一種功率器件保護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種功率器件保護(hù)電路，包括：第一電阻，即插即用PNP三極管,NPN三極管，第二電阻和第三電阻，其中,第一電阻的一端與PNP三極管的E極相連，第一電阻的另一端與PNP三極管的B極、NPN三極管的C極以及MOS管G極相連；NPN三極管的E極接地，NPN三極管B極與PNP三極管的C極以及第二電阻相連，第三電阻一端接地，第三電阻另一端與MOS管S極、第二電阻一端相連。實(shí)現(xiàn)了在每個(gè)PWM有效電平內(nèi)的逐周保護(hù)，而且響應(yīng)十分快速及時(shí)，充分保護(hù)了功率器件的安全。
【專利說明】一種功率器件保護(hù)電路【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電學(xué)領(lǐng)域，特別涉及一種功率器件保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，在功率器件的應(yīng)用中，對過載及負(fù)載短路的保護(hù)十分重要，一些設(shè)備的損壞往往是由于缺少保護(hù)電路或保護(hù)電路不及時(shí)造成的，雖然有些專用集成電路集成了某種保護(hù)功能，但往往保護(hù)參數(shù)單一不能很方便地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)者意圖。而沒有使用具備保護(hù)功能集成電路的方案，則功率器件處于裸奔狀態(tài)，隨時(shí)面臨意外情況下的損壞。即使有意單獨(dú)設(shè)計(jì)保護(hù)電路,往往電路相對復(fù)雜,成本也相應(yīng)較高。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]針對上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種功率器件保護(hù)電路，解決了上述沒有使用具備保護(hù)功能集成電路的問題。
[0004]一方面，本實(shí)用新型提供了一種功率器件保護(hù)電路，包括:第一電阻，即插即用PNP三極管，NPN三極管，第二電阻和第三電阻，其中，第一電阻的一端與PNP三極管的E極相連，第一電阻的另一端與PNP三極管的B極、NPN三極管的C極以及MOS管G極相連；NPN三極管的E極接地，NPN三極管B極與PNP三極管的C極以及第二電阻相連，第三電阻一端接地，第三電阻另一端 與MOS管S極、第二電阻一端相連。
[0005]本實(shí)用新型的有益效果:實(shí)現(xiàn)了在每個(gè)PWM有效電平內(nèi)的逐周保護(hù)，而且響應(yīng)十分快速及時(shí)，充分保護(hù)了功率器件的安全。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1是本實(shí)用新型的一種功率器件保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0007]圖2是本實(shí)用新型的一種應(yīng)用的功率器件保護(hù)電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，應(yīng)指出的是，所描述的實(shí)施例僅旨在便于對本實(shí)用新型的理解，而對其不起任何限定作用。
[0009]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0010]如圖1所示，本實(shí)用新型提供了一種功率器件保護(hù)電路，包括:第一電阻R1，PNP (Plug-and-Play,即插即用)三極管Ql，NPN三極管Q2，第二電阻R2和第三電阻R3，其中，第一電阻Rl的一端與PNP三極管Ql的E極相連，第一電阻Rl的另一端與PNP三極管Ql的B極、NPN三極管Q2的C極以及MOS管G極相連。NPN三極管Q2的E極接地，NPN三極管B極與PNP三極管Ql的C極以及第二電阻R2相連，第三電阻R3 —端接地，第三電阻R3另一端與MOS管S極、電阻R2 —端相連。
[0011]當(dāng)脈沖寬度調(diào)制(PWM)驅(qū)動(dòng)信號為高電平且通過第一電阻Rl作為到MOS管G極上后，MOS管開始導(dǎo)通并且電流開始增加，第三電阻R3上壓降也同步增大，當(dāng)?shù)谌娮鑂3上壓降大于NPN三極管Q2導(dǎo)通電壓后，NPN三極管Q2開始導(dǎo)通，第一電阻Rl壓降開始增加，當(dāng)?shù)谝浑娮鑂l壓降超過PNP三極管Ql導(dǎo)通電壓后，PNP三極管Ql導(dǎo)通，PNP三極管Ql導(dǎo)通的結(jié)果是使NPN三極管Q2的B極電壓上升促使NPN三極管Q2導(dǎo)通程度進(jìn)一步加大，而NPN三極管Q2導(dǎo)通程度的加大又促使PNP三極管Ql導(dǎo)通程度的進(jìn)一步加大，如此正反饋的結(jié)果是Q2、PNP三極管Ql快速進(jìn)入了飽和自鎖狀態(tài)，由于NPN三極管Q2飽和，MOS管G極電壓為0，M0S管進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，第三電阻R3上壓降為0，但由于PNP三極管Ql飽和抬高了NPN三極管Q2 B極電壓，自鎖狀態(tài)仍然繼續(xù)維持，MOS管處于持續(xù)關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)信號為低電平，自鎖狀態(tài)解除。
[0012]如圖2所示，本實(shí)用新型提供了一種功率器件保護(hù)電路的一個(gè)具體例子，其中，電阻Rl —端與R4和Dl正極相連，另一端與NPN三極管Q3的B極、PNP三極管Q4的B極和PNP三極管Ql的B極及NPN三極管Q2的C極相連。Dl另一端與NPN三極管Q3的C極、電容Cl的一端相連。電容Cl的另一端接地。電阻R5的一端與NPN三極管Q3的E極相連。電阻R5的另一端與PNP三極管Q4的E極、MOS管Q5的G極相連。PNP三極管Q4的C極接地。NPN三極管Q2的E極接地，B極與PNP三極管Ql的C極、電阻R2相連。電阻R3 —端接地，另一端與MOS管Q5的S極、電阻R2 —端相連。
[0013]當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)信號為高電平且通過Rl作用到由Q3、Q4組成的圖騰柱電路驅(qū)動(dòng)MOS管G極后，MOS管開始導(dǎo)通并且電流開始增加，R3上壓降也同步增大，當(dāng)R3上壓降大于Q2導(dǎo)通電壓后，Q2開始導(dǎo)通，Rl壓降開始增加，當(dāng)Rl壓降超過Ql導(dǎo)通電壓后，Ql導(dǎo)通，Ql導(dǎo)通的結(jié)果是使Q2 B極電壓上升促使Q2導(dǎo)通程度進(jìn)一步加大，而Q2導(dǎo)通程度的加大又促使Ql導(dǎo)通程度的進(jìn)一步加大，如此正反饋的結(jié)果是Q2、Ql快速進(jìn)入了飽和自鎖狀態(tài)，由于Q2飽和，Q4拉低MOS管G極電壓，MOS管進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，電阻R3上壓降為0，但由于Ql飽和抬高了 Q2 B極電壓，自鎖狀態(tài)仍然繼續(xù)維持，MOS管處于持續(xù)關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)PWM驅(qū)動(dòng)信號為低電平，自鎖狀態(tài)解除。
[0014]上面描述僅是本實(shí)用新型的一個(gè)具體實(shí)施例，顯然在本實(shí)用新型的技術(shù)方案指導(dǎo)下本領(lǐng)域的任何人所作的修改或局部替換，均屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求書限定的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種功率器件保護(hù)電路，其特征在于，包括:第一電阻，即插即用PNP三極管，NPN三極管，第二電阻和第三電阻，其中，所述第一電阻的一端與所述PNP三極管的E極相連，所述第一電阻的另一端與所述PNP三極管的B極、所述NPN三極管的C極以及MOS管G極相連，所述NPN三極管的E極接地，所述NPN三極管B極與所述PNP三極管的C極以及所述第二電阻相連，所述第三電阻一端接地，所述第三電阻另一端與MOS管S極以及所述第二電阻一端相連。
【文檔編號】H02H7/10GK203774766SQ201420088302
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年2月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月27日
【發(fā)明者】虞金中 申請人:無錫金雨電子科技有限公司