，所述第五PMOS管的襯底與源極相連后連接至所述輸入電路的供電電源正極，所述第五PMOS管的漏極連接至所述第六NOMS管的漏極；
[0029]第六PMOS管，所述第六PMOS管的襯底與源極相連后連接至所述輸入電路的供電電源正極，所述第六PMOS管的柵極連接至所述第六NOMS管的漏極；
[0030]第三非門(mén)，所述第三非門(mén)的輸入端連接至所述第二非門(mén)的輸出端，所述第三非門(mén)的輸出端連接至第七匪OS管的柵極，所述第七NMOS管的襯底與源極相連后連接至所述輸入電路的供電電源負(fù)極，所述第七NMOS管的漏極連接至所述第五PMOS管的柵極和所述第六PMOS管的漏極；
[0031]輸出電路，所述輸出電路的供電電源正極和負(fù)極分別連接至所述輸入電路的供電電源正極和負(fù)極，所述輸出電路的輸入端連接至所述第七NMOS管的漏極，所述輸出電路的輸出端作為所述自調(diào)整電路的輸出端。
[0032]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述輸入電路包括:串聯(lián)連接的兩個(gè)非門(mén)；所述輸出電路包括:串聯(lián)連接的兩個(gè)非門(mén)。
[0033]輸入電路設(shè)計(jì)為串聯(lián)連接的兩個(gè)非門(mén)的作用是對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行整理，輸出電路設(shè)計(jì)為串聯(lián)連接的兩個(gè)非門(mén)的作用是對(duì)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力進(jìn)行放大。
[0034]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述第一電阻的阻值和所述第三電阻的阻值為正溫度系數(shù)，所述第二電阻的阻值和所述第四電阻的阻值為負(fù)溫度系數(shù)，所述第一非門(mén)的閾值為負(fù)溫度系數(shù)，所述電容元件的容值為正溫度系數(shù)。
[0035]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，還包括:自舉電路，所述自舉電路包括:第一自舉二極管，所述第一自舉二極管的陽(yáng)極連接至所述智能功率模塊的低壓區(qū)供電電源正端，所述第一自舉二極管的陰極連接至所述智能功率模塊的U相高壓區(qū)供電電源正端;第二自舉二極管，所述第二自舉二極管的陽(yáng)極連接至所述智能功率模塊的低壓區(qū)供電電源正端，所述第二自舉二極管的陰極連接至所述智能功率模塊的V相高壓區(qū)供電電源正端;第三自舉二極管，所述第三自舉二極管的陽(yáng)極連接至所述智能功率模塊的低壓區(qū)供電電源正端，所述第三自舉二極管的陰極連接至所述智能功率模塊的W相高壓區(qū)供電電源正端。
[0036]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，還包括:三相上橋臂電路，所述三相上橋臂電路中的每一相上橋臂電路的輸入端連接至所述HVIC管的三相高壓區(qū)中對(duì)應(yīng)相的信號(hào)輸出端;三相下橋臂電路，所述三相下橋臂電路中的每一相下橋臂電路的輸入端連接至所述HVIC管的三相低壓區(qū)中對(duì)應(yīng)相的信號(hào)輸出端。
[0037]其中，三相上橋臂電路包括:U相上橋臂電路、V相上橋臂電路、W相上橋臂電路;三相下橋臂電路包括:U相下橋臂電路、V相下橋臂電路、W相下橋臂電路。
[0038]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述每一相上橋臂電路包括:第一功率開(kāi)關(guān)管和第一二極管，所述第一二極管的陽(yáng)極連接至所述第一功率開(kāi)關(guān)管的發(fā)射極，所述第一二極管的陰極連接至所述第一功率開(kāi)關(guān)管的集電極，所述第一功率開(kāi)關(guān)管的集電極連接至所述智能功率模塊的高電壓輸入端，所述第一功率開(kāi)關(guān)管的基極作為所述每一相上橋臂電路的輸入端，所述第一功率開(kāi)關(guān)管的發(fā)射極連接至所述智能功率模塊對(duì)應(yīng)相的高壓區(qū)供電電源負(fù)端。
[0039]其中，第一功率開(kāi)關(guān)管可以是IGBT(InsulatedGate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)。
[0040]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述每一相下橋臂電路包括:第二功率開(kāi)關(guān)管和第二二極管，所述第二二極管的陽(yáng)極連接至所述第二功率開(kāi)關(guān)管的發(fā)射極，所述第二二極管的陰極連接至所述第二功率開(kāi)關(guān)管的集電極，所述第二功率開(kāi)關(guān)管的集電極連接至對(duì)應(yīng)的上橋臂電路中的所述第一二極管的陽(yáng)極，所述第二功率開(kāi)關(guān)管的基極作為所述每一相下橋臂電路的輸入端，所述第二功率開(kāi)關(guān)管的發(fā)射極作為所述智能功率模塊的對(duì)應(yīng)相的低電壓參考端。
[0041 ]其中，第二功率開(kāi)關(guān)管可以是IGBT。
[0042]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述智能功率模塊的高電壓輸入端的電壓為300Vo
[0043]根據(jù)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例，所述智能功率模塊的每一相高壓區(qū)供電電源的正端和負(fù)端之間連接有濾波電容。
[0044]根據(jù)本實(shí)用新型第二方面的實(shí)施例，還提出了一種空調(diào)器，包括:如上述任一項(xiàng)實(shí)施例中所述的智能功率模塊。
[0045]本實(shí)用新型的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本實(shí)用新型的實(shí)踐了解到。
【附圖說(shuō)明】
[0046]本實(shí)用新型的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:
[0047]圖1示出了相關(guān)技術(shù)中的智能功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖2不出了MCU與智能功率I旲塊的連接關(guān)系不意圖；
[0049]圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的智能功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖4示出了根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的自調(diào)整電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0051]為了能夠更清楚地理解本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0052]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本實(shí)用新型，但是，本實(shí)用新型還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來(lái)實(shí)施，因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0053]圖3示出了根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的智能功率模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0054]如圖3所示，根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的智能功率模塊，包括:HVIC管1101和自調(diào)整電路1105。
[0055]HVIC管1101的VCC端作為智能功率模塊1100的低壓區(qū)供電電源正端VDD，VDD—般為 15V。
[0056]在HVIC 管 1101 內(nèi)部:
[0057]ITRIP端連接自調(diào)整電路110 5的輸入端;VCC端連接自調(diào)整電路110 5的低壓區(qū)供電電源正端;GND端連接自調(diào)整電路1105的低壓區(qū)供電電源負(fù)端；自調(diào)整電路1105的輸出端記為10^，作為!11肌、!11吧、!1爪3、1^1肌、1^1吧、1^爪3的使能端。
[0058]HVIC管1101內(nèi)部還有自舉電路結(jié)構(gòu)如下:
[0059]VCC端與自舉二極管1102、自舉二極管1103、自舉二極管1104的陽(yáng)極相連；自舉二極管1102的陰極與HVIC管1101的VBl相連；自舉二極管1103的陰極與HVIC管1101的VB2相連；自舉二極管1104的陰極與HVIC管1101的VB3相連。
[0060]HVIC管1101的HINl端為智能功率模塊1100的U相上橋臂信號(hào)輸入端UHIN;HVIC管1101的HIN2端為智能功率模塊1100的V相上橋臂信號(hào)輸入端VHIN; HVIC管1101的HIN3端為智能功率模塊1100的W相上橋臂信號(hào)輸入端WHIN;HVIC管1101的LINl端為智能功率模塊1100的U相下橋臂信號(hào)輸入端ULIN;HVIC管1101的LIN2端為智能功率模塊1100的V相下橋臂信號(hào)輸入端VLIN;HVIC管1101的LIN3端為智能功率模塊1100的W相下橋臂信號(hào)輸入端WLIN;HVIC管1101的ITRIP端為智能功率模塊1100的MTRIP端;HVIC管1101的GND端作為智能功率模塊丨^^的低壓區(qū)供電電源負(fù)端⑶^其中’智能功率模塊丨^^的而^^町仏評(píng)町仏見(jiàn)預(yù)、VLIN、WLIN六路輸入接收OV或5V的輸入信號(hào)。
[0061 ] HVIC管1101的VBl端連接電容1131的一端，并作為智能功率模塊1100的U相高壓區(qū)供電電源正端UVB;HVIC管1101的HOl端與U相上橋臂IGBT管1121的柵極相連;HVIC管1101的VSl端與IGBT管1121的射極、FRD管1111的陽(yáng)極、U相下橋臂IGBT管1124的集電極、FRD管1114的陰極、電容1131的另一端相連，并作為智能功率模塊1100的U相高壓區(qū)供電電源負(fù)端UVS。[0062 ] HVIC管1101的VB2端連接電容1132的一端，并作為智能功率模塊1100的V相高壓區(qū)供電電源正端VVB;HVIC管1101的H02端與V相上橋臂IGBT管1123的柵極相連;HVIC管1101的VS2端與IGBT管1122的射極、FRD管1112的陽(yáng)極、V相下橋臂IGBT管1125的集電極、FRD管1115的陰極、電容1132的另一端相連，并作為智能功率模塊1100的V相高壓區(qū)供電電源負(fù)端VVS。[0063 ] HVIC管1101的VB3端連接電容1133的