于本發(fā)明的直流斷路器設(shè)有若干個通流開關(guān)組，除卻連接換流器部的通流開關(guān)組，其余通流開關(guān)組皆可與直流線路連接，以對直流線路的故障進(jìn)行隔離，這使得直流斷路器的個數(shù)與直流線路的條數(shù)無關(guān)，只與直流端的個數(shù)相關(guān)，在多端直流輸電系統(tǒng)以及直流電網(wǎng)中，直流線路的條數(shù)將會是直流母線(直流端)個數(shù)的數(shù)倍，因此，輸電系統(tǒng)采用本發(fā)明的直流斷路器可以有效節(jié)省斷路器的個數(shù)，大大降低了造價成本。
【附圖說明】
[0024]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025]圖1為本發(fā)明一種【具體實施方式】所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為本發(fā)明一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的上通流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3為本發(fā)明一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的下通流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖4為本發(fā)明另一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的上通流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明另一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的下通流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6為本發(fā)明一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的斷流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖7為本發(fā)明一種實施方式所提供的另一種電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的斷流開關(guān)結(jié)構(gòu)不意圖；
[0032]圖8為本發(fā)明所提供的具有電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的四端直流輸電系統(tǒng)單線結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖9為圖8中A部分的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0034]本發(fā)明的核心是提供一種電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器，在直流電網(wǎng)中既能保證具有一定的故障隔離能力，又能降低直流電網(wǎng)的造價成本。
[0035]為了使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。
[0036]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的【具體實施方式】的限制。
[0037]請參考圖1，圖1為本發(fā)明一種【具體實施方式】所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器結(jié)構(gòu)示意圖。
[0038]在本發(fā)明的一種【具體實施方式】中，一種電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器，包括:斷流開關(guān)1、上直流母線2、下直流母線3和η個通流開關(guān)組4，n為不小于2的整數(shù)，其中，各通流開關(guān)組4的一端與上直流母線2連接，另一端與下直流母線3連接，各通流開關(guān)組4包括串聯(lián)的一上通流開關(guān)401和一下通流開關(guān)402，其中X個通流開關(guān)組的上通流開關(guān)401和下通流開關(guān)402的公共端與外界的換流器部5連接，其余通流開關(guān)組4的上通流開關(guān)401和下通流開關(guān)402的公共端與對應(yīng)的外接直流線路6連接，X為大于O且小于η的整數(shù);斷流開關(guān)I的一端與上直流母線2連接，另一端與下直流母線3連接。
[0039]其中，由于在直流系統(tǒng)中，一般一個換流器部接至一條直流母線，即一般一個換流器部連接一個斷路器，因此優(yōu)選與外界的換流器部連接的通流開關(guān)組的個數(shù)為I，即X為I。若電網(wǎng)中連接至某一電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的直流線路個數(shù)為y，則該電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器中的通流開關(guān)組的個數(shù)至少為y+l，y為大于O的整數(shù)。
[0040]在本實施方式中，如圖1所示，斷流開關(guān)上端和上直流母線連接，斷流開關(guān)的下端和下直流母線連接。各組通流開關(guān)組中的上通流開關(guān)的上端和上直流母線連接，上通流開關(guān)的下端和同組中的下通流開關(guān)的上端連接，該下通流開關(guān)的下端連接下直流母線。
[0041]當(dāng)直流線路發(fā)生故障時，首選需要確定需要進(jìn)行隔離的換流器部和/或直流線路，然后根據(jù)所有需要進(jìn)行隔離的換流器部和/或直流線路所對應(yīng)的上通流開關(guān)、下通流開關(guān)的預(yù)設(shè)通斷順序控制各通流開關(guān)的通斷，然后控制斷流開關(guān)，最后在確認(rèn)流過所有需要進(jìn)行隔離的換流器部和/或直流線路的電流為零后，控制對應(yīng)的下通流開關(guān)，完成故障隔離。
[0042]傳統(tǒng)的直流斷路器的安裝個數(shù)會隨著直流電網(wǎng)線路數(shù)目的增加而同比增加，這將導(dǎo)致電網(wǎng)的造價成倍增加。而由于本發(fā)明的直流斷路器設(shè)有若干個通流開關(guān)組，除卻連接換流器部的通流開關(guān)組，其余通流開關(guān)組皆可與直流線路連接，以對直流線路的故障進(jìn)行隔離，這使得直流斷路器的個數(shù)與直流線路的條數(shù)無關(guān)，只與直流端的個數(shù)相關(guān)，在多端直流輸電系統(tǒng)以及直流電網(wǎng)中，直流線路的條數(shù)將會是直流母線(直流端)個數(shù)的數(shù)倍，因此，輸電系統(tǒng)采用本發(fā)明的直流斷路器可以有效節(jié)省所需要安裝的斷路器的個數(shù)，大大降低了造價成本。
[0043]請參考圖2和圖3，圖2為本發(fā)明一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的上通流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的下通流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0044]在上述實施方式的基礎(chǔ)上，本發(fā)明一種實施方式中，上通流開關(guān)包括:第一隔離開關(guān)21、第一避雷器22和第一開關(guān)管部23，其中，第一隔離開關(guān)21的一端與上直流母線連接，第一隔離開關(guān)21的另一端與第一避雷器22的一端連接，第一避雷器22的另一端與下通流開關(guān)連接，第一開關(guān)管部23和第一避雷器22并聯(lián)。下通流開關(guān)包括:第二隔離開關(guān)24、第二避雷器25和第二開關(guān)管部26，其中，第二隔離開關(guān)24的一端與下直流母線連接，第二隔離開關(guān)24的另一端與第二避雷器25的一端連接，第二避雷器25的另一端與上通流開關(guān)連接，第二開關(guān)管部26和第二避雷器25并聯(lián)。在本實施方式中，一組通流開關(guān)組的上通流開關(guān)和下通流開關(guān)的公共端即第一避雷器和第二避雷器的公共連接端，也即是第一開關(guān)管部和第二開關(guān)管部的公共連接端。
[0045]在上述實施方式的基礎(chǔ)上，本發(fā)明一種實施方式中，第一開關(guān)管部包括第一IGBT組，第一 IGBT組包括m個依次串聯(lián)的第一 IGBT單元，第一 IGBT單元包括一個IGBT和一個與該IGBT反向并聯(lián)的二極管，S卩IGBT的集電極連接對應(yīng)的二極管的負(fù)極，IGBT的發(fā)射極連接對應(yīng)的二極管的正極。各IGBT的發(fā)射極和臨近的IGBT的集電極連接，其中，第一個第一IGBT單元的IGBT的集電極與第一隔離開關(guān)連接，第m個第一 IGBT單元的IGBT的發(fā)射極與下通流開關(guān)連接，m為大于O的整數(shù)，S卩m個第一IGBT單元順次連接，第一個第一IGBT單元的IGBT的發(fā)射極連接第二個第一 IGBT單元的IGBT的集電極，第二個第一 IGBT單元的IGBT的發(fā)射極連接第三個第一 IGBT單元的IGBT的集電極，直至第m-Ι個第一 IGBT單元的IGBT的發(fā)射極連接第m個第一 IGBT單元的IGBT的集電極，即第i個第一 IGBT單元的IGBT的集電極和第1-Ι個第一IGBT單元的IGBT的發(fā)射極連接，第i個第一 IGBT單元的IGBT的發(fā)射極和第i+Ι個第一 IGBT單元的IGBT的集電極連接，I〈 i <m且i為整數(shù)。
[0046]相應(yīng)地，第二開關(guān)管部包括第二 IGBT組，第二 IGBT組包括m個依次串聯(lián)的第二 IGBT單元，第二 IGBT單元包括一個IGBT和一個與該IGBT反向并聯(lián)的二極管，各IGBT的發(fā)射極和臨近的IGBT的集電極連接，其中，第一個第二IGBT單元的IGBT的集電極與上通流開關(guān)連接，第m個第二 IGBT單元的IGBT的發(fā)射極與第二隔離開關(guān)連接，m為大于O的整數(shù)。即m個第二IGBT單元順次連接，其中，第i個第二IGBT單元的IGBT的集電極和第1-Ι個第二IGBT單元的IGBT的發(fā)射極連接，第i個第二 IGBT單元的IGBT的發(fā)射極和第i+Ι個第二 IGBT單元的IGBT的集電極連接，I〈 i <m且i為整數(shù)。
[0047]請參考圖4和圖5，圖4為本發(fā)明另一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的上通流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明另一種實施方式所提供的電流轉(zhuǎn)移型高壓直流斷路器的下通流開關(guān)結(jié)構(gòu)示意圖。
[0048]在本發(fā)明的一種實施方式中，開關(guān)管部除卻采用IGBT組外，還可以采用半H橋組。其中，第一開關(guān)管部23包括第一半H橋組，第一半H橋組包括m個依次串聯(lián)的第一半H橋電路41，第一半H橋電路41包括第一電容411、第三IGBT單元412和第四IGBT單元413