本發(fā)明涉及一種基于EL圖像分析電池片局部暗電流的方法,屬于光伏組件技術領域。
背景技術:
傳統(tǒng)能源正在面臨著逐漸枯竭的危機,人類需要發(fā)展新的能源來代替?zhèn)鹘y(tǒng)能源。發(fā)展太陽能是解決環(huán)境問題和能源緊缺問題的主要途徑之一,如何有效的提高太陽能電池組件的效率至關重要。由于電池本身缺陷原因,使太陽能電池出現(xiàn)熱斑失效等現(xiàn)象。嚴重的熱斑現(xiàn)象會燒毀電池局部使得組件遭到永久性破壞,降低組件的使用壽命。
然而,在晶硅電池的生產過程中,由于環(huán)境或者水質的污染、加工過程中的應力作用以及操作失誤等原因,導致了不同種類的太陽能電池的缺陷。較為嚴重的缺陷會導致太陽能電池局部出現(xiàn)較大的反向漏電流,點狀漏電嚴重的情況下,會導致太陽電池“燒穿”,而具體研究缺陷對電池片的電流電壓的影響并未深入研究,因此,提供一種利用EL圖像研究電池片的局部暗電流,對進一步分析缺陷電池片對光伏組件失效機理非常重要。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術問題是克服現(xiàn)有技術的缺陷,提供一種基于EL圖像分析電池片局部暗電流的方法,實現(xiàn)利用EL圖像快速判別電池片局部電性能,提高光伏組件的可靠性,增加電池片壽命,減少相應的成本。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用的技術方案如下:
一種基于EL圖像分析電池片局部暗電流的方法,包括以下步驟:
1)選擇一片太陽電池片;
2)利用便攜式EL測試儀,在所選擇的太陽電池片上施加不同的電流I,得到不同電流I下的電致發(fā)光圖像,并計算相應電流I下的電致發(fā)光強度值ψ;
3)根據(jù)得到的不同電流I和相應電流下的電致發(fā)光強度ψ,擬合I和ψ的曲線,得到一次線性關系式ψ=aI+c中的系數(shù)a和c,進而得到I和ψ的關系式;
4)將太陽電池片平均分成9個區(qū)域,測量每個區(qū)域所對應的局部電致發(fā)光強度值ψi,i為位置索引,i=1,2,3,4,5,6,7,8,9;
5)利用步驟3)得到的關系式和步驟4)的局部電致發(fā)光強度ψi,計算得到ψi對應的Ii,Ii為i位置的局部電流;
6)利用公式以及步驟5)中得到的局部電流Ii得到I0i;
I0i為局部暗電流,V為輸入的電壓,為熱電壓,q為電荷電量,V為直流恒壓電源提供的電壓,T為測試溫度。
前述的步驟2)的電致發(fā)光強度值為通過PS處理得到的電致發(fā)光圖像的灰度值。
前述的步驟4)的局部電致發(fā)光強度值為通過PS處理得到的所屬區(qū)域的電致發(fā)光圖像的灰度值。
前述的測試溫度為300K。
本發(fā)明所達到的有益效果:
(1)利用EL圖像可快速分析出電池片局部的暗電流,根據(jù)EL圖像分選電池片,節(jié)省時間,結果可靠。
(2)通過EL圖像分析電池片局部暗電流的性能可以判別電池片的性能,降低組件失效的風險,從而提高組件的可靠性。
附圖說明
圖1是本發(fā)明方法流程圖;
圖2是電池片發(fā)光強度和電流的關系圖;
圖3是太陽電池片分成9個局部區(qū)域示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發(fā)明作進一步描述。以下實施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術方案,而不能以此來限制本發(fā)明的保護范圍。
本發(fā)明的基于EL圖像分析電池片局部暗電流的方法,如圖1所示,具體如下:
1)選擇一片太陽電池片。
2)利用便攜式EL測試儀,在所選擇的太陽電池片上施加不同的電流I,得到不同電流I下的電致發(fā)光圖像,并計算相應電流I下的電致發(fā)光強度ψ。電致發(fā)光強度近似為通過PS處理電致發(fā)光圖像得到的灰度值,包括以下步驟:2-1)確定要分析圖像的大??;2-2)建立同樣大小的灰度格式畫布;2-3)用魔棒或者快速選擇工具圈選要分析灰度的部位;2-4)計算灰度值。PS處理后的灰度值近似認為是EL圖像的電致發(fā)光強度值。
3)根據(jù)得到的不同電流I和相應電流下的電致發(fā)光強度ψ,擬合I和ψ的曲線,如圖2所示,得到一次線性關系式ψ=aI+c中的系數(shù)a和c,進而得到I和ψ的近似關系式。
4)將太陽電池片平均分成9個部分(如圖3),測量每個部分所對應的局部電致發(fā)光強度ψi,i為位置索引(i=1,2,3,4,5,6,7,8,9)。局部電致發(fā)光強度的計算方法與步驟2)中電致發(fā)光強度計算方法相同。
5)利用步驟3)得到的關系式和步驟4)的局部電致發(fā)光強度ψi,計算得到ψi對應的Ii,Ii為i位置的局部電流。
6)利用公式以及步驟5)中得到的局部電流Ii得到I0i。
Ii為局部電流,I0i為局部暗電流,V為直流恒壓電源提供的電壓,為熱電壓,q為電荷電量,T為測試溫度,令測試溫度為300K。當T=300k時,華氏度=32+攝氏度×1.8。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本技術領域的普通技術人員來說,在不脫離本發(fā)明技術原理的前提下,還可以做出若干改進和變形,這些改進和變形也應視為本發(fā)明的保護范圍。