一種利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，它包括勵磁繞組、正反饋勵磁回路和負(fù)反饋勵磁回路，其中，正反饋勵磁回路包括繼電器以及繼電器上的電壓判別模塊，負(fù)反饋勵磁回路包括取樣模塊、PWM控制模塊、隔離驅(qū)動模塊、輔助電源、過流保護(hù)模塊以及功率控制模塊。本發(fā)明的有益效果是：在調(diào)壓器內(nèi)部設(shè)立兩個正反饋和負(fù)反饋兩個勵磁回路，實(shí)現(xiàn)了電勵磁發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的自動建壓，省去了次勵磁回路和電池，使供電系統(tǒng)得以簡化，降低了調(diào)壓器的成本并提高了產(chǎn)品的可靠性。
【專利說明】一種利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，屬于發(fā)電機(jī)調(diào)壓器【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)電機(jī)和調(diào)壓器組成一個電源系統(tǒng)，調(diào)壓器一般采用發(fā)電機(jī)輸出的電壓為其供電，這樣可以使系統(tǒng)得以簡化，但是發(fā)電機(jī)在起動時沒有電壓輸出，不能給調(diào)壓器供電，調(diào)壓器不能輸出勵磁電流為發(fā)電機(jī)建立磁場，這樣便形成一個死循環(huán)?，F(xiàn)有的措施是通常采用一個次勵磁電路，在起動時對發(fā)電機(jī)進(jìn)行勵磁，發(fā)電機(jī)建立電壓后次勵磁電路退出工作。這種方法需要一個次勵磁電路，并且還需要一個供電電源，所以增加了電路的復(fù)雜性。電勵磁發(fā)電機(jī)的鐵芯或多或少地存在剩磁，發(fā)電機(jī)起動時能夠發(fā)出一定的電壓，如果利用此電壓進(jìn)行正反饋勵磁，就能夠使發(fā)電機(jī)建立電壓，當(dāng)發(fā)電機(jī)輸出電壓達(dá)到一定的幅度后轉(zhuǎn)入正常的負(fù)反饋控制。一般的調(diào)壓器需要在一定的供電電壓下才能工作，所以不能實(shí)現(xiàn)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的剩磁建壓。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，實(shí)現(xiàn)發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的剩磁建壓，省去次勵磁回路和電池，簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)。
[0004]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:一種利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，它包括勵磁繞組、正反饋勵磁回路和負(fù)反饋勵磁回路，其中，正反饋勵磁回路包括繼電器以及繼電器上的電壓判別模塊，負(fù)反饋勵磁回路包括取樣模塊、PWM控制模塊、隔離驅(qū)動模塊、輔助電源、過流保護(hù)模塊以及功率控制模塊；
[0005]繼電器上設(shè)置有控制線圈Jl以及控制開關(guān)Jl-1，電壓判別模塊與控制線圈Jl相連，控制開關(guān)Jl-1的一端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連,另一端與勵磁繞組相連；
[0006]PWM控制模塊包括脈寬調(diào)制器、電阻R4、電阻R5以及電容C5，隔離驅(qū)動模塊由脈沖變壓器Tl以及連接在脈沖變壓器Tl輸入端上的放電單元組成，功率控制模塊包括VMOS管Vll以及續(xù)流管V12，過流保護(hù)模塊包括PNP晶體管V4、電阻R9、電阻R10、電阻R12、電阻R13以及電容C19 ；
[0007]取樣模塊上設(shè)置有取樣接口，電阻R4 —端接入取樣接口，電阻R4的另一端與脈寬調(diào)制器的INV接口相連，輔助電源的輸入端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，輔助電源的輸出端分別與脈寬調(diào)制器的VCC接口和VC接口相連，脈寬調(diào)制器有兩個信號輸出端，分別為A接口和B接口，A接口和B接口分別與脈沖變壓器Tl的兩個輸入端相連，脈沖變壓器Tl經(jīng)過放電單元后設(shè)置有兩個驅(qū)動信號輸出端，分別為正驅(qū)動信號輸出端和負(fù)信號輸出端，正驅(qū)動信號輸出端與VMOS管Vll的G極相連，負(fù)信號輸出端分別與VMOS管Vll的S極、續(xù)流管V12的陰極以及勵磁繞組相連，續(xù)流管V12的陽極接地；
[0008]PNP晶體管V4的e極與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，電阻R12和電阻R13串聯(lián)接入PNP晶體管V4的e極和b極，電阻RlO和電容C9并聯(lián)后與電阻R9串聯(lián)接入PNP晶體管V4的c極，電阻RlO和電容C9的一端接地，電阻R12和電阻R13設(shè)置有功率控制模塊保護(hù)供電接口，電阻R9與電阻RlO、電容C9之間設(shè)置有PWM控制模塊保護(hù)信號接口，功率控制模塊保護(hù)供電接口與VMOS管Vl I的D極相連，PWM控制模塊保護(hù)信號接口與脈寬調(diào)制器的S接口相連。
[0009]所述的脈沖變壓器Tl的副邊由兩個串聯(lián)的副線圈組成，分別為第一副線圈和第二副線圈，放電單元由二極管V5、二極管V6、二極管V7、電阻R14、電阻R16以及PNP晶體管V8組成，第一副線圈的一端與二極管V5的陽極相連，第二副線圈的一端與二極管V6的陽極相連，二極管V5和二極管V6的陰極同時與PNP晶體管V8的b極相連，PNP晶體管V8的c極與第一副線圈和第二副線圈連接處相連，電阻R14兩端與PNP晶體管V8的b極和c極相連，電阻R16兩端與PNP晶體管V8的e極和c極相連，二極管V7兩極與PNP晶體管V8的e極和b極相連，其中，二極管V7的陽極與PNP晶體管V8的b極相連，二極管V7的陰極與PNP晶體管V8的e極相連，同時PNP晶體管V8的e極作為正驅(qū)動信號輸出端，PNP晶體管V8的c極作為負(fù)信號輸出端。
[0010]所述的電壓判別模塊由判別電阻R15、二極管V9以及NPN晶體管VlO組成，判別電阻R15的一端和NPN晶體管VlO的c極同時與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，判別電阻R15的另一端同時與NPN晶體管VlO的b極和二極管V9的陰極相連，NPN晶體管VlO的e極與繼電器的控制線圈Jl相連，二極管V9的陽極接地。
[0011]所述的續(xù)流管V12為肖特基二極管或快恢復(fù)二極管。
[0012]所述的VMOS管Vll的S極和D極之間、續(xù)流管V12兩端連接有RC回路。
[0013]所述的輔助電源由NPN晶體管V1、二極管V2、二極管V3、電阻R3、電容C4以及電容C7組成，其中，NPN晶體管Vl的c極與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，NPN晶體管Vl的b極與二極管V3的陰極相連，二極管V3的陽極接地，NPN晶體管Vl的e極作為輸出端分別與電容C4、電容C7、二極管V2的陽極、脈寬調(diào)制器的VCC接口和VC接口相連，二極管V2的陰極與NPN晶體管Vl的c極相連，電阻R3分別與NPN晶體管Vl的b極和c極相連，電容C4和電容C7接地。
[0014]所述的取樣模塊由取樣電阻Rl和取樣電阻R2串聯(lián)組成，取樣電阻Rl的一端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連,取樣電阻R2的一端接地,取樣接口設(shè)置在取樣電阻Rl與取樣電阻R2的連接處。
[0015]本發(fā)明的有益效果在于:在調(diào)壓器內(nèi)部設(shè)立兩個正反饋和負(fù)反饋兩個勵磁回路，實(shí)現(xiàn)了電勵磁發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的自動建壓，省去了次勵磁回路和電池，使供電系統(tǒng)得以簡化，降低了調(diào)壓器的成本并提高了產(chǎn)品的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1為本發(fā)明的電路框圖；
[0017]圖2為本發(fā)明的電路圖；
[0018]圖3為本發(fā)明正反饋勵磁回路的電路圖；
[0019]圖4為本發(fā)明PWM控制模塊的電路圖；
[0020]圖5為本發(fā)明隔離驅(qū)動模塊的電路圖；
[0021]圖6為本發(fā)明功率控制模塊的電路圖；[0022]圖7為本發(fā)明過流保護(hù)模塊的電路圖。
[0023]其中，1-電壓判別模塊，2-繼電器，3-勵磁繞組，4-功率控制模塊，5-過流保護(hù)模塊，6-隔離驅(qū)動模塊，7-PWM控制模塊，8-輔助電源，9-取樣模塊。
【具體實(shí)施方式】
[0024]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步描述本發(fā)明的技術(shù)方案，但要求保護(hù)的范圍并不局限于所述。
[0025]如圖1、圖2，一種利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，它包括勵磁繞組3、正反饋勵磁回路和負(fù)反饋勵磁回路，其中，正反饋勵磁回路包括繼電器2以及繼電器2上的電壓判別模塊I，負(fù)反饋勵磁回路包括取樣模塊9、PWM控制模塊7、隔離驅(qū)動模塊6、輔助電源8、過流保護(hù)模塊5以及功率控制模塊4 ；
[0026]如圖3，繼電器2上設(shè)置有控制線圈Jl以及控制開關(guān)J1-1，電壓判別模塊I與控制線圈Jl相連，控制開關(guān)Jl-1的一端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連,另一端與勵磁繞組3相連；
[0027]如圖4，PWM控制模塊7包括脈寬調(diào)制器、電阻R4、電阻R5以及電容C5，如圖5，隔離驅(qū)動模塊6由脈沖變壓器Tl以及連接在脈沖變壓器Tl輸入端上的放電單元組成，如圖6，功率控制模塊4包括VMOS管VlI以及續(xù)流管V12，如圖7，過流保護(hù)模塊5包括PNP晶體管V4、電阻R9、電阻R10、電阻R12、電阻R13以及電容C19 ；
[0028]取樣模塊9上設(shè)置有取樣接口，電阻R4 —端接入取樣接口，電阻R4的另一端與脈寬調(diào)制器的INV接口相連，輔助電源8的輸入端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，輔助電源8的輸出端分別與脈寬調(diào)制器的VCC接口和VC接口相連，脈寬調(diào)制器有兩個信號輸出端，分別為A接口和B接口，A接口和B接口分別與脈沖變壓器Tl的兩個輸入端相連，脈沖變壓器Tl經(jīng)過放電單元后設(shè)置有兩個驅(qū)動信號輸出端，分別為正驅(qū)動信號輸出端和負(fù)信號輸出端，正驅(qū)動信號輸出端與VMOS管Vll的G極相連，負(fù)信號輸出端分別與VMOS管Vll的S極、續(xù)流管V12的陰極以及勵磁繞組3相連，續(xù)流管V12的陽極接地；
[0029]PNP晶體管V4的e極與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，電阻R12和電阻R13串聯(lián)接入PNP晶體管V4的e極和b極，電阻RlO和電容C9并聯(lián)后與電阻R9串聯(lián)接入PNP晶體管V4的c極，電阻RlO和電容C9的一端接地，電阻R12和電阻R13設(shè)置有功率控制模塊保護(hù)供電接口，電阻R9與電阻R10、電容C9之間設(shè)置有PWM控制模塊保護(hù)信號接口，功率控制模塊保護(hù)供電接口與VMOS管Vll的D極相連，PWM控制模塊保護(hù)信號接口與脈寬調(diào)制器的S接口相連。
[0030]所述的脈沖變壓器Tl的副邊由兩個串聯(lián)的副線圈組成，分別為第一副線圈和第二副線圈，放電單元由二極管V5、二極管V6、二極管V7、電阻R14、電阻R16以及PNP晶體管V8組成，第一副線圈的一端與二極管V5的陽極相連，第二副線圈的一端與二極管V6的陽極相連，二極管V5和二極管V6的陰極同時與PNP晶體管V8的b極相連，PNP晶體管V8的c極與第一副線圈和第二副線圈連接處相連，電阻R14兩端與PNP晶體管V8的b極和c極相連，電阻R16兩端與PNP晶體管V8的e極和c極相連，二極管V7兩極與PNP晶體管V8的e極和b極相連，其中，二極管V7的陽極與PNP晶體管V8的b極相連，二極管V7的陰極與PNP晶體管V8的e極相連，同時PNP晶體管V8的e極作為正驅(qū)動信號輸出端，PNP晶體管V8的c極作為負(fù)信號輸出端。
[0031]脈寬調(diào)制器的INV接口還與電阻R8的一端相連，電阻R8的另一端和電容C6的一端相連，脈寬調(diào)制器的COM接口和電容C6的另一端同時通過電容C8接地，脈寬調(diào)制器的VR接口通過電阻R5與脈寬調(diào)制器的NI接口相連，同時脈寬調(diào)制器的VR接口通過電容C5接地，脈寬調(diào)制器的CT接口通過電容C2接地，同時脈寬調(diào)制器的CT接口通過電阻R7與脈寬調(diào)制器的DIS接口相連，脈寬調(diào)制器的RT接口通過電阻R6接地，脈寬調(diào)制器的SS接口通過電容C3接地，脈寬調(diào)制器采用SG1525A，PWM控制模塊7的穩(wěn)壓調(diào)節(jié)方式為PI調(diào)節(jié)，以閉環(huán)調(diào)節(jié)方式對發(fā)電機(jī)的輸出電壓進(jìn)行穩(wěn)壓控制。隔離驅(qū)動模塊6采用脈沖變壓器Tl對信號進(jìn)行隔離以實(shí)現(xiàn)對VMOS管Vll進(jìn)行懸浮驅(qū)動，同時采用全波整流可以使脈沖占空比大于50%，提高調(diào)壓器的調(diào)節(jié)能力，另外采用PNP晶體管V8在VMOS管Vll的柵極建立了一個放電單元使VMOS管Vll在關(guān)斷時迅速截止。在過流保護(hù)模塊5中以PNP晶體管V4的b、e兩極間的結(jié)壓降作為判別門限來產(chǎn)生過流保護(hù)信號，對調(diào)壓器及負(fù)載進(jìn)行保護(hù)。
[0032]所述的電壓判別模塊I由判別電阻R15、二極管V9以及NPN晶體管VlO組成，判別電阻R15的一端和NPN晶體管VlO的c極同時與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，判別電阻R15的另一端同時與NPN晶體管VlO的b極和二極管V9的陰極相連，NPN晶體管VlO的e極與繼電器2的控制線圈Jl相連，二極管V9的陽極接地。
[0033]所述的續(xù)流管V12為肖特基二極管或快恢復(fù)二極管。
[0034]所述的VMOS管Vll的S極和D極之間、續(xù)流管V12兩端連接有RC回路，用來消除開關(guān)尖峰，以提聞廣品的電磁兼容性。
[0035]所述的輔助電源8由NPN晶體管V1、二極管V2、二極管V3、電阻R3、電容C4以及電容C7組成，其中，NPN晶體管Vl的c極與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，NPN晶體管Vl的b極與二極管V3的陰極相連，二極管V3的陽極接地，NPN晶體管Vl的e極作為輸出端分別與電容C4、電容C7、二極管V2的陽極、脈寬調(diào)制器的VCC接口和VC接口相連，二極管V2的陰極與NPN晶體管Vl的c極相連，電阻R3分別與NPN晶體管Vl的b極和c極相連，電容C4和電容C7接地。
[0036]所述的取樣模塊9由取樣電阻Rl和取樣電阻R2串聯(lián)組成，取樣電阻Rl的一端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，取樣電阻R2的一端接地，取樣接口設(shè)置在取樣電阻Rl與取樣電阻R2的連接處。
[0037]繼電器2用常閉觸點(diǎn)，所以啟動時只要發(fā)電機(jī)有電壓輸出就能產(chǎn)生勵磁電流，使發(fā)電機(jī)系統(tǒng)建壓，當(dāng)發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin升高超過繼電器2的動作電壓時，繼電器2吸合，常閉點(diǎn)斷開，正反饋回路退出工作。采用二極管V9、NPN晶體管VlO的目的是可以選用動作電壓較低的繼電器，使正反饋回路較早退出工作。
[0038]在調(diào)壓器內(nèi)部設(shè)立兩個勵磁回路，一個是在輸入電壓比較低時工作在輸入電壓較高時退出工作的正反饋回路；另一個是在正常狀態(tài)下工作的負(fù)反饋調(diào)節(jié)回路，發(fā)電機(jī)起動后，隨著轉(zhuǎn)速逐漸升高，發(fā)電機(jī)由于有剩磁的存在而輸出一個比較低的電壓，經(jīng)正反饋回路在勵磁繞組中產(chǎn)生一個比較小的勵磁電流，使發(fā)電機(jī)的磁場有所加強(qiáng)，輸出電壓有所提高，進(jìn)而使勵磁電流有所加大，發(fā)電機(jī)的輸出電壓進(jìn)一步提高，如此循環(huán)，發(fā)電機(jī)系統(tǒng)建立起工作電壓使負(fù)反饋調(diào)節(jié)回路開始工作，然后正反饋環(huán)路退出工作，發(fā)電機(jī)系統(tǒng)在負(fù)反饋調(diào)節(jié)回路的控制下正常運(yùn)行。
【權(quán)利要求】
1.一種利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，其特征在于:它包括勵磁繞組(3)、正反饋勵磁回路和負(fù)反饋勵磁回路，其中，正反饋勵磁回路包括繼電器⑵以及繼電器⑵上的電壓判別模塊(I)，負(fù)反饋勵磁回路包括取樣模塊(9)、PWM控制模塊(7)、隔離驅(qū)動模塊(6)、輔助電源(8)、過流保護(hù)模塊(5)以及功率控制模塊(4)； 繼電器(2)上設(shè)置有控制線圈Jl以及控制開關(guān)J1-1，電壓判別模塊(I)與控制線圈Jl相連，控制開關(guān)Jl-1的一端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連,另一端與勵磁繞組(3)相連； PWM控制模塊(7)包括脈寬調(diào)制器、電阻R4、電阻R5以及電容C5，隔離驅(qū)動模塊(6)由脈沖變壓器Tl以及連接在脈沖變壓器Tl輸入端上的放電單元組成，功率控制模塊(4)包括VMOS管Vll以及續(xù)流管V12，過流保護(hù)模塊(5)包括PNP晶體管V4、電阻R9、電阻R10、電阻R12、電阻R13以及 電容C19 ； 取樣模塊(9)上設(shè)置有取樣接口，電阻R4—端接入取樣接口，電阻R4的另一端與脈寬調(diào)制器的INV接口相連，輔助電源(8)的輸入端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，輔助電源(8)的輸出端分別與脈寬調(diào)制器的VCC接口和VC接口相連，脈寬調(diào)制器有兩個信號輸出端，分別為A接口和B接口，A接口和B接口分別與脈沖變壓器Tl的兩個輸入端相連，脈沖變壓器Tl經(jīng)過放電單元后設(shè)置有兩個驅(qū)動信號輸出端，分別為正驅(qū)動信號輸出端和負(fù)信號輸出端，正驅(qū)動信號輸出端與VMOS管Vll的G極相連，負(fù)信號輸出端分別與VMOS管Vll的S極、續(xù)流管V12的陰極以及勵磁繞組(3)相連，續(xù)流管V12的陽極接地； PNP晶體管V4的e極與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，電阻R12和電阻R13串聯(lián)接入PNP晶體管V4的e極和b極，電阻RlO和電容C9并聯(lián)后與電阻R9串聯(lián)接入PNP晶體管V4的c極，電阻RlO和電容C9的一端接地，電阻R12和電阻R13設(shè)置有功率控制模塊供電接口，電阻R9與電阻R10、電容C9之間設(shè)置有PWM控制模塊保護(hù)信號接口，功率控制模塊供電接口與VMOS管Vll的D極相連，PWM控制模塊保護(hù)信號接口與脈寬調(diào)制器的S接口相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，其特征在于:所述的脈沖變壓器Tl的副邊由兩個串聯(lián)的副線圈組成，分別為第一副線圈和第二副線圈，放電單元由二極管V5、二極管V6、二極管Tl、電阻R14、電阻R16以及PNP晶體管V8組成，第一副線圈的一端與二極管V5的陽極相連，第二副線圈的一端與二極管V6的陽極相連，二極管V5和二極管V6的陰極同時與PNP晶體管V8的b極相連，PNP晶體管V8的c極與第一副線圈和第二副線圈連接處相連，電阻R14兩端與PNP晶體管V8的b極和c極相連，電阻R16兩端與PNP晶體管V8的e極和c極相連，二極管V7兩極與PNP晶體管V8的e極和b極相連，其中，二極管V7的陽極與PNP晶體管V8的b極相連，二極管V7的陰極與PNP晶體管V8的e極相連，同時PNP晶體管V8的e極作為正驅(qū)動信號輸出端，PNP晶體管V8的c極作為負(fù)信號輸出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，其特征在于:所述的電壓判別模塊(I)由判別電阻R15、二極管V9以及NPN晶體管VlO組成，判別電阻R15的一端和NPN晶體管VlO的c極同時與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，判別電阻R15的另一端同時與NPN晶體管VlO的b極和二極管V9的陰極相連，NPN晶體管VlO的e極與繼電器⑵的控制線圈Jl相連，二極管V9的陽極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，其特征在于:所述的續(xù)流管V12為肖特基二極管或快恢復(fù)二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，其特征在于:所述的VMOS管Vll的S極和D極之間、續(xù)流管V12兩端連接有RC回路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，其特征在于:所述的輔助電源⑶由NPN晶體管V1、二極管V2、二極管V3、電阻R3、電容C4以及電容C7組成，其中，NPN晶體管Vl的c極與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，NPN晶體管Vl的b極與二極管V3的陰極相連，二極管V3的陽極接地，NPN晶體管Vl的e極作為輸出端分別與電容C4、電容C7、二極管V2的陽極、脈寬調(diào)制器的VCC接口和VC接口相連，二極管V2的陰極與NPN晶體管Vl的c極相連，電阻R3分別與NPN晶體管Vl的b極和c極相連，電容C4和電容C7接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用發(fā)電機(jī)剩磁建壓的調(diào)壓器，其特征在于:所述的取樣模塊(9)由取樣電阻Rl和取樣電阻R2串聯(lián)組成，取樣電阻Rl的一端與發(fā)電機(jī)電壓輸出端Vin相連，取樣電阻R 2的一端接地，取樣接口設(shè)置在取樣電阻Rl與取樣電阻R2的連接處。
【文檔編號】H02P9/08GK104009689SQ201410192481
【公開日】2014年8月27日 申請日期:2014年5月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月8日
【發(fā)明者】吳智明, 張恒寧 申請人:貴州航天林泉電機(jī)有限公司