本發(fā)明涉及一種電子電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種線路保護電路及通信設(shè)備。

背景技術(shù)：

電子設(shè)備中，當(dāng)電路發(fā)生短路時，電路中的元器件可能會被損壞。具有對外接口的電子設(shè)備，外部設(shè)備可以通過對外接口接入該電子設(shè)備，此時，如果外部設(shè)備存在異常，可能會引起電子設(shè)備的電路短路，燒毀電路中的元器件。因此，需要在電子設(shè)備的電路中接入線路保護電路，以解決上述問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決上述問題之一。

本發(fā)明的主要目的在于提供一種線路保護電路。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種通信設(shè)備。

為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實現(xiàn)的：

本發(fā)明一方面提供了一種線路保護電路，包括控制模塊和開關(guān)模塊。開關(guān)模塊包括第一連接端、第二連接端和受控端口。控制模塊包括第一檢測端口、第二檢測端口和控制端口，第一檢測端口與開關(guān)模塊的第一連接端電連接，第二檢測端口與開關(guān)模塊的第二連接端電連接，控制端口與開關(guān)模塊的受控端口電連接。控制模塊，用于在開關(guān)模塊導(dǎo)通第一連接端和第二連接端后，通過第一檢測端口檢測開關(guān)模塊的第一連接端的第一電平，通過第二檢測端口檢測開關(guān)模塊的第二連接端的第二電平，并在第二電平與第一電平的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時，通過控制端口向開關(guān)模塊的受控端口輸出第一控制信號，用于控制開關(guān)模塊斷開第一連接端和第二連接端。

可選地，線路保護觸發(fā)條件為第二電平與第一電平的差值大于預(yù)設(shè)值。

可選地，開關(guān)模塊電連接在待保護電路以及地引腳之間，第一連接端與地引腳電連接。

可選地，開關(guān)模塊為NMOS管，其柵極作為開關(guān)模塊的受控端口，其源極作為開關(guān)模塊的第一連接端，其漏極作為開關(guān)模塊的第二連接端。第一控制信號為低電平信號。

可選地，開關(guān)模塊電連接在電源引腳以及待保護電路之間，第二連接端與電源引腳電連接。

可選地，開關(guān)模塊為PMOS管，其柵極作為開關(guān)模塊的受控端口，其漏極作為開關(guān)模塊的第一連接端，其源極作為開關(guān)模塊的第二連接端。第一控制信號為高電平信號。

可選地，控制模塊包括計算芯片和主控芯片。計算芯片包括第一檢測引腳、第二檢測引腳和輸出引腳，第一檢測引腳作為控制模塊的第一檢測端口，第二檢測引腳作為控制模塊的第二檢測端口。主控芯片包括檢測引腳和控制引腳，主控芯片的檢測引腳與計算芯片的輸出引腳電連接，控制引腳作為控制模塊的控制端口。計算芯片，用于在第二電平與第一電平的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時，通過輸出引腳輸出第一觸發(fā)信號；主控芯片，用于在檢測引腳檢測到第一觸發(fā)信號時，通過控制引腳輸出第一控制信號。

可選地，控制模塊，還用于在開關(guān)模塊斷開第一連接端和第二連接端后，通過控制端口向開關(guān)模塊的受控端口輸出第二控制信號，以控制開關(guān)模塊導(dǎo)通第一連接端和第二連接端。

本發(fā)明另一方面還提供了一種通信設(shè)備，通信設(shè)備設(shè)有線路保護電路以及待保護電路，線路保護電路與待保護電路電連接，線路保電路用于在待保護電路異常時，斷開線路保護電路的所在的通路。

可選地，通信設(shè)備還包括：外接設(shè)備插入檢測電路。待保護電路包括外接接口，外接設(shè)備插入檢測電路的第一端與外接接口中的一個引腳電連接。在開關(guān)模塊電連接在待保護電路以及地引腳之間，第一連接端與地引腳電連接時，外接設(shè)備插入檢測電路的第一端還與開關(guān)模塊的第二連接端電連接，外接設(shè)備插入檢測電路的第二端接地?？刂颇K還包括第三檢測端口，第三檢測端口與外接設(shè)備插入檢測電路的第一端電連接。控制模塊，還用于通過第三檢測端口檢測外接設(shè)備檢測電路的第一端的第三電平，并根據(jù)檢測到的第三電平判斷是否有外部設(shè)備接入外界接口。

由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供了一種線路保護電路和一種設(shè)有該線路保護電路的通信設(shè)備。采用本發(fā)明提供的技術(shù)方案，線路保護電路中的控制模塊可以通過檢測開關(guān)模塊兩端電平的差值，來判斷線路上的電流是否過大，如果電流過大，則說明電路中存在短路異常，此時，控制模塊控制開關(guān)模塊斷開，從而斷開線路保護電路所在的通路，避免在線路發(fā)生短路時通路中的元器件因線路上的電流過大而被燒壞。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖 作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他附圖。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種通信設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的另一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的又一結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的電路圖；

圖6為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的另一電路圖。

具體實施方式

下面結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明的保護范圍。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或數(shù)量或位置。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例作進一步地詳細描述。

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種通信設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的另一結(jié)構(gòu)示意圖，圖4為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的又一結(jié)構(gòu)示意圖，圖5為本發(fā)明實施 例提供的一種線路保護電路的電路圖，圖6為本發(fā)明實施例提供的一種線路保護電路的另一電路圖?，F(xiàn)結(jié)合圖1至圖6對本發(fā)明提供的一種線路保護電路和通信設(shè)備進行詳細的描述。

如圖1所示，本發(fā)明提供了一種通信設(shè)備，該通信設(shè)備設(shè)有線路保護電路1以及待保護電路2。線路保護電路1與所述待保護電路2電連接，用于在所述待保護電路2異常時(例如發(fā)生短路異常)，斷開線路保護電路1所在的通路。其中，待保護電路2可以為通信設(shè)備的全部或部分工作電路，在本發(fā)明中并不做限制。本實施例一種可選的實施方式中，該通信設(shè)備還包括設(shè)備插入檢測電路，待保護電路2包括外接接口，外接設(shè)備插入檢測電路的第一端與待保護電路2的外接接口中的一個引腳電連接，外接設(shè)備插入檢測電路的第二端接地，用于檢測是否有外部設(shè)備接入。

以下，分別對線路保護電路1的五種具體實施方式進行描述：

其一：

如圖2所示，該線路保護電路1包括控制模塊10和開關(guān)模塊20。其中，開關(guān)模塊20包括第一連接端201、第二連接端202和受控端口203。線路保護電路1中的控制模塊10包括第一檢測端口101、第二檢測端口102和控制端口103，第一檢測端口101與開關(guān)模塊20的第一連接端201電連接，第二檢測端口102與開關(guān)模塊20的第二連接端202電連接，控制端口103與開關(guān)模塊20的受控端口203電連接。

控制模塊10，用于在開關(guān)模塊20導(dǎo)通其第一連接端201和第二連接端202后，通過其第一檢測端口101檢測第一連接端201的第一電平V₁，并通過第二檢測端口102檢測第二連接端202的第二電平V₂。并且，在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時，通過控制端口103向開關(guān)模塊20的受控端口203輸出第一控制信號，用于控制開關(guān)模塊20斷開第一連接端201和第二連接端202。在一種可選的實施方式中，線路保護觸發(fā)條件為第二電平V₂與第一電平V₁的差值大于預(yù)設(shè)值，即當(dāng)電平滿足V₂-V₁>V_F時，觸發(fā)線路保護，其中，V_F為預(yù)設(shè)值。由此，控制模塊10通過檢測開關(guān)模塊20兩端電平的差值，來判斷線路上的電流是否過大，當(dāng)電流過大時(即電平的差值大于預(yù)設(shè)值)，控制模塊10向開關(guān)模塊20輸出第一控制信號，以斷開開關(guān)模塊20的第一連接端201和第二連接端202，從而在線路發(fā)生短路時進行保護，防止待保護電路2中的元器件因線路上的電流過大而被燒壞。

可選地，控制模塊10，還用于在開關(guān)模塊20斷開其第一連接端201和第二連接端202后，通過控制端口103向開關(guān)模塊20的受控端口203輸出第二控制信號，用來控制開關(guān)模塊20導(dǎo)通其第一連接端201和第二連接端202。在第一連接端201和第二連接端202導(dǎo)通后，控制模塊10再次通過第一檢測端口101檢測開關(guān)模塊20的第一連接端201的第一電平V₁， 通過第二檢測端口102檢測開關(guān)模塊20的第二連接端202的第二電平V₂，如果第二電平V₂與第一電平V₁的差值不滿足線路保護觸發(fā)條件(即V₂-V₁≤V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，則說明線路保護電路1所接入的電路中的短路異常已經(jīng)消失，此時，開關(guān)模塊20的第一連接端201和第二連接端202維持導(dǎo)通狀態(tài)；否則，在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時(即V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，通過控制端口103向開關(guān)模塊20的受控端口203輸出第一控制信號，用來控制開關(guān)模塊20斷開其第一連接端201和第二連接端202，從而使線路保護電路1處于斷開狀態(tài)。通過本實方式提供的技術(shù)方案，在線路保護電路1處于斷開狀態(tài)時，控制模塊10向開關(guān)模塊20輸出第二控制信號，使開關(guān)模塊20重新進入導(dǎo)通的狀態(tài)，再次判斷第二電平V₂與第一電平V₁的差值是否滿足線路保護觸發(fā)條件，并在不滿足線路保護觸發(fā)條件時，即在線路保護電路1所接入的電路中的異?；謴?fù)后，控制模塊10持續(xù)向開關(guān)模塊20輸出第二控制信號，控制開關(guān)模塊20導(dǎo)通其第一連接端201和第二連接端202，從而將線路保護電路1從斷開狀態(tài)恢復(fù)為導(dǎo)通狀態(tài)。

其二：

根據(jù)本實施例第一種實施方式中描述的線路保護電路1，該保護電路中開關(guān)模塊20包括第一連接端201、第二連接端202和受控端口203，開關(guān)模塊20電連接在待保護電路2以及地引腳之間，如圖3所示，第一連接端201與地引腳電連接，本實施方式中，開關(guān)模塊20的第一連接端201可以直接與地引腳電連接，也可以間接與地引腳電連接，例如通過電阻等其他元器件或者一些功能性電路與地引腳電連接。

本實施方式中，開關(guān)模塊20為NMOS管，其柵極G作為開關(guān)模塊20的受控端口203，其源極S作為開關(guān)模塊20的第一連接端201，其漏極D作為開關(guān)模塊20的第二連接端202?？刂颇K10，用于在NMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，通過其第一檢測端口101檢測NMOS管的源極S的第一電平V₁，并通過第二檢測端口102檢測NMOS管的漏極D的第二電平V₂。并且，在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時，即第二電平V₂與第一電平V₁的差值大于預(yù)設(shè)值(V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，控制模塊10通過控制端口103向NMOS管的柵極G輸出第一控制信號，該第一控制信號為低電平信號，其中低電平信號是指低于或等于NMOS管源極S電平的電平信號，用于使NMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，從而斷開開關(guān)模塊20的第一連接端201和第二連接端202，使待保護電路2與地引腳之間形成斷路。由此，控制模塊10在檢測到NMOS管源極S和漏極D的電平差值過大時(即待保護電路2中存在短路異常)，控制NMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，斷開待保護電路2與地引腳之間的電路，以防止待保護電路2中的元器件因電路中存在短路異常而受損。

可選地，控制模塊10，還用于在NMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)時，即待保護電路2與地引腳斷開時，通過控制端口103向NMOS管的柵極G輸出第二控制信號，該第二控制信號為高電平信號，用于使NMOS管進入導(dǎo)通狀態(tài)，從而使待保護電路2與地引腳導(dǎo)通。在待保護電路2與地引腳導(dǎo)通后，控制模塊10再次通過第一檢測端口101檢測NMOS管源極S的第一電平V₁，通過第二檢測端口102檢測NMOS管漏極D的第二電平V₂，此時，如果第二電平V₂與第一電平V₁的差值不滿足線路保護觸發(fā)條件(即V₂-V₁≤V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，說明待保護電路2的短路異常已經(jīng)消失，則待保護電路2與地引腳繼續(xù)維持導(dǎo)通狀態(tài)；否則，在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時(即V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，控制模塊10通過控制端口103向NMOS管的柵極G輸出第一控制信號，該第一控制信號為低電平信號，用于使NMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，從而將待保護電路2與地引腳斷開，使待保護電路2處于短路保護狀態(tài)。由此，在待保護電路2處于短路保護的狀態(tài)時(NMOS管處于截止?fàn)顟B(tài))，控制模塊10向NMOS管輸出高電平信號，使NMOS管重新進入導(dǎo)通的狀態(tài)，再次判斷第二電平V₂與第一電平V₁的差值是否滿足線路保護觸發(fā)條件，并在不滿足線路保護觸發(fā)條件時，即在待保護電路2的短路異?；謴?fù)后，控制模塊10持續(xù)向NMOS管輸出高電平信號，控制NMOS管導(dǎo)通，從而將待保護電路2從短路保護狀態(tài)恢復(fù)為正常工作狀態(tài)。

可選地，通訊設(shè)備在包含外接設(shè)備插入檢測電路時，由于開關(guān)模塊20電連接在所述待保護電路2以及地引腳之間，第一連接端201與地引腳電連接，外接設(shè)備插入檢測電路的第一端因此還與所述開關(guān)模塊的第二連接端202電連接。以下提供一種外接設(shè)備插入檢測電路的一種具體實現(xiàn)方式，但本發(fā)明并不局限于此。待保護電路2的外接接口包括電流輸出引腳I1和電流輸入引腳I2。如圖3所示，本實施方式中，外部設(shè)備可以通過外接接口的電流輸出引腳I1和電流輸入引腳I2接入通信設(shè)備。作為一種可選的實施方式，外接設(shè)備插入檢測電路為分壓電阻R0，分壓電阻R0的第一端301與外接接口的電流輸入引腳I2電連接，并且，第一端301與開關(guān)模塊20的第二連接端202(即NMOS管的漏極D)電連接，第二端302接地?？刂颇K10還包括第三檢測端口104，第三檢測端口104與分壓電阻R0的第一端301電連接。控制模塊10，還用于通過第三檢測端口104檢測分壓電阻R0的第一端301的第三電平，并根據(jù)檢測到的第三電平判斷是否有外部設(shè)備接入通信設(shè)備。當(dāng)通信設(shè)備有外部設(shè)備接入時，電流從通信設(shè)備工作電路的電源引腳VBUS_M流出，通過電流輸出引腳I1流入外部設(shè)備，再經(jīng)電流輸入引腳I2流入外接設(shè)備插入檢測電路(即分壓電阻R0)，最后流向地引腳，從而使該通信設(shè)備與外部設(shè)備形成回路，此時，控制模塊10通過第三檢測端口104檢測到的分壓 電阻R0第一端301的第三電平為高電平；當(dāng)通信設(shè)備沒有外部設(shè)備接入時，該通信設(shè)備不能與外部設(shè)備形成回路，控制模塊10通過第三檢測端口104檢測到的分壓電阻R0第一端301的第三電平為低電平。由此，控制模塊10可以通過檢測分壓電阻R0的第一端301的電平變化識別通信設(shè)備中是否有外部設(shè)備接入。

其三：

根據(jù)本實施例第一種實施方式中描述的線路保護電路1，該線路保護電路1中的開關(guān)模塊20包括第一連接端201、第二連接端202和受控端口203，開關(guān)模塊20電連接在電源引腳VBUS_M以及待保護電路2之間，如圖4所示，第二連接端202與電源引腳VBUS_M電連接，本實施例中，開關(guān)模塊的第二連接端202可以直接與電源引腳VBUS_M電連接，也可以間接與電源引腳VBUS_M電連接，例如電阻等其他元器件或者一些功能性電路與電源引腳VBUS_M電連接。

本實施例中，開關(guān)模塊20為PMOS管，其柵極G作為開關(guān)模塊20的受控端口203，其漏極D作為開關(guān)模塊20的第一連接端201，其源極S作為開關(guān)模塊20的第二連接端202?？刂颇K10，用于在PMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，通過其第一檢測端口101檢測PMOS管的漏極D的第一電平V₁，并通過第二檢測端口102檢測PMOS管的源極S的第二電平V₂。并且，在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時，即第二電平V₂與第一電平V₁的差值大于預(yù)設(shè)值(V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，控制模塊10通過控制端口103向PMOS管的柵極G輸出第一控制信號，該第一控制信號為高電平信號，其中高電平信號是指高于或等于PMOS管源極S電平的電平信號，用于使PMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，從而斷開開關(guān)模塊20的第一連接端201和第二連接端202，使待保護電路2與電源引腳VBUS_M之間形成斷路。由此，控制模塊10在檢測到PMOS管源極S和漏極D的電平差值過大時(即待保護電路2中存在短路異常)，控制PMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，斷開待保護電路2與電源引腳VBUS_M之間的電路，以防止待保護電路2中的元器件因電路中存在異常而受損。

可選地，控制模塊10，還用于在PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)時，即待保護電路2與電源引腳VBUS_M斷開時，通過控制端口103向PMOS管的柵極G輸出第二控制信號，該第二控制信號為低電平信號，用于使PMOS管進入導(dǎo)通狀態(tài)，從而使待保護電路2與電源引腳VBUS_M導(dǎo)通。在待保護電路2與電源引腳VBUS_M導(dǎo)通后，控制模塊10再次通過第一檢測端口101檢測PMOS管漏極D的第一電平V₁，通過第二檢測端口102檢測PMOS管源極S的第二電平V₂，此時，如果第二電平V₂與第一電平V₁的差值不滿足線路保護觸發(fā)條件(即V₂-V₁≤V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，說明待保護電路2的短路異常已經(jīng)消失，則待保護電路2與電源引 腳VBUS_M繼續(xù)維持導(dǎo)通狀態(tài)；否則，在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時(即V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，控制模塊10通過控制端口103向PMOS管的柵極G輸出第一控制信號，該第一控制信號為高電平信號，用于使PMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，從而將待保護電路2與電源引腳VBUS_M斷開，使待保護電路2處于短路保護狀態(tài)。由此，在待保護電路2處于短路保護的狀態(tài)時(PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài))，控制模塊10向PMOS管輸出低電平信號，使PMOS管重新進入導(dǎo)通的狀態(tài)，再次判斷第二電平V₂與第一電平V₁的差值是否滿足線路保護觸發(fā)條件，并在不滿足線路保護觸發(fā)條件時，即在待保護電路2的短路異常恢復(fù)后，控制模塊10持續(xù)向PMOS管輸出低電平信號，控制PMOS管導(dǎo)通，從而將待保護電路2從短路保護狀態(tài)恢復(fù)為正常工作狀態(tài)。

其四：

根據(jù)本實施例第二種實施方式中描述的一種線路保護電路1，如圖5所示，該線路保護電路1中的控制模塊10包括計算芯片40和主控芯片50。計算芯片40包括第一檢測引腳401、第二檢測引腳402和輸出引腳403，第一檢測引腳401作為控制模塊10的第一檢測端口101，第二檢測引腳402作為控制模塊10的第二檢測端口102。該線路保護電路1還包括開關(guān)模塊20，開關(guān)模塊20為NMOS管，其柵極G作為開關(guān)模塊20的受控端口203，其源極S作為開關(guān)模塊20的第一連接端201，其漏極D作為開關(guān)模塊20的第二連接端202。本實施例中，計算芯片40的第一檢測引腳401與NMOS管的源極S電連接(圖中未示出)，用于在NMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，檢測NMOS管源極S的第一電平V₁，第二檢測引腳402與NMOS管的漏極D電連接，用于在NMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，檢測NMOS管漏極D的第二電平V₂。

本實施方式中，主控芯片50包括檢測引腳502和控制引腳503，主控芯片50的檢測引腳502與計算芯片40的輸出引腳403電連接，控制引腳503作為線路保護電路1的控制模塊10的控制端口103，在本實施方式中，控制引腳503與NMOS管的柵極G電連接，用于控制NMOS管的截止或?qū)ā?/p>

本實施方式中，線路保護電路1電連接于待保護電路2以及地引腳之間，如圖5所示，NMOS管的源極S與地引腳電連接，本實施方式中，NMOS管的源極S可以直接與地引腳電連接，也可以間接與地引腳電連接，例如通過電阻等其他元器件或者一些功能性電路與地引腳電連接。

本實施方式中，計算芯片40，用于在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時，即第二電平V₂與第一電平V₁的差值大于預(yù)設(shè)值(V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，通過其輸出引腳403輸出第一觸發(fā)信號V_O1，主控芯片50，用于在其檢測引腳502檢測 到第一觸發(fā)信號V_O1時，通過其控制引腳503向NMOS管的柵極G輸出第一控制信號，其中，第一控制信號為低電平信號，該低電平信號是指低于或等于NMOS管源極S電平的電平信號，用于使NMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，從而使待保護電路2與地引腳之間形成斷路。由此，主控芯片50可以在計算芯片40檢測到NMOS管源極S和漏極D的電平差值過大時(即待保護電路2中存在短路異常)，控制NMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，斷開待保護電路2與地引腳之間的電路，以防止待保護電路2中的元器件因電路中存在短路異常而受損。

可選地，計算芯片40采用鋰電池保護IC芯片(日本精工S-8261ABJMD-G3JT2)。該鋰電池保護IC芯片在第二電平V₂與第一電平V₁的差值大于100mV時(V₂-V₁＞100mV，100mV為預(yù)設(shè)值)，通過其輸出引腳403輸出低電平信號。主控芯片50，用于在其檢測引腳502檢測到低電平信號時，通過其控制引腳503向NMOS管的柵極G輸出低電平信號，使NMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)。由此，主控芯片50可以配合該鋰電池保護IC，實現(xiàn)線路的短路保護，且該鋰電池保護IC成本較低，功能集成化較高，有利于降低線路保護電路1的制作成本和擴展線路保護電路1的功能。

可選地，計算芯片40還包括供電引腳404，主控芯片50還包括供電引腳501，且計算芯片40的供電引腳404和主控芯片50的供電引腳501分別與電源引腳VBUS_M電連接。由此，計算芯片40和主控芯片50可以通過各自的電源引腳獲得電能。

可選地，主控芯片50，還用于在NMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)時，即待保護電路2與地引腳斷開時，通過控制引腳503向NMOS管的柵極G輸出高電平信號，使NMOS管進入導(dǎo)通狀態(tài)，從而使待保護電路2與地引腳導(dǎo)通。在待保護電路2與地引腳導(dǎo)通后，計算芯片40再次通過其第一檢測引腳401檢測NMOS管源極S的第一電平V₁，通過第二檢測引腳402檢測NMOS管漏極D的第二電平V₂，此時，如果第二電平V₂與第一電平V₁的差值不滿足線路保護觸發(fā)條件(即V₂-V₁≤V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，說明待保護電路2的短路異常已經(jīng)消失，則待保護電路2與地引腳繼續(xù)維持導(dǎo)通狀態(tài)；否則，在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時(即V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，計算芯片40通過其輸出引腳403輸出第一觸發(fā)信號V_O1，主控芯片50，用于在其檢測引腳502檢測到第一觸發(fā)信號V_O1時，通過其控制引腳503向NMOS管的柵極G輸出低電平信號，該低電平信號是指低于NMOS管源極S電平的電平信號，用于使NMOS管截止，從而將待保護電路2與地引腳斷開，使待保護電路2處于短路保護狀態(tài)。由此，在待保護電路2處于短路保護的狀態(tài)時(NMOS管處于截止?fàn)顟B(tài))，主控芯片50向NMOS管輸出高電平信號，使NMOS管重新進入導(dǎo)通的狀態(tài)，計算芯片40再次判斷第二電平V₂與第一電平V₁的差值是否滿足線路保護觸發(fā)條件，并在不 滿足線路保護觸發(fā)條件時，即在待保護電路2的短路異?；謴?fù)后，使NMOS管持續(xù)導(dǎo)通，以維持待保護電路2的正常工作，從而將待保護電路2從短路保護狀態(tài)恢復(fù)為正常工作狀態(tài)。

可選地，通訊設(shè)備在包含外接設(shè)備插入檢測電路時，由于開關(guān)模塊20電連接在所述待保護電路2以及地引腳之間，第一連接端201與地引腳電連接，外接設(shè)備插入檢測電路的第一端因此還與所述開關(guān)模塊的第二連接端202電連接。以下提供一種外接設(shè)備插入檢測電路的一種具體實現(xiàn)方式，但本發(fā)明并不局限于此。待保護電路2的外接接口包括電流輸出引腳I1和電流輸入引腳I2。如圖5所示，本實施方式中，外部設(shè)備可以通過外接接口的電流輸出引腳I1和電流輸入引腳I2接入通信設(shè)備。作為一種可選的實施方式，外接設(shè)備插入檢測電路為分壓電阻R0，分壓電阻R0的第一端301與外接接口的電流輸入引腳I2電連接，并且，分壓電阻R0的第一端301與開關(guān)模塊20的第二連接端202(即NMOS管的漏極D)電連接，第二端302接地。主控芯片50還包括識別引腳504，識別引腳504與分壓電阻R0的第一端301電連接。主控芯片50，還用于通過識別引腳504檢測分壓電阻R0的第一端301的第三電平，并根據(jù)檢測到的第三電平判斷是否有外部設(shè)備接入通信設(shè)備。當(dāng)通信設(shè)備有外部設(shè)備接入時，電流從通信設(shè)備工作電路的電源引腳VBUS_M流出，通過電流輸出引腳I1流入外部設(shè)備，再經(jīng)電流輸入引腳I2流入外接設(shè)備插入檢測電路(即分壓電阻R0)，最后流向地引腳，從而使通信設(shè)備與外部設(shè)備形成回路，此時，主控芯片50通過識別引腳504檢測到的分壓電阻R0第一端301的第三電平為高電平；當(dāng)通信設(shè)備沒有外部設(shè)備接入時，該通信設(shè)備不能與外部設(shè)備形成回路，主控芯片50通過識別引腳504檢測到的分壓電阻R0第一端301的第三電平為低電平。由此，主控芯片50可以通過檢測分壓電阻R0的第一端301的電平變化識別通信設(shè)備中是否有外部設(shè)備接入。

其五：

根據(jù)本實施例第三種實施方式中描述的一種線路保護電路1，如圖6所示，該線路保護電路1中的控制模塊10包括計算芯片40和主控芯片50。計算芯片40包括第一檢測引腳401、第二檢測引腳402和輸出引腳403，第一檢測引腳401作為實施例3中線路保護電路1的控制模塊10的第一檢測端口101，第二檢測引腳402作為控制模塊10的第二檢測端口102。該線路保護電路1還包括開關(guān)模塊20，開關(guān)模塊20為PMOS管，其柵極G作為開關(guān)模塊20的受控端口203，其漏極D作為開關(guān)模塊20的第一連接端201，其源極S作為開關(guān)模塊20的第二連接端202。本實施例中，如圖6所示，計算芯片40的第一檢測引腳401與PMOS管的漏極D電連接，用于在PMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，檢測PMOS管漏極D的第一電平V₁，第二檢測引腳402與PMOS管的源極S電連接，用于在PMOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)時，檢測PMOS 管源極S的第二電平V₂。

本實施例中，主控芯片50包括檢測引腳502和控制引腳503，主控芯片50的檢測引腳502與計算芯片40的輸出引腳403電連接，控制引腳503作為線路保護電路1的控制模塊10的控制端口103，在本實施例中，控制引腳503與PMOS管的柵極G電連接，用于控制PMOS管的截止或?qū)ā?/p>

本實施例中，線路保護電路1電連接于待保護電路2以及電源引腳VBUS_M之間，如圖6所示，PMOS管的源極S與電源引腳VBUS_M電連接，本實施例中，PMOS管的源極S可以直接與電源引腳VBUS_M電連接，也可以間接與電源引腳VBUS_M電連接，例如通過電阻等其他元器件或者一些功能性電路與電源引腳VBUS_M電連接。

本實施例中，計算芯片40，用于在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時，即第二電平V₂與第一電平V₁的差值大于預(yù)設(shè)值(V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，通過其輸出引腳403輸出第一觸發(fā)信號V_O1，主控芯片50，用于在其檢測引腳502檢測到第一觸發(fā)信號V_O1時，通過其控制引腳503向PMOS管的柵極G輸出第一控制信號，其中，第一控制信號為高電平信號，該高電平信號是指高于或等于PMOS管源極S電平的電平信號，用于使PMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，從而使待保護電路2與電源引腳VBUS_M之間形成斷路。由此，主控芯片50可以在計算芯片40檢測到PMOS管源極S和漏極D的電平差值過大時(即待保護電路2中存在短路異常)，控制PMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)，斷開待保護電路2與電源引腳VBUS_M之間的電路，以防止待保護電路2中的元器件因電路中存在短路異常而受損。

可選地，計算芯片40采用鋰電池保護IC芯片(日本精工S-8261ABJMD-G3JT2)。該鋰電池保護IC芯片在第二電平V₂與第一電平V₁的差值大于100mV時(V₂-V₁＞100mV，100mV為預(yù)設(shè)值)，通過其輸出引腳403輸出低電平信號。主控芯片50，用于在其檢測引腳502檢測到低電平信號時，通過其控制引腳503向PMOS管的柵極G輸出高電平信號，使PMOS管進入截止?fàn)顟B(tài)。由此，主控芯片50可以配合該鋰電池保護IC，實現(xiàn)線路的短路保護，且該鋰電池保護IC成本較低，功能集成化較高，有利于降低線路保護電路1的制作成本和擴展線路保護電路1的功能。

可選地，計算芯片40還包括供電引腳404，主控芯片50還包括供電引腳501，且計算芯片40的供電引腳404和主控芯片50的供電引腳501分別與電源引腳VBUS_M電連接。由此，計算芯片40和主控芯片50可以通過各自的電源引腳獲取電能。

可選地，主控芯片50，還用于在PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài)時，即待保護電路2與電源引腳VBUS_M斷開時，通過控制引腳503向PMOS管的柵極G輸出低電平信號，使PMOS管進 入導(dǎo)通狀態(tài)，從而使待保護電路2與電源引腳VBUS_M導(dǎo)通。在待保護電路2與電源引腳VBUS_M導(dǎo)通后，計算芯片40再次通過其第一檢測引腳401檢測PMOS管漏極D的第一電平V₁，通過第二檢測引腳402檢測PMOS管源極S的第二電平V₂，此時，如果第二電平V₂與第一電平V₁的差值不滿足線路保護觸發(fā)條件(即V₂-V₁≤V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，說明待保護電路2的短路異常已經(jīng)消失，則待保護電路2與電源引腳VBUS_M繼續(xù)維持導(dǎo)通狀態(tài)；否則，在第二電平V₂與第一電平V₁的差值滿足線路保護觸發(fā)條件時(即V₂-V₁＞V_F，其中V_F為預(yù)設(shè)值)，計算芯片40通過其輸出引腳403輸出第一觸發(fā)信號V_O1，主控芯片50，用于在其檢測引腳502檢測到第一觸發(fā)信號V_O1時，通過其控制引腳503向PMOS管的柵極G輸出高電平信號，使PMOS管截止，從而將待保護電路2與電源引腳VBUS_M斷開，使待保護電路2處于短路保護狀態(tài)。由此，在待保護電路2處于短路保護的狀態(tài)時(PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài))，主控芯片50向PMOS管輸出低電平信號，使PMOS管重新進入導(dǎo)通的狀態(tài)，計算芯片40再次判斷第二電平V₂與第一電平V₁的差值是否滿足線路保護觸發(fā)條件，并在不滿足線路保護觸發(fā)條件時，即在待保護電路2的斷路異?；謴?fù)后，使PMOS管持續(xù)導(dǎo)通，以維持待保護電路2的正常工作，從而將待保護電路2從短路保護狀態(tài)恢復(fù)為正常工作狀態(tài)。

采用本實施例提供的技術(shù)方案，僅需利用控制模塊檢測開關(guān)模塊的兩個連接端的電平差值即可達到判斷線路是否存在異常的目的。不需要在線路中搭載電阻，測量電阻兩端的電壓、計算流經(jīng)電阻的電流并判斷流經(jīng)電阻的電流是否過大，再通過判斷結(jié)果控制開關(guān)的通斷。因此，本實施方式提供的技術(shù)方案電路結(jié)構(gòu)簡單，且判斷線路是否斷路的速度較快。

流程圖中或在此以其他方式描述的任何過程或方法描述可以被理解為，表示包括一個或更多個用于實現(xiàn)特定邏輯功能或過程的步驟的可執(zhí)行指令的代碼的模塊、片段或部分，并且本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的范圍包括另外的實現(xiàn)，其中可以不按所示出或討論的順序，包括根據(jù)所涉及的功能按基本同時的方式或按相反的順序，來執(zhí)行功能，這應(yīng)被本發(fā)明的實施例所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。

應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的各部分可以用硬件、軟件、固件或它們的組合來實現(xiàn)。在上述實施方式中，多個步驟或方法可以用存儲在存儲器中且由合適的指令執(zhí)行系統(tǒng)執(zhí)行的軟件或固件來實現(xiàn)。例如，如果用硬件來實現(xiàn)，和在另一實施方式中一樣，可用本領(lǐng)域公知的下列技術(shù)中的任一項或他們的組合來實現(xiàn)：具有用于對數(shù)據(jù)信號實現(xiàn)邏輯功能的邏輯門電路的離散邏輯電路，具有合適的組合邏輯門電路的專用集成電路，可編程門陣列(PGA)，現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)等。

本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法攜帶的全部或部分步驟是可以通過程序來指令相關(guān)的硬件完成，所述的程序可以存儲于一種計算機可讀存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，包括方法實施例的步驟之一或其組合。

此外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理模塊中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個模塊中。上述集成的模塊既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用軟件功能模塊的形式實現(xiàn)。所述集成的模塊如果以軟件功能模塊的形式實現(xiàn)并作為獨立的產(chǎn)品銷售或使用時，也可以存儲在一個計算機可讀取存儲介質(zhì)中。

上述提到的存儲介質(zhì)可以是只讀存儲器，磁盤或光盤等。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實施例”、“一些實施例”、“示例”、“具體示例”、或“一些示例”等的描述意指結(jié)合該實施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點包含于本發(fā)明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

盡管上面已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，可以理解的是，上述實施例是示例性的，不能理解為對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的原理和宗旨的情況下在本發(fā)明的范圍內(nèi)可以對上述實施例進行變化、修改、替換和變型。本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同限定。