靜電保護電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及集成電路靜電保護電路設(shè)計領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用于射頻電路的靜 電保護電路設(shè)計。
【背景技術(shù)】
[0002] 集成電路在制造、裝配和測試或在最終的應(yīng)用中，很容易遭受到制造或者使用過 程中的產(chǎn)生的靜電放電（ESD)的影響，從而使得集成電路受到靜電的損傷。
[0003] 現(xiàn)有技術(shù)中對于射頻電路的靜電保護電路圖參考圖1所示，包括射頻電路1、輸入 /輸出引腳2、鉗位電路3,電源輸出端VDD以及接地端GND，當(dāng)輸入/輸出引腳2中產(chǎn)生正 的靜電脈沖時，電荷沿二極管4、電源輸出端VDD、鉗位電路3,釋放到接地端GND，電流方向 如圖1中實線的箭頭所示。當(dāng)輸入/輸出引腳2中產(chǎn)生負的靜電脈沖時，電荷沿二極管5 直接釋放到接地端GND，電流方向如圖中虛線箭頭所示。但是，圖1的靜電保護電路僅僅靠 二極管的方向擊穿很難提供較高的靜電保護能力。
[0004] 如圖2中所示，為了改進上述靜電保護電路，在電源輸出端VDD與接地端GND直接 串聯(lián)多個二極管實現(xiàn)更高功能的靜電保護能力。當(dāng)輸入/輸出引腳104中產(chǎn)生正的靜電脈 沖時，電荷沿二極管串結(jié)構(gòu)102、電源輸出端VDD、鉗位電路3,釋放到接地端GND，電流方向 如圖2中實線的箭頭所示。當(dāng)輸入/輸出引腳104中產(chǎn)生負的靜電脈沖時，電荷沿二極管 串結(jié)構(gòu)103直接釋放到接地端GND，電流方向如圖2中虛線箭頭所示。但是，圖2中的二極 管串結(jié)構(gòu)會在電路中引入較大的電阻。
[0005] 但是，圖1中的鉗位電路采用的Gate-coupleNMOS晶體管6、圖2中的鉗位電路采 用的襯底觸發(fā)（Sub-trigger)的鉗位電路觸發(fā)電壓高、響應(yīng)速度慢，而且導(dǎo)通均勾性不好， 都會對射頻電路的傳輸系數(shù)（powergain)和噪聲指數(shù)（noisefigure)產(chǎn)生影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于，提供一種響應(yīng)速度塊、觸發(fā)電壓低、導(dǎo)通均勻性更好的靜電保 護電路。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種靜電保護電路，包括：
[0008] 輸入/輸出引腳、電源輸出端、接地端、功能單元和鉗位電路，所述功能單元分別 與所述電源輸出端和所述接地端連接，所述鉗位電路與所述電源輸出端和所述接地端連 接，所述功能單元通過一節(jié)點與所述輸入/輸出引腳連接，所述節(jié)點與所述電源輸出端之 間串聯(lián)一第一單向?qū)▎卧?，所述?jié)點與所述接地端串聯(lián)一第二單向?qū)▎卧黄渲?br>[0009] 所述節(jié)點與所述電源輸出端之間還串聯(lián)一第一LC回路；或
[0010] 所述節(jié)點與所述接地端之間還串聯(lián)一第二LC回路；或
[0011] 所述節(jié)點與所述電源輸出端之間串聯(lián)所述第一LC回路，且所述節(jié)點與所述接地 端之間串聯(lián)所述第二LC回路。
[0012] 可選的，所述鉗位電路包括二極管串結(jié)構(gòu)、NM0S晶體管，所述二極管串結(jié)構(gòu)連接所 述電源輸出端和所述NMOS晶體管的柵極，所述NMOS晶體管的源極接所述電源輸出端，所述NM0S晶體管的漏極接所述接地端。
[0013] 可選的，所述NMOS晶體管的柵極和漏極之間串聯(lián)一第一電阻。
[0014] 可選的，所述二極管串結(jié)構(gòu)包括至少三個串聯(lián)的二極管。
[0015] 可選的，所述第一單向?qū)▎卧呢摌O連接所述電源輸出端。
[0016] 可選的，所述第一單向?qū)▎卧獮橐坏谝欢O管。
[0017] 可選的，所述第一LC回路包括一第一電感和一第一電容，所述第一電感和所述第 一電容并聯(lián)后連接于所述節(jié)點與所述第一單向單通單元的正極之間，
[0018] 可選的，所述第一電容為一第三二極管，所述第三二極管負極連接所述節(jié)點。
[0019] 可選的，所述第二單向?qū)▎卧恼龢O連接所述接地端。
[0020] 可選的，所述第二單向?qū)▎卧獮橐坏诙O管。
[0021] 可選的，所述第二LC回路包括一第二電感和一第二電容，所述第二電感和所述第 二電容并聯(lián)后連接于所述節(jié)點與所述第二單向單通單元的負極之間。
[0022] 可選的，所述第二電容為一第四二極管，所述第四二極管正極連接所述節(jié)點。
[0023] 可選的，其特征在于，所述功能單元為一具有一中心工作頻率的射頻電路。
[0024] 可選的，所述第一LC回路的諧振頻率與所述功能單元的中心工作頻率一致。
[0025] 可選的，所述第二LC回路的諧振頻率與所述功能單元的中心工作頻率一致。
[0026] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明靜電保護電路，當(dāng)輸入/輸出引腳上產(chǎn)生靜電脈沖時，靜 電脈沖通過第一LC回路、電源輸出端、鉗位電路釋放到接地端。采用的第一LC回路使得靜 電保護電路不會對功能單元的射頻信號產(chǎn)生影響。鉗位電路中采用NMOS晶體管以及寄生 NPN晶體管的雙觸發(fā)結(jié)構(gòu)，具有響應(yīng)速度塊、觸發(fā)電壓低的特點、而且導(dǎo)通均勻性更好。
【附圖說明】
[0027] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中射頻電路的一靜電保護電路的電路圖；
[0028] 圖2為現(xiàn)有技術(shù)中射頻電路的一改進的靜電保護電路的電路圖；
[0029] 圖3為本發(fā)明一實施例中靜電保護電路的電路圖。
【具體實施方式】
[0030] 下面將結(jié)合示意圖對本發(fā)明的靜電保護電路進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā) 明的優(yōu)選實施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā) 明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為 對本發(fā)明的限制。
[0031] 在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要 求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非 精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0032] 本發(fā)明的核心思想在于，當(dāng)輸入/輸出引腳上產(chǎn)生靜電脈沖時，靜電脈沖通過第 一LC回路、電源輸出端、鉗位電路釋放到接地端。采用的第一LC回路使得靜電保護電路不 會對功能單元的頻率信號產(chǎn)生影響。鉗位電路中采用NMOS