r>[0074]狀態(tài)生成模塊82，用于根據(jù)監(jiān)測模塊81檢測到的充電端口的電壓生成充電端口的輸出狀態(tài)；
[0075]提示模塊83，用于如果狀態(tài)生成模塊82生成的輸出狀態(tài)為預(yù)設(shè)電平，提示智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)。
[0076]圖9示出了根據(jù)本發(fā)明又一示例性實(shí)施例的防反接處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖9所示，在上述圖8所示實(shí)施例的基礎(chǔ)上，在一實(shí)施例中，提示模塊83可包括:
[0077]第一確定子模塊831，用于確定智能可穿戴設(shè)備用于提示反接狀態(tài)的提示燈；
[0078]控制子模塊832，用于控制第一確定子模塊確定的提示燈以設(shè)定頻率閃爍，以提示智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)。
[0079]在一實(shí)施例中，提示模塊83還可包括:
[0080]信息生成子模塊833，用于生成智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)的提示信息；
[0081]發(fā)送子模塊834，用于通過智能可穿戴設(shè)備的通信接口向智能終端發(fā)送信息生成子模塊生成的提示信息。
[0082]關(guān)于上述實(shí)施例中的裝置，其中各個模塊執(zhí)行操作的具體方式已經(jīng)在有關(guān)該方法的實(shí)施例中進(jìn)行了詳細(xì)描述，此處將不做詳細(xì)闡述說明。
[0083]對應(yīng)于上述的防反接處理方法，本申請還提出了圖10所示的根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的智能可穿戴設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。請參考圖10，在硬件層面，該智能可穿戴設(shè)備包括處理器、內(nèi)部總線、通信端口、存儲器、傳感器，當(dāng)然還可能包括其他業(yè)務(wù)所需要的硬件，例如，電源管理芯片、充電芯片，以及充電端口等，上述實(shí)施例中的防反接電路連接在充電端口與充電芯片之間。處理器從存儲器中讀取對應(yīng)的計(jì)算機(jī)程序到內(nèi)存中然后運(yùn)行，在邏輯層面上形成上述圖8或者圖9所示的防反接處理裝置，防反接處理裝置可實(shí)現(xiàn)上述圖5-圖7A任一所述的防反接處理方法。此外，智能可穿戴設(shè)備還包括上述圖1-圖4任一所述的防反接電路，當(dāng)然，除了軟件實(shí)現(xiàn)方式之外，本申請并不排除其他實(shí)現(xiàn)方式，比如邏輯器件抑或軟硬件結(jié)合的方式等等，也就是說以下處理流程的執(zhí)行主體并不限定于各個邏輯單元，也可以是硬件或邏輯器件。
[0084]上述實(shí)施例可見，本申請的防反接電路可以實(shí)現(xiàn)智能可穿戴設(shè)備充電端口插入充電端口正負(fù)極反接時保護(hù)設(shè)備不被破壞的目的，確保智能可穿戴設(shè)備的供電電池能夠重復(fù)使用的目的；此外，該防反接電路具有成本低、功耗損耗小、占用面積極小的特點(diǎn)，從而可以確保智能可穿戴設(shè)備的硬件電路更加小型化。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，在本申請?zhí)峁┑姆婪唇与娐分校琈0S管與電阻的具體形式及型號不能形成對本申請的限制，對于M0S管與電阻的任何的修飾與更改均屬于本申請所限定的保護(hù)范圍。
[0085]本領(lǐng)域技術(shù)人員在考慮說明書及實(shí)踐這里公開的發(fā)明后，將容易想到本申請的其它實(shí)施方案。本申請旨在涵蓋本申請的任何變型、用途或者適應(yīng)性變化，這些變型、用途或者適應(yīng)性變化遵循本申請的一般性原理并包括本申請未公開的本技術(shù)領(lǐng)域中的公知常識或慣用技術(shù)手段。說明書和實(shí)施例僅被視為示例性的，本申請的真正范圍和精神由下面的權(quán)利要求指出。
[0086]還需要說明的是，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、商品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、商品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、商品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0087]以上所述僅為本申請的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本申請，凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種防反接電路，其特征在于，應(yīng)用在智能可穿戴設(shè)備上，所述電路包括:MOS管和電阻；其中， 所述MOS管的漏極和所述智能可穿戴設(shè)備的充電端口的一端電連接，所述MOS管的源極與所述智能可穿戴設(shè)備的供電端口電連接，所述MOS管的柵極和所述電阻的一端電連接，所述充電端口的另一端與所述供電端口的另一端通過導(dǎo)線電連接，所述電阻的另一端電連接在所述導(dǎo)線上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述MOS管為PMOS管，所述充電端口包括正極觸點(diǎn)和負(fù)極觸點(diǎn)；其中，所述PMOS管的漏極與所述正極觸點(diǎn)電連接，所述PMOS管的源極與所述供電端口的正極電連接，所述PMOS管的柵極與所述電阻的一端電連接，所述負(fù)極觸點(diǎn)與所述供電端口的負(fù)極通過所述導(dǎo)線電連接，所述電阻的另一端電連接在所述導(dǎo)線上。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，如果所述正極觸點(diǎn)和所述負(fù)極觸點(diǎn)反接插入充電器的接口，所述PMOS管的體效應(yīng)二極管反向截止，所述PMOS管的柵極電壓大于零，所述POMS管處于關(guān)斷狀態(tài)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述MOS管為NMOS管，所述充電端口包括正極觸點(diǎn)和負(fù)極觸點(diǎn)；其中，所述NMOS管的漏極與所述負(fù)極觸點(diǎn)電連接，所述NMOS管的源極與所述供電端口的負(fù)極電連接，所述NMOS管的柵極與所述電阻的一端電連接，所述正極觸點(diǎn)與所述供電端口的正極通過所述導(dǎo)線電連接，所述電阻的另一端電連接在所述導(dǎo)線上。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其特征在于，如果所述正極觸點(diǎn)和所述負(fù)極觸點(diǎn)反接插入充電器的接口，所述NMOS管的體效應(yīng)二極管反向截止，所述NMOS管處于關(guān)段狀態(tài)。6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的電路，其特征在于，所述電路還包括: 檢測電路，與所述充電端口電連接，用于檢測所述充電端口的電壓，根據(jù)所述充電端口的電壓生成所述充電端口的輸出狀態(tài)； 提示模塊，與所述檢測電路電連接，用于在所述檢測電路的輸出狀態(tài)為預(yù)設(shè)狀態(tài)時，提示所述充電端口處于反接狀態(tài)。7.一種防反接處理方法，其特征在于，應(yīng)用在智能可穿戴設(shè)備上，所述方法包括: 在所述智能可穿戴設(shè)備插入到充電器的接口時，檢測防反接電路中的充電端口的電壓，其中，所述防反接電路為上述權(quán)利要求1-6任一所述的防反接電路； 根據(jù)所述充電端口的電壓生成所述充電端口的輸出狀態(tài)； 如果所述輸出狀態(tài)為所述預(yù)設(shè)電平，提示所述智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀??τ ο8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述提示所述智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)，包括: 確定所述智能可穿戴設(shè)備用于提示所述反接狀態(tài)的提示燈； 控制所述提示燈以設(shè)定頻率閃爍，以提示所述智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀??τ ο9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述提示所述智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)，包括: 生成所述智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)的提示信息； 通過所述智能可穿戴設(shè)備的通信接口向智能終端發(fā)送所述提示信息。10.一種防反接處理裝置，其特征在于，應(yīng)用在智能可穿戴設(shè)備上，所述裝置包括: 檢測模塊，用于在所述智能可穿戴設(shè)備插入到充電器的接口時，檢測防反接電路中的充電端口的電壓，其中，所述防反接電路為上述權(quán)利要求1-6任一所述的防反接電路；狀態(tài)生成模塊，用于根據(jù)所述監(jiān)測模塊檢測到的所述充電端口的電壓生成所述充電端口的輸出狀態(tài)； 提示模塊，用于如果所述狀態(tài)生成模塊生成的所述輸出狀態(tài)為所述預(yù)設(shè)電平，提示所述智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述提示模塊包括: 第一確定子模塊，用于確定所述智能可穿戴設(shè)備用于提示所述反接狀態(tài)的提示燈；控制子模塊，用于控制所述第一確定子模塊確定的所述提示燈以設(shè)定頻率閃爍，以提示所述智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述提示模塊包括: 信息生成子模塊，用于生成所述智能可穿戴設(shè)備的充電接口處于反接狀態(tài)的提示信息; 發(fā)送子模塊，用于通過所述智能可穿戴設(shè)備的通信接口向智能終端發(fā)送所述信息生成子模塊生成的所述提示信息。13.一種智能可穿戴設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括: 處理器； 用于存儲處理器可執(zhí)行指令的存儲器； 和權(quán)利要求1-5中任一所述的防反接電路。
【專利摘要】本申請?zhí)峁┮环N防反接電路、防反接處理方法及裝置、智能可穿戴設(shè)備，該防反接電路可應(yīng)用在智能可穿戴設(shè)備上，電路包括：MOS管和電阻；其中，所述MOS管的漏極和所述智能可穿戴設(shè)備的充電端口的一端電連接，所述MOS管的源極與所述智能可穿戴設(shè)備的供電端口電連接，所述MOS管的柵極和所述電阻的一端電連接，所述充電端口的另一端與所述供電端口的另一端通過導(dǎo)線電連接，所述電阻的另一端電連接在所述導(dǎo)線上。本申請的技術(shù)方案具有低成本和超低面積的優(yōu)點(diǎn)，適用于智能可穿戴設(shè)備的小型化；當(dāng)充電器反接到充電端口后，MOS管可以關(guān)斷，因此可以保護(hù)智能可穿戴設(shè)備避免由于反接破壞智能可穿戴設(shè)備的內(nèi)部電路，提高智能可穿戴設(shè)備的使用壽命。
【IPC分類】H02H11/00, H02J7/00
【公開號】CN105262160
【申請?zhí)枴緾N201510633091
【發(fā)明人】黃為為, 呂百濤, 趙亞軍, 尹少偉
【申請人】安徽華米信息科技有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年9月29日