一種光控多晶硅還原爐電源的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及多晶硅還原電源領(lǐng)域，特別是涉及一種光控多晶硅還原爐電源。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步，多晶硅還原電源技術(shù)取得了長(zhǎng)足的發(fā)展，目前，國(guó)內(nèi)外多晶硅還原電源技術(shù)主要采用兩種方案，一是采用直流系統(tǒng)，一是采用交流系統(tǒng)。由于直流系統(tǒng)中整流和斬波等環(huán)節(jié)較為繁瑣，且設(shè)備眾多，投資較大，因而很少企業(yè)選擇該方案。
[0003]現(xiàn)如今，大多數(shù)企業(yè)選用的是交流系統(tǒng)，還原電源采用了多組電壓等級(jí)，疊層控制輸出。常規(guī)的還原電源采用了大量的可控娃，如圖1所示，該電源采用PWM移相控制可控硅的方法，為了調(diào)節(jié)可控硅的觸發(fā)角，由控制系統(tǒng)中的PLC與功率控制器通訊進(jìn)行控制，PWM脈沖控制器11將PWM脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)換成光信號(hào)，通過(guò)光纖將PWM光信號(hào)傳遞到光電轉(zhuǎn)換觸發(fā)板12，將光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào)，輸入到可控硅10的門(mén)極進(jìn)行控制。然而，由于五檔電壓疊層控制，需要每?jī)山M可控硅同時(shí)工作，微小的干擾都將會(huì)造成兩組可控硅同時(shí)導(dǎo)通，從而損壞可控硅，此外，由于控制系統(tǒng)較為復(fù)雜，每個(gè)可控硅需要配置一個(gè)光電轉(zhuǎn)換觸發(fā)板12，并給光電轉(zhuǎn)換觸發(fā)板12配備一個(gè)隔離變壓器13，設(shè)備數(shù)量較多，系統(tǒng)連線及控制復(fù)雜，不便于檢修維護(hù)。
[0004]因而，如何提高還原電源的抗干擾能力，以及優(yōu)化整個(gè)系統(tǒng)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員目前需要解決的技術(shù)問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]本實(shí)用新型的目的是提供一種光控多晶硅還原爐電源，可以有效提高還原電源的抗干擾能力，以及簡(jiǎn)化整個(gè)系統(tǒng)。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型提供了如下技術(shù)方案:
[0007]一種光控多晶硅還原爐電源，包括:
[0008]多組光控型可控硅組，每組光控型可控硅組包括相對(duì)設(shè)置的第一光控型可控硅和第二光控型可控硅，所述第一光控型可控硅的陽(yáng)極與所述第二光控型可控硅的陰極連接，所述第一光控型可控硅的陰極與所述第二光控型可控硅的陽(yáng)極連接；
[0009]變壓器，所述變壓器設(shè)有多組抽頭，所述變壓器的抽頭與光控型可控硅組相對(duì)應(yīng)，每組抽頭與對(duì)應(yīng)的光控型可控硅組的輸入端連接；
[0010]光控可控硅功率控制器，所述光控可控硅功率控制器分別與所述多組光控型可控硅組中的光控型可控硅的控制極連接；
[0011]負(fù)載，所述負(fù)載的第一端與所述多組光控型可控硅組的公共輸出端連接；
[0012]N排，所述N排與所述負(fù)載的第二端連接。
[0013]優(yōu)選的，所述光控可控硅功率控制器通過(guò)光纖分別與所述多組光控型可控硅組中的光控型可控硅的控制極連接。
[0014]優(yōu)選的，所述光控型可控硅組的數(shù)目具體為五組。
[0015]優(yōu)選的，所述負(fù)載為硅棒。
[0016]優(yōu)選的，所述光控可控硅功率控制器的光源的光譜范圍為0.55-1.0微米，包括端點(diǎn)值。
[0017]優(yōu)選的，所述光控可控硅功率控制器的光源為NcUYAC激光器、GaAs發(fā)光二極管或激光二極管。
[0018]與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0019]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種光控多晶硅還原爐電源，采用光控可控硅功率控制器和光控型可控硅，其光控可控硅功率控制器分別與所述多組光控型可控硅組中的光控型可控硅的控制極直接連接，光控可控硅功率控制器直接輸出光信號(hào)，控制光控型可控硅的門(mén)極，通過(guò)主電路與控制電路的光耦合，可以有效抑制噪音干擾，極大的提高了抗干擾能力；無(wú)需再將光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào)，因而取消了光電轉(zhuǎn)換觸發(fā)板和隔離變壓器，簡(jiǎn)化了整個(gè)電源系統(tǒng)，使得系統(tǒng)得到了優(yōu)化，從而減少了故障率，也便于維護(hù)檢修。
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1為常規(guī)的電控可控硅還原電源的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為本實(shí)用新型一種【具體實(shí)施方式】所提供的光控多晶硅還原爐電源結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0023]正如【背景技術(shù)】部分所述，目前的還原電源抗干擾能力較差，且控制元器件數(shù)量較多，系統(tǒng)連線及控制復(fù)雜，不便于檢修維護(hù)。
[0024]基于上述研宄的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種光控多晶硅還原爐電源，包括:多組光控型可控硅組，每組光控型可控硅組包括相對(duì)設(shè)置的第一光控型可控硅和第二光控型可控硅，所述第一光控型可控硅的陽(yáng)極與所述第二光控型可控硅的陰極連接，所述第一光控型可控硅的陰極與所述第二光控型可控硅的陽(yáng)極連接；變壓器，所述變壓器設(shè)有多組抽頭，所述變壓器的抽頭與光控型可控硅組相對(duì)應(yīng)，每組抽頭與對(duì)應(yīng)的光控型可控硅組的輸入端連接；光控可控硅功率控制器，所述光控可控硅功率控制器分別與所述多組光控型可控硅組中的光控型可控硅的控制極連接；負(fù)載，所述負(fù)載的第一端與所述多組光控型可控硅組的公共輸出端連接；N排，所述N排與所述負(fù)載的第二端連接。
[0025]本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種光控多晶硅還原爐電源，采用光控可控硅功率控制器和光控型可控硅，其光控可控硅功率控制器分別與所述多組光控型可控硅組中的光控型可控硅的控制極連接，光控可控硅功率控制器直接輸出光信號(hào)，控制光控型可控硅的門(mén)極，通過(guò)主電路與控制電路的光耦合，可以有效抑制噪音干擾，極大的提高了抗干擾能力；無(wú)需再將光信號(hào)轉(zhuǎn)為電信號(hào)，因而取消了光電轉(zhuǎn)換觸發(fā)板和隔離變壓器，簡(jiǎn)化了整個(gè)電源系統(tǒng)，使得系統(tǒng)得到了優(yōu)化，從而減少了故障率，也便于維護(hù)檢修。
[0026]為了使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0027]在以下描述中闡述了具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型。但是本實(shí)用新型能夠以多種不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本實(shí)用新型內(nèi)涵的情況下做類(lèi)似推廣。因此本實(shí)用新型不受下面公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】的限制。
[0028]請(qǐng)參考圖2，圖2為本實(shí)用新型一種【具體實(shí)施方式】所提供的光控多晶硅還原爐電源結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]本實(shí)用新型的一種【具體實(shí)施方式】提供了一種光控多晶硅還原爐電源，包括:多組光控型可控硅組21，每組光控型可控硅組21包括相對(duì)設(shè)置的第一光控型可控硅211和第二光控型可控硅212，所述第一光控型可控硅211的陽(yáng)極與所述第二光控型可控硅212的陰極連接，所述第一光控型可控硅211的陰極與所述第二光控型可控硅212的陽(yáng)極連接；變壓器，所述變壓器設(shè)有多組抽頭，所述變壓器的抽頭與光控型可控硅組21相對(duì)應(yīng)，每組抽頭與對(duì)應(yīng)的光控型可控硅組21的輸入端連接；光控可控硅功率控制器22，所述光控可控硅功率控制器22分別與所述多組光控型可控硅組21中的光控型可控硅的控制極連接；負(fù)載23，所述負(fù)載23的第一端與所述多組光控型可控