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      Igbt驅(qū)動(dòng)電路和電壓力鍋的制作方法

      文檔序號(hào):7367199閱讀:391來(lái)源:國(guó)知局
      Igbt驅(qū)動(dòng)電路和電壓力鍋的制作方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和電壓力鍋,其中IGBT驅(qū)動(dòng)電路連接于電壓力鍋的主控制器和線圈盤(pán)之間,包括絕緣柵雙極型晶體管IGBT、驅(qū)動(dòng)控制模塊和驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊。本實(shí)用新型的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制模塊根據(jù)主控制器輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)控制IGBT導(dǎo)通或截止,驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊控制驅(qū)動(dòng)控制模塊延時(shí)驅(qū)動(dòng)IGBT,驅(qū)動(dòng)控制模塊在接收到低電平的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)時(shí),先待驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊進(jìn)行延時(shí)后才驅(qū)動(dòng)IGBT,從而延長(zhǎng)IGBT的導(dǎo)通時(shí)間,減小IGBT導(dǎo)通瞬間產(chǎn)生的脈沖電流,避免IGBT由于承受過(guò)大的脈沖電流而損壞,提高IGBT驅(qū)動(dòng)電路的工作可靠性,進(jìn)而提高采用電壓力鍋的可靠性,延長(zhǎng)電壓力鍋的使用壽命。
      【專利說(shuō)明】IGBT驅(qū)動(dòng)電路和電壓力鍋
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001 ] 本實(shí)用新型涉及家用電器【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和電壓力鍋。
      【背景技術(shù)】
      [0002]IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)與GTR (Giant Transistor,大功率晶體管)的復(fù)合器件,因此集成了 MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn),是目前較理想的開(kāi)關(guān)器件。
      [0003]在家用電壓力鍋應(yīng)用中,通常采用IGBT作為控制電壓力鍋的線圈盤(pán)產(chǎn)生高頻交變磁場(chǎng)的開(kāi)關(guān)器件。然而,在現(xiàn)有電壓力鍋的IGBT驅(qū)動(dòng)電路中,沒(méi)有設(shè)置對(duì)IGBT進(jìn)行延時(shí)驅(qū)動(dòng),因此在IGBT的驅(qū)動(dòng)模塊接收到有效的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)后,立即驅(qū)動(dòng)IGBT,造成IGBT導(dǎo)通時(shí)間短,在IGBT導(dǎo)通瞬間容易導(dǎo)致所產(chǎn)生的脈沖電流偏大而燒毀IGBT,尤其是在EFT(Electrical Fast Transient,電快速瞬變脈沖群)干擾測(cè)試時(shí)容易造成IGBT損壞,因而降低了 IGBT驅(qū)動(dòng)電路的工作可靠性。
      實(shí)用新型內(nèi)容
      [0004]本實(shí)用新型的主要目的是提出一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和電壓力鍋,旨在對(duì)絕緣柵雙極型晶體管IGBT進(jìn)行延時(shí)驅(qū)動(dòng),避免IGBT由于承受過(guò)大的脈沖電流而損壞,提高IGBT驅(qū)動(dòng)電路的工作可靠性。
      [0005]為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型提出一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路,該IGBT驅(qū)動(dòng)電路連接于電壓力鍋的主控制器和線圈盤(pán)之間,包括絕緣柵雙極型晶體管、用于供電源電壓輸入的電源輸入端、用于根據(jù)所述主控制器輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)控制所述絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通或截止的驅(qū)動(dòng)控制模塊,以及用于控制所述驅(qū)動(dòng)控制模塊延時(shí)驅(qū)動(dòng)所述絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊;
      [0006]所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸入端與所述主控制器的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的供電端與所述電源輸入端連接,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接;所述驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊連接于所述電源輸入端和所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出控制端之間,所述絕緣柵雙極型晶體管的漏極與所述線圈盤(pán)連接,所述絕緣柵雙極型晶體管的源極接地。
      [0007]優(yōu)選地,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第一電阻和第二電阻;
      [0008]所述第一三極管的基極作為所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸入端,與所述主控制器的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,且經(jīng)由所述第一電阻與所述電源輸入端連接,所述第一三極管的發(fā)射極接地;
      [0009]所述第二三極管的基極與所述第一三極管的漏極連接,且經(jīng)由所述第二電阻與所述電源輸入端連接,所述第二三極管的漏極與所述電源輸入端連接,所述第二三極管的發(fā)射極作為所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端,與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接,且與所述第三三極管的發(fā)射極連接;
      [0010]所述第三三極管的基極作為所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出控制端,與所述驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊連接,且與所述第一三極管的漏極連接,還經(jīng)由所述第二電阻與所述電源輸入端連接,所述第三三極管的漏極接地。
      [0011]優(yōu)選地,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊還包括第三電阻和第四電阻;所述第三電阻的一端與所述主控制器的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,且經(jīng)由所述第一電阻與所述電源輸入端連接,所述第三電阻的另一端與所述第一三極管的基極連接;所述第四電阻的一端與所述電源輸入端連接,所述第四電阻的另一端與所述第二三極管的漏極連接。
      [0012]優(yōu)選地,所述驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊包括一第一電容;所述第一電容的一端與所述第三三極管的基極連接,且經(jīng)由所述第二電阻與所述電源輸入端連接,所述第一電容的另一端接地。
      [0013]優(yōu)選地,所述IGBT驅(qū)動(dòng)電路還包括用于對(duì)所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極進(jìn)行穩(wěn)壓處理的穩(wěn)壓模塊,所述穩(wěn)壓模塊連接于所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端和所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接。
      [0014]優(yōu)選地,所述穩(wěn)壓模塊包括一穩(wěn)壓二極管;所述穩(wěn)壓二極管的陰極與所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端連接,且與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接,所述穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極接地。
      [0015]優(yōu)選地,所述穩(wěn)壓模塊還包括第五電阻和第六電阻;所述第五電阻的一端與所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端連接,所述第五電阻的另一端與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接,且經(jīng)由所述第六電阻接地。
      [0016]本實(shí)用新型還提出一種電壓力鍋,該電壓力鍋包括主控制器和線圈盤(pán),還包括IGBT驅(qū)動(dòng)電路,該IGBT驅(qū)動(dòng)電路連接于電壓力鍋的主控制器和線圈盤(pán)之間,包括絕緣柵雙極型晶體管、用于供電源電壓輸入的電源輸入端、用于根據(jù)所述主控制器輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)控制所述絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通或截止的驅(qū)動(dòng)控制模塊,以及用于控制所述驅(qū)動(dòng)控制模塊延時(shí)驅(qū)動(dòng)所述絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊;
      [0017]所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸入端與所述主控制器的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的供電端與所述電源輸入端連接,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接;所述驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊連接于所述電源輸入端和所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出控制端之間,所述絕緣柵雙極型晶體管的漏極與所述線圈盤(pán)連接,所述絕緣柵雙極型晶體管的源極接地。
      [0018]本實(shí)用新型提出的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,通過(guò)驅(qū)動(dòng)控制模塊根據(jù)主控制器輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)控制絕緣柵雙極型晶體管IGBT導(dǎo)通或截止,通過(guò)驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊控制驅(qū)動(dòng)控制模塊延時(shí)驅(qū)動(dòng)IGBT,驅(qū)動(dòng)控制模塊在接收到驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)時(shí),先待驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊進(jìn)行延時(shí)后才驅(qū)動(dòng)IGBT,從而延長(zhǎng)IGBT的導(dǎo)通時(shí)間,減小IGBT導(dǎo)通瞬間產(chǎn)生的脈沖電流,避免IGBT由于承受過(guò)大的脈沖電流而損壞,提高IGBT驅(qū)動(dòng)電路的工作可靠性,進(jìn)而提高采用該IGBT驅(qū)動(dòng)電路的電壓力鍋的可靠性,延長(zhǎng)電壓力鍋的使用壽命。
      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】[0019]圖1為本實(shí)用新型IGBT驅(qū)動(dòng)電路較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0020]本實(shí)用新型的目的、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)的實(shí)現(xiàn),將結(jié)合實(shí)施例,并參照附圖作進(jìn)一步說(shuō)明。
      【具體實(shí)施方式】
      [0021]以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖及具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
      [0022]本實(shí)用新型提出一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路。
      [0023]參照?qǐng)D1,圖1為本實(shí)用新型IGBT驅(qū)動(dòng)電路較佳實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0024]本實(shí)用新型較佳實(shí)施例中,IGBT驅(qū)動(dòng)電路10連接于電壓力鍋的主控制器20和線圈盤(pán)30之間。該IGBT驅(qū)動(dòng)電路10包括絕緣柵雙極型晶體管11 (下文中IGBTll即為絕緣柵雙極型晶體管11)、電源輸入端Vin、驅(qū)動(dòng)控制模塊12和驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13。電源輸入端Vin用于供電源電壓輸入,本實(shí)施例從電源輸入端Vin輸入的電源電壓為18V,驅(qū)動(dòng)控制模塊12用于根據(jù)主控制器20輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)控制絕緣柵雙極型晶體管11導(dǎo)通或截止,以通過(guò)絕緣柵雙極型晶體管11的交替導(dǎo)通與截止,控制電壓力鍋的線圈盤(pán)30產(chǎn)生高頻交變磁場(chǎng),驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13用于控制驅(qū)動(dòng)控制模塊12延時(shí)驅(qū)動(dòng)絕緣柵雙極型晶體管11。
      [0025]其中,驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸入端與主控制器20的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,驅(qū)動(dòng)控制模塊12的供電端與電源輸入端Vin連接,驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸出端與絕緣柵雙極型晶體管11的柵極連接;驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13連接于電源輸入端Vin和驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸出控制端之間,絕緣柵雙極型晶體管11的漏極與線圈盤(pán)30連接,絕緣柵雙極型晶體管11的源極接地。
      [0026]在本實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)控制模塊12接收主控制器20輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào),并根據(jù)接收到的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào),控制絕緣柵雙極型晶體管IGBTll導(dǎo)通或截止,當(dāng)該驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)為低電平時(shí),驅(qū)動(dòng)控制模塊12開(kāi)通電源電壓輸出至IGBTll的柵極,驅(qū)動(dòng)IGBTll導(dǎo)通,當(dāng)該驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)為高電平時(shí),驅(qū)動(dòng)控制模塊12切斷電源電壓的輸出,控制IGBTll截止。此外,主控制器20輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)為低電平時(shí),驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13先進(jìn)行延時(shí)處理,待驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13進(jìn)行延時(shí)后驅(qū)動(dòng)控制模塊12才驅(qū)動(dòng)IGBTlI,以控制IGBTll緩慢導(dǎo)通,驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13對(duì)IGBTll起軟開(kāi)關(guān)作用,確保IGBTll被損壞。
      [0027]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型提出的IGBT驅(qū)動(dòng)電路10,通過(guò)驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13控制驅(qū)動(dòng)控制模塊12延時(shí)驅(qū)動(dòng)IGBTlI,驅(qū)動(dòng)控制模塊12在接收到低電平的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)時(shí),先待驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13進(jìn)行延時(shí)后才驅(qū)動(dòng)IGBT11,從而延長(zhǎng)IGBTll的導(dǎo)通時(shí)間,減小IGBTll導(dǎo)通瞬間產(chǎn)生的脈沖電流,避免IGBTll由于承受過(guò)大的脈沖電流而損壞,提高IGBTll驅(qū)動(dòng)電路的工作可靠性,進(jìn)而提高采用該IGBT驅(qū)動(dòng)電路10的電壓力鍋的可靠性,延長(zhǎng)電壓力鍋的使用壽命。
      [0028]本實(shí)施例中,如圖1所示,驅(qū)動(dòng)控制模塊12包括第一三極管Q1、第二三極管Q2、第三三極管Q3、第一電阻Rl和第二電阻R2。
      [0029]第一三極管Ql的基極作為驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸入端,與主控制器20的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,且經(jīng)由第一電阻Rl與電源輸入端Vin連接,第一三極管Ql的發(fā)射極接地。[0030]第二三極管Q2的基極與第一三極管Ql的漏極連接,且經(jīng)由第二電阻R2與電源輸入端Vin連接,第二三極管Q2的漏極與電源輸入端Vin連接,第二三極管Q2的發(fā)射極作為驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸出端,與絕緣柵雙極型晶體管11的柵極連接,且與第三三極管Q3的發(fā)射極連接。
      [0031]第三三極管Q3的基極作為驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸出控制端,與驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13連接,且與第一三極管Ql的漏極連接,還經(jīng)由第二電阻R2與電源輸入端Vin連接,第三三極管Q3的漏極接地。
      [0032]具體地,驅(qū)動(dòng)控制模塊12還包括第三電阻R3和第四電阻R4 ;第三電阻R3的一端與主控制器20的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,且經(jīng)由第一電阻Rl與電源輸入端Vin連接,第三電阻R3的另一端與第一三極管Ql的基極連接;第四電阻R4的一端與電源輸入端Vin連接,第四電阻R4的另一端與第二三極管Q2的漏極連接。
      [0033]圖1中,驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊13包括第一電容Cl ;第一電容Cl的一端與第三三極管Q3的基極連接,且經(jīng)由第二電阻R2與電源輸入端Vin連接,第一電容Cl的另一端接地。本實(shí)施例的第一電容Cl對(duì)IGBTll起軟開(kāi)關(guān)作用,有效防止在EFT干擾測(cè)試時(shí)IGBTll損壞。
      [0034]本實(shí)施例中,如圖1所示,IGBT驅(qū)動(dòng)電路10還包括穩(wěn)壓模塊14,穩(wěn)壓模塊14連接于驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸出端和絕緣柵雙極型晶體管11的柵極連接。穩(wěn)壓模塊14用于對(duì)絕緣柵雙極型晶體管11的柵極進(jìn)行穩(wěn)壓處理,確保IGBTll的柵極電壓穩(wěn)定在電源電壓值,如將IGBTll的柵極電壓穩(wěn)定在18V,防止IGBTll的柵極電壓過(guò)高損壞IGBT11。
      [0035]具體地,穩(wěn)壓模塊14包括穩(wěn)壓二極管ZDl ;穩(wěn)壓二極管ZDl的陰極與驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸出端連接,且與絕緣柵雙極型晶體管11的柵極連接,穩(wěn)壓二極管ZDl的陽(yáng)極接地。本實(shí)施例采用穩(wěn)壓值與電源電壓相等的穩(wěn)壓二極管ZD1,即穩(wěn)壓二極管ZDl的穩(wěn)壓值為18V,穩(wěn)壓二極管ZDl在IGBTll導(dǎo)通時(shí),將IGBTll的柵極電壓穩(wěn)定在18V,防止IGBTll的柵極電壓過(guò)高損壞IGBT11。本實(shí)施例以電源電壓為18V為例進(jìn)行說(shuō)明,實(shí)際應(yīng)用中根據(jù)電源電壓的大小,可適當(dāng)?shù)剡x取穩(wěn)壓二極管ZDl的穩(wěn)壓值,只要穩(wěn)壓二極管ZDl的穩(wěn)壓值與電源電壓相等即可,在此對(duì)電源電壓的大小不作限制。
      [0036]具體地,穩(wěn)壓模塊14還包括第五電阻R5和第六電阻R6 ;第五電阻R5的一端與驅(qū)動(dòng)控制模塊12的輸出端連接,第五電阻R5的另一端與絕緣柵雙極型晶體管11的柵極連接,且經(jīng)由第六電阻R6接地。
      [0037]本實(shí)用新型IGBT驅(qū)動(dòng)電路10的工作原理具體描述如下:
      [0038]主控制器20從上電到進(jìn)入正常運(yùn)行這個(gè)時(shí)段內(nèi),主控制器20的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)是處于不確定狀態(tài)的,此時(shí),由于第一電阻Rl的上拉作用,使得第一三極管Ql的基極為高電平,第一三極管Ql處于飽和導(dǎo)通狀態(tài),將第二三極管Q2的基極電壓和第三三極管Q3的基極電壓拉低,從而使第二三極管Q2截止,第三三極管Q3導(dǎo)通,由于第三三極管Q3導(dǎo)通,使得IGBTll的柵極為低電平,此時(shí)IGBTll截止,即此時(shí)IGBTll處于關(guān)斷狀態(tài),由此可知,主控制器20從上電到進(jìn)入正常運(yùn)行這個(gè)時(shí)段內(nèi),IGBTll處于關(guān)斷狀態(tài)。
      [0039]當(dāng)主控制器20的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)為低電平時(shí),該低電平的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出至第一三極管Ql的基極,使得第一三極管Ql截止,由于第二電阻R2的上拉作用,使得第二三極管Q2的基極為高電平,從而第二三極管Q2導(dǎo)通,而且,第一三極管Ql截止時(shí),從電源輸入端Vin輸入的18V電源電壓經(jīng)由第二電阻R2給第一電容Cl充電,當(dāng)?shù)谝浑娙軨l上的電壓增大到能夠使得第三三極管Q3截止時(shí),第三三極管Q3截止,此時(shí)從電源輸入端Vin輸入的18V電源電壓經(jīng)由第四電阻R4、第二三極管Q2、第五電阻R5輸入到IGBTll的柵極,驅(qū)動(dòng)IGBTll導(dǎo)通。這里,第一三極管Ql截止時(shí),18V電源電壓先對(duì)第一電容Cl充電,在第一電容Cl上的電壓增大到能夠使得第三三極管Q3截止時(shí),第三三極管Q3才截止,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)IGBTll進(jìn)行驅(qū)動(dòng)延時(shí),有效防止在EFT干擾測(cè)試時(shí)IGBTll損壞。
      [0040]當(dāng)主控制器20的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)為高電平時(shí),該高電平的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出至第一三極管Ql的基極,驅(qū)動(dòng)第一三極管Ql導(dǎo)通,由于第一三極管Ql導(dǎo)通后將第二三極管Q2的基極電壓拉低,即第二三極管Q2的基極為低電平,因此第二三極管Q2截止,IGBTll迅速關(guān)斷。第三三極管Q3在IGBTll關(guān)斷時(shí)導(dǎo)通,給IGBTll的柵極、源極之間的寄生電容提供一個(gè)快速放電回路,即IGBTll的柵極、源極之間的寄生電容通過(guò)第五電阻R5、第三三極管Q3快速放電。
      [0041]本實(shí)用新型還提出一種電壓力鍋,該電壓力鍋包括主控制器20、線圈盤(pán)30和IGBT驅(qū)動(dòng)電路10,該IGBT驅(qū)動(dòng)電路10的電路結(jié)構(gòu)、工作原理以及所帶來(lái)的有益效果均可參照上述實(shí)施例,此處不再贅述。
      [0042]如圖1所示,IGBT驅(qū)動(dòng)電路10中IGBTll的漏極與電壓力鍋的線圈盤(pán)30的一端連接,交流市電從第一交流電輸入端L和第二交流電輸入端N輸入,經(jīng)過(guò)整流橋BDl整流后轉(zhuǎn)換為直流電,該直流電經(jīng)電感LI和第三電容C3濾波后輸入到線圈盤(pán)30的另一端。當(dāng)IGBTll導(dǎo)通時(shí),直流電向線圈盤(pán)30充電,當(dāng)IGBTll截止時(shí),線圈盤(pán)30向第二電容C2放電,線圈盤(pán)30和第二電容C2構(gòu)成LC振蕩回路,在IGBTll導(dǎo)通與截止時(shí)產(chǎn)生LC振蕩。在IGBT驅(qū)動(dòng)電路10上電并正常運(yùn)行后,IGBTll不斷地導(dǎo)通與截止,從而在線圈盤(pán)30周圍產(chǎn)生高頻交變磁場(chǎng)。電壓力鍋在使用過(guò)程中,電壓力鍋的底部感應(yīng)磁場(chǎng)而產(chǎn)生渦流,繼而產(chǎn)生熱量,達(dá)到電磁加熱的目的。
      [0043]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種IGBT驅(qū)動(dòng)電路,連接于電壓力鍋的主控制器和線圈盤(pán)之間,其特征在于,包括絕緣柵雙極型晶體管、用于供電源電壓輸入的電源輸入端、用于根據(jù)所述主控制器輸出的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)控制所述絕緣柵雙極型晶體管導(dǎo)通或截止的驅(qū)動(dòng)控制模塊,以及用于控制所述驅(qū)動(dòng)控制模塊延時(shí)驅(qū)動(dòng)所述絕緣柵雙極型晶體管的驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊; 所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸入端與所述主控制器的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的供電端與所述電源輸入端連接,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接;所述驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊連接于所述電源輸入端和所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出控制端之間,所述絕緣柵雙極型晶體管的漏極與所述線圈盤(pán)連接,所述絕緣柵雙極型晶體管的源極接地。
      2.如權(quán)利要求1所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊包括第一三極管、第二三極管、第三三極管、第一電阻和第二電阻; 所述第一三極管的基極作為所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸入端,與所述主控制器的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,且經(jīng)由所述第一電阻與所述電源輸入端連接,所述第一三極管的發(fā)射極接地; 所述第二三極管的基極與所述第一三極管的漏極連接,且經(jīng)由所述第二電阻與所述電源輸入端連接,所述第二三極管的漏極與所述電源輸入端連接,所述第二三極管的發(fā)射極作為所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端,與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接,且與所述第三三極管的發(fā)射極連接; 所述第三三極管的基極作為所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出控制端,與所述驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊連接,且與所述第一三極管的漏極連接,還經(jīng)由所述第二電阻與所述電源輸入端連接,所述第三三極管的漏極接地。
      3.如權(quán)利要求2所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)控制模塊還包括第三電阻和第四電阻; 所述第三電阻的一端與所述主控制器的驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)輸出端連接,且經(jīng)由所述第一電阻與所述電源輸入端連接,所述第三電阻的另一端與所述第一三極管的基極連接;所述第四電阻的一端與所述電源輸入端連接,所述第四電阻的另一端與所述第二三極管的漏極連接。
      4.如權(quán)利要求3所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)延時(shí)模塊包括一第一電容;所述第一電容的一端與所述第三三極管的基極連接,且經(jīng)由所述第二電阻與所述電源輸入端連接,所述第一電容的另一端接地。
      5.如權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述IGBT驅(qū)動(dòng)電路還包括用于對(duì)所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極進(jìn)行穩(wěn)壓處理的穩(wěn)壓模塊,所述穩(wěn)壓模塊連接于所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端和所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接。
      6.如權(quán)利要求5所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述穩(wěn)壓模塊包括一穩(wěn)壓二極管;所述穩(wěn)壓二極管的陰極與所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端連接,且與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接,所述穩(wěn)壓二極管的陽(yáng)極接地。
      7.如權(quán)利要求6所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述穩(wěn)壓模塊還包括第五電阻和第六電阻;所述第五電阻的一端與所述驅(qū)動(dòng)控制模塊的輸出端連接,所述第五電阻的另一端與所述絕緣柵雙極型晶體管的柵極連接,且經(jīng)由所述第六電阻接地。
      8.一種電壓力鍋,包括主控制器和線圈盤(pán),其特征在于,還包括權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的IGBT驅(qū)動(dòng)電路?!?br> 【文檔編號(hào)】H02M3/155GK203504407SQ201320564963
      【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年9月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月11日
      【發(fā)明者】陳建化 申請(qǐng)人:美的集團(tuán)股份有限公司, 廣東美的生活電器制造有限公司
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