一種抑制浪涌電流的設(shè)計(jì)方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種抑制浪涌電流的設(shè)計(jì)方法，通過控制MOS開關(guān)管的緩慢導(dǎo)通來實(shí)現(xiàn)對(duì)開機(jī)瞬間浪涌電流的抑制,通過在MOS開關(guān)管的Gate極添加一個(gè)RC延時(shí)線路，使得Gate極的控制電壓緩慢爬升，直至MOS管打開,MOS管為一個(gè)N型MOS管，MOS管的左端為VR輸入的+5V，右端+5V_HDD為給硬盤供電的+5V,在MOS管的G極添加一個(gè)RC延時(shí)線路，開機(jī)信號(hào)PSON經(jīng)過延時(shí)線路處理，在MOS的G極產(chǎn)生電壓緩慢爬升的信號(hào)。
【專利說明】—種抑制浪涌電流的設(shè)計(jì)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種服務(wù)器電源【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說是一種抑制浪涌電流的設(shè)計(jì)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]伴隨著互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，云計(jì)算技術(shù)的不斷興起，網(wǎng)上業(yè)務(wù)量不斷增加。對(duì)機(jī)房服務(wù)器的數(shù)據(jù)處理能力、存儲(chǔ)容量都提出了更高的要求。一般的大型數(shù)據(jù)中心機(jī)房，寸土寸金。不論是機(jī)房租用還是自建機(jī)房，租金和造價(jià)都十分昂貴。為了節(jié)省占地面積，充分利用空間，高密度部署的RACK機(jī)柜產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。這類產(chǎn)品一般具有，集中供電、集中散熱、集中管理這三大特點(diǎn)。為了盡可能 在單位空間上，提升服務(wù)器節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)處理能力及存儲(chǔ)容量，在機(jī)柜內(nèi)一般根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的情況部署:服務(wù)器節(jié)點(diǎn)20或32個(gè)，每個(gè)節(jié)點(diǎn)以IU托盤的形式，從機(jī)柜內(nèi)抽拔，方便運(yùn)維。節(jié)點(diǎn)的主板和硬盤都固定在IU托盤內(nèi)，目前的節(jié)點(diǎn)按照I節(jié)點(diǎn)8硬盤的配置，部署在IU的機(jī)箱托盤內(nèi)。由于在IU的托盤內(nèi)，部署有主板、硬盤和電源板；主板和硬盤均在電源板上取電，電源板上給硬盤供電的+12V和+5V電壓都是通過開機(jī)信號(hào)PSON控制一顆MOS管開關(guān)來實(shí)現(xiàn)對(duì)硬盤供電。在實(shí)際調(diào)試的過程中，會(huì)遇到:當(dāng)節(jié)點(diǎn)開機(jī)的瞬間，電源板上給硬盤供電的+5V會(huì)出現(xiàn)因瞬間浪涌電流過大，導(dǎo)致+12V轉(zhuǎn)+5V的線路觸發(fā)OCP (Over Current Protection過流保護(hù)),最終會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)巖機(jī)。為解決該問題，本文提出一種簡(jiǎn)潔的抑制浪涌電流的設(shè)計(jì)方法，用來抑制開機(jī)瞬間的大電流，防止系統(tǒng)出現(xiàn)巖機(jī)。
[0003]本文提出的一種簡(jiǎn)潔的抑制浪涌電流的設(shè)計(jì)方法。該方法通過在MOS管的Gate極增加一 RC支路來控制MOS管緩慢打開，以達(dá)到抑制開機(jī)瞬間浪涌電流的作用。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種抑制浪涌電流的設(shè)計(jì)方法。
[0005]本發(fā)明的目的是按以下方式實(shí)現(xiàn)的，通過控制MOS開關(guān)管的緩慢導(dǎo)通來實(shí)現(xiàn)對(duì)開機(jī)瞬間浪涌電流的抑制，通過在MOS開關(guān)管的Gate極添加一個(gè)RC延時(shí)線路，使得Gate極的控制電壓緩慢爬升，直至MOS管打開，MOS管為一個(gè)N型MOS管，MOS管的左端為VR輸入的+5V，右端+5V_HDD為給硬盤供電的+5V，在MOS管的G極添加一個(gè)RC延時(shí)線路，開機(jī)信號(hào)PSON經(jīng)過延時(shí)線路處理，在MOS的G極產(chǎn)生電壓緩慢爬升的信號(hào)；根據(jù)以下公式:
【權(quán)利要求】
1.一種抑制浪涌電流的設(shè)計(jì)方法，其特征在于通過控制MOS開關(guān)管的緩慢導(dǎo)通來實(shí)現(xiàn)對(duì)開機(jī)瞬間浪涌電流的抑制，通過在MOS開關(guān)管的Gate極添加一個(gè)RC延時(shí)線路，使得Gate極的控制電壓緩慢爬升，直至MOS管打開，MOS管為一個(gè)N型MOS管，MOS管的左端為VR輸入的+5V，右端+5V_HDD為給硬盤供電的+5V，在MOS管的G極添加一個(gè)RC延時(shí)線路，開機(jī)信號(hào)PSON經(jīng)過延時(shí)線路處理，在MOS的G極產(chǎn)生電壓緩慢爬升的信號(hào)；根據(jù)以下公式:

【文檔編號(hào)】H02H9/02GK103986139SQ201410228617
【公開日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年5月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月28日
【發(fā)明者】羅嗣恒, 吳福寬 申請(qǐng)人:浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司