專利名稱：具有分別偏置部分的分布式放大器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般涉及電子放大器，尤其涉及操作具有分別偏置放大部分的分布式放大器的方法。
背景技術(shù)：
許多年來，分布式放大器和混頻器已在多種寬帶系統(tǒng)應(yīng)用——例如微波接收器、寬帶發(fā)射機(jī)激發(fā)器和低噪聲示波器前置放大器——中獲得了廣泛的應(yīng)用。分布式放大器通常的結(jié)構(gòu)是在分布式傳輸線網(wǎng)絡(luò)中使用多個(gè)放大單元。在分布式傳輸線網(wǎng)絡(luò)中使用多個(gè)放大單元的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)通常能表現(xiàn)出所需要的增益增加。然而，在分布式傳輸線網(wǎng)絡(luò)中使用多個(gè)放大單元的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)的效率會隨著驅(qū)動功率的降低而降低。
參看

圖1，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)示出分布式放大器10。分布式放大器10具有多個(gè)單元(12、14、16)。這些單元(12、14、16)中的每一個(gè)都包括場效應(yīng)晶體管(FET)18。這些單元(12、14、16)中的每一個(gè)的FET 18的漏極20都與輸出線電感22相連，后者與具有輸出線終端電阻26的輸出線接地24相連。單元(12、14、16)中的每一個(gè)的第一FET 18的柵極28都與輸入線電感30相連，后者與具有輸入線終端電阻34的輸入線接地32相連。
圖1所示的現(xiàn)有技術(shù)的分布式放大器10在驅(qū)動功率下降時(shí)具有更低的輸出。然而，直流(DC)功耗實(shí)質(zhì)上并沒有下降，因而現(xiàn)有技術(shù)的分布式放大器10的附加功率效率(PAE)作為輸出功率(Pout)的函數(shù)而降低?，F(xiàn)有技術(shù)的分布式放大器的PAE作為輸出功率(Pout)的函數(shù)而降低的一個(gè)例子示于圖2的曲線中。
工作在大約二至二十吉赫茲(GHz)的現(xiàn)有技術(shù)的分布式放大器(即微波放大器)——例如圖1所示的分布式放大器10——是做在砷化鎵(GaAs)襯底上的。這些制作在GaAs襯底上的微波放大器的電路元件具有相對較小的值，這樣在GaAs襯底上只需要最小的空間(例如，一nH至二nH的電感通常需要十五微米乘十五微米的面積)。然而，如果分布式放大器是設(shè)計(jì)用于頻率低于大約三GHz的，則用到的許多電路元件所具有的值在GaAs襯底上需要的空間大于設(shè)計(jì)用于頻率高于大約十GHz的分布式放大器所用的電路元件(例如，十nH的輸出線電感24一般需要六十微米乘六十微米的面積)。因此，設(shè)計(jì)用于頻率低于大約十GHz的GaAs襯底上的分布式放大器將會用到很多不必要的半導(dǎo)體材料，降低了這種器件的成本效率。
考慮到前述這些，應(yīng)當(dāng)理解，需要提高分布式放大器的成本效率，更優(yōu)選地要提高設(shè)計(jì)用于頻率低于大約二十GHz——更優(yōu)選地低于大約十GHz，還更優(yōu)選地低于大約五GHz，最優(yōu)選地低于大約二GHz——的分布式放大器的成本效率。此外，需要給出一種線性分布式放大器，它具有受驅(qū)動功率的降低影響不大的PAE。而且，從附圖、前述本發(fā)明的背景和下面優(yōu)選示例性實(shí)施方案的詳細(xì)描述，以及所附權(quán)力要求中，熟練的技術(shù)人員將能很明顯地看出其它所具有的特征。
附圖簡述以下將結(jié)合附圖描述本發(fā)明，其中相似的數(shù)字代表相似的元件，以及圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的分布式放大器的示意性電路圖；圖2為一曲線圖，示出現(xiàn)有技術(shù)的分布式放大器的附加功率效率(PAE)作為輸出功率(Pout)的函數(shù)的降低；圖3為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案的分布式放大器的示意性電路圖；圖4為圖3的輸入傳輸線和/或輸出傳輸線的具有M推演式半節(jié)網(wǎng)絡(luò)的常數(shù)K結(jié)構(gòu)；圖5為圖3的輸入傳輸線和/或輸出傳輸線的常數(shù)R結(jié)構(gòu)；圖6為一流程圖，示出操作根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案具有分別偏置放大部分的分布式放大器的方法；圖7為一曲線圖，示出按照圖6的方法操作的根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案的圖3的分布式放大器的作為輸出功率的函數(shù)的PAE；圖8為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案的圖3的分布式放大部分中的一個(gè)的多層陶瓷封裝；以及圖9為掩埋在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案的多層陶瓷封裝的多個(gè)陶瓷層中的電感。
優(yōu)選示例性實(shí)施方案詳述下面優(yōu)選實(shí)施方案的詳細(xì)描述實(shí)質(zhì)上僅僅是示例性的，并不是要限制本發(fā)明或申請以及本發(fā)明的使用。
參看圖3，示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案的分布式放大器40。優(yōu)選示例性實(shí)施方案的分布式放大器40具有與輸入傳輸線48和輸出傳輸線50相連的N個(gè)放大單元(42、44、46)。優(yōu)選地，N大于一，更優(yōu)選地大于三，最優(yōu)選地大于三且小于七(即，N最優(yōu)選地為四至六)。N個(gè)放大單元(42、44、46)包括與輸入傳輸線48和輸出傳輸線50相連的第一晶體管(T1、T2……TN)52。第一晶體管52優(yōu)選地為結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)，更優(yōu)選地為高電子遷移率晶體管(HEMT)，最優(yōu)選地為偽高電子遷移率晶體管(PHEMT)。然而，根據(jù)本發(fā)明，對第一晶體管52可使用任何晶體管，例如雙結(jié)晶體管(BJT)或金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。此外，盡管下面優(yōu)選示例性實(shí)施方案的詳細(xì)描述將描述N個(gè)放大單元(42、44、46)的單晶體管結(jié)構(gòu)，但是可以使用任何數(shù)量放大單元結(jié)構(gòu)，包括，但不局限于柵地-陰地(cascode)結(jié)構(gòu)的多個(gè)晶體管。
N個(gè)單元(42、44、46)的晶體管52的漏極54與輸出線電感(Lout)56相連，后者與具有輸出線終端電阻(Rout)60和輸出線電容(Cout)62的輸出線接地58相連。N個(gè)單元(42、44、46)的晶體管52的柵極64與由輸入線電感(Lin)72和輸入線電容(Cin)74形成的輸入傳輸線48相連，Lin72和Cin74與具有輸入線終端電阻(Rin)78和輸入線終端電容80(Cin)的輸入線接地76相連。然而，N個(gè)單元(42、44、46)的晶體管52的柵極64和漏極54可以與任何電結(jié)構(gòu)的輸入傳輸線48和輸出傳輸線50相連。例如，根據(jù)本發(fā)明，可利用常數(shù)R 83和/或具有M推演式半節(jié)網(wǎng)絡(luò)的常數(shù)K 81，分別示于圖4和圖5中。
N個(gè)單元(42、44、46)的晶體管52的柵極64通過具有第一穩(wěn)定電阻(RB11、RB12……RB1N)66、第二偏置電阻(RB21、RB22……RB2N)68和第一偏置電容(CB11、CB12……CB1N)70的偏置網(wǎng)絡(luò)與輸入傳輸線48相連，在偏置網(wǎng)絡(luò)中，第一偏置電容70與第二偏置電阻68并連之后與第一穩(wěn)定電阻66串連。N個(gè)單元(42、44、46)的偏置網(wǎng)絡(luò)中的每一個(gè)都通過第三偏置電阻(RB31、RB32……RB3N)88與獨(dú)立的偏壓源(VS1、VS2……VSN) (82、84、86)相連。相應(yīng)于N個(gè)單元(42、44、46)中每一個(gè)的獨(dú)立偏壓源(VS1、VS2……VSN)(82、84、86)各自獨(dú)立，為晶體管52中的每一個(gè)順序提供夾斷電壓(VP)(即，使源漏之間的電流降低到基本等于零的電壓)，從而使N個(gè)單元(42、44、46)中的每一個(gè)按照從第N個(gè)放大單元(46)開始的順序來關(guān)閉。這一利用獨(dú)立偏壓源(VS)(82、84、86)對晶體管52提供獨(dú)立且順序的偏置以便按照從第N個(gè)放大單元(46)開始的順序來關(guān)閉N個(gè)單元(42、44、46)中的每一個(gè)的方法降低了輸出水平同時(shí)使得分布式放大單元40的附加功率效率(PAE)的降低最小化。
更特定地，在圖6中示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案操作圖3的分布式放大器的方法100。方法100包含利用N個(gè)獨(dú)立偏壓源像N個(gè)放大部分中的每一個(gè)的晶體管提供N個(gè)偏置電壓，以使有源區(qū)工作102(即，偏置晶體管使其用作放大器)。一旦N個(gè)放大部分的每一個(gè)中的每個(gè)晶體管被施加了使有源區(qū)工作的N個(gè)偏置電壓102，就將一個(gè)件數(shù)計(jì)數(shù)器(section counter)初始化為放大部分或單元的數(shù)目(N)104。一旦件數(shù)計(jì)數(shù)器初始化了104，則從相應(yīng)于分布式放大器的輸出的放大部分開始調(diào)整N個(gè)偏置電壓中的第一偏置電壓，并利用N個(gè)偏壓源中的第一偏壓源將其施加給N個(gè)放大部分中第一部分的第一晶體管，從而使N個(gè)放大部分中的第一部分配置成無源工作區(qū)(即，也稱為非飽和區(qū)、三極管區(qū)或歐姆區(qū)，且該晶體管沒有被偏置來用作放大器)并且在不顯著降低分布式放大器106的PAE的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。例如，參看圖3，調(diào)整第一偏置電壓，并利用第N個(gè)獨(dú)立偏壓源(VSN)86將其施加給第N個(gè)單元46的晶體管52，從而N個(gè)放大部分的第N個(gè)部分46配置成無源工作區(qū)，并且在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器40的PAE的情況下降低了分布式放大器40的輸出功率。
一旦從相應(yīng)于分布式放大器的輸出的放大部分開始調(diào)整N個(gè)偏置電壓中的第一偏置電壓，并利用N個(gè)偏壓源中的第一偏壓源將其施加給N個(gè)放大部分中第一部分的第一晶體管，從而使N個(gè)放大部分中的第一部分配置成無源工作區(qū)并且在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器106的PAE的情況下降低分布式放大器的輸出功率，那么就進(jìn)行一個(gè)詢問以判斷輸出功率是否降低到了預(yù)定水平108。
如果輸出功率沒有降到預(yù)定水平，則將計(jì)數(shù)器減1，并調(diào)整N個(gè)偏置電壓中的第二個(gè)偏置電壓并利用N個(gè)偏壓源中的第二偏壓源將其施加給N個(gè)放大部分中第二部分——優(yōu)選地為N-1放大部分——的第二晶體管，從而使N個(gè)放大部分中的第二部分成為除了第一部分之外的無源工作區(qū)，在不顯著降低分布式放大器106的PAE的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。繼續(xù)進(jìn)行直到輸出功率降低至預(yù)定水平，分布式放大器功率的降低反比于N。從相應(yīng)于最大輸出功率的最大PAE算起分布式放大器的PAE實(shí)際降低小于大約百分之二十，更優(yōu)選地小于大約百分之十五，還優(yōu)選地小于大約百分之十，最優(yōu)選地小于大約百分之五。在圖7中示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案按照圖6的方法100工作的圖3的分布式放大器中PAE的降低作為輸出功率(Pout)的函數(shù)的一個(gè)實(shí)施例。
本發(fā)明的分布式放大器優(yōu)選地工作在低于大約二十GHz的頻率下，更優(yōu)選地工作在低于大約十GHz的頻率下，還優(yōu)選地工作在低于大約五GHz的頻率下，最優(yōu)選地工作在低于大約二GHz的頻率下。因此，本發(fā)明的分布式放大器優(yōu)選地制作成多層陶瓷器件，更優(yōu)選地制作成低溫共燒陶瓷(LTCC)，因?yàn)槎鄬犹沾山Y(jié)構(gòu)使得能夠在相對較小的空間中實(shí)現(xiàn)電路元件，包括垂直纏繞的高Q電感。另外，用于分布式放大器的多層陶瓷結(jié)構(gòu)使得有源和無源電路元件之間的互連寄生電抗最小化，并提供用于排出分布式放大器所產(chǎn)生的多余熱量的熱通孔。
參看圖8，示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案的用于圖3的分布式放大單元42(即，MLC分布式放大單元)的多層陶瓷(MLC)結(jié)構(gòu)120。優(yōu)選地，MLC結(jié)構(gòu)120為LTCC。MLC結(jié)構(gòu)120由多層陶瓷(122、124、126、128、130)構(gòu)成，它們與晶體管52相連。晶體管52優(yōu)選地利用任何表面裝配技術(shù)裝配在多層陶瓷(122、124、126、128、130)的表面132上，并與形成在陶瓷層(122、124、126、128、130)中一層或幾層中的電路元件電相連，在陶瓷層(122、124、126、128、130)中一層或幾層中具有多個(gè)穿通孔洞134——在這里稱之為通孔。另外，MLC結(jié)構(gòu)120優(yōu)選地具有至少一個(gè)空腔136或多于一個(gè)空腔136，它/它們具有至少一個(gè)、優(yōu)選地多個(gè)用于移除掩埋在多層陶瓷(122、124、126、128、130)中的電元件產(chǎn)生的多余熱能的熱通孔138。這些熱通孔138優(yōu)選地置于有源元件之下以利于散熱。
根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案，晶體管52與輸入線電感掩埋在第一陶瓷層122和第二陶瓷層124中的輸入傳輸線相連，如圖9所示。參見圖9，輸入線電感的第一部分140通過輸入線通路144與輸入線電感的第二部分142相連。第一陶瓷層122和第二陶瓷層124中的跡線的尺寸給出了輸入電感的值。正如所能理解的，這在相對較小的空間中給出了垂直纏繞的高Q電感。
像參考圖9討論的那樣，第二晶體管54與輸入線電感掩埋在陶瓷層(122、124、126、128、130)中的一層或多層中的輸入傳輸線相連。另外，圖3的分布式放大器的電容優(yōu)選地以類似于輸入線電感和輸出線電感的方式形成在某一陶瓷層中定位第一平行板，在另一陶瓷層中定位相鄰于第一平行板的第二平行板，它們被另一陶瓷層隔開。例如，電容的第一平行板可掩埋在第二陶瓷層124中，與掩埋在第四陶瓷層128中的第二平行板相鄰，它們之間被第三陶瓷層126隔開?？烧{(diào)整陶瓷層的介電常數(shù)和平行板的尺寸以給出電容的值。此外，可在一層或多層陶瓷層中掩埋任何條線形元件或微條形元件以形成圖3所示的放大部分42和圖2所示的分布式放大器40，包括，但不局限于電阻。
正如普通的技術(shù)人員所能理解的，如前面參考圖8和9所描述的通過在MLC結(jié)構(gòu)130的多層陶瓷(122、124、126、128、130)中掩埋電元件而構(gòu)成的圖3的分布式放大器40以高成本效率的方式給出了設(shè)計(jì)用于低于二十GHz、更優(yōu)選地低于十GHz、還優(yōu)選地低于5GHz、最優(yōu)選地低于2GHz的頻率的分布式放大器。此外，圖8和9的MLC結(jié)構(gòu)120給出了用于利用一層或多層陶瓷層(122、124、126、128、130)中的熱通孔移除多余熱能的結(jié)構(gòu)。另外，利用圖8和9的MLC結(jié)構(gòu)120使得有源和無源元件之間的互連寄生電抗最小化。
從上面的描述應(yīng)當(dāng)理解，給出了一種分布式放大器，它顯示了在發(fā)明背景和優(yōu)選示例性實(shí)施方案的詳細(xì)描述中所提出的顯著優(yōu)點(diǎn)，也顯示了對于熟練的技術(shù)人員來說非常明顯的顯著優(yōu)點(diǎn)。此外，盡管在前述優(yōu)選示例性實(shí)施方案的描述中介紹了優(yōu)選示例性實(shí)施方案，但是應(yīng)當(dāng)理解，實(shí)施方案還存在很多種變化。最后，應(yīng)當(dāng)理解，這些實(shí)施方案僅是優(yōu)選示例性實(shí)施方案，在任何情況下都不是要限制本發(fā)明的范圍、適用性或結(jié)構(gòu)。相反地，前面詳細(xì)的描述為熟練的技術(shù)人員提供了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明優(yōu)選示例性實(shí)施方案的方便途徑。應(yīng)當(dāng)理解，只要不偏離權(quán)力要求中提出的本發(fā)明的精神和范圍，對于示例性優(yōu)選實(shí)施方案中描述的元件的功能和排列，可以作出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種操作分布式放大器的方法，該分布式放大器具有與輸入傳輸線和輸出傳輸線相連的N個(gè)放大部分，分別由N個(gè)獨(dú)立偏壓源進(jìn)行偏置，該方法包含利用N個(gè)獨(dú)立偏壓源向N個(gè)放大部分中的每一部分的晶體管提供N個(gè)偏置電壓，以便用于所述晶體管的有源區(qū)工作；以及調(diào)整所述N個(gè)偏置電壓中的第一偏置電壓，該偏置電壓由N個(gè)獨(dú)立偏壓源中的第一獨(dú)立偏壓源向N個(gè)放大部分中的第一部分的第一晶體管提供，從而N個(gè)放大部分中的第一部分的第一晶體管配置成用于無源區(qū)工作，在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器效率的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的操作分布式放大器的方法，進(jìn)一步包含調(diào)整所述N個(gè)偏置電壓中的第二偏置電壓，該偏置電壓由N個(gè)獨(dú)立偏壓源中的第二獨(dú)立偏壓源向N個(gè)放大部分中的第二部分的第二晶體管提供，從而N個(gè)放大部分中的第二部分的第二晶體管配置成用于無源區(qū)工作，在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器效率的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的操作分布式放大器的方法，進(jìn)一步包含調(diào)整所述N個(gè)偏置電壓中的第三偏置電壓，該偏置電壓由N個(gè)獨(dú)立偏壓源中的第三獨(dú)立偏壓源向N個(gè)放大部分中的第三部分的第三晶體管提供，從而N個(gè)放大部分中的第三部分的第三晶體管配置成用于無源區(qū)工作，在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器效率的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的操作分布式放大器的方法，進(jìn)一步包含調(diào)整所述N個(gè)偏置電壓中的第四偏置電壓，該偏置電壓由N個(gè)獨(dú)立偏壓源中的第四獨(dú)立偏壓源向N個(gè)放大部分中的第四部分的第四晶體管提供，從而N個(gè)放大部分中的第四部分的第四晶體管配置成用于無源區(qū)工作，在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器效率的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的操作分布式放大器的方法，其中N個(gè)放大部分中的每一個(gè)的所述晶體管為結(jié)型場效應(yīng)晶體管(FET)
6.根據(jù)權(quán)利要求1的操作分布式放大器的方法，其中N個(gè)放大部分中每一個(gè)的所述晶體管為偽高電子遷移率晶體管(PHEMT)。
7.一種分布式放大器，包含輸入傳輸線；輸出傳輸線；N個(gè)放大部分，具有與所述輸出傳輸線和輸出傳輸線相連的晶體管；N個(gè)獨(dú)立偏壓源，配置成為所述N個(gè)放大部分的每個(gè)晶體管提供N個(gè)獨(dú)立偏置電壓用于有源工作，其中分布式放大器被配置成使得當(dāng)為所述N個(gè)放大部分中第一部分的第一晶體管調(diào)整N個(gè)獨(dú)立偏置電壓中的第一獨(dú)立偏置電壓時(shí)，N個(gè)放大部分中第一部分的第一晶體管被配置成用于無源工作，在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器效率的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的分布式放大器，其中分布式放大器被配置成當(dāng)為所述N個(gè)放大部分中第二部分的第二晶體管調(diào)整N個(gè)獨(dú)立偏置電壓中的第二獨(dú)立偏置電壓時(shí)，N個(gè)放大部分中第二部分的第二晶體管被配置成用于無源工作，在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器效率的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的分布式放大器，其中分布式放大器被配置成當(dāng)為所述N個(gè)放大部分中第三部分的第三晶體管調(diào)整N個(gè)獨(dú)立偏置電壓中的第三獨(dú)立偏置電壓時(shí)，N個(gè)放大部分中第三部分的第三晶體管被配置成用于無源工作，在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器效率的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的分布式放大器，其中分布式放大器被配置成當(dāng)為所述N個(gè)放大部分中第四部分的第四晶體管調(diào)整N個(gè)獨(dú)立偏置電壓中的第四獨(dú)立偏置電壓時(shí)，N個(gè)放大部分中第四部分的第四晶體管被配置成用于無源工作，在不實(shí)質(zhì)降低分布式放大器效率的情況下降低了分布式放大器的輸出功率。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的分布式放大器，進(jìn)一步包含多個(gè)與所述N個(gè)放大部分的每個(gè)晶體管相連的陶瓷層，這多個(gè)陶瓷層包含分布式放大器的多個(gè)電元件，這些元件是作為這多個(gè)陶瓷層中的一層或多層的一個(gè)集成部分而形成的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的分布式放大器，其中所述多個(gè)陶瓷層為多個(gè)低溫共燒陶瓷層(LTCC)。
全文摘要
本發(fā)明給出了分布式放大器(40)以及操作分布式放大器(40)的方法(100)。分布式放大器(40)包含輸入傳輸線(48)、輸出傳輸線(50)和N個(gè)放大部分(42、44、46)，放大部分具有與輸入傳輸線(48)和輸出傳輸線(50)相連的晶體管(52)。分布式放大器(40)還包含N個(gè)獨(dú)立偏壓源(82、84、86)，用于向N個(gè)放大部分(42、44、46)的每個(gè)晶體管(52)提供有源工作所需的N個(gè)獨(dú)立偏置電壓，其中在分布式放大器(40)中，當(dāng)為所述N個(gè)放大部分中第一部分的第一晶體管調(diào)整N個(gè)獨(dú)立偏置電壓中的第一獨(dú)立偏置電壓時(shí)，N個(gè)放大部分中第一部分的第一晶體管成為無源工作區(qū)，在不顯著降低分布式放大器(40)效率的情況下降低了分布式放大器(40)的輸出功率。
文檔編號H03F3/60GK1543705SQ02806573
公開日2004年11月3日 申請日期2002年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年3月15日
發(fā)明者安東尼·M·帕維奧, 趙磊, 安東尼 M 帕維奧 申請人:自由度半導(dǎo)體公司