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      切換式電壓轉(zhuǎn)換器的制作方法

      文檔序號:12067332閱讀:367來源:國知局
      切換式電壓轉(zhuǎn)換器的制作方法與工藝

      本發(fā)明與電壓轉(zhuǎn)換器相關(guān),并且尤其與能降低切換式電壓轉(zhuǎn)換器中的高頻電磁干擾(electro-magnetic interference,EMI)的技術(shù)相關(guān)。



      背景技術(shù):

      一般而言,電子裝置的外接式電源或是內(nèi)部蓄電元件只會供應(yīng)一種固定大小的電壓。若包含兩種以上以不同電壓驅(qū)動的電路,電子裝置便需在內(nèi)部設(shè)置直流-直流電壓轉(zhuǎn)換器。切換式電源(switched-mode power supply)因較線性變壓器(linear regulator)具有較佳的轉(zhuǎn)換效率,被廣泛應(yīng)用于需要直流-直流電壓轉(zhuǎn)換的裝置中。

      根據(jù)輸出電壓與輸入電壓的大小相對關(guān)系,直流-直流切換式電源可分為升壓轉(zhuǎn)換器(boost converter)與降壓轉(zhuǎn)換器(buck converter)兩類。圖1A與圖1B分別呈現(xiàn)了這兩類轉(zhuǎn)換器的典型功能方塊圖。這兩個電路的共通處在于藉由周期性地切換開關(guān)S來移轉(zhuǎn)電能儲存元件(電感L)中的電能。轉(zhuǎn)換后電壓VOUT相對于轉(zhuǎn)換前電壓VDD的大小與開關(guān)S被設(shè)定為導(dǎo)通/不導(dǎo)通的工作周期相關(guān),可依負(fù)載110、120的實際需求決定?,F(xiàn)行切換式電壓轉(zhuǎn)換器的問題在于,開關(guān)S自不導(dǎo)通狀態(tài)被切換為導(dǎo)通狀態(tài)的一瞬間,或是開關(guān)S自導(dǎo)通狀態(tài)被切換為不導(dǎo)通狀態(tài)的一瞬間,出入電壓轉(zhuǎn)換器的電流IVDD、IGND都會出現(xiàn)大幅度的電流量變化,因而為電壓轉(zhuǎn)換器的周邊電路以及使用轉(zhuǎn)換后電壓VOUT的負(fù)載110、120帶來高頻電磁干擾。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      為解決上述高頻電磁干擾的問題,本發(fā)明提出一種新的切換式電壓轉(zhuǎn)換器。

      根據(jù)本發(fā)明的一具體實施例為一種切換式電壓轉(zhuǎn)換器。該切換式電壓轉(zhuǎn)換 器耦接至一電壓源,且包含一電能儲存元件、多個開關(guān)與一控制器。該電能儲存元件耦接至該電壓源,且具有一切換端點。該多個開關(guān)各自耦接于該電能儲存元件的該切換端點與一電路節(jié)點之間。該控制器系用以切換該多個開關(guān),使得該電能儲存元件的該切換端點被間歇性地耦接至該電路節(jié)點。該控制器控制該多個開關(guān)各自于不同時間點自一第一連接狀態(tài)切換為一第二連接狀態(tài)。

      根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例為一種切換式電壓轉(zhuǎn)換器。該切換式電壓轉(zhuǎn)換器耦接至一電壓源,且包含一電能儲存元件、一開關(guān)與一控制器。該電能儲存元件耦接至該電壓源,且具有一切換端點。該開關(guān)耦接于該電能儲存元件的該切換端點與一電路節(jié)點之間。該多個開關(guān)中每一個開關(guān)所具有的電流驅(qū)動能力各自低于一預(yù)設(shè)門檻值。該控制器系用以切換該開關(guān),使得該電能儲存元件的該切換端點被間歇性地耦接至該電路節(jié)點。該控制器輸出一展頻信號控制切換該開關(guān)的時間點。

      根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例為一種切換式電壓轉(zhuǎn)換器。該切換式電壓轉(zhuǎn)換器耦接至一電壓源,且包含一電能儲存元件、一開關(guān)、一控制器與一電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊(slew rate control module)。該電能儲存元件耦接至該電壓源,且具有一切換端點。該開關(guān)耦接于該電能儲存元件的該切換端點與一電路節(jié)點之間。該控制器針對該開關(guān)產(chǎn)生一控制信號。該電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊耦接于該開關(guān)和該控制器之間,并系用以根據(jù)該控制信號產(chǎn)生一開關(guān)控制信號,使得該開關(guān)控制信號相對于該控制信號具有較低的一電壓回轉(zhuǎn)率。該開關(guān)系受到該開關(guān)控制信號控制,使得該電能儲存元件的該切換端點被間歇性地耦接至該電路節(jié)點。

      關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點與精神可以藉由以下發(fā)明詳述及所附圖式得到進(jìn)一步的了解。

      附圖說明

      圖1A與圖1B分別呈現(xiàn)切換式升壓轉(zhuǎn)換器與切換式降壓轉(zhuǎn)換器的典型功能方塊圖。

      圖2A為根據(jù)本發(fā)明的一實施例中的切換式升壓轉(zhuǎn)換器的功能方塊圖;圖2B~圖2D為該升壓轉(zhuǎn)換器中的控制信號的時序圖范例。

      圖2E呈現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的電壓轉(zhuǎn)換器可采用的控制信號產(chǎn)生電路。

      圖3A~圖3C呈現(xiàn)數(shù)種展頻信號產(chǎn)生電路的功能方塊圖。

      圖4A為根據(jù)本發(fā)明的一實施例中的切換式升壓轉(zhuǎn)換器的功能方塊圖;圖4B為該升壓轉(zhuǎn)換器中的控制信號的時序圖范例。

      圖5呈現(xiàn)將本發(fā)明概念應(yīng)用于一切換式降壓轉(zhuǎn)換器的實施例。

      圖6為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中的切換式升壓轉(zhuǎn)換器的功能方塊圖。

      圖7A為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中的切換式升壓轉(zhuǎn)換器的功能方塊圖;圖7B為該升壓轉(zhuǎn)換器中的控制信號的時序圖范例。

      圖8A為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中的切換式升壓轉(zhuǎn)換器的功能方塊圖;圖8B為該升壓轉(zhuǎn)換器中的控制信號的時序圖范例。

      須說明的是,本發(fā)明的圖式包含呈現(xiàn)多種彼此關(guān)聯(lián)的功能性模塊的功能方塊圖。該等圖式并非細(xì)部電路圖,且其中的連接線僅用以表示信號流。功能性元件及/或程序間的多種互動關(guān)系不一定要透過直接的電性連結(jié)始能達(dá)成。此外,個別元件的功能不一定要如圖式中繪示的方式分配,且分布式的區(qū)塊不一定要以分布式的電子元件實現(xiàn)。

      符號說明

      VDD:轉(zhuǎn)換前電壓

      VOUT:轉(zhuǎn)換后電壓

      L:電感

      D:二極管

      S、S1、S2、S1A、S1B、S2A、S2B:開關(guān)

      110、120、910、920、930、940:負(fù)載

      200、400、600、700、800:升壓轉(zhuǎn)換器

      250、450、550、650、750、850:控制器

      TL、TC1、TC2:切換端點

      N1A、N1B、N:電路節(jié)點

      Ф1A、Ф1B、Ф2A、Ф2B、Ф:控制信號

      300A~300C:展頻信號產(chǎn)生電路

      310:N位計數(shù)器

      320:N位電容陣列

      330:施密特觸發(fā)器

      340:D型正反器

      350:運算放大器

      360:N位電阻陣列

      R、R1、R2、Rd:電阻

      Cd、C1、C2:電容

      M1~M3:晶體管

      500:降壓轉(zhuǎn)換器

      760、861、862:電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊

      Ф1’、Ф2’:開關(guān)控制信號

      IVDD、IGND:電流

      具體實施方式

      本發(fā)明的概念可應(yīng)用在各種切換式電壓轉(zhuǎn)換器。首先介紹將本發(fā)明概念應(yīng)用于切換式升壓轉(zhuǎn)換器的實施例。請參見圖2A中的功能方塊圖。升壓轉(zhuǎn)換器200包含一電能儲存元件(電感L)、一二極管D、多個開關(guān)(此實施例以兩個開關(guān)S1A、S1B為例)與一控制器250。升壓轉(zhuǎn)換器200接收來自外部的轉(zhuǎn)換前電壓VDD,并將升壓轉(zhuǎn)換后的電壓VOUT提供給負(fù)載910;轉(zhuǎn)換前電壓VDD可以是由電源供應(yīng)器提供,也可以是由一電源產(chǎn)生器所提供,更明確地說,該電源產(chǎn)生器可以是一模擬電路,舉例而言,該模擬電路為一低壓降穩(wěn)壓器(LDO)。

      電感L具有一切換端點TL。開關(guān)S1A耦接于切換端點TL與電路節(jié)點N1A之間,而開關(guān)S1B耦接于切換端點TL與電路節(jié)點N1B之間。由圖2A可看出,電路節(jié)點N1A、N1B實際上是同一個電路節(jié)點(以下稱電路節(jié)點N)。因此,開關(guān)S1A、S1B可被視為并聯(lián)耦接于電感L的切換端點TL與電路節(jié)點N之間。開關(guān)S1A、S1B受到控制器250產(chǎn)生的信號Ф1A、Ф1B控制??刂破?50負(fù)責(zé)切換開關(guān)S1A、S1B,使得電感L的切換端點TL被間歇性地耦接至電路節(jié)點N。

      假設(shè)控制信號Ф1A、Ф1B具有高電壓準(zhǔn)位時開關(guān)S1A、S1B為導(dǎo)通,控制信 號Ф1A、Ф1B具有低電壓準(zhǔn)位時開關(guān)S1A、S1B為不導(dǎo)通。圖2B呈現(xiàn)控制信號Ф1A、Ф1B的一種時序圖范例。于此范例中,控制信號Ф1A、Ф1B各自大致為一方波信號。在大部分的時間里,控制信號Ф1A、Ф1B同時為高電壓準(zhǔn)位或同時為低電壓準(zhǔn)位,但控制信號Ф1A每次的升緣出現(xiàn)時間點tr1A皆略早于控制信號Ф1B的升緣的出現(xiàn)時間點tr1B。換句話說,控制器250控制開關(guān)S1A、S1B各自于不同時間點自不導(dǎo)通狀態(tài)切換為導(dǎo)通狀態(tài)。另一方面,此范例中的控制信號Ф1A、Ф1B的降緣出現(xiàn)時間點則是大致相同(例如時間點tf)。

      一開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)被切換時,所引發(fā)的瞬間電流變化量的幅度正比于該開關(guān)的電流驅(qū)動能力。于一實施例中,為降低開關(guān)S1A、S1B被切換時出現(xiàn)的瞬間電流變化量,開關(guān)S1A、S1B所具有的電流驅(qū)動能力(亦即能協(xié)助切換端點TL充電/放電的電流大小)被設(shè)計為各自低于一預(yù)設(shè)門檻值。如本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知,愈大幅度的瞬間電流變化會帶來愈高強(qiáng)度的電磁干擾。實務(wù)上,該預(yù)設(shè)門檻值可由電路設(shè)計者依與電磁干擾測試相關(guān)的模擬結(jié)果或?qū)崉?wù)經(jīng)驗決定。舉例而言,若是利用金氧半場效晶體管來實現(xiàn)圖1A中的開關(guān)S及圖2A中的開關(guān)S1A、S1B,則開關(guān)S1A、S1B的晶體管尺寸可被設(shè)計為各自只有開關(guān)S的晶體管尺寸的一半,也就是令開關(guān)S1A、S1B各自的電流驅(qū)動能力只有開關(guān)S的一半,但開關(guān)S1A、S1B的電流驅(qū)動能力加成后大致與開關(guān)S相同。假設(shè)其他條件皆無差異,開關(guān)S1A進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)時為切換端點TL放電的瞬間電流的變化量顯然會低于開關(guān)S進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)造成的瞬間電流的變化量。稍后進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的開關(guān)S1B所帶來的瞬間電流變化量也會低于開關(guān)S進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)造成的瞬間電流變化量。藉由分散為切換端點TL放電的瞬間電流變化量,以避免出入升壓轉(zhuǎn)換器200的電流IVDD、IGND出現(xiàn)大幅度的電流量變化,切換開關(guān)S1A、S1B造成的電磁干擾便可被控制為小于切換圖1A中開關(guān)S的電流造成的電磁干擾。

      須說明的是,升壓轉(zhuǎn)換器200所包含的開關(guān)數(shù)量以及該等開關(guān)的電流驅(qū)動能力不以上述范例所述者為限。舉例而言,升壓轉(zhuǎn)換器200可改為包含三個開關(guān),且令每一個開關(guān)各自的電流驅(qū)動能力只有開關(guān)S的三分之一。再舉例而言,升壓轉(zhuǎn)換器200所包含的兩個開關(guān)S1A、S1B的晶體管尺寸可被各自設(shè)計為開關(guān)S的晶體管尺寸的五分之四與五分之一。易言之,該多個開關(guān)各自所具有的電 流驅(qū)動能力可以相同,也可以不同。只要所有開關(guān)的電流驅(qū)動能力加成后足以在某個時限內(nèi)完成移轉(zhuǎn)電感L中的電能,便可在不減損升壓轉(zhuǎn)換器200的升壓轉(zhuǎn)換效果的情況下降低電磁干擾。實務(wù)上,該時限與升壓轉(zhuǎn)換器200的設(shè)計規(guī)格中所要求的轉(zhuǎn)換后電壓穩(wěn)定度相關(guān)。此外,開關(guān)S1A、S1B的實現(xiàn)方式可以是單個晶體管或是兩個晶體管組成的傳輸門(transmission gate),但不限于金氧半場效晶體管。

      圖2C呈現(xiàn)控制信號Ф1A、Ф1B的另一種時序圖范例。于此范例中,控制信號Ф1A每次的降緣出現(xiàn)時間點tf1A皆略晚于控制信號Ф1B的降緣的出現(xiàn)時間點tf1B。換句話說,控制器250控制開關(guān)S1A、S1B各自于不同時間點自導(dǎo)通狀態(tài)切換為不導(dǎo)通狀態(tài)。另一方面,控制信號Ф1A、Ф1B的升緣的出現(xiàn)時間點則是大致相同(例如時間點tr)。相似地,這種電壓時序關(guān)系亦有助于分散開關(guān)S1A、S1B停止為切換端點TL放電的瞬間電流變化量,因而得以降低電磁干擾。

      圖2D呈現(xiàn)控制信號Ф1A、Ф1B的又一種時序圖范例。于此范例中,控制信號Ф1A每次的升緣出現(xiàn)時間點tr1A皆略早于控制信號Ф1B的升緣的出現(xiàn)時間點tr1B,且控制信號Ф1A每次的降緣出現(xiàn)時間點tf1A亦略早于控制信號Ф1B的降緣的出現(xiàn)時間點tf1B。相較于圖2B與圖2C呈現(xiàn)的控制信號,圖2D中分散不只一組狀態(tài)切換時間點的控制信號Ф1A、Ф1B,能更進(jìn)一步降低電磁干擾的程度。

      實務(wù)上,控制器250可包含一個如圖2E所示的由兩個反相器構(gòu)成的延遲元件。將控制信號Ф1A輸入該延遲元件所得到的延遲后控制信號即可做為控制信號Ф1B,兩信號間具有圖2D所示的時序關(guān)系。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可理解,另有多種電路組態(tài)和元件可在不背離本發(fā)明精神的情況下實現(xiàn)本發(fā)明的概念。須說明的是,該延遲元件貢獻(xiàn)的信號延遲量(也就是控制信號Ф1A、Ф1B的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時間差)可由電路設(shè)計者自行決定。

      于一實施例中,控制器250采用展頻(spread spectrum)信號做為控制信號Ф1A及/或控制信號Ф1B。圖3A呈現(xiàn)一種展頻信號產(chǎn)生電路的功能方塊圖。展頻信號產(chǎn)生電路300A包含一N位計數(shù)器310、一N位電容陣列320、一施密特觸發(fā)器(Schmitt trigger)330、一D型正反器340、一回授電阻R與一預(yù)設(shè)電容Cd。N為大于1的整數(shù)。N位計數(shù)器310根據(jù)一時鐘信號CLK持續(xù)改變一 計數(shù)結(jié)果(例如由0開始上數(shù)至2N-1后再重新開始自0上數(shù)),并輸出對應(yīng)該計數(shù)結(jié)果的N個控制電壓VSC1、VSC2、…、VSCN;每一個控制電壓可對應(yīng)于N個位中的一個位。該N個控制電壓系用以控制N位電容陣列320中的N個開關(guān)SC1、SC2、…、SCN,藉此令N位電容陣列320中的N個電容C1、C2、…、CN被選擇性地耦接至施密特觸發(fā)器330的輸入端,成為與預(yù)設(shè)電容Cd并聯(lián)的電容。耦接于施密特觸發(fā)器330的輸入端的所有電容統(tǒng)稱為一加總電容CSUM,其電容值會對應(yīng)于N位計數(shù)器310輸出的控制信號而變化。圖3A中施密特觸發(fā)器330與D型正反器340的連接方式會使得控制信號Ф1A成為一個持續(xù)振蕩的周期性方波信號,且控制信號Ф1A的周期長度正比于回授電阻R與加總電容CSUM的乘積。隨著加總電容CSUM的不斷變化,控制信號Ф1A的周期長度將于一可控制的范圍內(nèi)持續(xù)變化??刂菩盘枾?sub>1A因而成為一展頻信號。

      圖3B呈現(xiàn)另外一種展頻信號產(chǎn)生電路的功能方塊圖。展頻信號產(chǎn)生電路300B包含一N位計數(shù)器310、一N位電容陣列320、一D型正反器340、一運算放大器350、三個電阻(R、R1、R2)與一預(yù)設(shè)電容Cd。在圖3B中,N位計數(shù)器310與N位電容陣列320的運作方式可類似于圖3A所示者,于此不再贅述。藉由改變N位電容陣列320中各開關(guān)的連接方式,展頻信號產(chǎn)生電路300B所產(chǎn)生的信號Ф1A可為一展頻信號。舉例而言,假設(shè)預(yù)設(shè)電容Cd的電阻量等于CX,且N等于4,則電容C1、C2、C3、C4的電阻量可被設(shè)計為分別等于0.01CX、0.02CX、0.04CX、0.08CX。相較于電容陣列320中所有開關(guān)被切換為不導(dǎo)通的情況,當(dāng)電容陣列320中所有開關(guān)全部被切換為導(dǎo)通,施密特觸發(fā)器330的輸入端連接的總電容量會增多為1.15CX,因而使得控制信號Ф1A的周期長度增長,進(jìn)而令信號Ф1A的頻率降低。

      圖3C呈現(xiàn)又一種展頻信號產(chǎn)生電路的功能方塊圖。展頻信號產(chǎn)生電路300C包含一N位計數(shù)器310、一施密特觸發(fā)器330、一D型正反器340、一N位電阻陣列360、一預(yù)設(shè)電阻Rd與一預(yù)設(shè)電容Cd。相似地,N位計數(shù)器310可控制N位電阻陣列360中的N個開關(guān)SC1、SC2、…、SCN,藉此令N位電阻陣列360中的N個電阻R1、R2、…、RN各自選擇性地與預(yù)設(shè)電阻Rd串聯(lián)。藉由改變N位電阻陣列360中各開關(guān)的連接方式,展頻信號產(chǎn)生電路300C所產(chǎn)生的信號Ф1A可為一展頻信號。舉例而言,假設(shè)預(yù)設(shè)電阻Rd的電阻量等于RX, 且N等于4,則電阻R1、R2、R3、R4的電阻量可被設(shè)計為分別等于0.01RX、0.02RX、0.04RX、0.08RX。相較于電阻陣列360中所有開關(guān)被切換為導(dǎo)通的情況,當(dāng)電阻陣列360中所有開關(guān)全部被切換為不導(dǎo)通,施密特觸發(fā)器330的輸入端與輸出端之間的總電阻量會增加為1.15RX,因而使得控制信號Ф1A的周期長度增長,進(jìn)而令信號Ф1A的頻率降低。

      展頻信號本身具有能分散特定頻率的電磁干擾能量的特性。因此,使用展頻信號來控制切換開關(guān)S1A及/或開關(guān)S1B的時間點亦能達(dá)到降低高頻電磁干擾的效果。實務(wù)上,上述展頻信號的調(diào)變周期、跳頻規(guī)則或展頻量皆可不隨時間改變,也可皆隨時間改變。即使控制信號Ф1A及/或控制信號Ф1B為展頻信號而非固定周期的方波信號,只要開關(guān)S1A、S1B的電流驅(qū)動能力加成后足以在某個時限內(nèi)完成移轉(zhuǎn)電感L中的電能,便可在不減損升壓轉(zhuǎn)換器200的升壓轉(zhuǎn)換效果的情況下降低高頻電磁干擾。如本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可理解,另有多種產(chǎn)生展頻信號的方式,本發(fā)明的范疇不以此為限。

      圖4A呈現(xiàn)將本發(fā)明概念應(yīng)用于另一切換式升壓轉(zhuǎn)換器的實施例。升壓轉(zhuǎn)換器400包含兩個電能儲存元件(電容C1、C2)、三個以金氧半場效晶體管實現(xiàn)的二極管(M1、M2、M3)、四個開關(guān)(S1A、S1B、S2A、S2B)與一控制器450。升壓轉(zhuǎn)換器400接收來自外部的一轉(zhuǎn)換前電壓VDD,并輸出升壓轉(zhuǎn)換后的電壓VOUT。電容C1具有一切換端點TC1,電容C2具有一切換端點TC2。開關(guān)S1A、開關(guān)S1B各自耦接于電容C1的切換端點TC1與電壓供應(yīng)端VDD、接地端GND之間。開關(guān)S2A、開關(guān)S2B各自耦接于電容C2的切換端點TC2與電壓供應(yīng)端VDD、接地端GND之間。藉由改變切換端點TC1、切換端點TC2的連接對象來移轉(zhuǎn)電容C1、C2中的電能,轉(zhuǎn)換后電壓VOUT大致等于(3*VDD–3*Vth),其中Vth代表晶體管M1~M3的臨界電壓。

      于一實施例中,開關(guān)S1A、S1B、S2A、S2B受到控制器450產(chǎn)生的信號Ф1A、Ф1B、Ф2A、Ф2B控制,且各自的電流驅(qū)動能力皆低于一預(yù)設(shè)門檻值。假設(shè)控制信號Ф1A、Ф1B、Ф2A、Ф2B具有高電壓準(zhǔn)位時系將切換端點TC1、TC2連接至電壓供應(yīng)端VDD,假設(shè)控制信號Ф1A、Ф1B、Ф2A、Ф2B具有低電壓準(zhǔn)位時系將切換端點TC1、TC2連接至接地端GND。圖4B呈現(xiàn)控制信號Ф1A、Ф1B、Ф2A、Ф2B的一種時序圖范例。于此范例中,控制信號Ф1A每次的升緣出現(xiàn)時間點tr1A皆 略早于控制信號Ф1B的升緣的出現(xiàn)時間點tr1B,且控制信號Ф1A每次的降緣出現(xiàn)時間點tf1A亦略早于控制信號Ф1B的降緣的出現(xiàn)時間點tf1B。另一方面,控制信號Ф2A每次的升緣出現(xiàn)時間點tr2A也是略早于控制信號Ф2B的升緣的出現(xiàn)時間點tr2B,且控制信號Ф2A每次的降緣出現(xiàn)時間點tf2A略早于控制信號Ф2B的降緣的出現(xiàn)時間點tf2B。

      由圖4B可看出,提供給開關(guān)S1A、S1B的控制信號與提供給開關(guān)S2A、S2B的控制信號彼此大致為未重疊(non-overlapping)信號??刂破?50將開關(guān)S1A、S1B各自于不同時間點自第一連接狀態(tài)(連接至電壓供應(yīng)端VDD)切換為第二連接狀態(tài)(連接至接地端GND),亦控制開關(guān)S1A、S1B各自于不同時間點自第二連接狀態(tài)切換為第一連接狀態(tài)。相似地,控制器450將開關(guān)S2A、S2B各自于不同時間點自第一連接狀態(tài)(連接至電壓供應(yīng)端VDD)切換為第二連接狀態(tài)(連接至接地端GND),亦控制開關(guān)S2A、S2B各自于不同時間點自第二連接狀態(tài)切換為第一連接狀態(tài)。如前所述,開關(guān)S1A、S1B、S2A、S2B所具有的電流驅(qū)動能力可被設(shè)計為各自低于一預(yù)設(shè)門檻值。配合圖4B中的電壓時序關(guān)系,出入升壓轉(zhuǎn)換器400的電流IVDD、IGND的瞬間電流變化量可被有效降低,進(jìn)而得以減少因此產(chǎn)生的高頻電磁干擾。

      于另一實施例中,圖4A中的開關(guān)S1A、S1B、S2A、S2B受到控制器450產(chǎn)生的信號Ф1A、Ф1B、Ф2A、Ф2B控制,而信號Ф1A、Ф1B、Ф2A、Ф2B為控制器450所產(chǎn)生的展頻信號,控制器450可包括如圖3A所示的展頻信號產(chǎn)生電路,其余細(xì)節(jié)于此不再贅述。

      圖5呈現(xiàn)將本發(fā)明概念應(yīng)用于一切換式降壓轉(zhuǎn)換器的實施例。降壓轉(zhuǎn)換器500包含一電能儲存元件(電感L)、一二極管D、多個開關(guān)(此實施例以兩個開關(guān)S1A、S1B為例)與一控制器550。降壓轉(zhuǎn)換器500接收來自外部的一轉(zhuǎn)換前電壓VDD,并將降壓轉(zhuǎn)換后的電壓VOUT提供給負(fù)載920。電感L具有一切換端點TL。開關(guān)S1A、S1B并聯(lián)耦接于電感L的切換端點TL與電壓供應(yīng)端VDD之間。開關(guān)S1A、S1B受到控制器550產(chǎn)生的信號Ф1A、Ф1B控制??刂破?50負(fù)責(zé)切換開關(guān)S1A、S1B,使得電感L的切換端點TL被間歇性地耦接至電壓供應(yīng)端VDD。在大部分的時間里,開關(guān)S1A、S1B會同時為導(dǎo)通,或同時為不導(dǎo)通。與先前所介紹的升壓實施例相似,降壓轉(zhuǎn)換器500可藉由令開關(guān)S1A、S1B的電流驅(qū)動能 力各自低于一預(yù)設(shè)門檻值,并控制開關(guān)S1A、S1B各自于不同時間點自一第一連接狀態(tài)切換為一第二連接狀態(tài)來達(dá)成降低高頻電磁干擾的效果。

      須說明的是,升壓轉(zhuǎn)換器200、400與降壓轉(zhuǎn)換器500的基本運作原理(例如何以達(dá)成升壓、降壓效果)為本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知,于此不贅述。此外,本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可理解,先前在介紹升壓轉(zhuǎn)換器200時描述的各種操作變化(例如改變開關(guān)數(shù)量、改變各開關(guān)的驅(qū)動能力的比例分配、采用展頻信號…等等)亦可應(yīng)用至升壓轉(zhuǎn)換器400與降壓轉(zhuǎn)換器500,其細(xì)節(jié)不再贅述。

      根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例為一種直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器,其功能方塊圖系繪示于圖6。升壓轉(zhuǎn)換器600包含一電能儲存元件(電感L)、一開關(guān)S、一二極管D與一控制器650。電感L具有一切換端點TL。開關(guān)S耦接于切換端點TL與電路節(jié)點N之間??刂破?50系用以切換開關(guān)S,使得切換端點TL被間歇性地耦接至電路節(jié)點N??刂破?50根據(jù)一展頻信號Ф控制切換開關(guān)S的時間點。實務(wù)上,展頻信號Ф可利用例如圖3A~圖3C中的任一電路產(chǎn)生,但不以此為限。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可理解,前述利用展頻信號來降低高頻電磁干擾的發(fā)明概念可被應(yīng)用在各種切換式電壓轉(zhuǎn)換器的開關(guān),不以圖6呈現(xiàn)的升壓轉(zhuǎn)換器為限。

      根據(jù)本發(fā)明的另一具體實施例為一種直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器,其功能方塊圖系繪示于圖7A。升壓轉(zhuǎn)換器700包含一電能儲存元件(電感L)、一開關(guān)S、一二極管D、一控制器750與一電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊760。電感L具有一切換端點TL。開關(guān)S耦接于切換端點TL與電路節(jié)點N之間??刂破?50針對開關(guān)S產(chǎn)生一控制信號Ф,提供給電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊760。電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊760耦接于開關(guān)S和控制器750之間,并系用以根據(jù)控制信號Ф產(chǎn)生一開關(guān)控制信號Ф’,使得開關(guān)控制信號Ф’相對于控制信號Ф具有較低的一電壓回轉(zhuǎn)率(slew rate)。開關(guān)S系受到開關(guān)控制信號Ф’控制,使得電感L的切換端點TL被間歇性地耦接至電路節(jié)點N。

      假設(shè)開關(guān)控制信號Ф’具有高電壓準(zhǔn)位時開關(guān)S為導(dǎo)通,具有低電壓準(zhǔn)位時開關(guān)S為不導(dǎo)通。圖7B呈現(xiàn)控制信號Ф與開關(guān)控制信號Ф’的一種時序圖范例。于此范例中,控制信號Ф大致為一方波信號。在控制信號Ф的升緣出 現(xiàn)后(時間點tr),電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊760令開關(guān)控制信號Ф’開始由低電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換為高電壓準(zhǔn)位,并且在時間點tr’大致完成轉(zhuǎn)換。相似地,在控制信號Ф的降緣出現(xiàn)后(時間點tf),電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊760令開關(guān)控制信號Ф’開始由高電壓準(zhǔn)位轉(zhuǎn)換為低電壓準(zhǔn)位,并且在時間點tf’大致完成轉(zhuǎn)換。如本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者所知,相對于控制信號Ф,電壓回轉(zhuǎn)率較低的開關(guān)控制信號Ф’所具有的高頻成分較少。利用開關(guān)控制信號Ф’來控制開關(guān)S能夠降低切換開關(guān)S時產(chǎn)生的高頻電磁干擾。從另一個角度說,藉由降低電壓回轉(zhuǎn)率,用以改變開關(guān)S的連接狀態(tài)的電流被分散在較長的時間(例如時間點tr~時間點tr’)中出現(xiàn),因而得以避免會造成高頻電磁干擾的瞬間大幅度電流量變化。須說明的是,雖然在以上范例中電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊760對信號升緣與信號降緣皆有所調(diào)整,但即使僅降低對應(yīng)于信號升緣的電壓回轉(zhuǎn)率,或是僅降低對應(yīng)于信號降緣的電壓回轉(zhuǎn)率,亦能達(dá)到降低高頻電磁干擾的效果。

      圖8A為將上述調(diào)整電壓回轉(zhuǎn)率的概念應(yīng)用于另一切換式升壓轉(zhuǎn)換器的功能方塊圖,以進(jìn)一步呈現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明的電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊的詳細(xì)實施例。相似于圖4A中的升壓轉(zhuǎn)換器400,升壓轉(zhuǎn)換器800系藉由改變切換端點TC1、TC2的連接對象來移轉(zhuǎn)電容C1、C2中的電能來進(jìn)行升壓轉(zhuǎn)換,以令轉(zhuǎn)換后電壓VOUT大致等于(3*VDD–3*Vth)。于此實施例中,開關(guān)S1、S2各自為一個反相器,由兩個金氧半場效晶體管實現(xiàn)。當(dāng)信號Ф1’具有高電壓準(zhǔn)位時,開關(guān)S1將切換端點TC1連接至接地端GND;當(dāng)信號Ф1’具有低電壓準(zhǔn)位時,切換端點TC1則是被連接至電壓供應(yīng)端VDD。相似地,當(dāng)信號Ф2’具有高電壓準(zhǔn)位時,切換端點TC2被連接至接地端GND;當(dāng)信號Ф2’具有低電壓準(zhǔn)位時,切換端點TC2被連接至電壓供應(yīng)端VDD。

      電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊861耦接于開關(guān)S1和控制器850之間,并且包含由兩個金氧半場效晶體管實現(xiàn)的一個反相器以及一個電阻R1。電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊862耦接于開關(guān)S2和控制器850之間,并且包含由兩個金氧半場效晶體管實現(xiàn)的一個反相器以及一個電阻R2??刂破?50針對開關(guān)S1產(chǎn)生的控制信號Ф1被提供至電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊861??刂破?50針對開關(guān)S2產(chǎn)生的控制信號Ф2則是被提供至電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊862。因為包含反相器的關(guān)系,電壓回轉(zhuǎn)率控制模塊861、862輸出的開關(guān)控制信號Ф1’、Ф2’大致反相于控制信號 Ф1、Ф2。另一方面,因為電阻R1、R2的關(guān)系,開關(guān)控制信號Ф1’、Ф2’的電壓回轉(zhuǎn)率各自低于控制信號Ф1、Ф2。實務(wù)上,電路設(shè)計者可藉由適當(dāng)選擇電阻R1、R2的大小來調(diào)整信號Ф1’、Ф2’的電壓回轉(zhuǎn)率。圖8B呈現(xiàn)控制信號Ф1、Ф2、開關(guān)控制信號Ф1’、Ф2’以及切換端點TC1、TC2的電壓的一種時序圖范例。如先前所述,利用電壓回轉(zhuǎn)率較低的開關(guān)控制信號Ф1’、Ф2’來控制開關(guān)S1、S2,能夠降低切換開關(guān)S1、S2時產(chǎn)生的高頻電磁干擾。

      藉由以上較佳具體實施例的詳述,系希望能更加清楚描述本發(fā)明的特征與精神,而并非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本發(fā)明的范疇加以限制。相反地,其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排于本發(fā)明所欲申請的權(quán)利要求的范疇內(nèi)。

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