[0031]所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路包括NTC熱敏電阻Rl ;請(qǐng)參閱圖2，所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路利用NTC熱敏電阻的特性；NTC熱敏電阻具有電阻值隨溫度的升高而降低的特性；在電路設(shè)計(jì)中，將NTC熱敏電阻串入電源輸入回路中；設(shè)備剛上電瞬間，NTC熱敏電阻的本身阻值能抑制浪涌電流，在抑制浪涌電流完成以后，持續(xù)的電流流過(guò)熱敏電阻產(chǎn)生熱量，從而熱敏電阻電阻將變小，降低熱敏電阻上的功耗。
[0032]請(qǐng)參閱圖4，延時(shí)開(kāi)關(guān)電路包括并聯(lián)的第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2、第三電阻R3，形成RC電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路包括P-MOS管Ql。
[0033]具體地，NTC熱敏電阻Rl的第一端連接電源，第二端連接P-MOS管Ql的源極；第一電容Cl的第一端、第二電容C2的第一端、第二電阻R2的第一端連接P-MOS管Ql的源極，第一電容Cl的第二端、第二電容C2的第二端、第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接P-MOS管Ql的柵極，第三電阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏極連接負(fù)載，P-MOS管Ql的漏極還連有第三電容C3的第一端，第三電容的第二端接地。
[0034]所述延時(shí)開(kāi)關(guān)電路利用電容特性、RC電路充放電原理，MOS管的開(kāi)啟電壓特性來(lái)實(shí)現(xiàn)。設(shè)備上電瞬間，利用第一電容Cl、第二電容C2不能突變的特性，輸入的電源電壓加載在P-MOS管Ql的G級(jí)，讓MOS管處于關(guān)閉狀態(tài)；緊接著，第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2組成充電電路，P-MOS管Ql上G級(jí)的電壓隨著RC上充電電壓值變化，當(dāng)VGS電壓由等效于電源輸入電壓，過(guò)渡到第一電阻Rl與第二電阻R2分壓后的電壓；P_M0S管Ql內(nèi)部等效導(dǎo)通電阻Rdson也由最大值慢慢減小，從而抑制浪涌電流的大小，對(duì)P-MOS管進(jìn)行延時(shí)開(kāi)啟。
[0035]請(qǐng)參閱圖3，所述第二級(jí)浪涌電流抑制電路通過(guò)延時(shí)開(kāi)關(guān)電路，以及利用MOS的內(nèi)阻與Ves電壓之間的特性來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0036]綜上所述，本實(shí)用新型提出的電流抑制電路，對(duì)浪涌電流有調(diào)節(jié)作用，提高電子產(chǎn)品的可靠性。同時(shí)，考慮到目前環(huán)保趨勢(shì)，對(duì)用電設(shè)備功耗要求更加嚴(yán)苛，該電路在效率上具有優(yōu)勢(shì)。
[0037]這里本實(shí)用新型的描述和應(yīng)用是說(shuō)明性的，并非想將本實(shí)用新型的范圍限制在上述實(shí)施例中。這里所披露的實(shí)施例的變形和改變是可能的，對(duì)于那些本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)實(shí)施例的替換和等效的各種部件是公知的。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該清楚的是，在不脫離本實(shí)用新型的精神或本質(zhì)特征的情況下，本實(shí)用新型可以以其它形式、結(jié)構(gòu)、布置、比例，以及用其它組件、材料和部件來(lái)實(shí)現(xiàn)。在不脫離本實(shí)用新型范圍和精神的情況下，可以對(duì)這里所披露的實(shí)施例進(jìn)行其它變形和改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種電流抑制電路，其特征在于，所述電流抑制電路包括:第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開(kāi)關(guān)電路、第二級(jí)浪涌電流抑制電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路分別與第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開(kāi)關(guān)電路連接，第一級(jí)浪涌電流抑制電路與延時(shí)開(kāi)關(guān)電路連接； 所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路用以抑制浪涌電流；第二級(jí)浪涌電流抑制電路在延時(shí)開(kāi)關(guān)電路的輔助下，抑制浪涌電流； 所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路包括NTC熱敏電阻Rl ;延時(shí)開(kāi)關(guān)電路包括并聯(lián)的第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2、第三電阻R3，形成RC電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路包括P-MOS 管 Ql ; NTC熱敏電阻Rl的第一端連接電源，第二端連接P-MOS管Ql的源極；第一電容Cl的第一端、第二電容C2的第一端、第二電阻R2的第一端連接P-MOS管Ql的源極，第一電容Cl的第二端、第二電容C2的第二端、第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接P-MOS管Ql的柵極，第三電阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏極連接負(fù)載，P-MOS管Ql的漏極還連有第三電容C3的第一端，第三電容的第二端接地。
2.一種電流抑制電路，其特征在于，所述電流抑制電路包括:第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開(kāi)關(guān)電路、第二級(jí)浪涌電流抑制電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路分別與第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開(kāi)關(guān)電路連接，第一級(jí)浪涌電流抑制電路與延時(shí)開(kāi)關(guān)電路連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流抑制電路，其特征在于: 所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路包括NTC熱敏電阻Rl。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流抑制電路，其特征在于: 延時(shí)開(kāi)關(guān)電路包括并聯(lián)的第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2、第三電阻R3，形成RC電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流抑制電路，其特征在于: 第二級(jí)浪涌電流抑制電路包括P-MOS管Ql。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電流抑制電路，其特征在于: 所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路包括NTC熱敏電阻Rl ;延時(shí)開(kāi)關(guān)電路包括并聯(lián)的第一電容Cl、第二電容C2、第二電阻R2、第三電阻R3，形成RC電路；第二級(jí)浪涌電流抑制電路包括P-MOS 管 Ql ; NTC熱敏電阻Rl的第一端連接電源，第二端連接P-MOS管Ql的源極；第一電容Cl的第一端、第二電容C2的第一端、第二電阻R2的第一端連接P-MOS管Ql的源極，第一電容Cl的第二端、第二電容C2的第二端、第二電阻R2的第二端、第三電阻R3的第一端連接P-MOS管Ql的柵極，第三電阻的第二端接地；P_M0S管Ql的漏極連接負(fù)載。
【專利摘要】本實(shí)用新型揭示了一種電流抑制電路，包括第一級(jí)浪涌電流抑制電路、延時(shí)開(kāi)關(guān)電路、第二級(jí)浪涌電流抑制電路；所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路用以抑制浪涌電流；所述延時(shí)開(kāi)關(guān)電路與第二級(jí)浪涌電流抑制電路連接，第二級(jí)浪涌電流抑制電路在延時(shí)開(kāi)關(guān)電路的輔助下，抑制浪涌電流。所述第一級(jí)浪涌電流抑制電路設(shè)計(jì)基于高分子化合物的固有特性來(lái)實(shí)現(xiàn)；第二級(jí)浪涌電流抑制電路利用MOS管的特性，通過(guò)延時(shí)電路來(lái)控制MOS管G極電壓，調(diào)整MOS管內(nèi)部電阻，實(shí)現(xiàn)浪涌電流的抑制。本實(shí)用新型提出的電流抑制電路，對(duì)浪涌電流有調(diào)節(jié)作用，提高電子產(chǎn)品的可靠性。同時(shí)，考慮到目前環(huán)保趨勢(shì)，對(duì)用電設(shè)備功耗要求更加嚴(yán)苛，該電路在效率上具有優(yōu)勢(shì)。
【IPC分類】H02H9-02
【公開(kāi)號(hào)】CN204376395
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201420852016
【發(fā)明人】鄒紅光
【申請(qǐng)人】引通通訊科技（上海）有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月3日
【申請(qǐng)日】2014年12月24日