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      保護(hù)逆變器的開關(guān)元件使其不過熱的方法及裝置的制作方法

      文檔序號(hào):7308937閱讀:565來源:國(guó)知局
      專利名稱:保護(hù)逆變器的開關(guān)元件使其不過熱的方法及裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及保護(hù)逆變器所用多個(gè)開關(guān)元件使其不過熱的裝置及方法,本發(fā)明裝置和方法可用于感應(yīng)電動(dòng)機(jī)的矢量控制系統(tǒng)。
      當(dāng)用逆變器驅(qū)動(dòng)感應(yīng)電動(dòng)機(jī)時(shí),在逆變器的一個(gè)臂上的上位或下位開關(guān)元件中的任一個(gè)就被通電(接通)。在以低頻驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)時(shí),在驅(qū)動(dòng)期間上位或下位開關(guān)元件中任一個(gè)的持續(xù)時(shí)間變得較長(zhǎng),從而開關(guān)元件之一的內(nèi)部結(jié)點(diǎn)上的溫度波動(dòng)也變大。詳細(xì)地說,如果開關(guān)元件之一的總損耗不變的話,當(dāng)逆變器的輸出頻率變低時(shí),元件內(nèi)部結(jié)點(diǎn)的溫度就變高。
      附圖5A和5B示出在感應(yīng)電動(dòng)機(jī)正常運(yùn)轉(zhuǎn)(較高頻率驅(qū)動(dòng))時(shí),逆變器輸出電流和開關(guān)元件的結(jié)溫的溫度波動(dòng)變化圖形。
      附圖5C和5D示出當(dāng)輸出電流的有效值與附圖5A情況相等時(shí),在低溫驅(qū)動(dòng)該電動(dòng)機(jī)期間逆變器輸出電流和開關(guān)元件接頭溫度波動(dòng)變化圖形。
      如從附圖5A至5D所示那樣,當(dāng)開關(guān)元件在接通狀態(tài)期間,開關(guān)元件的結(jié)溫變高;而當(dāng)開關(guān)元件在斷開狀態(tài)下,它的結(jié)溫就低。也就是說,每一個(gè)輸出頻率的半周期重復(fù)溫度的升降。在最高溫度和最低溫度之間的溫度差異就稱之為溫度波動(dòng)。就低頻驅(qū)動(dòng)如附圖5B所示來說,在一個(gè)開關(guān)元件被導(dǎo)通或斷開時(shí)間的持續(xù)時(shí)間變長(zhǎng),從而溫度波動(dòng)就變大。
      在1995年10月3日公開的日本專利申請(qǐng)第一次公開的特開平7-255166(平成7年)例示了一種逆變器所用功率開關(guān)元件的保護(hù)方法。
      在該公開的功率開關(guān)元件的保護(hù)方法中,從逆變器到負(fù)荷(感應(yīng)電動(dòng)機(jī))的輸出電流用電流檢測(cè)器來檢測(cè),以便保護(hù)開關(guān)元件不被過熱;還安裝了逆變器用的控制器,在該控制器中對(duì)每一個(gè)開關(guān)元件進(jìn)行通-斷控制,從而使輸出電流不超過預(yù)定電流值。
      例如,控制開關(guān)元件的通-斷所用的每一個(gè)開關(guān)元件的時(shí)間限制特性是當(dāng)時(shí)間過去時(shí)其輸出電流(負(fù)荷電流)變小,也就是說,通過對(duì)逆變器輸出電流大小和輸出電流持續(xù)時(shí)間的限制來保護(hù)每一個(gè)開關(guān)元件免受過熱。
      然而,在上述日本專利申請(qǐng)公開說明書中,由于僅檢測(cè)和讀出開關(guān)元件之一的輸出電流的大小和外殼溫度,因此,在如上述如此低的頻率和大電流驅(qū)動(dòng)情況下,不能充分地保護(hù)每一個(gè)開關(guān)元件免受過熱。
      本發(fā)明目的在于提供一種特別是在低頻驅(qū)動(dòng)期間,保護(hù)逆變器所用多個(gè)相同開關(guān)元件使其不過熱的方法和裝置。
      按照本發(fā)明的第一方面,提供一種保護(hù)逆變器所用多個(gè)相同半導(dǎo)體開關(guān)元件使其不過熱的方法,該方法包括如下步驟a)檢測(cè)所述逆變器的輸出電流;b)讀出輸出電流、逆變器的輸出電壓相位θ、逆變器的輸出頻率和控制因子a;c)在讀出的輸出電流、輸出電壓相位θ、輸出頻率和控制因子a的基礎(chǔ)上,導(dǎo)出開關(guān)元件之一的開關(guān)元件的結(jié)溫升高;d)確定該開關(guān)元件的溫度升高是否超過預(yù)定限值,在該預(yù)定限值之上時(shí),該相應(yīng)的開關(guān)元件之一會(huì)被過熱;e)減少向每個(gè)開關(guān)元件供應(yīng)的門信號(hào)的接通脈沖占空比,以便限制逆變器的輸出電流。
      按照本發(fā)明另一方面,提供一種保護(hù)逆變器所用的多個(gè)相同半導(dǎo)體元件使其不過熱的裝置,該裝置包括一個(gè)傳感器和一個(gè)逆變器脈寬調(diào)制控制器(inverter PWM controller),其中,所安裝的傳感器用于檢測(cè)所述逆變器的輸出電流;所安裝的逆變器PWM控制器用于讀出逆變器的輸出電流、逆變器的輸出電壓相位θ、逆變器的輸出頻率以及控制因子a,在讀出的輸出電流、輸出電壓相位θ、輸出頻率和控制因子的基礎(chǔ)上,導(dǎo)出開關(guān)元件的結(jié)溫升高,確定開關(guān)元件的溫度升高是否超過預(yù)定限值,在該預(yù)定限值之上時(shí),該相應(yīng)的開關(guān)元件之一會(huì)被過熱,并且減少向每個(gè)開關(guān)元件供應(yīng)的門信號(hào)的接通脈沖占空比,以便限制逆變器的輸出電流。
      以下就本發(fā)明最佳實(shí)施例并配合以附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明,以便對(duì)本發(fā)明有更好的了解附

      圖1示出通過PWM逆變器來控制三相感應(yīng)電動(dòng)機(jī)的本發(fā)明裝置實(shí)施例電路方塊圖,對(duì)該裝置可使用本發(fā)明保護(hù)逆變器中的多個(gè)開關(guān)元件使不被過熱的方法。
      附圖2A和2B是在一個(gè)開關(guān)元件(附圖1中的IGBT和FWD)中實(shí)際(功率)損耗(附圖2A)以及在附圖2A中的損耗的離散矩形波形(附圖2B)的釋義性時(shí)間圖。
      附圖3是解釋在示于附圖1的控制器中執(zhí)行本發(fā)明方法第一個(gè)最佳實(shí)施例的操作流程圖。
      附圖4是解釋在示于附圖1的控制器中執(zhí)行本發(fā)明方法第二個(gè)最佳實(shí)施例的操作流程圖。
      附圖5A、5B、5C、5D分別示出在以上背景技術(shù)一段所述正常驅(qū)動(dòng)和低頻驅(qū)動(dòng)期間的輸出電流和溫度波動(dòng)的波形圖。
      附圖1示出用于三相感應(yīng)電動(dòng)機(jī)(IM)的常用逆變器的電路方塊圖,對(duì)該逆變器可使用本發(fā)明保護(hù)逆變器中的多個(gè)開關(guān)元件使不被過熱的方法的第一個(gè)最佳實(shí)施例。
      如附圖1所示,標(biāo)號(hào)1表示三臂橋電路型的逆變器部分,每個(gè)臂具有二個(gè)串聯(lián)的開關(guān)元件IGBT(絕緣門脈沖二極晶體管),每個(gè)IGBT具有集電極端、發(fā)散極端和柵極端,每一個(gè)IGBT的集電極端連接到續(xù)流二極管(FWD)的陰極端,而其發(fā)散極端則連接到FWD的陽極端。
      在上位IGBT和下位IGBT之間的每一臂的接點(diǎn)與負(fù)載諸如感應(yīng)電動(dòng)機(jī)(IM)相連接。令人注意的是,一只電流檢測(cè)器(一般的電流互感器)2A插入三相電壓線(Vu),而另一只電流檢測(cè)器2B則插入另一三相電壓線(Vw)。
      市電交流電源與變換器(交流-直流變換)、功率發(fā)生電路和逆變器相連接。令人注意的是,就用于感應(yīng)電動(dòng)機(jī)(交流伺服電動(dòng)機(jī))的矢量控制系統(tǒng)而言,將脈沖編碼器(PP)聯(lián)結(jié)到感應(yīng)電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子上,用來檢測(cè)電動(dòng)機(jī)(IM)轉(zhuǎn)子的速度,而使脈沖編碼器(PP)聯(lián)結(jié)到PWM控制器3上,則用來計(jì)算差頻等。上述矢量控制系統(tǒng)是由美國(guó)專利5,341,081作過示范的(本發(fā)明在這里引其內(nèi)容作為參考)。
      將門驅(qū)動(dòng)(電路)插于控制器3和逆變器部分1的IGBT的每一個(gè)柵極端之間。(正弦波)PWM逆變器包括輸入端口、該輸入端口接受指令例如轉(zhuǎn)矩指令和電流檢測(cè)器2(2A、2B)所檢測(cè)過的電流輸出;中央處理機(jī)(CPU);存儲(chǔ)器;與門驅(qū)動(dòng)(電路)相連接的輸出端口以及母線。
      不管怎樣,必須降低功率損耗,以便抑制IGBT元件的溫度升高,因?yàn)?,在IGBT元件中的溫度升高是由于在IGBT元件中的功率損耗所造成。這個(gè)道理用于另一個(gè)半導(dǎo)體開關(guān)元件也同樣適用。
      到達(dá)第一個(gè)臂上位和下位IGBT元件以及與其連接的FWD的PWM信號(hào)的占空比變化如下IBGT元件ΔQ1/Δθ=1/2(1+asinθ)---(1),ΔQ4/Δθ=1/2(1-asinθ)---(2)。
      令人注意的是,在FWD部分中的PWM占空比變化與方程式(2)相同。
      在方程式(1)和(2)中,ΔQ1表示IGBT的第一個(gè)上位開關(guān)元件的接通時(shí)間間隔;Δθ表示三角形波周期的一個(gè)角度,該三角形波是PWM逆變器1的載波頻率,ΔQ4表示IGBT第一個(gè)下位開關(guān)元件的接通時(shí)間間隔,a表示控制因子(或調(diào)制速率),θ表示逆變器1的輸出電壓相位。
      其次,第一臂上位IGBT開關(guān)元件的功率損耗以及第一臂FWD開關(guān)元件的功率損耗表示如下(第一臂上位)IGBT部分PT=PTON+PTSW=Vce(sat)(@I)xIx(1+asinθ)/2+PTSW---(3),(∵PTSW=ωcAq/2π2·Im+ωcBq/8π·Im,其中,Im表示輸出電流(Iu或Iw)的最大值,ωc表示載波頻率,Aq和Bq表示損耗系數(shù)(相應(yīng)開關(guān)元件所固有的開關(guān)損耗參數(shù)),Vce(sat)(@I)表示當(dāng)輸出電流I流動(dòng)時(shí),在飽和區(qū)的集流極-發(fā)射極電壓,PT表示在IGBT部分的功率損耗,PTON表示IGBT部分的穩(wěn)態(tài)損耗。
      (第一臂上位)FWD部分PD=VF(@I)xIx(1-asinθ)/2 ---(4),其中,PD表示IGBT部分的損耗、VF(@I)表示當(dāng)輸出電流I流動(dòng)時(shí),在FWD部分的正向電壓降。
      令人注意的是,方程式(1)到(4)曾記述于1991年出版的日本“電加庫倫D”(Dengakuron D)(電工研究所)(T.IEE)的日本論文(會(huì)刊)、第III冊(cè)、第9號(hào)(741~750頁)(名稱是用于PWM逆變器的短路電流抑制和功率損耗評(píng)估的改進(jìn))。
      因此,確定功率損耗的變數(shù)(因子)包括開關(guān)元件特性、輸出電流I、控制因子a和輸出電壓相位θ(相應(yīng)于載波頻率ωc內(nèi)含項(xiàng))。
      參照附圖3,在步驟S1中,PWM控制器1的CPU讀出該輸出電流(Iu)、輸出頻率ωc、輸出電壓相位θ以及控制因子a。令人注意的是,只要輸出電流I從存儲(chǔ)器被讀出,就可讀出輸出頻率(fc或ωc)、輸出電壓相位θ和控制因子各參數(shù),因?yàn)榭刂破?計(jì)算這些參數(shù)來控制感應(yīng)電動(dòng)機(jī)的驅(qū)動(dòng)。這些計(jì)算已在美國(guó)專利5,581,452和5,341,081和5,481,173中例示過(各該專利的公布內(nèi)容在這里被引作參考)。
      在下一個(gè)步驟S2中,CPU使用方程式(1)到(4)計(jì)算IGBT元件和與其連接的FWD元件的功率損失并且計(jì)算IGBT元件和與其連接的FWD元件的溫度上升(例如第一臂上位IGBT和與其相連結(jié)的FWD元件)。在此實(shí)施例中,使功率損耗從示于附圖2A的半正弦形接近于示于附圖2B的矩形。
      也就是說,在半正弦形內(nèi)的每一個(gè)功率損耗在時(shí)間t0,t1,t2,…,ti…,tn是離散數(shù)字形式。每一功率損耗被計(jì)算為P0,P1,P2,…,Pi…,Pn。
      然后,以前存儲(chǔ)于PWM控制器1的存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中的瞬態(tài)熱阻抗被讀出,并使用下式(S)計(jì)算IGBT元件(和與其相連接的FWD元件)的溫度升高。Tn=&Sigma;i=1nPi{Zth(tn-ti-1)-Zth(tn-ti)}---(5)]]>其中Zth表示瞬態(tài)熱阻抗[℃/W]。
      因此,在開關(guān)元件中元件的結(jié)溫升高受損耗和在該損耗發(fā)生期間的時(shí)間持續(xù)的影響。
      令人注意的是,以逆變器1的載波頻率的周期(Tp)作為變數(shù),按照開關(guān)元件固有的熱阻曲線,開關(guān)元件的瞬時(shí)熱阻抗已經(jīng)被確定并被存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元之中。
      例如,假定載波頻率ωc(fc)是10KHz(Tp=100μS),①t;0~10msecΔZth(i)=Zth(tn-ti-1)-Zth(tn-ti)=0.837[(Tpxi)0.473-{Tpx(i-1)0.473}](℃/W).
      ②t;10.1msec~100msecΔZth(i)=Zth(tn-ti-1)-Zth(tn-ti)=0.606[(Tpxi)0.402-{Tpx(i-1)0.402}](℃/W).
      ③t;100.1msec~100msecΔZth(i)=Zth(tn-ti-1)-Zth(tn-ti)=0.319[(Tpxi)0.123-{Tpx(i-1)0.123}](℃/W).
      ④t;800msec或更多Zth(i)=0(℃/W)。令人注意的是,時(shí)間t①到④可從(Tpxi)值選擇。再令人注意的是,在瞬時(shí)熱阻抗中的上述各參數(shù)是用其產(chǎn)品號(hào)為MBB100AS6的IGBT開關(guān)元件導(dǎo)出的。
      其次,在步驟S4,CPU決定Tn是否大于Tnref,Tnref表示相應(yīng)開關(guān)元件在該值以上被過熱的預(yù)定極限值(IGBT開關(guān)元件或與其相連接的FWD元件的二者之一的結(jié)溫標(biāo)稱值)。
      也就是說,按照用于逆變器的開關(guān)元件導(dǎo)出Tn。如果第一上臂位置由IGBT和FWD所構(gòu)成,則Tn是IGBT開關(guān)元件的結(jié)溫。如果第一上臂位置僅由IGBT元件構(gòu)成,則Tn不需方程式(2)的計(jì)算即可導(dǎo)出。
      如果在步驟S4時(shí),Tn>Tnref,則程序進(jìn)入步驟S6,在該步驟中,達(dá)到IGBT元件的各柵極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)被取消或者每個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的空占比被降低(增加斷開比)。如果Tn≤Tnref(在步驟S4是“否”),則程序進(jìn)入步驟S5,在該步驟中,程序回到主程序中。
      因此,可精確地控制開關(guān)元件過熱的發(fā)生。
      特別是,在低頻驅(qū)動(dòng)期間易于發(fā)生的過熱可精確地被防止,因?yàn)橐褜WM逆變器1的輸出頻率考慮進(jìn)去了。令人注意的是,第一臂上位IGBT元件已被考慮進(jìn)去,因?yàn)橥瑯拥拈_關(guān)元件被連接到三臂逆變器1的其它臂位置上。
      第二個(gè)實(shí)施例附圖4是用于說明本發(fā)明第二個(gè)最佳實(shí)施例的操作流程圖。
      在第二實(shí)施例中,逆變器1的CPU已經(jīng)將結(jié)溫升高數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于在PWM控制器1中存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中,該數(shù)值是以輸出頻率ωc、輸出電壓相位θ和控制因子a作為變數(shù)而被確定出來的。
      然后,在負(fù)載如感應(yīng)電動(dòng)機(jī)(IM)的實(shí)際運(yùn)轉(zhuǎn)中,CPU在步驟S1讀出上述的各變數(shù),并且在步驟S7從存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元檢索元件接頭之一的溫度升高數(shù)據(jù)。
      這樣,在驅(qū)動(dòng)感應(yīng)電動(dòng)機(jī)期間、PWM控制器1的CPU為計(jì)算上述方程式的負(fù)載就可被解除了。
      令人注意的是,盡管當(dāng)時(shí)間的預(yù)定期間過去時(shí)附圖3和附圖4都能隨時(shí)作為中斷程序來執(zhí)行,但是使用上述變數(shù)[和方程式(3)和(5)(方程式(4)的使用依FWD元件是否被使用而定)]也可施行另外的執(zhí)行方法來決定開關(guān)元件是否過熱。
      而且,本發(fā)明還可應(yīng)用于具有功率MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)、GTR(閘門電路斷開晶閘管)的開關(guān)元件或其它半導(dǎo)體開關(guān)元件。
      權(quán)利要求
      1.保護(hù)逆變器所用的多個(gè)相同半導(dǎo)體開關(guān)元件使其不過熱的方法,其特征在于包括如下步驟a)檢測(cè)所述逆變器的輸出電流;b)讀出輸出電流、逆變器的輸出電壓相位θ、逆變器的輸出頻率以及控制因子a;c)在讀出的輸出電流、輸出電壓相位θ、輸出頻率和控制因子a的基礎(chǔ)上,導(dǎo)出開關(guān)元件之一的開關(guān)元件結(jié)溫升高;d)確定該開關(guān)元件的溫度升高是否超過預(yù)定限值,在該預(yù)定限值之上時(shí),該相應(yīng)的開關(guān)元件之一會(huì)被過熱;e)減少向每個(gè)開關(guān)元件供應(yīng)的門信號(hào)的接通脈沖占空比,以便限制逆變器的輸出電流。
      2.按照權(quán)利要求1所述保護(hù)逆變器所用的多個(gè)相同半導(dǎo)體開關(guān)元件使其不過熱的方法,其特征在于還包括如下步驟f)存儲(chǔ)相應(yīng)的一個(gè)元件的穩(wěn)態(tài)接通損耗、開關(guān)損耗、瞬態(tài)熱阻抗以及進(jìn)入控制器存儲(chǔ)器的每個(gè)相應(yīng)存儲(chǔ)單元之一的開關(guān)損耗計(jì)算公式;g)使用所存儲(chǔ)的開關(guān)損耗計(jì)算公式,從讀出的逆變器輸出電流、輸出電壓相位、控制因子、存儲(chǔ)的穩(wěn)態(tài)接通損耗以及所存儲(chǔ)的開關(guān)損耗來計(jì)算每一個(gè)開關(guān)元件的損耗,以及h)使用所存儲(chǔ)的瞬態(tài)熱阻抗和所計(jì)算的開關(guān)損耗來計(jì)算開關(guān)元件的結(jié)溫升高。
      3.按照權(quán)利要求1所述保護(hù)逆變器所用的多個(gè)相同半導(dǎo)體開關(guān)元件使其不過熱的方法,其特征在于所述步驟c)包括步驟f)和步驟g),其中,f)步驟是以輸出電流、輸出電壓相角、輸出頻率和控制因子為變量,存儲(chǔ)關(guān)于開關(guān)元件的結(jié)溫升高的多個(gè)數(shù)據(jù);g)步驟是從依照在步驟a)中所檢測(cè)的檢測(cè)輸出電流和讀出的輸出電壓相位、輸出頻率以及在步驟b)中所讀出的控制因子而存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)來檢索其數(shù)據(jù)中之一。
      4.按照權(quán)利要求2所述為保護(hù)逆變器所用的多個(gè)相同半導(dǎo)體開關(guān)元件使其不過熱的方法,其特征在于每一個(gè)所述開關(guān)元件由一個(gè)絕緣柵二極晶體管和與其交叉相連接的一個(gè)續(xù)流二極管所構(gòu)成,并且三相感應(yīng)電動(dòng)機(jī)連接到逆變器上。
      5.按照權(quán)利要求4所述保護(hù)用逆變器所用的多個(gè)相同半導(dǎo)體開關(guān)元件使其不過熱的方法,其特征在于所檢測(cè)的逆變器的輸出電流接近于矩形波形,每一個(gè)開關(guān)元件的開關(guān)損耗接近另一矩形波形,并且在時(shí)間為t時(shí),開關(guān)元件的結(jié)溫升高Tn以Tn=&Sigma;i=1nPi{Zth(tn-ti-1)-Zth(tn-ti)},]]>表示,其中,t=to,…ti…,tn,Zth表示瞬時(shí)熱阻抗。
      6.保護(hù)逆變器所用的多個(gè)相同半導(dǎo)體開關(guān)元件使其不過熱的裝置,其特征在于含有一個(gè)傳感器和一個(gè)逆變器脈寬調(diào)制控制器,其中所安裝的傳感器用于檢測(cè)所述逆變器的輸出電流;所安裝的逆變器脈寬調(diào)制控制器用于讀出逆變器的輸出電流、逆變器的輸出電壓相位θ、逆變器的輸出頻率以及控制因子a,在讀出的輸出電流、輸出電壓相位θ、輸出頻率和控制因子a的基礎(chǔ)上,導(dǎo)出開關(guān)元件的結(jié)溫升高,確定開關(guān)元件的溫度升高是否超過預(yù)定限值,在該預(yù)定限值之上時(shí),該相應(yīng)的開關(guān)元件之一會(huì)被過熱,并且減少向每個(gè)開關(guān)元件供應(yīng)的門信號(hào)的接通脈沖占空比,以便限制逆變器的輸出電流。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及保護(hù)PWM逆變器所用的多個(gè)相同半導(dǎo)體開關(guān)元件使其不過熱的方法及其設(shè)備。在逆變器的輸出頻率ωc、逆變器的輸出電流I和控制因子a的基礎(chǔ)上,導(dǎo)出開關(guān)元件之一的結(jié)溫升高T
      文檔編號(hào)H02H7/122GK1161588SQ9710198
      公開日1997年10月8日 申請(qǐng)日期1997年2月21日 優(yōu)先權(quán)日1996年2月21日
      發(fā)明者堤裕彥 申請(qǐng)人:株式會(huì)社明電舍
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