一種電流抑制電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種電流抑制電路，尤其涉及一種雙重浪涌電流抑制電路。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，產(chǎn)品上電瞬間會(huì)產(chǎn)生浪涌電流，過大的浪涌電流嚴(yán)重影響了整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。嚴(yán)重情況將出現(xiàn)供電電源進(jìn)入過流保護(hù)狀態(tài)，電源反復(fù)開關(guān)等現(xiàn)象。
[0003]有鑒于此，如今迫切需要設(shè)計(jì)一種新的浪涌電流抑制電路，以便克服現(xiàn)有電子產(chǎn)品中產(chǎn)生的浪涌電流。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種電流抑制電路，可對(duì)浪涌電流有調(diào)節(jié)作用。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種電流抑制電路，所述電流抑制電路包括:第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開關(guān)電路、第二級(jí)浪涌電流抑制電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路分別與第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開關(guān)電路連接，第一級(jí)浪涌電流抑制電路與延時(shí)開關(guān)電路連接；
[0007]所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路用以抑制浪涌電流；所述延時(shí)開關(guān)電路與第二級(jí)浪涌電流抑制電路連接，第二級(jí)浪涌電流抑制電路在延時(shí)開關(guān)電路的輔助下，抑制浪涌電流；
[0008]所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路包括NTC熱敏電阻Rl ;延時(shí)開關(guān)電路包括并聯(lián)的第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2、第三電阻R3，形成RC電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路包括P-MOS管Ql ;
[0009]NTC熱敏電阻Rl的第一端連接電源，第二端連接P-MOS管Ql的源極；第一電容Cl的第一端、第二電容C2的第一端、第二電阻R2的第一端連接P-MOS管Ql的源極，第一電容Cl的第二端、第二電容C2的第二端、第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接P-MOS管Ql的柵極，第三電阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏極連接負(fù)載，P-MOS管Ql的漏極還連有第三電容C3的第一端，第三電容的第二端接地。
[0010]一種電流抑制電路，所述電流抑制電路包括:第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開關(guān)電路、第二級(jí)浪涌電流抑制電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路分別與第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開關(guān)電路連接，第一級(jí)浪涌電流抑制電路與延時(shí)開關(guān)電路連接；
[0011 ] 所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路用以抑制浪涌電流；
[0012]所述延時(shí)開關(guān)電路與第二級(jí)浪涌電流抑制電路連接，第二級(jí)浪涌電流抑制電路在延時(shí)開關(guān)電路的輔助下，抑制浪涌電流。
[0013]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路包括NTC熱敏電PlRlo
[0014]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，延時(shí)開關(guān)電路包括并聯(lián)的第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2、第三電阻R3，形成RC電路。
[0015]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，第二級(jí)浪涌電流抑制電路包括P-MOS管Q1。
[0016]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路包括NTC熱敏電阻Rl ;延時(shí)開關(guān)電路包括并聯(lián)的第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2、第三電阻R3，形成RC電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路包括P-MOS管Ql ；
[0017]NTC熱敏電阻Rl的第一端連接電源，第二端連接P-MOS管Ql的源極；第一電容Cl的第一端、第二電容C2的第一端、第二電阻R2的第一端連接P-MOS管Ql的源極，第一電容Cl的第二端、第二電容C2的第二端、第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接P-MOS管Ql的柵極，第三電阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏極連接負(fù)載。
[0018]作為本實(shí)用新型的一種優(yōu)選方案，所述延時(shí)開關(guān)電路包括并聯(lián)的第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2、第三電阻R3，形成RC電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路包括P-MOS管Ql ;
[0019]所述延時(shí)開關(guān)電路利用電容特性、RC電路充放電原理，MOS管的開啟電壓特性來實(shí)現(xiàn)；設(shè)備上電瞬間，利用第一電容Cl、第二電容C2不能突變的特性，輸入的電源電壓加載在P-MOS管Ql的G級(jí)，讓MOS管處于關(guān)閉狀態(tài)；緊接著，第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2組成充電電路，P-MOS管Ql上G級(jí)的電壓隨著RC上充電電壓值變化，當(dāng)VGS電壓由等效于電源輸入電壓，過渡到第一電阻Rl與第二電阻R2分壓后的電壓；P_M0S管Ql內(nèi)部等效導(dǎo)通電阻Rdson也由最大值慢慢減小，從而抑制浪涌電流的大小，對(duì)P-MOS管進(jìn)行延時(shí)開啟。
[0020]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型提出的電流抑制電路，對(duì)浪涌電流有調(diào)節(jié)作用，提高電子產(chǎn)品的可靠性。同時(shí)，考慮到目前環(huán)保趨勢(shì)，對(duì)用電設(shè)備功耗要求更加嚴(yán)苛，該電路在效率上具有優(yōu)勢(shì)。
[0021]雙重浪涌電流抑制，在特定的行業(yè)應(yīng)用中具有很好的優(yōu)勢(shì)。比如在石油，煤炭，化工等行業(yè)，電源的帶載能力相比民用的電源弱。所以，在上電過程中，對(duì)后端的浪涌抑制的要求更加嚴(yán)苛，以免導(dǎo)致電源進(jìn)入保護(hù)狀態(tài)。
[0022]目前在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中采用的浪涌設(shè)計(jì)均有局限性，本設(shè)計(jì)在以下方便具有優(yōu)勢(shì):1、解決了異常反復(fù)快速開關(guān)機(jī)浪涌設(shè)計(jì)失效；2、可配置，可通過調(diào)整RC的物料規(guī)格，來達(dá)到預(yù)期的效果；3、相比較其他浪涌設(shè)計(jì)，可使用較低規(guī)格的MOS管，降低成本。
【附圖說明】
[0023]圖1為本實(shí)用新型電流抑制電路的組成示意圖。
[0024]圖2為熱敏電阻產(chǎn)生的熱量與電阻阻值的示意圖。
[0025]圖3為MOS的內(nèi)阻與VGS電壓之間的特性示意圖。
[0026]圖4為本實(shí)用新型電流抑制電路的電路不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例。
[0028]實(shí)施例一
[0029]請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型揭示了一種電流抑制電路，所述電流抑制電路包括:第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開關(guān)電路、第二級(jí)浪涌電流抑制電路。第二級(jí)浪涌電流抑制電路分別與第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開關(guān)電路連接，第一級(jí)浪涌電流抑制電路與延時(shí)開關(guān)電路連接。
[0030]所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路設(shè)計(jì)基于高分子化合物的固有特性來實(shí)現(xiàn)；第二級(jí)浪涌電流抑制電路利用MOS管的特性，通過延時(shí)電路來控制MOS管G極電壓，調(diào)整MOS管內(nèi)部電阻，實(shí)現(xiàn)浪涌電流的抑制。