專利名稱：多道電源控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)一種控制電路，具體說(shuō)有關(guān)一種多道電源控制電路。
(2)背景技術(shù)液晶顯示裝置(1iquid crystal display driver)主要是藉由外部的電源供應(yīng)器提供電壓源Vdd及其內(nèi)部電路自行產(chǎn)生的電壓源Vpp來(lái)供應(yīng)該液晶顯示裝置運(yùn)作所需的電源。且液晶顯示裝置內(nèi)部晶片的p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板電壓(Substrate voltage)必須大于發(fā)射極(source electrode)及集電極(drain electrode)端的電壓，才不會(huì)有很大的漏電流經(jīng)由發(fā)射極或是集電極流至p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板而造成晶片的損毀。
但是現(xiàn)行一般液晶顯示裝置內(nèi)部電路經(jīng)過(guò)一段操作時(shí)間后其輸出電壓通常都超過(guò)電源供應(yīng)器所提供的電壓。且針對(duì)一些消耗性產(chǎn)品的應(yīng)用而言，液晶顯示裝置經(jīng)過(guò)運(yùn)作后其輸出電壓，可能高于或是低于電源供應(yīng)器所提供的電壓。
因此p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板電壓必須要能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整，使基板電壓一直維持在該晶片內(nèi)部最高的電壓值。
請(qǐng)參閱圖1，其是習(xí)知技術(shù)的電路圖，雖然該電路可改變輸出電壓Vout為Vin或是Vpp。但是，對(duì)于一些需要產(chǎn)生兩個(gè)不同的輸出電壓來(lái)控制不同電路的案例而言，圖1的電路只提供一輸出電壓準(zhǔn)位，根本無(wú)法達(dá)到需求。
(3)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的主要目的是為提供一種多道電源控制電路，能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出電壓值，使p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板電壓一直維持在該晶片內(nèi)部最高的電壓值，不會(huì)有漏電流的情形產(chǎn)生，且能輸出一第一電壓準(zhǔn)位及第二電壓準(zhǔn)位以供不同的電路使用。
本發(fā)明的另一目的是為提供一種多道電源控制電路，其是接收一比較電路所產(chǎn)生的一輸出信號(hào)，該多道電源控制電路是包括一電位轉(zhuǎn)換電路，電連接于該比較電路并接收一第一電壓值及一第二電壓值，用以相應(yīng)該輸出信號(hào)的控制，進(jìn)而產(chǎn)生一第一電壓準(zhǔn)位及一第二電壓準(zhǔn)位；以及一輸出電路，電連接于該電位轉(zhuǎn)換電路，用以相應(yīng)該第一電壓準(zhǔn)位及第二電壓準(zhǔn)位的控制，以決定輸出該第一電壓值及該第二電壓值兩者之一。
根據(jù)上述構(gòu)想，電路中該比較電路可接收該第一電壓值及該第二電壓值，并比較該第一電壓值及該第二電壓值的大小關(guān)系，而產(chǎn)生該輸出信號(hào)。
根據(jù)上述構(gòu)想，電路中該電為轉(zhuǎn)換電路可由一反向器(inverter)、二個(gè)p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)及二個(gè)N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(NMOS)所組成。
根據(jù)上述構(gòu)想，電路中該輸出電路可由二個(gè)P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)所組成。
根據(jù)上述構(gòu)想，該多道電源控制電路所輸出的電壓值可用以提供一p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板所需的電壓。
根據(jù)上述構(gòu)想，電路中該p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管可置于一液晶顯示裝置的內(nèi)部晶片。
根據(jù)上述構(gòu)想，電路中該多道電源控制電路可用以避免漏電流經(jīng)由p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管的發(fā)射極或是集電極流至p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板。
本發(fā)明的又一目的是為提供一種多道電源控制電路，其是接收一比較電路所產(chǎn)生的一輸出信號(hào)，該多道電源控制電路是包括一電位轉(zhuǎn)換電路，電連接于該比較電路并接收該第一電壓值及該第二電壓值，用以相應(yīng)該輸出信號(hào)的控制，來(lái)轉(zhuǎn)換該電位轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓準(zhǔn)位，以使輸出一第一電壓準(zhǔn)位及一第二電壓準(zhǔn)位。
根據(jù)上述構(gòu)想，電路中該比較電路可用以比較該第一電壓值及該第二電壓值的大小關(guān)系，而產(chǎn)生該輸出信號(hào)。
根據(jù)上述構(gòu)想，電路中該電為轉(zhuǎn)換電路可由一反向器(inverter)、二個(gè)p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)及二個(gè)N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(NMOS)所組成。
根據(jù)上述構(gòu)想，電路中該電位轉(zhuǎn)換電路輸出的該第一電壓準(zhǔn)位及該第二電壓準(zhǔn)位可用以提供二個(gè)需要不同電壓準(zhǔn)位的電路使用。
(4)


圖1是本發(fā)明習(xí)知技術(shù)的電路圖。
圖2(a)(b)是本發(fā)明較佳實(shí)施例的電路圖。
圖3是圖2(a)電路上幾個(gè)特定點(diǎn)及輸出電壓的電壓模擬圖。
(5)具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2(a)，其是較佳實(shí)施例的電路圖，本發(fā)明是為提供一種多道電源控制電路，其是接收一比較電路20經(jīng)由比較一第一電壓值Vdd(為一液晶顯示裝置外部的電源供應(yīng)器所提供的電壓源)及一第二電壓值Vpp(為該液晶顯示裝置內(nèi)部電路自行產(chǎn)生的電壓源)的大小關(guān)系后，所產(chǎn)生的一輸出信號(hào)，至于該多道電源控制電路可包括一電位轉(zhuǎn)換電路21及一輸出電路22。
該電位轉(zhuǎn)換電路21，電連接于該比較電路20并接收該第一電壓值Vdd及該第二電壓值Vpp，用以相應(yīng)該輸出信號(hào)的控制，進(jìn)而產(chǎn)生一第一電壓準(zhǔn)位及一第二電壓準(zhǔn)位。至于該電位轉(zhuǎn)換電路可由一反向器(inverter)、二個(gè)p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)及二個(gè)N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(NMOS)所組成。
該輸出電路22，電連接于該電位轉(zhuǎn)換電路21，用以相應(yīng)該第一電壓準(zhǔn)位及第二電壓準(zhǔn)位的控制，以決定輸出該第一電壓值Vdd及該第二電壓值Vpp兩者的一。至于該輸出電路22可由二個(gè)P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)所組成。
關(guān)于圖2(a)電路的運(yùn)作情形可由下表得知比較電路輸出N1N2P1P2 P3 P4 b1的電位b2的電位b3的電位 b4的電位輸出電路輸出Vdd>VppHigh 導(dǎo)通 關(guān)閉 關(guān)閉 導(dǎo)通 導(dǎo)通 關(guān)閉Vdd
0 0 Vdd VddVpp>Vdd Low 關(guān)閉 導(dǎo)通 導(dǎo)通 關(guān)閉 關(guān)閉 導(dǎo)通 0 VddVpp 0 Vpp表一(1)由表中可知當(dāng)Vdd>Vpp時(shí)，該比較電路20輸出一高電位邏輯信號(hào)(Logic High)至該電位轉(zhuǎn)換電路21，讓N1導(dǎo)通、N2關(guān)閉，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)P2導(dǎo)通而使b4的電位為Vdd并傳送至該輸出電路22的P4晶體管基極(Gate)，至于P1則關(guān)閉而使b3的電位為為0并傳送至該輸出電路22的P3晶體管基極(Gate)。
由于P3晶體管基極的電位小于另一端的電位(即為Vdd)，因此P3的發(fā)射極及集電極就可導(dǎo)通進(jìn)而使P3及P4的基板電壓為較高電位的Vdd，使輸出電壓(Vhi)為Vdd。由上可知，P3及P4的基板電壓是連接較高電位的電壓，故不會(huì)有漏電流經(jīng)由發(fā)射極或是集電極流至基板。至于P1由于基極電位大于發(fā)射極及集電極的電位，而無(wú)法導(dǎo)通，則發(fā)射極及集電極間不會(huì)形成通道，因此不會(huì)有漏電流的情形產(chǎn)生。且Vdd輸出至該液晶顯示裝置內(nèi)部晶片的P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板，可避免漏電流經(jīng)由該p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管的發(fā)射極或是集電極流至該P(yáng)型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板。
(2)至于當(dāng)Vpp>Vdd時(shí)，該比較電路20輸出一低電位邏輯信號(hào)(LogicLow)至該電位轉(zhuǎn)換電路21，讓N1關(guān)閉，該低電位邏輯信號(hào)則經(jīng)由反向器K2轉(zhuǎn)換為一高電位邏輯信號(hào)，而使N2導(dǎo)通，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)P1導(dǎo)通而使b3的電位為Vpp并傳送至該輸出電路22的P3晶體管基極(Gate)，至于P2則關(guān)閉而使b4的電位為為0并傳送至該輸出電路22的P4晶體管基極(Gate)。
由于P4晶體管基極的電位小于另一端的電位(即為Vpp)，因此P4的發(fā)射極及集電極就可導(dǎo)通進(jìn)而使P3及P4的基板電壓為較高電位的Vpp，使輸出電壓(Vhi)為Vpp。由上可知，P3及P4的基板電壓是連接較高電位的電壓，故不會(huì)有漏電流經(jīng)由發(fā)射極或是集電極流至基板。至于P2由于基極電位大于發(fā)射極及集電極的電位，而無(wú)法導(dǎo)通，則發(fā)射極及集電極間不會(huì)形成通道，因此不會(huì)有漏電流的情形產(chǎn)生。且Vpp輸出至該液晶顯示裝置內(nèi)部晶片的P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板，可避免漏電流經(jīng)由該p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管的發(fā)射極或是集電極流至該P(yáng)型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板。
請(qǐng)參閱圖2(b)，由表一可得知b3及b4的輸出電位為兩個(gè)不同的電壓值，因此當(dāng)某兩個(gè)電路需要不同的輸入電壓時(shí)，則只需要由比較電路20產(chǎn)生一信號(hào)，輸入至該電位轉(zhuǎn)換電路21，經(jīng)由轉(zhuǎn)換后就可由第一輸出端(Vout，1)及第二輸出端(Vout，2)輸出不同的電壓值。
請(qǐng)參閱圖3，其是圖2(a)電路上幾個(gè)特定點(diǎn)b1、b3、b4及輸出電壓(Vhi)在Vdd為5V的條件下，隨著Vpp電壓值改變的電壓模擬圖。由電壓示意圖可知，本發(fā)明的多道電源電路確實(shí)能使輸出電壓(Vhi)一直維持輸出最高的電壓值。
本發(fā)明的多道電源控制電路，將可由以上的實(shí)施例說(shuō)明而得到充份的了解，使得熟習(xí)本技藝的人士可據(jù)以完成的，然本發(fā)明的實(shí)施并非可由上述實(shí)施例而被限制其實(shí)施型態(tài)，尤其當(dāng)改變第一電壓值及第二電壓值的正負(fù)極性時(shí)，電路上所使用的NMOS及PMOS的組合結(jié)構(gòu)將會(huì)有所改變，而改變后的電路亦是本發(fā)明所保護(hù)的范圍。
綜合上面所述，本發(fā)明的多道電源控制電路能夠改善習(xí)知技術(shù)的缺失，且能夠動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出電壓值，使輸出至一p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管(PMOS)的基板電壓值一直維持在該晶片內(nèi)部最高的電壓值，不會(huì)有漏電流的情形產(chǎn)生，且能輸出一第一電壓準(zhǔn)位及第二電壓準(zhǔn)位以供不同的電路使用，是故具有產(chǎn)業(yè)利用性，進(jìn)而達(dá)成發(fā)展本發(fā)明的發(fā)明目的。
權(quán)利要求
1.一種多道電源控制電路，其是接收一比較電路所產(chǎn)生的一輸出信號(hào)，其特征在于，包括一電位轉(zhuǎn)換電路，電連接于該比較電路并接收一第一電壓值及一第二電壓值，用以相應(yīng)該輸出信號(hào)的控制，進(jìn)而產(chǎn)生一第一電壓準(zhǔn)位及一第二電壓準(zhǔn)位；以及一輸出電路，電連接于該電位轉(zhuǎn)換電路，用以相應(yīng)該第一電壓準(zhǔn)位及第二電壓準(zhǔn)位的控制，以決定輸出該第一電壓值及該第二電壓值兩者之一。
2.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，該比較電路是接收該第一電壓值及該第二電壓值。
3.如權(quán)利要求2所述的電路，其特征在于，該比較電路是用以比較該第一電壓值及該第二電壓值的大小關(guān)系，而產(chǎn)生該輸出信號(hào)。
4.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，該電位轉(zhuǎn)換電路是由一反向器、二個(gè)P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管及二個(gè)N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管所組成。
5.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，該輸出電路是由二個(gè)P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管所組成。
6.如權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，該多道電源控制電路所輸出的電壓值是用以提供一P型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管的基板所需的電壓。
7.如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，該p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管是置于一液晶顯示裝置的內(nèi)部晶片。
8.如權(quán)利要求6所述的電路，其特征在于，該多道電源控制電路是用以避免漏電流經(jīng)由該p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管的源極或是汲極流至該P(yáng)型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管的基板。
9.一種多道電源控制電路，其是接收一比較電路所產(chǎn)生的一輸出信號(hào)，其特征在于，包括一電位轉(zhuǎn)換電路，電連接于該比較電路并接收該第一電壓值及該第二電壓值，用以相應(yīng)該輸出信號(hào)的控制，來(lái)轉(zhuǎn)換該電位轉(zhuǎn)換電路的輸出電壓準(zhǔn)位，以使輸出一第一電壓準(zhǔn)位及一第二電壓準(zhǔn)位。
10.如權(quán)利要求9所述的電路，其特征在于，該比較電路是用以比較該第一電壓值及該第二電壓值的大小關(guān)系，而產(chǎn)生該輸出信號(hào)。
11.如權(quán)利要求9所述的電路，其特征在于，該電位轉(zhuǎn)換電路是由一反向器、二個(gè)p型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管及二個(gè)N型金屬氧化半導(dǎo)體晶體管所組成。
12.如權(quán)利要求9所述的電路，其特征在于，該電位轉(zhuǎn)換電路輸出的該第一電壓準(zhǔn)位及該第二電壓準(zhǔn)位是用以提供二個(gè)需要不同電壓準(zhǔn)位的電路使用。
全文摘要
本發(fā)明是為提供一種多道電源控制電路，其是接收一比較電路所產(chǎn)生的一輸出信號(hào)，該電路包括一電位轉(zhuǎn)換電路，電連接于該比較電路并接收一第一電壓值及一第二電壓值，用以相應(yīng)該輸出信號(hào)的控制，進(jìn)而產(chǎn)生一第一電壓準(zhǔn)位及一第二電壓準(zhǔn)位；以及一輸出電路，電連接于該電位轉(zhuǎn)換電路，用以相應(yīng)該第一電壓準(zhǔn)位及第二電壓準(zhǔn)位的控制，以決定輸出該第一電壓值及該第二電壓值兩者之一。
文檔編號(hào)H03K19/20GK1505264SQ0215266
公開(kāi)日2004年6月16日 申請(qǐng)日期2002年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月28日
發(fā)明者吳立德, 王錫源 申請(qǐng)人:華邦電子股份有限公司