本發(fā)明涉及電路領(lǐng)域，更具體地涉及驅(qū)動(dòng)功率晶體管的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)：

近年來(lái)，隨著電子產(chǎn)業(yè)和集成電路的快速發(fā)展，各國(guó)對(duì)電子產(chǎn)品能耗的要求越來(lái)越高。在小功率電源轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域，雙極型功率晶體管(bipolar power transistor，本文簡(jiǎn)稱為功率晶體管)以良好的開(kāi)關(guān)特性和低廉的價(jià)格等優(yōu)勢(shì)得以廣泛使用。為了滿足能耗標(biāo)準(zhǔn)，期望降低用于功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路的損耗，提高該驅(qū)動(dòng)電路的效率。

在現(xiàn)有的用于功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路中，不管輸入電壓高低，都采用固定的驅(qū)動(dòng)電流來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體管。這樣，很容易出現(xiàn)以下情況：當(dāng)輸入電壓低時(shí)，由于導(dǎo)通時(shí)間長(zhǎng)，功率晶體管的輸入電荷過(guò)多，功率晶體管很容易進(jìn)入深度飽和的工作狀態(tài)，從而導(dǎo)致功率晶體管的關(guān)斷速度慢，關(guān)斷損耗上升；當(dāng)輸入電壓高時(shí)，由于導(dǎo)通時(shí)間短，功率晶體管的輸入電荷不足，功率晶體管未進(jìn)入飽和的工作狀態(tài)，從而導(dǎo)致功率晶體管的導(dǎo)通損耗上升。在上述兩種情況下，用于功率晶體管的驅(qū)動(dòng)電路的能耗都比較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于以上所述的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種新穎的驅(qū)動(dòng)功率晶體管的系統(tǒng)和方法。

根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供了一種驅(qū)動(dòng)功率晶體管的系統(tǒng)，包括：比例轉(zhuǎn)換電路，被配置為基于第一控制信號(hào)，利用第一轉(zhuǎn)換比例或第二轉(zhuǎn)換比例對(duì)表征流過(guò)功率晶體管的電流的第一表征信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，生成第二表征信號(hào)；以及開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路，被配置為基于第二控制信號(hào)、第三控制信號(hào)、以及第二表征信號(hào)，生成控制功率晶體管的導(dǎo)通與截止的驅(qū)動(dòng)信號(hào)， 其中比例轉(zhuǎn)換電路在第一控制信號(hào)處于高電平時(shí)利用第一轉(zhuǎn)換比例對(duì)第一表征信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并且在第一控制信號(hào)處于低電平時(shí)利用第二轉(zhuǎn)換比例對(duì)第一表征信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路在第二控制信號(hào)處于高電平且第三控制信號(hào)處于低電平的第一時(shí)段內(nèi)將第一預(yù)定信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在第二控制信號(hào)處于高電平且第三控制信號(hào)處于低電平的第二時(shí)段內(nèi)將第二表征信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并且在第二控制信號(hào)和第三控制信號(hào)均處于高電平時(shí)將第二預(yù)定信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，提供了一種驅(qū)動(dòng)功率晶體管的方法，包括：基于第一控制信號(hào)，利用第一轉(zhuǎn)換比例或第二轉(zhuǎn)換比例對(duì)表征流過(guò)功率晶體管的電流的第一表征信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，生成第二表征信號(hào)；以及基于第二控制信號(hào)、第三控制信號(hào)、以及第二表征信號(hào)，生成控制功率晶體管的導(dǎo)通與截止的驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其中在第一控制信號(hào)處于高電平時(shí)利用第一轉(zhuǎn)換比例對(duì)第一表征信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并且在第一控制信號(hào)處于低電平時(shí)利用第二轉(zhuǎn)換比例對(duì)第一表征信號(hào)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，在第二控制信號(hào)處于高電平且第三控制信號(hào)處于低電平的第一時(shí)段內(nèi)將第一預(yù)定信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)，在第二控制信號(hào)處于高電平且第三控制信號(hào)處于低電平的第二時(shí)段內(nèi)將第二表征信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)，并且在第二控制信號(hào)和第三控制信號(hào)均處于高電平時(shí)將第二預(yù)定信號(hào)作為驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的基于導(dǎo)通時(shí)間控制驅(qū)動(dòng)功率晶體管的系統(tǒng)和方法提供了一種以較低功率損耗來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體管的途徑。取決于實(shí)施例，還可以獲得一個(gè)或多個(gè)益處。參考下面的詳細(xì)描述和附圖可以全面地理解本發(fā)明的這些益處以及各個(gè)另外的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。

附圖說(shuō)明

下面，將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的特征、優(yōu)點(diǎn)和技術(shù)效果進(jìn)行描述，附圖中相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件，其中：

圖1是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的、基于導(dǎo)通時(shí)間控制驅(qū)動(dòng)功率晶體管的系統(tǒng)的框圖。

圖2是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的、基于導(dǎo)通時(shí)間控制驅(qū)動(dòng)功率晶 體管的方法的流程圖。

圖3是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的、示出基于導(dǎo)通時(shí)間控制驅(qū)動(dòng)功率晶體管的方法中各信號(hào)與功率晶體管的基極電流的時(shí)序關(guān)系的簡(jiǎn)化時(shí)序圖。

圖4是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的、示出基于導(dǎo)通時(shí)間控制驅(qū)動(dòng)功率晶體管的方法中各信號(hào)與功率晶體管的基極電流的另一時(shí)序關(guān)系的簡(jiǎn)化時(shí)序圖。

具體實(shí)施方式

下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的各個(gè)方面的特征和示例性實(shí)施例。在下面的詳細(xì)描述中，提出了許多具體細(xì)節(jié)，以便提供對(duì)本發(fā)明的全面理解。但是，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)很明顯的是，本發(fā)明可以在不需要這些具體細(xì)節(jié)中的一些細(xì)節(jié)的情況下實(shí)施。下面對(duì)實(shí)施例的描述僅僅是為了通過(guò)示出本發(fā)明的示例來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的更好的理解。本發(fā)明決不限于下面所提出的任何具體配置和算法，而是在不脫離本發(fā)明的精神的前提下覆蓋了元素、部件和算法的任何修改、替換和改進(jìn)。在附圖和下面的描述中，沒(méi)有示出公知的結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便避免對(duì)本發(fā)明造成不必要的模糊。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)功率晶體管的系統(tǒng)的框圖。如圖1所示，驅(qū)動(dòng)功率晶體管的系統(tǒng)100包括開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路102、采樣電壓K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104，并且還可選的包括脈沖生成電路101、偏置電流電路103、固定導(dǎo)通時(shí)間生成電路105。此外，系統(tǒng)還可以包括變壓器的原邊繞組電感106、功率晶體管107、以及采樣電阻108。

在一個(gè)示例中，功率晶體管107是雙極結(jié)型晶體管。在另一示例中，功率晶體管107是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(例如，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET))。在又另一示例中，功率晶體管107是絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。在各種示例中，偏置電路往往有若干元件，其中偏置電阻Re的電阻值可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)需要設(shè)置。

如圖1所示，脈沖生成電路101與開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路102、偏置電流電路103、K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104、以及功率晶體管107的基極相耦接。開(kāi)關(guān) 驅(qū)動(dòng)電路102與脈沖生成電路101、偏置電流電路103、K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104相耦接。偏置電流電路103與脈沖生成電路101、開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路102相耦接。K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104與脈沖生成電路101、開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路102、固定導(dǎo)通時(shí)間生成電路105、以及采樣電阻108相耦接。原邊繞組電感106的一端相耦接與功率晶體管107的集電極相耦接，另一端接開(kāi)關(guān)電源的輸入電壓V_IN。功率晶體管107的基極與脈沖生成電路101相耦接，集電極與原邊繞組電感106的一端相耦接，并且發(fā)射極與采樣電阻108的一端相耦接。采樣電阻108的一端與功率晶體管107的發(fā)射極相耦接，另一端接地。

根據(jù)一些實(shí)施例，開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路102接收來(lái)自脈沖生成電路101的脈寬調(diào)制(PWM)信號(hào)/預(yù)關(guān)斷信號(hào)(PWM_PRE)、來(lái)自偏置電流電路103的偏置電流信號(hào)I_B、以及來(lái)自K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104的電流信號(hào)I_CS。開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)電路102可以基于所接收的脈沖開(kāi)關(guān)信號(hào)PWM/PWM_PRE、偏置電流信號(hào)I_B和斜坡電流信號(hào)I_CS來(lái)生成基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE，以控制功率晶體管107的導(dǎo)通和截止。

采樣電阻106上對(duì)開(kāi)關(guān)電源進(jìn)行采樣，所得的電壓信號(hào)V_CS被輸入K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104。隨后K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104按不同K1/K2比例將電壓信號(hào)V_CS轉(zhuǎn)換成斜坡電流信號(hào)I_CS。具體地，如果脈沖開(kāi)關(guān)信號(hào)PWM的導(dǎo)通時(shí)間PWM_ON小于固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}(例如，導(dǎo)通時(shí)間閾值)，則K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104將V_CS按K1比例轉(zhuǎn)換成I_CS，并且如果脈沖開(kāi)關(guān)信號(hào)PWM的導(dǎo)通時(shí)間PWM_ON大于固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}，則K1/K2比例轉(zhuǎn)換電路104首先將V_CS以較大的K1比例轉(zhuǎn)換，隨后再進(jìn)一步以較小的K2比例轉(zhuǎn)換成I_CS，其中K1比例在大小上相較K2比例更大；并且其中固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}是可以根據(jù)實(shí)際情況預(yù)定義的閾值時(shí)間。

從而，當(dāng)系統(tǒng)輸入電壓V_IN高時(shí)，由于PWM導(dǎo)通時(shí)間PWM_ON比固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}短，使得V_CS能采用大的K1比例轉(zhuǎn)換成I_CS，較大I_CS能確?；鶚O輸入電荷足夠使功率晶體管107進(jìn)入飽和的工作狀態(tài)，減少功率晶體管導(dǎo)通損耗。而當(dāng)系統(tǒng)輸入電壓V_IN低時(shí)，由于PWM導(dǎo)通時(shí)間PWM_ON遠(yuǎn)比固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}長(zhǎng)，使得V_CS首先以較大的K1比例轉(zhuǎn) 換，隨后再進(jìn)一步以較小的K2比例轉(zhuǎn)換成I_CS，這樣轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的較小I_CS能保證基極輸入電荷不過(guò)剩，減少功率晶體管107的驅(qū)動(dòng)損耗。

圖2是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的、基于導(dǎo)通時(shí)間控制驅(qū)動(dòng)功率晶體管的方法的流程圖。該圖僅作為示例，其不應(yīng)該不適當(dāng)?shù)叵拗茩?quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解很多變化、替代和修改。

方法開(kāi)始于步驟201，接收脈寬調(diào)制PWM信號(hào)以及來(lái)自功率晶體管的發(fā)射極的采樣電壓信號(hào)V_CS；并且隨后在步驟202，將電壓信號(hào)V_CS轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)I_CS。其中如果PWM的導(dǎo)通時(shí)間PWM_ON小于導(dǎo)通時(shí)間閾值，則將電壓信號(hào)V_CS按K1比例轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)I_CS，并且如果PWM_ON大于導(dǎo)通時(shí)間閾值，則首先將電壓信號(hào)V_CS按K1比例轉(zhuǎn)換、隨后再進(jìn)一步以K2比例轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)I_CS，其中K1比例在大小上相較K2比例更大。

方法隨后前進(jìn)到步驟203，接收PWM信號(hào)、偏置電流信號(hào)I_B、以及電流信號(hào)I_CS，并且至少部分地基于電流信號(hào)I_CS來(lái)生成基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE以驅(qū)動(dòng)功率晶體管。

圖3是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的、示出基于導(dǎo)通時(shí)間控制驅(qū)動(dòng)功率晶體管的方法中各信號(hào)與功率晶體管的基極電流的時(shí)序關(guān)系的簡(jiǎn)化時(shí)序圖300。該圖僅作為示例，其不應(yīng)該不適當(dāng)?shù)叵拗茩?quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解很多變化、替代和修改。如圖3所示，波形301代表固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}，波形302代表隨時(shí)間變化的PWM信號(hào)，波形303代表隨時(shí)間變化的PWM_PRE信號(hào)，并且波形304代表隨時(shí)間變化的基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE。

圖3示出了當(dāng)系統(tǒng)輸入電壓V_IN高時(shí)的信號(hào)時(shí)序。其中對(duì)于PWM信號(hào)相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)通時(shí)間段和關(guān)斷時(shí)間段，導(dǎo)通時(shí)間段PWN_ON在時(shí)間t₀處開(kāi)始并且在時(shí)間t₃處結(jié)束。例如，t₀≤t₁≤t₂≤t₃≤t₄。其中，根據(jù)功率二極管的基極電流和發(fā)射極電流之間的關(guān)系，可以將由采樣電阻(例如，采樣電阻108)所采樣的電壓V_CS與基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE的關(guān)系表示如下：

Vcs＝(1+β)×I_BASE×R (公式1)

其中，β代表功率晶體管(例如，功率晶體管107)的靜態(tài)電流放大系 數(shù)，R代表感測(cè)電阻的電阻值。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在t₀處，PWM信號(hào)從邏輯低電平改變到邏輯高電平，作為響應(yīng)，基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE突變?yōu)楣潭〞r(shí)間寬度的脈沖驅(qū)動(dòng)電流I_pusle，例如，I_pusle的高電平持續(xù)時(shí)間可以為t₀～t₁。由于PWM導(dǎo)通時(shí)間PWN_ON(例如，t₀～t₃期間)比固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}(例如，t₀～t₄期間)短，將V_CS按K1比例轉(zhuǎn)換成I_CS。例如，電流信號(hào)I_CS被配置為按如下的公式確定：

I_CS＝V_CS×K1 (公式2)

其中，V_CS代表對(duì)開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)進(jìn)行采樣的采樣電阻(例如，采樣電阻108)所獲得的采樣電壓，K1為PWN_ON短于T_{ON_TH}時(shí)V_CS與I_CS的轉(zhuǎn)換比例，K1為相對(duì)較大的比例以確保使得功率晶體管進(jìn)入飽和狀態(tài)的足夠I_CS，從而降低導(dǎo)通損耗。如圖3所示，根據(jù)公式1-公式2，在t₁～t₂時(shí)間段期間，至少部分地基于電流信號(hào)I_CS的基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE線性增加。

在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)關(guān)斷信號(hào)PWM_PRE(例如，在t₂處)從邏輯低電平改變到邏輯高電平，首先降低基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE(例如，如t₂～t₃時(shí)間段所示)，然后當(dāng)PWM信號(hào)與預(yù)關(guān)斷信號(hào)PWM_PRE同時(shí)(例如，在t₃處)從邏輯低電平改變到邏輯高電平，將基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE降低為關(guān)斷功率晶體管，這種對(duì)基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE的分級(jí)降低有利于減少關(guān)斷損耗。

圖4是示出了根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施例的、示出基于導(dǎo)通時(shí)間控制驅(qū)動(dòng)功率晶體管的方法中各信號(hào)與功率晶體管的基極電流的另一時(shí)序關(guān)系的簡(jiǎn)化時(shí)序圖。該圖僅作為示例，其不應(yīng)該不適當(dāng)?shù)叵拗茩?quán)利要求的范圍。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解很多變化、替代和修改。如圖4所示，波形401代表固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}，波形402代表隨時(shí)間變化的PWM信號(hào)，波形403代表隨時(shí)間變化的PWM_PRE信號(hào)，并且波形404代表隨時(shí)間變化的基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE。

圖4示出了當(dāng)系統(tǒng)輸入電壓V_IN低時(shí)的信號(hào)時(shí)序。其中對(duì)于PWM信號(hào)相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)通時(shí)間段和關(guān)斷時(shí)間段，導(dǎo)通時(shí)間段PWN_ON在時(shí)間t₀處開(kāi)始并且在時(shí)間t₄處結(jié)束。例如，t₀≤t₁≤t₂≤t₃≤t₄。類似于圖3，由采樣 電阻(例如，采樣電阻108)所采樣的電壓V_CS與基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE的關(guān)系如公式1所示。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在t₀處，PWM信號(hào)從邏輯低電平改變到邏輯高電平，作為響應(yīng)，基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE突變?yōu)楣潭〞r(shí)間寬度的脈沖驅(qū)動(dòng)電流I_pusle，例如，I_pusle的高電平持續(xù)時(shí)間可以為t₀～t₁。由于PWM導(dǎo)通時(shí)間PWN_ON(例如，t₀～t₄期間)遠(yuǎn)長(zhǎng)于固定導(dǎo)通時(shí)間T_{ON_TH}(例如，t₀～t₂期間)，使得V_CS首先以較大的K1比例轉(zhuǎn)換，隨后再進(jìn)一步以較小的K2比例轉(zhuǎn)換成I_CS，這樣轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的較小I_CS能保證基極輸入電荷不過(guò)剩，減少功率晶體管的驅(qū)動(dòng)損耗。電流信號(hào)I_CS被配置為按如下的公式確定：

I_CS’＝V_CS×K1

I_CS＝I_CS’×K2 (公式3)其中，V_CS代表對(duì)開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)進(jìn)行采樣的采樣電阻(例如，采樣電阻108)所獲得的采樣電壓，K1為PWN_ON短于T_{ON_TH}時(shí)V_CS與I_CS的轉(zhuǎn)換比例，K2為PWN_ON長(zhǎng)于T_{ON_TH}時(shí)V_CS與I_CS的轉(zhuǎn)換比例，其中K2為相對(duì)較小的比例。根據(jù)公式1-公式2，在t₁～t₂時(shí)間段期間，至少部分地基于電流信號(hào)I_CS的基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE線性增加。隨后在t₂處(閾值信號(hào)T_{ON_TH}在該處從邏輯高電平改變到邏輯低電平)，中間信號(hào)I_CS’突降預(yù)定大小，并隨即以基于K2的較小速率線性增長(zhǎng)，如公式3所示。

在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)預(yù)關(guān)斷信號(hào)PWM_PRE(例如，在t₃處)從邏輯低電平改變到邏輯高電平，首先降低基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE(例如，如t₃～t₄時(shí)間段所示)。然后當(dāng)PWM信號(hào)與預(yù)關(guān)斷信號(hào)PWM_PRE同時(shí)(例如，在t₄處)從邏輯低電平改變到邏輯高電平，將基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE降低為關(guān)斷功率晶體管，這種對(duì)基極驅(qū)動(dòng)電流信號(hào)I_BASE的分級(jí)降低有利于減少關(guān)斷損耗。

本發(fā)明可以以其他的具體形式實(shí)現(xiàn)，而不脫離其精神和本質(zhì)特征。例如，特定實(shí)施例中所描述的算法可以被修改，而系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)并不脫離本發(fā)明的基本精神。因此，當(dāng)前的實(shí)施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求而非上述描述定義，并且，落入權(quán)利要求的含義和等同物的范圍內(nèi)的全部改變從而都被包括在本發(fā)明的 范圍之中。

本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的一些或所有組件單獨(dú)地和/或與至少另一組件相組合地是利用一個(gè)或多個(gè)軟件組件、一個(gè)或多個(gè)硬件組件和/或軟件與硬件組件的一種或多種組合來(lái)實(shí)現(xiàn)的。在另一示例中，本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中的一些或所有組件單獨(dú)地和/或與至少另一組件相組合地在一個(gè)或多個(gè)電路中實(shí)現(xiàn)，例如在一個(gè)或多個(gè)模擬電路和/或一個(gè)或多個(gè)數(shù)字電路中實(shí)現(xiàn)。在又一示例中，本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例和/或示例可以相組合。

雖然已描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員將明白，還存在于所述實(shí)施例等同的其它實(shí)施例。因此，將明白，本發(fā)明不受所示具體實(shí)施例的限制，而是僅由權(quán)利要求的范圍來(lái)限定。