一種提高pwm脈沖驅動能力的電路的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于PWM控制技術領域，特別涉及一種提高PWM脈沖驅動能力的電路。
【背景技術】
[0002]PWM(脈沖寬度調制)簡單的講是一種變頻技術之一，是靠改變脈沖寬度來控制輸出電壓，通過改變周期來控制其輸出頻率，應用范圍非常廣，但是，目前驅動芯片中的PWM驅動信號是直接連在MOS管上的，導致在驅動信號驅動gs寄生電容較大的MOS管時，導致Vgs驅動波形邊沿變緩，電源效率較低。

【發(fā)明內容】

[0003]為了克服上述現有技術的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種提高PWM脈沖驅動能力的電路，通過增加推挽MOS管用于提升PWM的驅動能力。
[0004]為了實現上述目的，本發(fā)明采用的技術方案是:
[0005]一種提高PWM脈沖驅動能力的電路，包括接PWM脈沖驅動芯片輸出端的P溝道MOS管Q3和N溝道MOS管Q2，P溝道MOS管Q3的柵極和N溝道MOS管Q2的柵極接PWM脈沖驅動芯片輸出端，P溝道MOS管Q3的漏極和N溝道MOS管Q2的源極相接并連接至N溝道MOS管Ql的柵極，P溝道MOS管Q3的源極接地，N溝道MOS管Q2的漏極接VCC，N溝道MOS管Ql的源極接地，漏極接變壓器的一次繞組，變壓器的二次繞組一端接二極管Dl的陽極，另一端通過電容Cl接地，二極管Dl的陰極接地。
[0006]與現有技術相比，本發(fā)明采用推挽MOS管的方式，增加了 PWM信號的驅動能力，提升了 MOS管的開通關閉速度，提升了效率。
【附圖說明】
[0007]圖1是本發(fā)明結構示意圖。
【具體實施方式】
[0008]下面結合附圖和實施例詳細說明本發(fā)明的實施方式。
[0009]如圖1所示，一種提高PWM脈沖驅動能力的電路，包括接PWM脈沖驅動芯片輸出端的P溝道MOS管Q3和N溝道MOS管Q2，P溝道MOS管Q3的柵極和N溝道MOS管Q2的柵極接PWM脈沖驅動芯片輸出端，P溝道MOS管Q3的漏極和N溝道MOS管Q2的源極相接并連接至N溝道MOS管Ql的柵極，P溝道MOS管Q3的源極接地，N溝道MOS管Q2的漏極接VCC，N溝道MOS管Ql的源極接地，漏極接變壓器的一次繞組，變壓器的二次繞組一端接二極管Dl的陽極，另一端通過電容CI接地，二極管DI的陰極接地。
[0010]本方案中當PWM脈沖為高時，Q2導通，電流快速通過Q2驅動Ql的柵極，MOS管導通，變壓器充電過程；
[0011]當PWM脈沖為低時，Q3快速導通，Ql柵極快速通過Q3回路放電，Ql截止，此時Tl的次級續(xù)流，保證Vout的穩(wěn)定。
[0012]Q2\Q3的瞬時電流比原來的驅動電路大很多，可以使用大電流來沖電放電，即增加了驅動能力。
【主權項】
1.一種提高PWM脈沖驅動能力的電路，其特征在于，包括接PWM脈沖驅動芯片輸出端的P溝道MOS管Q3和N溝道MOS管Q2，P溝道MOS管Q3的柵極和N溝道MOS管Q2的柵極接PWM脈沖驅動芯片輸出端，P溝道MOS管Q3的漏極和N溝道MOS管Q2的源極相接并連接至N溝道MOS管Ql的柵極，P溝道MOS管Q3的源極接地，N溝道MOS管Q2的漏極接VCC，N溝道MOS管Ql的源極接地，漏極接變壓器的一次繞組，變壓器的二次繞組一端接二極管Dl的陽極，另一端通過電容Cl接地，二極管Dl的陰極接地。
【專利摘要】一種提高PWM脈沖驅動能力的電路，包括接PWM脈沖驅動芯片輸出端的P溝道MOS管Q3和N溝道MOS管Q2，P溝道MOS管Q3的柵極和N溝道MOS管Q2的柵極接PWM脈沖驅動芯片輸出端，P溝道MOS管Q3的漏極和N溝道MOS管Q2的源極相接并連接至N溝道MOS管Q1的柵極，P溝道MOS管Q3的源極接地，N溝道MOS管Q2的漏極接VCC，N溝道MOS管Q1的源極接地，漏極接變壓器的一次繞組，變壓器的二次繞組一端接二極管D1的陽極，另一端通過電容C1接地，二極管D1的陰極接地，本發(fā)明采用推挽MOS管的方式，增加了PWM信號的驅動能力，提升了MOS管的開通關閉速度，提升了效率。
【IPC分類】H02M1-08
【公開號】CN104682675
【申請?zhí)枴緾N201310632693
【發(fā)明人】沈建榮
【申請人】西安國龍竹業(yè)科技有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2013年11月28日