專利名稱：微型機器和其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種微型機器及其制造方法，具體地說，本發(fā)明涉及一種微型機器，其中一振動電極設置成跨過輸出電極，在輸出電極和振動電極之間存在一定空間，以及涉及這種機器的制造方法。
背景技術：
隨著在基片上的顯微制造技術的進步，微型機器技術正在引起人們的注意，該技術形成微型結構、電極、半導體電路等，用于控制在諸如硅基片、玻璃基片等基片上的微型結構的驅動。
其中一種微型機器是在無線電通訊中用作高頻濾波器的微型振動器。如圖11所示，微型振動器100通過將振動電極103設置在被配置于基片101上的輸出電極102a的上方而形成，在輸出電極102a和振動電極103之間形成空間A。振動電極103的一端與由和輸出電極102a相同的導電層所形成的輸入電極102b相連。當向輸入電極102b施加特定頻率的電壓時，設置在輸出電極102a上方、具有輸出電極102a和振動電極103之間所形成空間A的振動電極103的梁(振動部分)103a振動，從而，由輸出電極102a和梁(振動部分)103a之間空間A所形成的電容量改變，并從輸出電極102a輸出。與使用表面聲波和薄膜彈性波的高頻濾波器相比，包括由此形成的微型振動器100的高頻濾波器可以獲得更高的Q值。
這種微型振動器如下述那樣制造。首先如圖12A所示，由多晶硅制造的輸出電極102a、輸入電極102b和支持電極102c形成在其表面由絕緣層覆蓋的基片101上。這些電極102a～102c的形成使得輸入電極102b和支持電極102c設置在輸出電極102a的兩側。然后由氧化硅組成的犧牲層105形成在基片101上，其覆蓋電極102a～102c。
下文如圖12B所示，抵達輸入電極102b和支持電極102c的連接孔105b和105c形成在犧牲層105上。然后在包括連接孔105b和105c內部的犧牲層105上形成多晶硅層106。
以下如圖12C所示，通過對多晶硅層106進行圖案蝕刻，形成橫跨輸出電極102a的帶形振動電極103。此時，為了避免對由多晶硅組成的輸入電極102b和支持電極102c進行蝕刻，執(zhí)行所述多晶硅層106的圖案蝕刻，從而連接孔105b和105c被完全覆蓋。
然后有選擇地清除犧牲層105，從而在輸出電極102a和振動電極103之間形成如圖11所示的空間部分A。由此獲得微型振動器100。
但是，在由此獲得的微型振動器100中，沒有固定在輸入電極102b或支持電極102c上的屋檐部分B形成在梁103a兩端處的錨(支撐部分)103b的邊緣部分上。當振動電極103進一步減少時，這種屋檐部分B極大地影響梁103a的振動。
圖13是示出具有上述結構的微型振動器100的梁的長度L和振動固有頻率之間關系的圖表。如圖所示，根據(jù)下述等式(1)的理論振動固有頻率與(1/L2)成比例。
fR=0.162hL2EKρ---(1)]]>h膜厚度E楊氏模量K電磁性耦合系數(shù)ρ膜密度但是，在具有上述結構的微型振動器100內，從使用有限元方法進行模擬的結果可以看到，由于屋檐部分B在梁長度L減少到小于10微米且梁103a和支撐所述梁103a的錨103b的長度大致相同范圍(100MHz和更高)內的效果，難以按與(1/L2)成比例地增加振動的固有頻率。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種微型機器，其具有即使在100MHz和更高頻率范圍內能夠實現(xiàn)與(1/L2)成正比的更高的振動固有頻率的振動電極。
為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明，提供一種微型機器，其特征是包括設置在基片上的輸入電極和輸出電極；帶狀振動電極，通過將振動部分鋪設在所述輸出電極的上方，在所述輸出電極和所述振動電極之間設置一空間部分，所述振動電極的兩個端部支撐在所述輸入電極和所述基片上，形成所述振動電極；其特征在于從每個端部至所述振動部分的所述振動電極的每個端部的整個表面完全固定在所述輸入電極和所述基片上。
在這種微型機器中，由于從端部邊緣至振動部分的所述振動電極的兩個端部的整個表面完全固定在基座上，僅僅振動部分設置帶有配置在所述振動部分和所述基座之間的空間部分。當通過輸入電極向振動電極施加預定頻率的電壓時，振動電極振動，僅所述振動部分涉及振動并振動。因而，振動的固有頻率更接近理論值(一個與振動部分長度L的平方成反比的數(shù)值)，通過顯微制造，容易實現(xiàn)更高的頻率。
本發(fā)明也涉及一種制造所述微型機器的方法，該方法按下述步驟執(zhí)行。
在第一制造方法中，通過對基片上的第一導電層進行制作布線圖案，形成一輸入電極和一輸出電極；然后在所述輸入電極的上表面上以及在與所述輸入電極相反側的所述基片上形成絕緣保護膜，所述輸出電極位于所述輸入電極和所述相反側之間。然后，在覆蓋所述輸入電極和由所述保護膜的表面暴露的所述輸出電極的狀態(tài)下，能夠不影響在所述基片上形成的保護膜來有選擇地蝕刻犧牲層。在所述保護膜上形成抵達所述輸入電極和所述基片的連接孔。通過對在包括所述連接孔內部的犧牲層上的第二導電層進行制作布線圖案，形成具有兩端部分和中央部分的帶狀振動電極，所述兩端部分完全覆蓋所述連接孔的內部，所述端部部分的每端邊緣位于所述保護膜上，所述中央部分跨過所述輸出電極的上方。通過有選擇地清除所述犧牲層，在所述振動電極和所述輸出電極之間形成空間部分。
根據(jù)第一種制造方法，振動電極的圖案形成使得振動電極覆蓋連接孔內部，在犧牲層位于所述基片上的狀態(tài)下，振動電極的每個端部部分的邊緣位于保護膜上，從而曝露出其中形成有連接孔的保護膜。因此，在振動電極兩端的整個表面設置在連接孔內和保護膜上的狀態(tài)下，僅振動電極的中央部分設置在犧牲層上。在此狀態(tài)下，不影響保護膜，可有選擇地清除犧牲層。因此，形成具有下述形狀的振動電極，也就是僅在中央部分的下方設置空間部分，并且振動電極兩端部分的邊緣不延伸到保護膜的表面之外，振動電極兩端部分的整個表面固定在保護膜上和連接孔上。由于振動電極的圖案形成得覆蓋連接孔，即使當設置在連接孔底部的輸入電極由與振動電極相同的材料制造，連接孔內的輸入電極也不受振動電極的圖案形成的影響。
在第二制造方法中，通過對基片上的第一導電層進行制作布線圖案，形成一輸入電極和一輸出電極，然后形成覆蓋所述基片上的輸入電極和輸出電極的犧牲層。以下，在所述犧牲層上形成一抵達所述輸入電極的連接孔和形成一抵達在所述輸入電極相反側上的基片表面的連接孔，其中所述輸出電極位于所述輸入電極和所述相反側之間。在不影響包括所述連接孔內部的犧牲層上的所述第一導電層的前提下，能夠有選擇地蝕刻第二導電層。通過不影響第一導電層對第二導電層進行有選擇地圖案蝕刻，形成具有兩端部分和中央部分的帶狀振動電極，所述兩端部分的邊緣位于每個連接孔內，所述中央部分跨過所述輸出電極的上方。以下，通過有選擇地清除所述犧牲層，在所述振動電極和所述輸出電極之間形成空間部分。
根據(jù)第二種制造方法，在具有分別抵達輸入電極和基片的連接孔的犧牲層上形成振動電極的圖案，從而兩端部分的邊緣設置在連接孔內。因而在振動電極兩端的整個表面設置在連接孔內的狀態(tài)下，僅振動電極的中央部分設置在犧牲層上。由于在振動電極圖案形成時，能夠不影響形成輸入電極的第一導電層而可以對形成振動電極的第二導電層進行有選擇地蝕刻，所以暴露在連接孔底部的一部分輸入電極不受振動電極圖案形成的影響。然后，在此狀態(tài)下，有選擇地清除犧牲層。因此形成具有某一形狀的振動電極，從而僅在中央部分的下方設置空間部分，振動電極兩端部分的整個表面固定在輸入電極和基片上。


圖1A～1I是根據(jù)第一實施例的制造方法的工序的剖視圖；圖2是與圖1D對應的平面視圖；圖3是與圖1G對應的平面視圖；圖4是與圖1I對應的平面視圖；圖5是第一實施例的另一種結構的平面視圖；圖6A～6G是根據(jù)第二實施例的制造方法的工序的剖視圖；圖7是與圖6D對應的平面視圖；圖8是與圖6E對應的平面視圖；圖9是與圖6G對應的平面視圖；圖10是第二實施例的另一種結構的平面視圖；
圖11是示出傳統(tǒng)微型機器的結構的視圖(微型振動器)；圖12A～12C是傳統(tǒng)制造方法的工序的剖視圖；圖13是一個輔助解釋傳統(tǒng)微型機器的問題的圖表。
具體實施例方式
下文將結合附圖詳細介紹本發(fā)明的實施例。在每個實施例中，將首先介紹制造方法，然后介紹由該制造方法獲得的微型機器的結構。
圖1A～1I是根據(jù)第一實施例的制造方法的工序的剖視圖，圖2～4是輔助解釋根據(jù)第一實施例的制造方法的平面視圖。下文將在圖1A～1I的基礎上并參考圖2～4對根據(jù)第一實施例的微型機器制造方法進行說明。附帶地，圖1A～1I對應于圖2～4平面視圖中的A-A斷面。
首先如圖1A所示，通過以絕緣層3覆蓋諸如單晶硅或類似物的半導體基片1而形成基片4。絕緣層3的頂表面由對以后進行的蝕刻清除犧牲層(氧化硅)具有蝕刻阻力的材料形成。因而，通過堆疊一用于減輕絕緣層3和半導體基片1之間應力的氧化硅膜3a以及具有上述蝕刻阻力的氮化硅膜3b而形成絕緣層3，其中氧化硅膜3a位于半導體基片1和氮化硅膜3b之間。
然后如圖1B所示，通過在基片4上對第一導電層制作布線圖案而形成輸出電極7a、輸入電極7b和支持電極7c。形成電極7a～7c的第一導電層是諸如包含黃磷(P)的多晶硅的硅層。電極7a～7c設置在基片4上，從而使輸出電極7a設置在輸入電極7b和支持電極7c之間。
然后如圖1C所示，從電極7a～7c暴露的基片4的表面由氧化硅膜9覆蓋。此時，例如通過在氮化硅膜3b上形成氧化硅膜而將氧化硅膜9僅形成在基片4的表面上，從而覆蓋電極7a～7c，然后對氧化硅膜9進行研磨，直到露出電極7a～7c為止。
然后如圖1D所示，對隨后將進行的犧牲層的蝕刻清除具有蝕刻阻力的絕緣材料的保護層11在基片4上形成一種圖案，從而輸入電極7b和支持電極7c設置在基片4和保護層11之間。此時，當由氧化硅形成犧牲層時，例如保護層11由氮化硅形成(見圖2)。
順便提及，例如通過使用抗蝕圖(未示出)作為掩模對形成在基片4上的氮化硅膜進行蝕刻而形成保護層11。在進行這種蝕刻時，氧化硅膜9保護基片4表面上的氮化硅膜3b。因此，當?shù)枘?b具有足夠的膜厚用于蝕刻從而形成保護層11時，就不必在上述工序中形成氮化硅膜9。當沒有形成氮化硅膜9時，可以將保護層11a形成為從輸入電極7b和支持電極7c的表面延伸到基片4的表面上，如圖2雙點化線所示。還有，當基片4的表面由對保護層形成材料進行圖案蝕刻具有阻力的材料形成時，可以形成由雙點化線所示的類似的保護層11a。
然后如圖1E所示，在僅暴露出保護層11的情況下，犧牲層1 3鋪設在絕緣層3上。犧牲層13通過不影響基片4的表面層(在此情況下為氮化硅膜3b)、保護層(在此情況下為氮化硅)11、電極(在此情況下為多晶硅)7a～7c的有選擇地蝕刻而清除的材料制成。這種犧牲層13是在覆蓋電極7a～7c的情況下，通過制成犧牲層薄膜并對犧牲層薄膜進行研磨，直到曝露出保護層11為止而形成的。
隨后如圖1F所示，在保護層11中形成到達輸入電極7b的連接孔11b以及通過支持電極7c而到達基片4的連接孔11c。
如圖1G和圖3所示，形成通過連接孔11b和11c與輸入電極7b和支持電極7c相連并跨過輸出電極7a的帶形振動電極15。通過對形成在犧牲層13上以及形成在連接孔11b和11c內的第二導電層(例如多晶硅膜)進行圖案蝕刻，形成振動電極15。在此時，執(zhí)行圖案蝕刻從而使振動電極15的兩端部分完全覆蓋連接孔11b和11c內部，每端的邊緣位于保護層11上，振動電極15的中心部分橫跨輸出電極7a。
下面，如圖1H所示，犧牲層13被部分地清除，從而暴露出用于形成與輸入電極7b相連的導線的部分，此時在振動電極15下方還保留有犧牲層。此時具有這種形狀從而覆蓋振動電極15和周邊并暴露用于形成與輸入電極7b相連的導線的部分的抗蝕圖(未示)形成在基片4上。然后使用所述抗蝕圖作為掩膜，通過蝕刻有選擇地清除犧牲層13(氧化硅)，同時不影響保護層(氮化硅)11、電極(多晶硅)7a～7c和15以及基片4的表面層(所述氮化硅薄膜3a)。從而，導線形成部分上的犧牲層13被部分清除，犧牲層13僅保留在振動電極15和輸出電極7a之間。然后移走抗蝕圖。
然后形成與輸入電極7b的曝露表面相連的導線17。在形成導線17中，在基片4的整個表面上形成金(Au)晶種層(seed layer)，然后形成曝露所述導線形成部分并覆蓋其它部分的抗蝕圖(未示出)。然后利用電鍍方法，在抗蝕圖的開口內的晶種層上形成電鍍層而形成導線17。形成導線17后，對整個表面進行蝕刻以清除所述晶種層。
然后，通過有選擇地蝕刻清除犧牲層13(氧化硅)，同時不影響保護層11、電極7a～7c和15、基片4的表面層。此時通過使用緩沖HF的濕法刻蝕，可靠地將由氧化硅形成在振動電極15下方的犧牲層13清除。從而如圖1I所示在振動電極15下方形成空間部分(間隙)A。
如上所述，如圖1I和圖4所示，獲得具有帶狀振動電極15的微型機器20，通過將梁(振動部分)16鋪設在輸出電極7a上方且在輸出電極7a和振動電極15之間設置有空間部分，以及振動電極15兩端部分支撐在輸入電極7b和基片4上，支持電極7c設置在基片4和振動電極15之間，而形成振動電極15。
參考圖1G和圖3所述，具體地說，根據(jù)第一實施例的上述制造方法形成振動電極15的圖案，從而在犧牲層13形成在基片4上的狀態(tài)下，覆蓋連接孔11b和11c并在保護層11上設置振動電極15的兩端部分的邊緣，從而曝露具有形成在其中的連接孔11b和11c的保護層11。因此，在振動電極15兩端的整個表面設置在保護層11和連接孔11b和11c上的狀態(tài)下，振動電極15具有設置在犧牲層13上的中心部分。
然后，在此狀態(tài)下，參考圖1I和圖4所述，在不影響保護層11的狀態(tài)下，有選擇地清除犧牲層13。因而可以獲得具有下述形狀的振動電極15，即使空間部分A僅設置在中心梁(振動部分)16以下，從而振動電極15兩端部分的邊緣不會延伸在保護層11的表面上，從端部的邊緣至梁(振動部分)16的整個表面通過保護層11和連接孔11b和11c固定在輸入電極7和支持電極7c。
在具有這種形狀的振動電極15的微型機器20中，當經(jīng)由輸入電極7b施加預定頻率的電壓時，振動電極15振動，僅僅梁(振動部分)16涉及到振動，并且振動。因此，振動的固有頻率更接近滿足上述等式(1)的理論值(一個與振動部分長度L的平方成反比的數(shù)值)，通過顯微制造，容易獲得更高的頻率。結果，可以獲得具有高Q值和更高頻帶的高頻濾波器。
順便提及，當將保護層11a設置得如結合圖2所述那樣從輸入電極7b和支持電極7c的表面延伸到基片4的表面上時，形成在保護層11a上的連接孔11b和11c也可以具有下述形狀，如圖5所示，從輸入電極7b和支持電極7c的表面延伸到基片4的表面上。在此情況下，在形成振動電極15a中，進行圖案蝕刻，從而使振動電極15a的兩端部分完全覆蓋連接孔11b和11c的內部，每個端部的邊緣位于保護層11a上，振動電極15a的中心部分橫跨輸出電極7a。因此，振動電極15a的兩端部分的邊緣不延伸到保護層11a的表面之外，從端部的邊緣至梁(振動部分)16a的整個表面通過保護層11a和連接孔11b和11c固定在輸入電極7和支持電極7c上。
具有由此形成的振動電極15a的微型機器20a可以使振動電極15’的線寬獨立于輸入電極7b的線寬。順便說，具有圖5所示結構的微型機器20內的振動電極15a可以形成具有恒定線寬。此外，由于端部可以設置為比梁(振動部分)16a足夠寬，從而可以可靠地支撐梁(振動部分)16a，并且因此可以獲得更接近理論值的高頻振動。
(第二實施例)圖6A～6G是根據(jù)第二實施例的制造方法的工序的剖視圖。圖7～9是用于解釋根據(jù)第二實施例的制造方法的平面視圖。下文將在圖6A～6G基礎上結合圖7～9對根據(jù)第二實施例的微型機器的制造方法進行說明。順便說一下，圖6A～6G對應于圖7～9平面視圖中的A-A斷面。
首先，在圖6A中，采用第一實施例中與圖1A所示相同的方式執(zhí)行工序，從而形成基片4，即用將氮化硅膜3b疊置在氧化硅膜3a上而形成的絕緣層3覆蓋諸如單晶硅等半導體基片1的表面。
然后如圖6B所示，通過對基片4上的第一導電層制作布線圖案，形成輸出電極7a1、輸入電極7b1和支持電極7c1。第二實施例的特征是，使用在以后進行的振動電極的制作布線圖案成形時具有抗蝕阻力的材料作為形成電極7a1～7c1的第一導電層的材料。因此，當由諸如多晶硅的硅層形成振動電極時，使用例如對硅蝕刻具有抗蝕阻力的導電材料形成電極7a1～7c1，例如鈦和鈦合金、鎢和鎢合金、包含硼(B)的多晶硅、類似碳的金剛石(DLC)、或包含硼(B)或氮(N)的金剛石。順便的說，采用與第一實施例的電極7a～7c相同的方式設置電極7a1～7c1。
然后如圖6C所示，在覆蓋電極7a1～7c1的狀態(tài)下將犧牲層13鋪設在基片4上。犧牲層13通過在不影響基片4的表面層(在此情況下為氮化硅膜3a)和電極7a1～7c1的情況下有選擇地清除材料(例如氧化硅)形成。
然后如圖6D和7所示，抵達輸入電極7b1的連接孔13b和通過支持電極7c1而抵達基片4表面的連接孔13c形成在犧牲層13上。這些連接孔13b和13c可以形成在輸入電極7b1和支持電極7c1的表面區(qū)域內，或可以作為從輸入電極7b1和支持電極7c1的表面延伸到基片4表面的連接孔13b1和13c1而設置，如圖7雙點劃線所示。
如圖6E和圖8所示，形成通過連接孔13b和13c與輸入電極7b1和支持電極7c1相連并跨過輸出電極7a1的帶狀振動電極15。通過在包括連接孔13b和13c內部的犧牲層13上制造第二導電層(例如多晶硅膜)而形成振動電極15，可以在不影響輸出電極7a1、輸入電極7b1和支持電極7c1的狀態(tài)下，對所述第二導電層進行蝕刻，并且對第二導電層進行有選擇地圖案蝕刻。
采用下述圖案形成振動電極15，從而使振動電極15的兩端不從連接孔13b和13c內部延伸。因此，在連接孔13b和13c具有從輸入電極7b1和支持電極7c1的表面延伸到基片4表面上的情況下，振動電極15的兩端部分也可以形成為延伸到基片4的表面上。
然后如圖6F所示，在導線形成部分上的犧牲層13被部分地清除，在振動電極15下方空間內留有犧牲層13，從而形成與輸入電極7b1相連的導線17。采用與第一實施例中圖1H所述的相同方式執(zhí)行上述工序。
然后在不影響電極7a1～7c1和15、基片4的表面以及導線1 7的情況下，通過選擇地蝕刻對犧牲層13進行清除。因此，如圖6G和圖9所示，在振動電極15下形成空間部分(間隙)A。采用與結合圖1I所述的第一實施例相同的方式執(zhí)行上述工序。
如上所述，獲得具有帶狀振動電極15的微型機器21，采用下述方式形成振動電極15，也就是將梁(振動部分)16鋪設在輸出電極7a1上，同時在輸出電極7a1和振動電極15之間存在空間部分A，振動電極15的兩端部分支撐在輸入電極7b1和基片4上，同時支持電極7c1位于基片4和振動電極15之間。
參考圖6E和圖8所述，具體地說，根據(jù)第二實施例的上述制造方法形成振動電極15的圖案，從而使振動電極15兩端部分的邊緣設置在被布置于犧牲層13中的連接孔13b和13c內。在此時，由于在不影響形成輸入電極7b1和支持電極7c1的第一導電層的前提下，形成振動電極15的第二導電層可以有選擇地被蝕刻，所以在形成振動電極圖案時，在不影響處在連接孔13b和13c的底部暴露的輸入電極7b1和支持電極7c1的前提下，可以形成振動電極15的蝕刻圖案。作為圖案形成的結果，振動電極15僅具有設置在犧牲層13上的中央部分，振動電極15的兩端部分的整個表面設置在連接孔13b和13c內。
然后，在此狀態(tài)下，如結合圖6G所述，有選擇地清除犧牲層13。因此，可以獲得具有下述形狀的振動電極15，即空間部分A僅設置在中心梁(振動部分)16的下方，從而振動電極15兩端部分的整個表面固定在基片4上的輸入電極7b1和支持電極7c1上。
在具有這種形狀的振動電極15的微型機器21中，如根據(jù)第一實施例的微型機器20和20a那樣，當振動電極15通過輸入電極7b施加預定頻率的電壓而振動時，僅僅梁(振動部分)涉及振動，并且振動。因而振動的固有頻率更接近理論值(一個與振動部分長度L的平方成反比的數(shù)值)，通過顯微制造，容易獲得較高的頻率。因而，可以獲得具有高Q值和更高頻帶的高頻濾波器。
順便提及，當將連接孔13b1和13c1設置成如結合圖7所述那樣從輸入電極7b和支持電極7c的表面延伸到基片4的表面上時，如圖10所示，振動電極15a的兩端部分可以形成為延伸到基片4上。因此，有可能對振動電極15a的線寬獨立于輸入電極7b1線寬進行設置。這種振動電極15a可以形成為具有恒定線寬或形成為僅端部具有更大的線寬。此外，由于端部可以設置成比梁(振動部分)16a寬的多，所以可以可靠地支撐梁(振動部分)16a。因此，可以獲得能夠實現(xiàn)更接近理論值的高頻振動的微型機器21a。
當在上述第二實施例中沒有形成支撐電極7c1時，在上述結合圖6D所述那樣加工時，連接孔13c形成為抵達基片4。因此，獲得可以提供類似效果的微型機器。
工業(yè)利用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明的微型機器及其制造方法，形成一振動電極，其中僅在梁(振動部分)下方設置空間部分，支撐所述梁的兩端部分的整個表面固定在輸入電極上和諸如基片等的基座上。因此，當通過所述輸入電極施加預定頻率電壓時，僅僅梁(振動部分)涉及振動，并且因此可以獲得一更接近理論值的振動固有頻率。由此，通過顯微制造振動電極，能夠實現(xiàn)更高頻率，從而可以獲得具有高Q值和更高頻帶的高頻濾波器。
權利要求
1.一種微型機器包括設置在基片上的一輸入電極和一輸出電極；通過將振動部分鋪設在所述輸出電極的上，在所述輸出電極和所述振動電極之間設置一空間部分，所述振動電極的兩端部分支撐在所述輸入電極和所述基片上所形成的振動電極；其特征在于，從每個端部的邊緣至所述振動部分的所述振動電極的每個端部部分的整個表面完全固定在所述輸入電極和所述基片上。
2.如權利要求1所述的微型機器，其特征在于，所述振動電極由不會影響形成所述輸入電極的材料、可以被有選擇蝕刻的材料所形成。
3.如權利要求1所述的微型機器，其特征在于，端部固定在所述輸入電極的所述振動電極的端部寬度大于所述輸入電極的寬度。
4.一種制造微型機器的方法包括如下步驟通過對基片上的第一導電層進行制作布線圖案，形成一輸入電極和一輸出電極；在所述輸入電極的上表面上以及在與所述輸入電極相反側上的所述基片上形成絕緣保護膜，所述輸出電極位于所述輸入電極和所述相反側之間；在覆蓋所述輸入電極和由所述保護膜的表面曝露的所述輸出電極的情況下，不影響所述基片上的保護膜，形成能夠被有選擇蝕刻的犧牲層；在所述保護膜中形成抵達所述輸入電極和所述基片的連接孔；通過對形成在包括所述連接孔內部的犧牲層上的第二導電層進行制作布線圖案，形成具有兩端部分和中央部分的帶狀振動電極，所述兩端部分完全覆蓋所述連接孔的內部，每一所述端部部分的邊緣位于所述保護膜上，所述中央部分跨過所述輸出電極的上方；通過有選擇地清除所述犧牲層，在所述振動電極和所述輸出電極之間形成空間部分。
5.一種制造微型機器的方法包括如下步驟通過對基片上的第一導電層進行制作布線圖案，形成一輸入電極和一輸出電極；形成覆蓋所述基片上的輸入電極和輸出電極的犧牲層；在所述犧牲層中形成一抵達所述輸入電極的連接孔以及形成一抵達在所述輸入電極相反側上的基片表面的連接孔，其中所述輸出電極位于所述輸入電極和所述相反側之間；在不影響包括所述連接孔的所述犧牲層上的所述第一導電層的前提下，形成能夠被有選擇蝕刻的第二導電層；通過不影響第一導電層地的所述第二導電層的有選擇圖案蝕刻，形成具有兩端部分和中央部分的帶狀振動電極，所述兩端部分的邊緣位于每個連接孔內，所述中央部分跨過所述輸出電極的上方；以及通過有選擇地清除所述犧牲層，在所述振動電極和所述輸出電極之間形成空間部分。
全文摘要
本發(fā)明公開一種用于具有高Q值和高頻帶的高頻濾波器的微型機器(20)。在微型機器(20)中包括設置在基片(4)上的輸入電極(7b)、輸出電極(7a)和支持電極(7c)；以及帶狀振動電極(15)，在穿過支持電極(7c)將振動電極(15)的兩端部分支撐在輸入電極(7b)和基片(4)上的狀態(tài)下，通過穿過間隙部分(A)將梁(振動部分)16鋪設在輸出電極(7a)的上部形成振動電極(15)，其中在從端部至梁(16)的整個表面范圍上，振動電極(15)的兩端部分被完全地固定于所述輸入電極(7b)和支持電極(7c)。
文檔編號H03H3/007GK1681733SQ0382187
公開日2005年10月12日 申請日期2003年7月14日 優(yōu)先權日2002年7月30日
發(fā)明者多田正裕, 木下隆, 谷口武士, 池田浩一 申請人:索尼株式會社