開,因此能夠不與在半導體模塊10中產(chǎn)生的熱量的散熱路徑干涉,而對在再生電阻30中產(chǎn)生的熱進行散熱。
[0033]此外,半導體模塊10中作為二極管模塊1a的輸入端子Tr、Ts、Tt (圖1)具有端子引腳P-Tr、P-Ts、P-Tt,端子引腳P-Tr、P-Ts、P-Tt經(jīng)由印刷配線基板PCB與電源PS (參照圖1)連接。半導體模塊10中作為二極管模塊1a的輸出端子T11、T12(參照圖1)具有端子引腳Ρ-Τ11、Ρ-Τ12,端子引腳P-Tll經(jīng)由印刷配線基板PCB與浪涌電流抑制電阻20的一端Τ21以及再生電阻30的一端Τ31(參照圖1)連接。端子引腳P-Tll經(jīng)由印刷配線基板PCB與逆變器模塊1b的N側(cè)輸入端子Τ14 (參照圖1)連接。
[0034]半導體模塊10中作為逆變器模塊1b的輸入端子T13、T14(參照圖1)具有端子引腳Ρ-Τ13、Ρ-Τ14,端子引腳Ρ-Τ13經(jīng)由印刷配線基板PCB與浪涌電流抑制電阻20的另一端Τ22(參照圖1)連接,并且經(jīng)由印刷配線基板PCB以及再生二極管D(參照圖1)與再生電阻30的另一端T32(參照圖1)連接。半導體模塊10中作為逆變器模塊1b的輸出端子Tu、Tv、Tw具有端子引腳P-Tu、P-Tv, P-Tw,端子引腳P_Tu、P-Tv, P-Tw經(jīng)由印刷配線基板PCB與電動機M (參照圖1)連接。
[0035]另外,圖2所示的端子引腳的配置是一個例示,本發(fā)明不限于圖2所示的情況。此夕卜,圖1中所示的平滑電容器C、繼電器RL、再生二極管D、再生晶體管TR、以及電壓傳感器SNS在圖2中沒有圖示,但例如可以是安裝在印刷配線基板PCB上,也可以是安裝在與印刷配線基板PCB相鄰的位置處。
[0036]此處,考慮假設將在主面上配置有半導體模塊10的散熱框體形成為箱型,并在其內(nèi)部安裝有浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的情況。在該情況下,為了對來自散熱框體主面上的半導體模塊10的熱量進行散熱,需要在散熱框體內(nèi)部設置多個散熱片,并且需要將浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30以不與多個散熱片碰觸的方式收容。因此,逆變器裝置作為整體易于大型化,難以減小部件安裝空間。
[0037]相對于此,在實施方式I中,浪涌電流抑制電阻20由封裝材料51封裝在第I凹部40b內(nèi),再生電阻30由封裝材料52封裝在第2凹部40b內(nèi),其中,該第I凹部40b與主面40a中的對應于散熱片F(xiàn)l?F6的區(qū)域相鄰而設置,該第2凹部與主面40a中的對應于散熱片F(xiàn)l?F6的區(qū)域相鄰而設置。由此,能夠抑制散熱框體40的高度H(參照圖2(a))使其不會高于散熱片F(xiàn)l?F6的前端的高度,因此能夠減小部件安裝空間。
[0038]或者,考慮假設將浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30安裝在印刷配線基板PCB上的情況。在該情況下,為了固定位置、電阻線斷開時的保護,這些電阻需要收納在陶瓷或金屬的殼體中并利用膠合劑進行封裝。由此,浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的制造成本容易變高,有可能逆變器裝置的制造成本也變高。
[0039]相對于此,在實施方式I中,將浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30埋入第I凹部40b內(nèi)以及第2凹部40c內(nèi),不需要為了保護內(nèi)置的電阻而覆蓋的陶瓷或鋁的框體,因此能夠價廉地得到再生電阻、浪涌電流抑制電阻的功能。由此,能夠減少浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的制造成本,能夠減少逆變器裝置的制造成本。此外,由于將浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30埋入第I凹部40b內(nèi)以及第2凹部40c內(nèi),因此無需通過固定螺釘?shù)冗M行安裝,能夠削減裝配工時。
[0040]此外,在實施方式I中,電連接于二極管模塊1a和逆變器模塊1b之間的浪涌電流抑制電阻20封裝在位于與半導體模塊10相鄰的位置處的第I凹部40b內(nèi),電連接于二極管模塊1a和逆變器模塊1b之間的再生電阻30封裝在位于與半導體模塊10相鄰的位置處的第2凹部40c內(nèi)。由此,能夠容易地將浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30各自與二極管模塊1a以及逆變器模塊1b之間的配線長度設為較短。
[0041]此外,在實施方式I中,散熱框體40例如通過鋁壓鑄而一體成型。散熱片F(xiàn)l?F6與散熱框體40 —體化,因此也無需將散熱片F(xiàn)l?F6連接至散熱框體40,能夠削減裝配工時。
[0042]或者,考慮假設將在主面上配置有半導體模塊10的散熱框體形成為箱型,并在其內(nèi)部設置多個散熱片,在散熱片之間利用導熱性的固定材料來固定浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30而進行安裝的情況。在該情況下,在由半導體模塊10產(chǎn)生的熱量從散熱框體的主面經(jīng)由散熱片進行散熱時,在浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30中產(chǎn)生的熱量容易發(fā)生干涉,例如有可能生成與從散熱框體的主面朝向散熱片的方向相反方向的熱流,難以對于半導體模塊10、浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的每一個都進行有效的散熱。
[0043]相對于此,在實施方式I中,將第I凹部40b包圍的壁部WLl經(jīng)由槽TRl與多個散熱片F(xiàn)l?F6隔開。由此,能夠不與在半導體模塊10中產(chǎn)生的熱的散熱路徑發(fā)生干涉而對在浪涌電流抑制電阻20中產(chǎn)生的熱進行散熱。此外,將第2凹部40c包圍的壁部WL2經(jīng)由槽TR7與多個散熱片F(xiàn)l?F6隔開。由此,能夠不與在半導體模塊10中產(chǎn)生的熱的散熱路徑發(fā)生干涉而對在再生電阻30中產(chǎn)生的熱進行散熱。因此,易于針對半導體模塊10、浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的每一個進行有效的散熱。
[0044]實施方式2
[0045]下面,對實施方式2涉及的逆變器裝置Ii進行說明。下面,以與實施方式I不同的部分為中心進行說明。
[0046]在實施方式I中,沒有特別考慮浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的溫度,但在實施方式2中,設為能夠監(jiān)視浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的溫度。
[0047]具體而言,如圖3所示,逆變器裝置Ii還具有溫度傳感器(第I溫度傳感器)61 i以及溫度傳感器(第2溫度傳感器)62i。圖3是示出逆變器裝置Ii的電路結(jié)構(gòu)的圖。溫度傳感器61i對浪涌電流抑制電阻20的溫度進行檢測,并將檢測結(jié)果向控制部CTRL供給。溫度傳感器62i對再生電阻30的溫度進行檢測,并將檢測結(jié)果向控制部CTRL供給。控制部CTRL根據(jù)溫度傳感器61 i的檢測結(jié)果和溫度傳感器62i的檢測結(jié)果,例如通過對浪涌電流抑制電阻20的溫度和規(guī)定的第I閾值進行比較,對再生電阻30的溫度和規(guī)定的第2閾值進行比較等,而判斷浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30中的至少一者是否發(fā)生異常發(fā)熱??刂撇緾TRL在浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30中的至少一者發(fā)生異常發(fā)熱的情況下,通過使電源PS斷開等,而使逆變器裝置Ii停止。由此,能夠抑制浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的至少一者的燒毀等。
[0048]此外,逆變器裝置Ii的安裝結(jié)構(gòu)如圖4所示,在以下方面與實施方式I不同。圖4是示出逆變器裝置Ii的安裝結(jié)構(gòu)的圖。
[0049]溫度傳感器61i與浪涌電流抑制電阻20 —起收容在第I凹部40b內(nèi),與浪涌電流抑制電阻20 —起利用封裝材料51封裝在第I凹部40b內(nèi)。由此,溫度傳感器61 i能夠檢測浪涌電流抑制電阻20的溫度。此外,溫度傳感器61i的未圖示的配線經(jīng)由印刷配線基板PCB與控制部CTRL (參照圖3)連接。溫度傳感器61i例如是熱敏電阻、測溫電阻體、以及熱電偶等。
[0050]溫度傳感器62i與再生電阻30—起收容在第2凹部40c內(nèi),與再生電阻30—起利用封裝材料52封裝在第2凹部40c內(nèi)。由此,溫度傳感器62i能夠檢測再生電阻30的溫度。此外,溫度傳感器62i的未圖示的配線經(jīng)由印刷配線基板PCB與控制部CTRL(參照圖3)連接。溫度傳感器62i例如是熱敏電阻、測溫電阻體以及熱電偶等。
[0051]如上所述,在實施方式2中,溫度傳感器61i與浪涌電流抑制電阻20—起利用封裝材料51封裝在第I凹部40b內(nèi),溫度傳感器62i與再生電阻30 —起利用封裝材料52封裝在第2凹部40c內(nèi)。由此,能夠抑制部件安裝空間的增大,并且能夠監(jiān)視浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30的溫度。
[0052]實施方式3
[0053]下面,對實施方式3涉及的逆變器裝置Ij進行說明。下面,以與實施方式I不同的部分為中心進行說明。
[0054]在實施方式I中經(jīng)由印刷配線基板PCB進行了半導體模塊10和浪涌電流抑制電阻20之間的電連接以及半導體模塊10和再生電阻30之間的電連接,但在實施方式3中,半導體模塊10和浪涌電流抑制電阻20之間的電連接以及半導體模塊10和再生電阻30之間的電連接不經(jīng)由印刷配線基板PCB。
[0055]具體而言,如圖5所示,在逆變器裝置Ij中,半導體模塊1j除了包含二極管模塊1a以及逆變器模塊1b之外,還包含再生二極管D、再生晶體管TR、以及電壓傳感器SNS。由此,在半導體模塊1j中,能夠作為用于與浪涌電流抑制電阻20的一端T21以及另一端T22直接連接的端子,而設置端子Tlllj以及端子T131 j,能夠作為用于與再生電阻30的一端T31以及另一端T32直接連接的端子,而設置端子T112j以及端子T132j。
[0056]此外,逆變器裝置Ij的安裝結(jié)構(gòu)如圖6所示,在以下方面與實施方式I不同。圖6是示出逆變器裝置Ij的安裝結(jié)構(gòu)的圖。
[0057]半導體模塊1j中作為端子Tlllj、T131j(參照圖5)而具有端子引腳P-Tlll j、P-T131j,端子引腳P-Tlllj、P-T131j從半導體模塊1j延伸至第I凹部40b內(nèi)而與浪涌電流抑制電阻20的兩端T21、T22(參照圖5)連接。
[0058]半導體模塊1j中作為端子T112j以及端子T132j(參照圖5)而具有端子引腳卩-1'112」_、?-1'132」_,端子引腳?-1'112」_、?-1'132」.從半導體模塊1j延伸至第2凹部40c內(nèi)而與再生電阻30的兩端T31、T32(參照圖5)連接。
[0059]如上所述,在實施方式3中,端子引腳P-Tlllj、P_T131j從半導體模塊1j延伸至第I凹部40b內(nèi)而與浪涌電流抑制電阻20的兩端連接,端子引腳P-T112j、P-T132j從半導體模塊1j延伸至第2凹部40c內(nèi)而與再生電阻30的兩端連接。由此,能夠容易地減小散熱框體40的俯視方向的寬度W,能夠進一步減小部件安裝空間。
[0060]此外,在實施方式3中,能夠減少浪涌電流抑制電阻20以及再生電阻30各自與二極管模塊1a以及逆變器模塊1b之間的配線數(shù)量,能夠進一步削減裝配工時。
[0061]工業(yè)實用性
[0062]如以上所述,本發(fā)明涉及的逆變器裝置在半導體模塊的安裝中是有用的。
[0063]標號的說明
[0064]1、l1、lj逆變器裝置
[0065]1UOj半導體模塊
[0066]1a 二極管模塊
[0067]1b逆變器模塊
[0068]20浪涌電流抑制電阻
[0069]30再生電阻
[0070]40散熱框體
[0071]40a 主面
[0072]40b 第 I 凹部
[0073]40c 第 2 凹部
[0074]51、52封裝材料
[0075]611、62i溫度傳感器
[0076]Fl?F6散熱片
【權(quán)利要求】
1.一種逆變器裝置,其特征在于,具有: 散熱框體,其具有主面、散熱片、第I凹部以及第2凹部,該散熱片配置在所述主面的相反側(cè),該第I凹部與所述主面中的對應于所述散熱片的區(qū)域相鄰而設置,該第2凹部與所述主面中的對應于所述散熱片的區(qū)域相鄰而設置; 半導體模塊,其配置在所述主面中的與所述散熱片對應的區(qū)域,具有二極管模塊以及逆變器模塊; 浪涌電流抑制電阻,其由封裝材料封裝在所述第I凹部內(nèi),且電連接于所述二極管模塊和所述逆變器模塊之間;以及 再生電阻,其由所述封裝材料封裝在所述第2凹部內(nèi),且電連接于所述二極管模塊和所述逆變器模塊之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逆變器裝置,其特征在于, 所述散熱框體通過鋁壓鑄而一體成型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逆變器裝置,其特征在于,還具有: 第I溫度傳感器,其由所述封裝材料封裝在所述第I凹部內(nèi),對所述浪涌電流抑制電阻的溫度進行檢測;以及 第2溫度傳感器,其由所述封裝材料封裝在所述第2凹部內(nèi),對所述再生電阻的溫度進行檢測。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的逆變器裝置,其特征在于, 所述半導體模塊還具有: 與所述二極管模塊連接的第I端子引腳; 與所述逆變器模塊連接的第2端子引腳; 與所述二極管模塊連接的第3端子引腳;以及 與所述逆變器模塊連接的第4端子引腳, 所述第I端子引腳以及所述第2端子引腳從所述半導體模塊延伸至所述第I凹部內(nèi)而與所述浪涌電流抑制電阻的兩端連接, 所述第3端子引腳以及所述第4端子引腳從所述半導體模塊延伸至所述第2凹部內(nèi)而與所述再生電阻的兩端連接。
【文檔編號】H02M7/48GK104335471SQ201280073386
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月23日
【發(fā)明者】河內(nèi)勇樹, 松田健作 申請人:三菱電機株式會社