一種1字型多電平電路的調(diào)制方法和裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電力電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種1字型多電平電路的調(diào)制 方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有的1字形多電平電路大多是采用隔離驅(qū)動電路來驅(qū)動開關(guān)管。相較于隔離驅(qū) 動電路，自舉驅(qū)動電路不僅具有結(jié)構(gòu)簡單、體積小、效率高且廉價(jià)等優(yōu)點(diǎn)，還可以降低隔離 驅(qū)動電源的路數(shù)，進(jìn)而降低輔助電源的成本和體積，但受制于1字形多電平電路現(xiàn)有的調(diào) 制方法，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)往往會出現(xiàn)自舉驅(qū)動電荷不足的問題。
[0003] 以圖1所示的采用自舉驅(qū)動電路的1字型三電平電路為例，其中，開關(guān)管Q1、Q2是 串聯(lián)在正母線V+與橋臂中點(diǎn)A之間的高、低壓管，開關(guān)管Q3、Q4是串聯(lián)在橋臂中點(diǎn)A與負(fù) 母線V-之間的高、低壓管；V Hi、Vu為輔助電源；自舉電容CHi、Cu用于存儲驅(qū)動能量，在同 橋臂低壓管開通時(shí)充電（在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，該充電回路也可串入一定的限流電阻，圖1未示 出），并在同橋臂高壓管導(dǎo)通時(shí)提供驅(qū)動能量。1字型三電平電路現(xiàn)有的調(diào)制方法如圖2所 示：在調(diào)制波Vr正半周，Q1的驅(qū)動信號Vgl正弦調(diào)制、Q2的驅(qū)動信號Vg2置高、Q3的驅(qū)動 信號Vg3與Vgl互補(bǔ)、Q4的驅(qū)動信號Vg4置低；在調(diào)制波Vr負(fù)半周，Vgl置低、Vg4正弦調(diào) 制、Vg2與Vg4互補(bǔ)、Vg3置高。
[0004] 此調(diào)制方法具有通用性，不論純有功工況和無功工況均能適用，但是在調(diào)制波Vr 正半周Q3高頻工作Q4常關(guān)，自舉電容C u能量不足而無法驅(qū)動Q3,導(dǎo)致系統(tǒng)無法采用自舉 驅(qū)動。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，本發(fā)明提供一種1字型多電平電路的調(diào)制方法和裝置，以實(shí)現(xiàn)可靠的 自舉驅(qū)動。
[0006] 一種1字型多電平電路的調(diào)制方法，包括：
[0007] 在不影響調(diào)制結(jié)果以及保證1字型多電平電路中各開關(guān)管電壓應(yīng)力不超限的前 提下，關(guān)閉所述1字型多電平電路中處于空閑狀態(tài)的全部或部分無功通道，并在所述1字型 多電平電路的自舉驅(qū)動電荷低于預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在預(yù)設(shè)調(diào)制區(qū)間內(nèi)增加低壓管的導(dǎo)通時(shí)間。
[0008] 其中，當(dāng)所述1字型多電平電路為1字型三電平電路時(shí)，所述在不影響調(diào)制結(jié)果以 及保證1字型多電平電路中各開關(guān)管電壓應(yīng)力不超限的前提下，關(guān)閉所述1字型多電平電 路中處于空閑狀態(tài)的全部或部分無功通道，并在所述1字型多電平電路的自舉驅(qū)動電荷低 于預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在預(yù)設(shè)調(diào)制區(qū)間內(nèi)增加低壓管的導(dǎo)通時(shí)間，包括：
[0009] 在調(diào)制波的正半周：Vgl正弦調(diào)制；Vg2置高；Vg3在0 < Vr < VKQ處與Vgl互補(bǔ)、 在Vr > VKQ#置低；Vg4在Vr 全部或部分區(qū)間內(nèi)與Vgl互補(bǔ)，在其余處置低，以支 撐開關(guān)管Q4與Q3之間完成自舉驅(qū)動；
[0010] 在調(diào)制波的負(fù)半周：Vgl置低；Vg4正弦調(diào)制；Vg2與Vg4互補(bǔ)；Vg3置高；
[0011] 其中，Vgl~Vg4分別表示開關(guān)管Q1~Q4的驅(qū)動信號，開關(guān)管Q1、Q2是串聯(lián)在正 母線與橋臂中點(diǎn)之間的高、低壓管，開關(guān)管Q3、Q4是串聯(lián)在橋臂中點(diǎn)與負(fù)母線之間的高、低 壓管；Vr為調(diào)制波的幅值
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種1字型多電平電路的調(diào)制方法，其特征在于，包括： 在不影響調(diào)制結(jié)果以及保證1字型多電平電路中各開關(guān)管電壓應(yīng)力不超限的前提下， 關(guān)閉所述1字型多電平電路中處于空閑狀態(tài)的全部或部分無功通道，并在所述1字型多電 平電路的自舉驅(qū)動電荷低于預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在預(yù)設(shè)調(diào)制區(qū)間內(nèi)增加低壓管的導(dǎo)通時(shí)間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)制方法，其特征在于，當(dāng)所述1字型多電平電路為1字型三 電平電路時(shí)，所述在不影響調(diào)制結(jié)果以及保證1字型多電平電路中各開關(guān)管電壓應(yīng)力不超 限的前提下，關(guān)閉所述1字型多電平電路中處于空閑狀態(tài)的全部或部分無功通道，并在所 述1字型多電平電路的自舉驅(qū)動電荷低于預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在預(yù)設(shè)調(diào)制區(qū)間內(nèi)增加低壓管的導(dǎo) 通時(shí)間，包括： 在調(diào)制波的正半周：Vgl正弦調(diào)制；Vg2置高；Vg3在O < Vr彡Vkq處與Vgl互補(bǔ)、在 Vr>VKQ處置低；Vg4在Vr>VKQ的全部或部分區(qū)間內(nèi)與Vgl互補(bǔ)，在其余處置低，以支撐開關(guān) 管Q4與Q3之間完成自舉驅(qū)動； 在調(diào)制波的負(fù)半周：Vgl置低；Vg4正弦調(diào)制；Vg2與Vg4互補(bǔ)；Vg3置高； 其中，Vgl~Vg4分別表示開關(guān)管Ql~Q4的驅(qū)動信號，開關(guān)管Ql、Q2是串聯(lián)在正母 線與橋臂中點(diǎn)之間的高、低壓管，開關(guān)管Q3、Q4是串聯(lián)在橋臂中點(diǎn)與負(fù)母線之間的高、低壓 管；Vr為調(diào)制波的幅值；= M^J\-Ph^，M為調(diào)制比，PF為功率因數(shù)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的調(diào)制方法，其特征在于，當(dāng)所述1字型多電平電路為1字型三 電平電路時(shí)，所述在不影響調(diào)制結(jié)果以及保證1字型多電平電路中各開關(guān)管電壓應(yīng)力不超 限的前提下，關(guān)閉所述1字型多電平電路中處于空閑狀態(tài)的全部或部分無功通道，并在所 述1字型多電平電路的自舉驅(qū)動電荷低于預(yù)設(shè)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，在預(yù)設(shè)調(diào)制區(qū)間內(nèi)增加低壓管的導(dǎo) 通時(shí)間，包括： 在調(diào)制波的正半周：Vgl正弦調(diào)制；Vg2置高；Vg3在O < Vr彡Vkq處與Vgl互補(bǔ)、在 Vr>VKQ處置低；Vg4在Vr>VKQ的全部或部分區(qū)間內(nèi)與Vgl互補(bǔ)，在其余處置低，以支撐開關(guān) 管Q4與Q3之間完成自舉驅(qū)動； 在調(diào)制波的負(fù)半周：Vgl置低；Vg4正弦調(diào)制；Vg2在O < |Vr I彡Vkq處與Vg4互補(bǔ)、在 Vr I >VKQ處置低；Vg3置高； 其中，Vgl~Vg4分別表示開關(guān)管Ql~Q4的驅(qū)動信號，開關(guān)管Ql、Q2是串聯(lián)在正母 線與橋臂中點(diǎn)之間的高、低壓管，開關(guān)管Q3、Q4是串聯(lián)在橋臂中點(diǎn)與負(fù)母線之間的高、低壓 管；Vr為調(diào)制波的幅值；ΚΛΥ, = \lM-Pl·1 , M為調(diào)制比，PF為功率因數(shù)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的調(diào)制方法，其特征在于，所述Vg4在Vr>V KQ的全部或部 分區(qū)間內(nèi)與Vgl互補(bǔ)，在其余處置低，以支撐開關(guān)管Q4與Q3之間完成自舉驅(qū)動，包括： Vg4在Vr>VKQ處與Vgl互補(bǔ)，在O < Vr彡V KQ處置低。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的調(diào)制方法，其特征在于，所述Vg4在Vr>V KQ的全部或部 分區(qū)間內(nèi)與Vgl互補(bǔ)，在其余處置低，以支撐開關(guān)管Q4與Q3之間完成自舉驅(qū)動，包括： Vg4在V